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CN110492768A - 整流桥电路 - Google Patents

整流桥电路 Download PDF

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CN110492768A
CN110492768A CN201910745354.1A CN201910745354A CN110492768A CN 110492768 A CN110492768 A CN 110492768A CN 201910745354 A CN201910745354 A CN 201910745354A CN 110492768 A CN110492768 A CN 110492768A
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CN
China
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semiconductor
oxide
metal
circuit
triode
Prior art date
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CN201910745354.1A
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Inventor
陈志领
陆卫丽
肖庆恩
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Suzhou Geyuan Electrical Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Geyuan Electrical Co Ltd
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    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
    • H02M7/02—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal
    • H02M7/04—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/12—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/21—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
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    • H02M7/219—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a bridge configuration
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    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
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Abstract

本发明提供一种整流桥电路，包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一驱动信号电路、第二驱动信号电路，所述第一MOS管的第一端与所述第二MOS管的第一端相连作为整流后电源的第一端，所述第三MOS管的第二端与所述第四MOS管的第二端相连作为整流后电源的第二端，所述第四MOS管的第一端与所述第二MOS管的第二端相连连接到交流电的第一端，所述第三MOS管的第一端与所述第一MOS管的第二端相连连接到交流电的第二端。本发明整流桥电路使用MOS管作为整流桥，MOS管是单向导通器件，导通阻抗较小，在流过相同的电流的情况下正向压降可以远低于普通二极管，所以降低了电源功耗，提高了效率，同时也减小了整流桥安装的散热器尺寸甚至可以省掉。

Description

整流桥电路
技术领域
本发明属于交流输入类型的开关电源技术领域，尤其涉及一种整流桥电路。
背景技术
交流输入的开关电源都需要对输入的交流电进行整流，经过整流滤波以后变成直流电才可以进行电能转换，现在比较常用的整流方式是采用二极管整流，如图1所示为采用4个二极管的单相整流桥电路，此整流桥电路的特点是电路简单成本低，但此电路的主要缺点是二极管压降大功耗高，假设单个二极管压降1V流过二极管电流10A，同一时刻有两个二极管正向导通工作，因此整流桥的功耗为1V*10A*2＝20W，这么大的功耗不仅影响效率而且需要安装在一个较大面积的散热器上散热，否则很容易过热损坏。
发明内容
针对此问题，本发明提供一种功耗较低的整流桥电路。
本发明的技术目的由如下技术方案实现：
一种整流桥电路，所述整流桥电路包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一驱动信号电路、第二驱动信号电路，所述第一MOS管的第一端与所述第二MOS管的第一端相连作为整流后电源的第一端，所述第三MOS管的第二端与所述第四MOS管的第二端相连作为整流后电源的第二端，所述第四MOS管的第一端与所述第二MOS管的第二端相连连接到交流电的第一端，所述第三MOS管的第一端与所述第一MOS管的第二端相连连接到交流电的第二端，所述第一MOS管的第三端连接所述第一驱动信号电路的第一输出端，所述第四MOS管的第三端连接所述第一驱动信号电路的第二输出端，所述第二MOS管的第三端连接所述第二驱动信号电路的第一输出端，所述第三MOS管的第三端连接所述第二驱动信号电路的第二输出端，所述第一驱动信号电路输出的驱动信号与所述第二驱动信号电路输出的驱动信号互斥。
进一步，所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管均为NMOS，所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管的第一端均为源极，所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管的第二端均为漏极，所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管的第三端均为栅极，所述整流后电源的第一端为电源负端，所述整流后电源的第二端为电源正端，所述交流电的第一端为火线，所述交流电的第二端为零线，所述电源负端也作为地。
进一步，所述整流桥电路还包括驱动信号产生电路和信号取反电路，所述驱动信号产生电路的输入端连接所述交流电，所述驱动信号产生电路的输出端连接所述第一驱动信号电路的输入端，且所述驱动信号产生电路的输出端还通过所述信号取反电路连接所述第二驱动信号电路的输入端。
进一步，所述驱动信号产生电路包括运放和比较器，所述运放的第一输入端通过第一电阻连接所述交流电的第二端，所述运放的第一输入端还通过第二电阻连接所述运放的输出端，所述运放的第二输入端通过第三电阻连接所述交流电的第一端，所述运放的第二输入端还通过第四电阻连接所述比较器的第一输入端并接地，所述运放的输出端连接所述比较器的第二输入端，所述比较器的输出端通过第五电阻连接第一工作电源并作为所述驱动信号产生电路的输出端，所述运放的两电源端分别连接所述第一工作电源和第四工作电源，所述比较器的两电源端分别连接所述第一工作电源和地，所述第一工作电源和所述第四工作电源为两共地的正负电源。
进一步，所述运放为差分运放，所述运放的第一输入端为所述差分运放的反向输入端，所述运放的第二输入端为所述差分运放的正向输入端，所述比较器的第一输入端为反向输入端，所述比较器的第二输入端为正向输入端。
进一步，所述第一驱动信号电路包括第一三极管、第四三极管和第一光耦，所述第一三极管的第一端通过第六电阻作为所述第一驱动信号电路的输入端连接所述驱动信号产生电路的输出端，所述第一三极管的第二端通过第七电阻接地并作为所述第一驱动信号电路的第一输出端，所述第一三极管的第三端连接所述第一工作电源，所述第一光耦的第一输入端通过第八电阻也连接到所述第一驱动信号电路的输入端，所述第一光耦的第二输入端连接所述第一工作电源，所述第一光耦的第一输出端连接所述第四三极管的第一端，所述第一光耦的第二输出端与所述第四三极管的第三端相连并连接第二工作电源，所述第四三极管的第二端通过第九电阻接所述第二工作电源的参考地并作为所述第一驱动信号电路的第二输出端，所述第二工作电源的参考地为所述交流电的第一端。
进一步，所述信号取反电路包括非门，所述非门的输入端作为所述信号取反电路的输入端连接所述驱动信号产生电路的输出端，所述非门的两电源端分别连接所述第一工作电源和地，所述非门的输出端作为所述信号取反电路的输出端。
进一步，所述第二驱动信号电路与所述第一驱动信号电路结构相同，所述第二驱动信号电路包括第二三极管、第三三极管和第二光耦，所述第二三极管的第一端通过第十电阻作为所述第二驱动信号电路的输入端连接所述信号取反电路的输出端，所述第二三极管的第二端通过第十一电阻接地并作为所述第二驱动信号电路的第一输出端，所述第二三极管的第三端连接所述第一工作电源，所述第二光耦的第一输入端通过第十二电阻也连接到所述第二驱动信号电路的输入端，所述第二光耦的第二输入端连接所述第一工作电源，所述第二光耦的第一输出端连接所述第三三极管的第一端，所述第二光耦的第二输出端与所述第三三极管的第三端相连并连接第三工作电源，所述第三三极管的第二端通过第十三电阻接所述第三工作电源的参考地并作为所述第二驱动信号电路的第二输出端，所述第三工作电源的参考地为所述交流电的第二端。
进一步，所述第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管的第一端均为基极，所述第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管的第二端均为发射极，所述第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管的第三端均为集电极，所述第一光耦、第二光耦的第一输入端均为发光二极管阴极，所述第一光耦、第二光耦的第二输入端均为发光二极管阳极，所述第一光耦、第二光耦的第一输出端均为光敏三极管的发射极，所述第一光耦、第二光耦的第二输出端均为光敏三极管的集电极。
进一步，所述整流桥电路还包括电容，所述电容连接于所述整流后电源的第一端与所述整流后电源的第二端之间。
本发明整流桥电路使用MOS管作为整流桥，MOS管是单向导通器件，导通阻抗较小，在流过相同的电流的情况下正向压降可以远低于普通二极管，所以降低了电源功耗，提高了效率，同时也减小了整流桥安装的散热器尺寸甚至可以省掉。
附图说明
图1为一种现有的整流桥电路的结构框图；
图2为本发明一实施方式提供的一种整流桥电路的结构框图；
图3为本发明一实施方式提供的一种整流桥电路的电路原理图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是在于限制本发明。
请参见图2所示，本发明一实施方式一种整流桥电路，所述整流桥电路包括：第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第一驱动信号电路10、第二驱动信号电路20，所述第一MOS管Q1的第一端与所述第二MOS管Q2的第一端相连作为整流后电源的第一端DC-，所述第三MOS管Q3的第二端与所述第四MOS管Q4的第二端相连作为整流后电源的第二端DC+，所述第四MOS管Q4的第一端与所述第二MOS管Q2的第二端相连连接到交流电的第一端L，所述第三MOS管Q3的第一端与所述第一MOS管Q1的第二端相连连接到交流电的第二端N，所述第一MOS管Q1的第三端连接所述第一驱动信号电路10的第一输出端，所述第四MOS管Q4的第三端连接所述第一驱动信号电路10的第二输出端，所述第二MOS管Q2的第三端连接所述第二驱动信号电路20的第一输出端，所述第三MOS管Q3的第三端连接所述第二驱动信号电路20的第二输出端，所述第一驱动信号电路10输出的驱动信号与所述第二驱动信号电路20输出的驱动信号互斥。
其中，所述第一驱动信号电路10输出的驱动信号与所述第二驱动信号电路20输出的驱动信号互斥，是指，当所述第一驱动信号电路10输出的驱动信号为高电平时则所述第二驱动信号电路20输出的驱动信号就是低电平，当所述第一驱动信号电路10输出的驱动信号为低电平时则所述第二驱动信号电路20输出的驱动信号就是高电平，这样所述第一MOS管Q1和所述第四MOS管Q4导通时所述第二MOS管Q2和所述第三MOS管Q3必然截止，反之所述第一MOS管Q1和所述第四MOS管Q4截止时所述第二MOS管Q2和所述第三MOS管Q3导通。
在一具体实施例中，所述第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4均为NMOS，所述第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4的第一端均为源极，所述第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4的第二端均为漏极，所述第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4的第三端均为栅极，所述整流后电源的第一端DC-为电源负端，所述整流后电源的第二端DC+为电源正端，所述交流电的第一端L为火线，所述交流电的第二端N为零线，所述电源负端也作为地GND1。
请参见图3所示，所述整流桥电路还包括驱动信号产生电路30和信号取反电路40，所述驱动信号产生电路30的输入端连接所述交流电，所述驱动信号产生电路的输出端30连接所述第一驱动信号电路10的输入端，且所述驱动信号产生电路30的输出端还通过所述信号取反电路40连接所述第二驱动信号电路20的输入端。
其中，所述驱动信号产生电路30包括运放U1和比较器U2，所述运放U1的第一输入端通过第一电阻R1连接所述交流电的第二端N，所述运放U1的第一输入端还通过第二电阻R2连接所述运放U1的输出端，所述运放U1的第二输入端通过第三电阻R3连接所述交流电的第一端L，所述运放U1的第二输入端还通过第四电阻R4连接所述比较器U2的第一输入端并接地GND1，所述运放U1的输出端连接所述比较器U2的第二输入端，所述比较器U2的输出端通过第五电阻R5连接第一工作电源+VCC1并作为所述驱动信号产生电路30的输出端，所述运放U1的两电源端分别连接所述第一工作电源+VCC1和第四工作电源-VCC，所述比较器U2的两电源端分别连接所述第一工作电源+VCC1和地GND1，所述第一工作电源+VCC1和所述第四工作电源-VCC为两共地GND1的正负电源。
在一具体实施例中，所述运放U1为差分运放，所述运放U1的第一输入端为所述差分运放的反向输入端，所述运放U1的第二输入端为所述差分运放的正向输入端，所述比较器U2的第一输入端为反向输入端，所述比较器U2的第二输入端为正向输入端。所述运放U1对交流电进行一定比例的缩小采样得到一个合适大小的信号，此信号连接到比较器U2的正相输入端和反相输入端进行比较后输出，当交流电的第一端L对于第二端N为正时比较器U2输出高电平，当交流电的第一端L对于第二端N为负时比较器U2输出低电平。
进一步，所述第一驱动信号电路10包括第一三极管T1、第四三极管T4和第一光耦P1，所述第一三极管T1的第一端通过第六电阻R6作为所述第一驱动信号电路10的输入端连接所述驱动信号产生电路30的输出端，所述第一三极管T1的第二端通过第七电阻R7接地GND1并作为所述第一驱动信号电路10的第一输出端DR_G1，所述第一三极管T1的第三端连接所述第一工作电源+VCC1，所述第一光耦P1的第一输入端通过第八电阻R8也连接到所述第一驱动信号电路10的输入端，所述第一光耦P1的第二输入端连接所述第一工作电源+VCC1，所述第一光耦P1的第一输出端连接所述第四三极管T4的第一端，所述第一光耦P1的第二输出端与所述第四三极管T4的第三端相连并连接第二工作电源+VCC2，所述第四三极管T4的第二端通过第九电阻R9接所述第二工作电源的参考地GND2并作为所述第一驱动信号电路10的第二输出端DR_G4，所述第二工作电源的参考地GND2为所述交流电的第一端L。所述第一驱动信号电路10产生两个逻辑相同但是相互隔离的驱动信号分别驱动第一MOS管Q1和第四MOS管Q4。比较器U2的输出信号经过第一三极管T1放大以后输出给第一输出端DR_G1驱动第一MOS管Q1，比较器U2的输出信号经过第一光耦P1隔离和第四三极管T4放大以后输出给第二输出端DR_G4驱动第四MOS管Q4。
进一步，所述信号取反电路40包括非门U3，所述非门U3的输入端作为所述信号取反电路40的输入端连接所述驱动信号产生电路30的输出端，所述非门U3的两电源端分别连接所述第一工作电源+VCC1和地GND1，所述非门U3的输出端作为所述信号取反电路40的输出端。非门U3对比较器U2的输出信号进行反相，然后给所述第二驱动信号电路20使用。
进一步，所述第二驱动信号电路20与所述第一驱动信号电路10结构相同，所述第二驱动信号电路20包括第二三极管T2、第三三极管T3和第二光耦P2，所述第二三极管T2的第一端通过第十电阻R10作为所述第二驱动信号电路20的输入端连接所述信号取反电路40的输出端，所述第二三极管T2的第二端通过第十一电阻R11接地GND1并作为所述第二驱动信号电路20的第一输出端DR_G2，所述第二三极管T2的第三端连接所述第一工作电源+VCC1，所述第二光耦P2的第一输入端通过第十二电阻R12也连接到所述第二驱动信号电路20的输入端，所述第二光耦P2的第二输入端连接所述第一工作电源+VCC1，所述第二光耦P2的第一输出端连接所述第三三极管T3的第一端，所述第二光耦P2的第二输出端与所述第三三极管T3的第三端相连并连接第三工作电源+VCC3，所述第三三极管T3的第二端通过第十三电阻R13接所述第三工作电源的参考地GND3并作为所述第二驱动信号电路20的第二输出端DR_G3，所述第三工作电源的参考地GND3为所述交流电的第二端N。同理，所述第二驱动信号电路20产生两个逻辑相同但是相互隔离的驱动信号分别驱动第二MOS管Q2和第三MOS管Q3。非门U3的输出信号经过第二三极管T2放大以后输出给第一输出端DR_G2驱动第二MOS管Q2，非门U3的输出信号经过第二光耦P2隔离和第三三极管T3放大以后输出给第二输出端DR_G3驱动第三MOS管Q3。
在一具体实施例中，所述第一三极管T1、第二三极管T2、第三三极管T3、第四三极管T4的第一端均为基极，所述第一三极管T1、第二三极管T2、第三三极管T3、第四三极管T4的第二端均为发射极，所述第一三极管T1、第二三极管T2、第三三极管T3、第四三极管T4的第三端均为集电极，所述第一光耦P1、第二光耦P2的第一输入端均为发光二极管阴极，所述第一光耦P1、第二光耦P2的第二输入端均为发光二极管阳极，所述第一光耦P1、第二光耦P2的第一输出端均为光敏三极管发射极，所述第一光耦P1、第二光耦P2的第二输出端均为光敏三极管发集电极。
进一步，所述整流桥电路还包括电容C1，所述电容C1连接于所述整流后电源的第一端与所述整流后电源的第二端之间，对整流后电源进行储能滤波，然后提供给负载使用。
本发明整流桥电路的工作过程如下：
(1)当交流电的第一端L相对第二端N为正时，驱动信号产生电路30输出高电平信号，第一驱动信号电路10的第一输出端DR_G1、第二输出端DR_G4输出高电平，使得第一MOS管Q1和第四MOS管Q4导通；同时，驱动信号产生电路30输出的高电平信号经信号取反电路40反相以后给到第二驱动信号电路20，第二驱动信号电路20的第一输出端DR_G2和第二输出端DR_G3输出低电平，使得第二MOS管Q2和第三MOS管Q3截止，电流从交流电的第一端L开始经过第四MOS管Q4到负载及电容C1，电流从负载及电容C1流出再经过第一MOS管Q1回到交流电的第二端N，这样流经一圈构成闭合回路。
(2)当交流电的第一端L相对第二端N为负时，驱动信号产生电路30输出低电平信号，第一驱动信号电路10的第一输出端DR_G1、第二输出端DR_G4输出低电平，使得第一MOS管Q1和第四MOS管Q4截止；同时，驱动信号产生电路30输出的低电平信号经信号取反电路40反相以后给到第二驱动信号电路20，第二驱动信号电路20的第一输出端DR_G2和第二输出端DR_G3输出高电平，使得第二MOS管Q2和第三MOS管Q3导通，电流从交流电的第二端N开始经过第三MOS管Q3到负载及电容C1，电流从负载及电容C1流出再经过第二MOS管Q2回到交流电的第一端L，这样流经一圈构成闭合回路。
作为具体实施例，运放U1采用LM2904，比较器U2采用LM239DG,非门U3采用SN74AHC1G04,三极管T1-T4采用FZT651,MOS管Q1-Q4采用N沟道MOS管IPW60R041P6，光耦采用PC817，器件具体规格可以根据实际的电路功率、电流大小、电压高低以及其它性能要求等因素综合考虑。
本发明主要是要解决传统整流桥功耗高的问题。传统的二极管整流桥电路功耗较高发热厉害，要想减小整流桥的功耗要么减小整流器件的正向压降要么减小流经整流器件的电流，在负载功率一定输入电压一定的情况下是无法减小输入电流的，因此，减小流过整流器件的电流基本是不可能的(不考虑无功电流假设功率因数PF为1)，只能通过减小整流器件的正向压降来降低整流桥的损耗。而MOS管作为单向导通器件具有较小的导通阻抗Rdson，在流过相同的电流的情况下正向压降可以远低于普通二极管，是一个不错的选择，比如选择一个Rdson＝50mΩ的MOS管组成整流桥，同样流过10A的电流，其功耗为10A*10*0.05Ω*2＝10W，相对于普通的整流桥20W的功耗显著降低。
本发明整流桥电路使用MOS管作为整流桥，MOS管是单向导通器件，导通阻抗较小，在流过相同的电流的情况下正向压降可以远低于普通二极管，所以降低了电源功耗，提高了效率，同时也减小了整流桥安装的散热器尺寸甚至可以省掉。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种整流桥电路，其特征在于，所述整流桥电路包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一驱动信号电路、第二驱动信号电路，所述第一MOS管的第一端与所述第二MOS管的第一端相连作为整流后电源的第一端，所述第三MOS管的第二端与所述第四MOS管的第二端相连作为整流后电源的第二端，所述第四MOS管的第一端与所述第二MOS管的第二端相连连接到交流电的第一端， 所述第三MOS管的第一端与所述第一MOS管的第二端相连连接到交流电的第二端，所述第一MOS管的第三端连接所述第一驱动信号电路的第一输出端，所述第四MOS管的第三端连接所述第一驱动信号电路的第二输出端，所述第二MOS管的第三端连接所述第二驱动信号电路的第一输出端，所述第三MOS管的第三端连接所述第二驱动信号电路的第二输出端，所述第一驱动信号电路输出的驱动信号与所述第二驱动信号电路输出的驱动信号互斥。
2.根据权利要求1所述的整流桥电路，其特征在于，所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管均为NMOS，所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管的第一端均为源极，所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管的第二端均为漏极，所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管的第三端均为栅极，所述整流后电源的第一端为电源负端，所述整流后电源的第二端为电源正端，所述交流电的第一端为火线，所述交流电的第二端为零线，所述电源负端也作为地。
3.根据权利要求1所述的整流桥电路，其特征在于，所述整流桥电路还包括驱动信号产生电路和信号取反电路，所述驱动信号产生电路的输入端连接所述交流电，所述驱动信号产生电路的输出端连接所述第一驱动信号电路的输入端，且所述驱动信号产生电路的输出端还通过所述信号取反电路连接所述第二驱动信号电路的输入端。
4.根据权利要求3所述的整流桥电路，其特征在于，所述驱动信号产生电路包括运放和比较器，所述运放的第一输入端通过第一电阻连接所述交流电的第二端，所述运放的第一输入端还通过第二电阻连接所述运放的输出端，所述运放的第二输入端通过第三电阻连接所述交流电的第一端，所述运放的第二输入端还通过第四电阻连接所述比较器的第一输入端并接地，所述运放的输出端连接所述比较器的第二输入端，所述比较器的输出端通过第五电阻连接第一工作电源并作为所述驱动信号产生电路的输出端，所述运放的两电源端分别连接所述第一工作电源和第四工作电源，所述比较器的两电源端分别连接所述第一工作电源和地，所述第一工作电源和所述第四工作电源为两共地的正负电源。
5.根据权利要求4所述的整流桥电路，其特征在于，所述运放为差分运放，所述运放的第一输入端为所述差分运放的反向输入端，所述运放的第二输入端为所述差分运放的正向输入端，所述比较器的第一输入端为反向输入端，所述比较器的第二输入端为正向输入端。
6.根据权利要求4所述的整流桥电路，其特征在于，所述第一驱动信号电路包括第一三极管、第四三极管和第一光耦，所述第一三极管的第一端通过第六电阻作为所述第一驱动信号电路的输入端连接所述驱动信号产生电路的输出端，所述第一三极管的第二端通过第七电阻接地并作为所述第一驱动信号电路的第一输出端，所述第一三极管的第三端连接所述第一工作电源，所述第一光耦的第一输入端通过第八电阻也连接到所述第一驱动信号电路的输入端，所述第一光耦的第二输入端连接所述第一工作电源，所述第一光耦的第一输出端连接所述第四三极管的第一端，所述第一光耦的第二输出端与所述第四三极管的第三端相连并连接第二工作电源，所述第四三极管的第二端通过第九电阻接所述第二工作电源的参考地并作为所述第一驱动信号电路的第二输出端，所述第二工作电源的参考地为所述交流电的第一端。
7.根据权利要求6所述的整流桥电路，其特征在于，所述信号取反电路包括非门，所述非门的输入端作为所述信号取反电路的输入端连接所述驱动信号产生电路的输出端，所述非门的两电源端分别连接所述第一工作电源和地，所述非门的输出端作为所述信号取反电路的输出端。
8.根据权利要求7所述的整流桥电路，其特征在于，所述第二驱动信号电路与所述第一驱动信号电路结构相同，所述第二驱动信号电路包括第二三极管、第三三极管和第二光耦，所述第二三极管的第一端通过第十电阻作为所述第二驱动信号电路的输入端连接所述信号取反电路的输出端，所述第二三极管的第二端通过第十一电阻接地并作为所述第二驱动信号电路的第一输出端，所述第二三极管的第三端连接所述第一工作电源，所述第二光耦的第一输入端通过第十二电阻也连接到所述第二驱动信号电路的输入端，所述第二光耦的第二输入端连接所述第一工作电源，所述第二光耦的第一输出端连接所述第三三极管的第一端，所述第二光耦的第二输出端与所述第三三极管的第三端相连并连接第三工作电源，所述第三三极管的第二端通过第十三电阻接所述第三工作电源的参考地并作为所述第二驱动信号电路的第二输出端，所述第三工作电源的参考地为所述交流电的第二端。
9.根据权利要求8所述的整流桥电路，其特征在于，所述第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管的第一端均为基极，所述第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管的第二端均为发射极，所述第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管的第三端均为集电极，所述第一光耦、第二光耦的第一输入端均为发光二极管阴极，所述第一光耦、第二光耦的第二输入端均为发光二极管阳极，所述第一光耦、第二光耦的第一输出端均为光敏三极管的发射极，所述第一光耦、第二光耦的第二输出端均为光敏三极管的集电极。
10.根据权利要求1所述的整流桥电路，其特征在于，所述整流桥电路还包括电容，所述电容连接于所述整流后电源的第一端与所述整流后电源的第二端之间。
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