CN110416126A - 晶圆减薄机台及晶圆减薄方法 - Google Patents
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Abstract
该发明涉及一种晶圆减薄机台及晶圆减薄方法，其中所述晶圆减薄机台包括：量测单元，用于量测晶圆的减薄程度以及量测晶圆表面的裂纹及变形；研磨单元，连接至所述量测单元，用于根据所述量测单元的量测结果研磨晶圆；CMP单元，连接至所述量测单元，用于根据所述量测单元的量测结果对晶圆进行化学机械研磨；裂纹及变形去除单元，连接至所述量测单元，用于根据所述量测单元的量测结果去除化学机械研磨后的晶圆表面的裂纹及变形。
Description
技术领域
本发明涉及晶圆加工制造领域，具体涉及一种晶圆减薄机台及晶圆减薄方法。
背景技术
晶圆减薄技术大多使用于半导体工艺后端，主要是将晶背以研磨方式(backsidegrinding)去除多余的基材材料，以利后续封装等制程，半导体工艺后端所要求的晶圆减薄规格相对宽松，尤其是在厚度、表面粗糙度、平整度及TTV上。然而，随着半导体工艺进步及产品的多样化，晶圆减薄技术已被广泛应用于光学半导体器件等的工艺前端，此处的晶圆减薄规格十分严格，晶圆厚度必须被减薄至数um之内、表面粗糙度、平整度、TTV也都必须达到nm等级，故以高阶晶圆减薄技术称之。
高阶晶圆减薄技术目前采用“背研磨(backside grinding)+湿式蚀刻(wet etch)+边缘削减(edge trimming)+化学机械研磨(CMP)+湿式蚀刻(wet etch)”的方法，但存在制程复杂、总厚度变化控制(TTV，total thickness variation)不易、侧向蚀刻及成本过高等问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆减薄机台及晶圆减薄方法，制程简单，无侧向蚀刻，且成本较低。
为了解决以上技术问题，以下提供了一种晶圆减薄机台，包括：量测单元，用于量测晶圆的减薄程度以及量测晶圆表面的裂纹及变形；研磨单元，连接至所述量测单元，用于根据所述量测单元的量测结果研磨晶圆；CMP单元，连接至所述量测单元，用于根据所述量测单元的量测结果对晶圆进行化学机械研磨；裂纹及变形去除单元，连接至所述量测单元，用于根据所述量测单元的量测结果去除化学机械研磨后的晶圆表面的裂纹及变形。
可选的，还包括传送单元，用于在所述量测单元、研磨单元、CMP单元和裂纹及变形去除单元之间传送待晶圆。
可选的，还包括控制单元，连接至所述研磨单元、量测单元、CMP单元和裂纹及变形去除单元，用于控制所述量测单元对晶圆进行量测，以及用于根据所述量测单元的量测结果控制所述研磨单元、CMP单元、裂纹及变形去除单元对晶圆的处理。
可选的，所述研磨单元包括：粗磨研磨头、中磨研磨头、细磨研磨头和抛光研磨头，分别对应于对晶圆的不同程度的研磨。
可选的，所述裂纹及变形去除单元包括：强氧化模块，用于氧化晶圆表面具有裂纹和变形的区域，使晶圆表面有裂纹或变形的区域被氧化成二氧化硅层；刻蚀模块，用于刻蚀晶圆表面氧化生成的二氧化硅层，以去除晶圆表面的裂纹和变形。
可选的，所述刻蚀模块对晶圆表面的二氧化硅层和对晶圆的刻蚀比大于10:1。
可选的，还包括：清洗单元，用于清洗晶圆。
为了解决以上技术问题，以下还提供了一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：研磨待减薄的晶圆；测量研磨后的晶圆的厚度，并根据量测结果对晶圆进行化学机械研磨；量测晶圆表面的裂纹及变形，并去除晶圆表面的裂纹及变形。
可选的，研磨待减薄的晶圆时，包括以下步骤：对所述晶圆进行粗磨；对所述晶圆进行中磨；对所述晶圆进行细磨；对所述晶圆进行抛光。
可选的，去除晶圆表面的裂纹及变形时，包括以下步骤：将晶圆放置到强氧化溶液中，在晶圆表面形成包含有裂纹及变形的二氧化硅层；去除所述二氧化硅层。
可选的，去除所述二氧化硅层时，包括以下步骤：使用刻蚀溶液刻蚀所述二氧化硅层，将所述二氧化硅层去除，且刻蚀溶液对晶圆表面的二氧化硅层和对晶圆的刻蚀比大于10:1。
可选的，去除所述二氧化硅层后，包括以下步骤：量测晶圆的减薄程度以及量测晶圆表面的裂纹及变形，使晶圆符合预设需求。
所述晶圆减薄机台可以有效的简化高阶晶圆减薄制程、控制总厚度变化控制、无侧向蚀刻及降低成本等优点。
附图说明
图1为本发明的一种具体实施方式中的晶圆减薄机台的连接关系示意图。
图2为本发明的一种具体实施方式中的晶圆减薄机台的研磨单元的结构示意图。
图3为本发明的一种具体实施方式中的晶圆减薄机台的结构示意图。
图4为本发明的一种具体实施方式中的有裂纹和变形的晶圆的侧面示意图。
图5为本发明的一种具体实施方式中的在有裂纹和变形的晶圆表面生成二氧化硅层的示意图。
图6为本发明的一种具体实施方式中的去除晶圆表面的二氧化硅层后的示意图。
图7为本发明的一种具体实施方式中的晶圆边缘减薄方法的步骤示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施方式对本发明提出的一种晶圆减薄机台及晶圆减薄方法作进一步详细说明。
请参阅图1至4，其中图1为本发明的一种具体实施方式中的晶圆减薄机台的连接关系示意图，图2为本发明的一种具体实施方式中的晶圆减薄机台的研磨单元的结构示意图，图3为本发明的一种具体实施方式中的晶圆减薄机台的结构示意图，图4为本发明的一种具体实施方式中的有裂纹和变形的晶圆的侧面示意图。
在该具体实施方式中，提供了一种晶圆减薄机台，包括：量测单元101，用于量测晶圆206的减薄程度以及量测晶圆206表面的裂纹及变形；研磨单元102，连接至所述量测单元101，用于根据所述量测单元101的量测结果研磨晶圆206；CMP单元103，连接至所述量测单元101，用于根据所述量测单元101的量测结果对晶圆206进行化学机械研磨；裂纹及变形去除单元104，连接至所述量测单元101，用于根据所述量测单元101的量测结果去除化学机械研磨后的晶圆206表面的裂纹及变形。
所述晶圆减薄机台将研磨功能、CMP功能集成到一起，在对晶圆206进行减薄处理时无需在多个机台间转换晶圆206，减少了晶圆206被污染的可能。并且，具有量测单元101，可以对研磨结果和CMP结果进行监控，使减薄过程被控制住。更进一步的，具有裂纹及变形去除单元104，可以去除晶圆206在减薄过程中产生的裂纹和变形，并且进一步的减薄晶圆206，简单方便。
在一种具体实施方式中，所述量测单元101包括晶圆厚度测量仪，以及短波红外相机等。其中，所述短波红外相机能够用来检测晶圆206表面的缺陷，包括裂纹缺陷和变形缺陷。这是因为，硅具有能够透过红外线的特性。因此，使用短波红外相机，如砷化铟镓(InGaAs)相机等，能够让用户透视晶圆206的硅基材，获取到裂纹的具体情况，如深度等。
在一种具体实施方式中，所述晶圆减薄机台还包括传送单元302，用于在所述量测单元101、研磨单元102、CMP单元103和裂纹及变形去除单元104之间传送待晶圆206。
在一种具体实施方式中，所述晶圆减薄机台还包括控制单元105，连接至所述研磨单元102、量测单元101、CMP单元103和裂纹及变形去除单元104，用于控制所述量测单元101对晶圆206进行量测，以及用于根据所述量测单元101的量测结果控制所述研磨单元102、CMP单元103、裂纹及变形去除单元104对晶圆206的处理。
在一种具体实施方式中，所述研磨单元102包括：粗磨研磨头201、中磨研磨头202、细磨研磨头203和抛光研磨头204，分别对应于对晶圆206的不同程度的研磨。实际上，也可根据需要设置所述研磨单元102内包含的研磨头的种类。在一种具体实施方式中，不同的研磨头设置在不同的腔室内，由所述传送单元302在各个腔室间传送晶圆206。
在一种具体实施方式中，粗磨研磨头201使用大颗粒砂纸，快速且大量移除不必要的部分，但会造成表面粗糙、大量变形层及大量微裂纹。中磨研磨头202使用中颗粒砂纸，减缓粗磨所造成的表面粗糙、变形层及微裂纹，以利后续细磨制程。细磨研磨头203使用小颗粒砂纸，减缓中磨所造成的表面粗糙、变形层及微裂纹，以利后续抛光制程。抛光研磨头204使用大颗粒研磨浆，减缓细磨所造成的表面粗糙、变形层及微裂纹，以利后续CMP制程。
所述研磨单元102同时包括粗磨研磨头201、中磨研磨头202、细磨研磨头203和抛光研磨头204，因此粗磨、中磨、细磨及抛光可以同时进行，如此便可以增加晶圆206减薄工序的产出量。
所述研磨单元102还包括晶圆夹具205，用于在研磨晶圆206的过程中夹住所述晶圆206。
在一种具体实施方式中，所述控制单元105连接至所述传送单元302，由所述控制单元105控制所述传送单元302取放所述晶圆206。在一种具体实施方式中，所述控制单元105对传送单元302的控制包括：控制所述传送单元302在四个分别放置有粗磨研磨头201、中磨研磨头202、细磨研磨头203和抛光研磨头204的腔室间传送晶圆206，使得所述晶圆206可以先后经过粗磨研磨头201、中磨研磨头202、细磨研磨头203和抛光研磨头204的研磨。
在一种具体实施方式中，所述裂纹及变形去除单元104包括：强氧化模块，用于氧化晶圆206表面具有裂纹和变形的区域，使晶圆206表面有裂纹或变形的区域被氧化成二氧化硅层501；刻蚀模块，用于刻蚀晶圆206表面氧化生成的二氧化硅层501，以去除晶圆206表面的裂纹和变形。
在一种具体实施方式中，所述强氧化模块提供强氧化溶液。在一种具体实施方式中，所述强氧化溶液包括双氧水、臭氧等强氧化溶液。在一种更佳的具体实施方式中，所述强氧化溶液是高温的强氧化溶液，以便加快氧化速度。在一种具体以实施方式中，所述强氧化溶液为双氧水，温度约在50℃。
请同时参阅图5，为本发明的一种具体实施方式中的在有裂纹和变形的晶圆206表面生成二氧化硅层501的示意图。
在该具体实施方式中，使用强氧化溶液将晶圆206表面有裂纹和变形的区域氧化成二氧化硅层501，这样，在后期使用所述刻蚀模块去除二氧化硅层501时，也可同时去除晶圆206表面的裂纹和变形，保证了晶圆206的质量，也实现了减薄，简单方便。
在一种具体实施方式中，所述强氧化模块包括液体槽，所述液体槽用于放置强氧化溶液，这样，在使用所述强氧化模块氧化晶圆206表面时，只要将晶圆206放置到所述液体槽内、使晶圆206表面的有裂纹和变形的区域与强氧化溶液充分接触、反应即可。
在一种其他的具体实施方式中，所述强氧化模块包括喷头，所述喷头连接至强氧化溶液源。在使用所述强氧化模块氧化晶圆206表面时，只需控制所述喷头向所述晶圆206表面喷淋强氧化溶液、使晶圆206表面的有裂纹和变形的区域与强氧化溶液充分接触、反应即可。
使用喷头相较于使用液体槽，所需的强氧化溶液更少，而使用液体槽相较于使用喷头，则操作更加简单。因此，在实际的使用过程中，可根据需要设置所述强氧化模块的具体结构。
在一种具体实施方式中，使用所述强氧化溶液氧化晶圆206表面、在晶圆206表面形成的二氧化硅层501时，二氧化硅层501的厚度应当大于或等于裂纹的深度以及变形的尺寸，便于将所有裂纹和变形的区域都去除，保证对晶圆206表面的裂纹和变形的去除效果。
在一种具体实施方式中，在使用所述强氧化模块氧化晶圆206表面、使晶圆206表面具有裂纹和变形的区域都被氧化成二氧化硅层501之前，都需先使用所述量测单元101对裂纹和变形的尺寸进行测量。
请同时参阅图6，为本发明的一种具体实施方式中的去除晶圆206表面的二氧化硅层501后的示意图。
在该具体实施方式中，由刻蚀模块去除所述晶圆206表面的二氧化硅层501。所述刻蚀模块对晶圆206表面的二氧化硅层501和对晶圆206的刻蚀比大于10:1，具体的，所述刻蚀模块提供的刻蚀溶液对晶圆206表面的二氧化硅层501和对晶圆206的刻蚀比大于10:1。这样，保证了刻蚀溶液对晶圆206表面的非二氧化硅层501区域的蚀刻量非常小，不会造成晶圆206表面的非二氧化硅层501的区域的损失。
在一种具体实施方式中，所述刻蚀溶液包括HF，浓度约为5％。
在一种具体实施方式中，所述晶圆减薄机台还包括：清洗单元301，用于清洗晶圆206。在一种具体实施方式中，所述清洗单元301设置在一个单独的腔室内，为清洗晶圆206提供去离子水，这样，在对晶圆206进行刻蚀后，可以将晶圆206放置到所述清洗单元301所在的腔室内，使用去离子水冲洗晶圆206，将晶圆206表面的刻蚀溶液等反应废料冲去。
请同时参阅图1至图7，为本发明的一种具体实施方式张的晶圆减薄方法。
在该具体实施方式中，还提供了一种晶圆减薄方法，包括以下步骤：S71研磨待减薄的晶圆206；S72测量研磨后的晶圆206的厚度，并根据量测结果对晶圆206进行化学机械研磨；S73量测晶圆206表面的裂纹及变形，并去除晶圆206表面的裂纹及变形。
在一种具体实施方式中，研磨待减薄的晶圆206时，包括以下步骤：对所述晶圆206进行粗磨；对所述晶圆206进行中磨；对所述晶圆206进行细磨；对所述晶圆206进行抛光。
在一种具体实施方式中，使用所述晶圆减薄机台来实现对晶圆206的研磨减薄。在该具体实施方式中，所述晶圆减薄机台包括：量测单元101，用于量测晶圆206的减薄程度以及量测晶圆206表面的裂纹及变形；研磨单元102，连接至所述量测单元101，用于根据所述量测单元101的量测结果研磨晶圆206；CMP单元103，连接至所述量测单元101，用于根据所述量测单元101的量测结果对晶圆206进行化学机械研磨；裂纹及变形去除单元104，连接至所述量测单元101，用于根据所述量测单元101的量测结果去除化学机械研磨后的晶圆206表面的裂纹及变形。
在一种具体实施方式中，所述量测单元101包括晶圆厚度测量仪，以及短波红外相机等。其中，所述短波红外相机能够用来检测晶圆206表面的缺陷，包括裂纹缺陷和变形缺陷。这是因为，硅具有能够透过红外线的特性。因此，使用短波红外相机，如砷化铟镓(InGaAs)相机等，能够让用户透视晶圆206的硅基材，获取到裂纹的具体情况，如深度等。
在一种具体实施方式中，所述晶圆减薄机台还包括传送单元302，用于在所述量测单元101、研磨单元102、CMP单元103和裂纹及变形去除单元104之间传送待晶圆206。
在该具体实施方式中，所述研磨单元102包括：粗磨研磨头201、中磨研磨头202、细磨研磨头203和抛光研磨头204，分别对应于对晶圆206的不同程度的研磨。因此，使用所述粗磨研磨头201对所述晶圆206进行粗磨；使用所述中磨研磨头202对所述晶圆206进行中磨；使用所述细磨研磨头203对所述晶圆206进行细磨；使用所述抛光研磨头204对所述晶圆206进行抛光。
在一种具体实施方式中，所述研磨单元102进行的研磨是背磨，是对晶圆206的背面进行研磨。
实际上，也可根据需要设置所述研磨单元102内包含的研磨头的种类，以实现更多种不同的研磨的组合。在一种具体实施方式中，不同的研磨头设置在不同的腔室内，由所述传送单元302在各个腔室间传送晶圆206。
在一种具体实施方式中，在完成每一种研磨后，都通过所述量测单元101量测所述晶圆206的厚度，从而进行进一步的控制。
例如，在粗磨后，测量晶圆206超过预计的粗磨厚度后，控制所述中磨研磨头202对晶圆206的研磨程度，使得中磨后的晶圆206的厚度与原来预计的中磨后的厚度相同。这样，可以保证晶圆206研磨后的厚度精确、符合预设要求。
在一种具体实施方式中，每一个设置有研磨头的腔室内都设置有一套量测单元101，这样，就无需将晶圆206移动到特定的量测腔室内进行量测，而可以在研磨发生的腔室内直接进行晶圆206的厚度测量。实际上，也可根据需要，只在所述晶圆减薄机台内设置一套量测单元101，这样所述晶圆减薄机台的成本大大减少。
在一种具体实施方式中，所述晶圆减薄机台还包括控制单元105，连接至所述研磨单元102、量测单元101、CMP单元103和裂纹及变形去除单元104，用于控制所述量测单元101对晶圆206进行量测，以及用于根据所述量测单元101的量测结果控制所述研磨单元102、CMP单元103、裂纹及变形去除单元104对晶圆206的处理。
在该具体实施方式中，所述量测单元101连接至所述控制单元105，由所述控制单元105根据所述量测单元101的量测结果控制下一步流程中对晶圆206的减薄参数。
在一种具体实施方式中，去除晶圆206表面的裂纹及变形时，包括以下步骤：将晶圆206放置到强氧化溶液中，在晶圆206表面形成包含有裂纹及变形的二氧化硅层501；去除所述二氧化硅层501。
在该具体实施方式中，是通过所述裂纹及变形去除单元104来实现裂纹和变形层的去除的。具体的，所述裂纹及变形去除单元104包括：强氧化模块，用于氧化晶圆206表面具有裂纹和变形的区域，使晶圆206表面有裂纹或变形的区域被氧化成二氧化硅层501；刻蚀模块，用于刻蚀晶圆206表面氧化生成的二氧化硅层501，以去除晶圆206表面的裂纹和变形。
在一种具体实施方式中，所述强氧化模块提供强氧化溶液。在一种具体实施方式中，所述强氧化溶液包括双氧水、臭氧等强氧化溶液。在一种更佳的具体实施方式中，所述强氧化溶液是高温的强氧化溶液，以便加快氧化速度。在一种具体以实施方式中，所述强氧化溶液为双氧水，温度约在50℃。
使用强氧化溶液将晶圆206表面有裂纹和变形的区域氧化成二氧化硅层501，这样，通过在后期使用所述刻蚀模块去除二氧化硅层501，从而可以晶圆206表面有裂纹和变形的区域都去除，既实现了减薄，又保证了晶圆206的质量，简单方便。
在一种具体实施方式中，所述强氧化模块包括液体槽，所述液体槽用于放置强氧化溶液，这样，在使用所述强氧化模块氧化晶圆206表面时，只要将晶圆206放置到所述液体槽内、使晶圆206表面的有裂纹和变形的区域与强氧化溶液充分接触、反应即可。
在一种其他的具体实施方式中，所述强氧化模块包括喷头，所述喷头连接至强氧化溶液源。在使用所述强氧化模块氧化晶圆206表面时，只需控制所述喷头向所述晶圆206表面喷淋强氧化溶液、使晶圆206表面的有裂纹和变形的区域与强氧化溶液充分接触、反应即可。
使用喷头相较于使用液体槽，所需的强氧化溶液更少，而使用液体槽相较于使用喷头，则操作更加简单。因此，在实际的使用过程中，可根据需要设置所述强氧化模块的具体结构。
在一种具体实施方式中，使用所述强氧化溶液氧化晶圆206表面、在晶圆206表面形成的二氧化硅层501时，二氧化硅层501的厚度应当大于或等于裂纹的深度以及变形的尺寸，便于将所有裂纹和变形的区域都去除，保证对晶圆206表面的裂纹和变形的去除效果。
在一种具体实施方式中，在使用所述强氧化模块氧化晶圆206表面、使晶圆206表面具有裂纹和变形的区域都被氧化成二氧化硅层501之前，都需先使用所述量测单元101对裂纹和变形的尺寸进行测量。
在一种具体实施方式中，去除所述二氧化硅层501时，包括以下步骤：使用刻蚀溶液刻蚀所述二氧化硅层501，将所述二氧化硅层501去除，且刻蚀溶液对晶圆206表面的二氧化硅层501和对晶圆206的刻蚀比大于10:1。
在该具体实施方式中，是通过刻蚀模块来去除所述二氧化硅层501。在一种具体实施方式中，所述刻蚀模块对晶圆206表面的二氧化硅层501和对晶圆206的刻蚀比大于10:1，具体的，所述刻蚀模块提供的刻蚀溶液对晶圆206表面的二氧化硅层501和对晶圆206的刻蚀比大于10:1。这样，保证了刻蚀溶液对晶圆206表面的非二氧化硅层501区域的蚀刻量非常小，不会造成晶圆206表面的非二氧化硅层501的区域的损失。
在一种具体实施方式中，所述刻蚀溶液包括HF，浓度约为5％。
在一种具体实施方式中，去除所述二氧化硅层501后，包括以下步骤：量测晶圆206的减薄程度以及量测晶圆206表面的裂纹及变形，使晶圆206符合预设需求。
具体的，使用所述量测单元101再次测量晶圆206是否还有裂纹或变形，若有，则再次获取裂纹和变形的相关参数，如尺寸、深度等，并再次将所述晶圆206交给所述裂纹及变形去除单元104，由所述裂纹及变形去除单元104重新处理所述晶圆206，去除晶圆206表面的裂纹和变形。
在一种具体实施方式中，去除所述二氧化硅层501后，还包括以下步骤：清洗晶圆206，使晶圆206表面无杂质。这样，就能将减薄后的晶圆206迅速的投入到之后的生产工序中。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (12)
1.一种晶圆减薄机台，其特征在于，包括：
量测单元，用于量测晶圆的减薄程度以及量测晶圆表面的裂纹及变形；
研磨单元，连接至所述量测单元，用于根据所述量测单元的量测结果研磨晶圆；
CMP单元，连接至所述量测单元，用于根据所述量测单元的量测结果对晶圆进行化学机械研磨；
裂纹及变形去除单元，连接至所述量测单元，用于根据所述量测单元的量测结果去除化学机械研磨后的晶圆表面的裂纹及变形。
2.根据权利要求1所述的晶圆减薄机台，其特征在于，还包括传送单元，用于在所述量测单元、研磨单元、CMP单元和裂纹及变形去除单元之间传送待晶圆。
3.根据权利要求1所述的晶圆减薄机台，其特征在于，还包括控制单元，连接至所述研磨单元、量测单元、CMP单元和裂纹及变形去除单元，用于控制所述量测单元对晶圆进行量测，以及用于根据所述量测单元的量测结果控制所述研磨单元、CMP单元、裂纹及变形去除单元对晶圆的处理。
4.根据权利要求1所述的晶圆减薄机台，其特征在于，所述研磨单元包括：粗磨研磨头、中磨研磨头、细磨研磨头和抛光研磨头，分别对应于对晶圆的不同程度的研磨。
5.根据权利要求1所述的晶圆减薄机台，其特征在于，所述裂纹及变形去除单元包括：
强氧化模块，用于氧化晶圆表面具有裂纹和变形的区域，使晶圆表面有裂纹或变形的区域被氧化成二氧化硅层；
刻蚀模块，用于刻蚀晶圆表面氧化生成的二氧化硅层，以去除晶圆表面的裂纹和变形。
6.根据权利要求5所述的晶圆减薄机台，其特征在于，所述刻蚀模块对晶圆表面的二氧化硅层和对晶圆的刻蚀比大于10:1。
7.根据权利要求1所述的晶圆减薄机台，其特征在于，还包括：
清洗单元，用于清洗晶圆。
8.一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：
研磨待减薄的晶圆；
测量研磨后的晶圆的厚度，并根据量测结果对晶圆进行化学机械研磨；
量测晶圆表面的裂纹及变形，并去除晶圆表面的裂纹及变形。
9.根据权利要求8所述的晶圆减薄方法，其特征在于，研磨待减薄的晶圆时，包括以下步骤：
对所述晶圆进行粗磨；
对所述晶圆进行中磨；
对所述晶圆进行细磨；
对所述晶圆进行抛光。
10.根据权利要求8所述的晶圆减薄方法，其特征在于，去除晶圆表面的裂纹及变形时，包括以下步骤：
将晶圆放置到强氧化溶液中，在晶圆表面形成包含有裂纹及变形的二氧化硅层；
去除所述二氧化硅层。
11.根据权利要求10所述的晶圆减薄方法，其特征在于，去除所述二氧化硅层时，包括以下步骤：
使用刻蚀溶液刻蚀所述二氧化硅层，将所述二氧化硅层去除，且刻蚀溶液对晶圆表面的二氧化硅层和对晶圆的刻蚀比大于10:1。
12.根据权利要求10所述的晶圆减薄方法，其特征在于，去除所述二氧化硅层后，包括以下步骤：
量测晶圆的减薄程度以及量测晶圆表面的裂纹及变形，使晶圆符合预设需求。
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| CN111430230A (zh) * | 2020-06-10 | 2020-07-17 | 清华大学 | 基板减薄方法、基板减薄设备及其操作方法 |
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2019
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