CN110391217B - 发光装置、照明装置及有机硅树脂 - Google Patents

Abstract

发光装置(10)具备基板(11)、配置于基板(11)上的LED芯片(12)、和以有机硅树脂作为基材(18)并将LED芯片(12)密封的密封构件(13)。密封构件(13)包含沸石(19)及通过LED芯片(12)所发出的光被激发的荧光体。

Description

发光装置、照明装置及有机硅树脂

技术领域

本发明涉及发光装置、使用了发光装置的照明装置及有机硅树脂。

背景技术

以往，已知有通过将LED(Light Emitting Diode，发光二极管)芯片用含有荧光体的密封构件进行密封来射出白色光的发光装置。作为这样的发光装置，在专利文献1中公开了所谓的SMD(Surface Mount Device，表面安装器件)结构的发光装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-56398号公报

发明内容

发明所需要解决的课题

上述那样的发光装置有时因长时间使用而射出光的色度发生变化。

本发明提供因使用而引起的射出光的色度的变化得以抑制的发光装置及照明装置等。

用于解决课题的手段

本发明的一方案所涉及的发光装置具备基板、配置于上述基板上的发光元件、和以有机硅树脂作为基材并将上述发光元件进行密封的密封构件，上述密封构件包含沸石及通过上述发光元件所发出的光被激发的荧光体。

本发明的一方案所涉及的照明装置具备上述发光装置、和对上述发光装置供给用于使该发光装置点亮的电力的点亮装置。

本发明的一方案所涉及的有机硅树脂包含沸石及荧光体。

发明效果

根据本发明，可实现因使用而引起的射出光的色度的变化得以抑制的发光装置及照明装置等。

附图说明

图1是实施方式1所涉及的发光装置的外观立体图。

图2是实施方式1所涉及的发光装置的平面图。

图3是表示实施方式1所涉及的发光装置的内部结构的平面图。

图4是图2的IV-IV线处的发光装置的示意剖视图。

图5是表示260℃环境下的实施方式1所涉及的密封构件及比较例所涉及的密封构件的重量变化的图。

图6是表示比较例所涉及的发光装置的色度坐标上的色度的变化的图。

图7是表示实施方式1所涉及的发光装置的色度坐标上的色度的变化的图。

图8是表示比较例所涉及的发光装置及实施方式1所涉及的发光装置的色度坐标的x轴方向的色度的与初期值的变化的图。

图9是实施方式2所涉及的发光装置的剖视图。

图10是表示第一层的结构的示意图。

图11是表示第二层的结构的示意图。

图12是实施方式3所涉及的照明装置的剖视图。

图13是实施方式3所涉及的照明装置及其周边构件的外观立体图。

具体实施方式

以下，对于实施方式所涉及的发光装置等，参照附图进行说明。需要说明的是，以下说明的实施方式均表示概括的或具体的例子。以下的实施方式中所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置及连接形态等为一个例子，主旨不是限定本发明。另外，对于以下的实施方式中的构成要素中的表示最上位概念的独立权利要求中没有记载的构成要素，作为任意的构成要素被说明。

需要说明的是，各图为示意图，未必严密地被图示。另外，在各图中，对于实质上同一构成标注同一符号，重复的说明有时被省略或简化。

(实施方式1)

[发光装置的构成]

首先，使用附图对实施方式1所涉及的发光装置的构成进行说明。图1是实施方式1所涉及的发光装置的外观立体图。图2是实施方式1所涉及的发光装置的平面图。图3是表示实施方式1所涉及的发光装置的内部结构的平面图。图4是图2的IV-IV线处的示意剖视图。

需要说明的是，上述的图3是将图2中密封构件13及屏障材料15除去而表示LED芯片12的排列及布线图案等内部的结构的平面图。在图4中，绿色荧光体14g、红色荧光体14r及沸石19的形状及粒径等被示意性图示，并不准确。

如图1～图4中所示的那样，实施方式1所涉及的发光装置10具备基板11、多个LED芯片12、密封构件13和屏障材料15。

发光装置10为在基板11上直接安装有LED芯片12的所谓的COB(Chip On Board，板上芯片)结构的LED模块。

基板11为具有设置有布线16的布线区域的基板。需要说明的是，布线16(以及电极16a及电极16b)通过用于对LED芯片12供给电力的金属来形成。基板11例如为金属基底基板或陶瓷基板。另外，基板11也可以为以树脂作为基材的树脂基板。

作为陶瓷基板，采用由氧化铝(alumina)形成的氧化铝基板或由氮化铝形成的氮化铝基板等。另外，作为金属基底基板，例如采用在表面形成有绝缘膜的铝合金基板、铁合金基板或铜合金基板等。作为树脂基板，例如采用由玻璃纤维和环氧树脂形成的玻璃环氧基板等。

需要说明的是，作为基板11，例如采用光反射率高的(例如光反射率为90％以上的)基板。通过采用光反射率高的基板作为基板11，能够使LED芯片12所发出的光在基板11的表面反射。其结果是，发光装置10的光取出效率提高。作为这样的基板，例如可例示出以氧化铝作为基材的白色陶瓷基板。

另外，作为基板11，也可以采用光的透射率高的透光性基板。作为这样的基板，可例示出由多晶的氧化铝或氮化铝形成的透光性陶瓷基板、由玻璃形成的透明玻璃基板、由水晶形成的水晶基板、由蓝宝石形成的蓝宝石基板或由透明树脂材料形成的透明树脂基板。

需要说明的是，实施方式1中，基板11为矩形，但也可以为圆形等其它的形状。

LED芯片12为发光元件的一个例子，为发出蓝色光的蓝色LED芯片。作为LED芯片12，例如采用由InGaN系的材料构成的中心波长(发光光谱的峰值波长)为430nm以上且470nm以下的氮化镓系的LED芯片。需要说明的是，发光装置10只要具备至少1个LED芯片12即可。

在基板11上，设置有多个由多个LED芯片12形成的发光元件列。如图3中所示的那样，在结构上，与圆形状对应地在基板11上设置有7列发光元件列。

在基板11上设置有5列由12个被串联电连接的LED芯片12形成的发光元件列。这些5列的发光元件列被并联连接，通过对电极16a与电极16b之间供给电力而发光。

另外，串联连接的LED芯片12彼此主要通过接合线17以Chip To Chip被电连接(关于一部分LED芯片12，介由布线16被电连接)。接合线17是与LED芯片12电连接及在结构上连接的给电用的线。需要说明的是，作为接合线17、以及上述的布线16、电极16a及电极16b的金属材料，例如采用金(Au)、银(Ag)或铜(Cu)等。

屏障材料15为设置于基板11上的用于拦住密封构件13的构件。对于屏障材料15，例如使用具有绝缘性的热固化性树脂或热塑性树脂等。更具体而言，对于屏障材料15，使用有机硅树脂、酚醛树脂、环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂或聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂等。

为了提高发光装置10的光取出效率，屏障材料15优选具有光反射性。于是，在实施方式1中，对于屏障材料15，使用白色的树脂(所谓的白树脂)。此外，为了提高屏障材料15的光反射性，在屏障材料15中，也可以包含TiO₂、Al₂O₃、ZrO₂及MgO等粒子。

在发光装置10中，屏障材料15在俯视的情况下按照将多个LED芯片12包围的方式形成为圆环状。并且，在由屏障材料15所围成的区域中，设置密封构件13。此外，屏障材料15也可以将外形形成为矩形的环状。

密封构件13为将多个LED芯片12密封的密封构件。密封构件13更具体而言将多个LED芯片12、接合线17及布线16的一部分进行密封。密封构件13包含基材18、绿色荧光体14g和沸石19。

密封构件13的基材18为透光性树脂材料。作为透光性树脂材料，例如使用加成型的有机硅树脂，但也可以使用缩合型的有机硅树脂。有机硅树脂中，包含主剂、固化剂及铂催化剂。主剂例如为具有与硅原子(Si)键合的链烯基的聚有机硅氧烷。固化剂为具有SiH基的聚有机硅氧烷。

密封构件13含有绿色荧光体14g、红色荧光体14r及沸石19(图4中图示)。绿色荧光体14g、红色荧光体14r及沸石19分别被分散配置于基材18中。另外，虽然未图示，但密封构件13也可以包含二氧化硅粒子等填料。通过这样的填料，绿色荧光体14g及红色荧光体14r的沉降得以抑制。

绿色荧光体14g被LED芯片12所发出的光激发而发光。绿色荧光体14g例如发出发光峰值波长为515nm以上且550nm以下的绿色光。绿色荧光体14g具体而言为Y₃(Al，Ga)₅O₁₂：Ce³⁺荧光体、Lu₃Al₅O₁₂：Ce³⁺荧光体、β型塞隆荧光体等。

红色荧光体14r被LED芯片12所发出的光激发而发光。红色荧光体14r例如发出发光峰值波长为610nm以上且620nm以下的红色光。红色荧光体14r具体而言为例如CaAlSiN₃：Eu²⁺荧光体、(Sr，Ca)AlSiN₃：Eu²⁺荧光体或K₂SiF₆：Mn⁴⁺荧光体等。CaAlSiN₃：Eu²⁺荧光体及(Sr，Ca)AlSiN₃：Eu²⁺荧光体为氮化物荧光体。

LED芯片12所发出的蓝色光的一部分通过密封构件13中包含的绿色荧光体14g被波长转换成绿色光。另外，LED芯片12所发出的蓝色光的另一部分通过密封构件13中包含的红色荧光体14r被波长转换成红色光。并且，没有被黄色荧光体14吸收的蓝色光、经绿色荧光体14g波长转换的绿色光和经红色荧光体14r波长转换的红色光在密封构件13中被扩散及混合。由此，从密封构件13射出白色光。

沸石19为结晶性沸石。结晶性沸石的通式为M_2/nO·Al₂O₃·xSiO₂·yH₂O(M：金属阳离子、n：原子价)。在密封构件13中，作为沸石19，使用所谓的13X型的沸石。13X型的沸石例如以Na₈₆〔(AlO₂)₈₆(SiO₂)₁₀₆〕·276H₂O的化学式表示。此外，化学式中的钠离子也可以与其它的金属阳离子进行离子交换。

此外，密封构件13中包含的沸石19并不限定于13X型，也可以是其它的沸石。例如，作为沸石19，也可以使用4A型的沸石。4A型的沸石例如以Na₁₂〔(AlO₂)₁₂(SiO₂)₁₂〕·27H₂O的化学式表示。化学式中的钠离子也可以与其它的金属阳离子进行离子交换。

沸石19的粒径没有特别限定。然而，若沸石19的粒径变大，则会担心光的取出效率下降。于是，沸石19的粒径例如被设定为200nm以下。由此，能够抑制光的取出效率的下降。

此外，密封构件13除了绿色荧光体14g以外，也可以代替绿色荧光体14g而包含黄色荧光体。黄色荧光体被LED芯片12所发出的光激发而发光。黄色荧光体例如发出发光峰值波长为550nm以上且570nm以下的黄色光。黄色荧光体具体而言为Y₃(Al，Ga)₅O₁₂：Ce³⁺荧光体、(Ba，Sr)₂SiO₄：Eu²⁺荧光体或La₃Si₆N₁₁荧光体等。

[蓝移的抑制效果]

在发光装置10中，有时在制造后因长时间使用而射出光的色度发生变化。例如，若因密封构件13在发光装置10的发光时产生的热负荷而密封构件13收缩，则由于LED芯片12的发光强度相对地变强，所以发光装置10的射出光的蓝色成分相对地增加(以下，也记载为蓝移)。

这里，密封构件13收缩的原因是有机硅树脂的氧化劣化。沸石19由于具有吸附氧的性质，所以能够抑制有机硅树脂的氧化劣化。其结果是，密封构件13的收缩得以抑制，发光装置10的射出光的蓝移得以抑制。

图5是表示260℃环境下的密封构件13及比较例所涉及的密封构件的重量变化的图。比较例所涉及的密封构件是除了不包含沸石19以外与密封构件13同样的构成。对于密封构件13，对于沸石19的含量为1.2wt％、2.4wt％及4.8wt％的情况分别进行了试验。

若密封构件13的氧化劣化发展，则有机硅树脂中作为侧链而包含的烃减少，有机硅树脂的重量减少。这里，如图5中所示的那样，密封构件13通过包含沸石19，与比较例所涉及的密封构件相比重量的减少得以抑制。也就是说，利用沸石19，有机硅树脂的氧化劣化得以抑制。

此外，如图5中所示的那样，若在密封构件13中包含1.2wt％以上的沸石19，则氧化劣化的抑制效果没有大的差异。也就是说，认为若在密封构件13中至少包含1.2wt％的沸石19，则可得到抑制氧化劣化的充分的效果。

[绿移的抑制效果]

另外，若发光装置10被长时间使用，则红色荧光体14r与有机硅树脂的剥离发展。若红色荧光体14r与有机硅树脂剥离，则红色荧光体14r所发出的红色光的光取出效率下降。这样的话，由于绿色荧光体14g的绿色光的强度相对地变强，所以发光装置10的射出光的绿色成分相对地增加(以下，也记载为绿移)。

特别是由于氮相当于有机硅树脂中包含的铂催化剂的催化剂的毒，所以在红色荧光体14r为氮化物荧光体的情况下，红色荧光体14r与有机硅树脂难以溶合，容易因使用而导致红色荧光体14r与有机硅树脂的剥离发展。也就是说，容易产生绿移。

这里，通过发明人等的实验明白：若在密封构件13中包含沸石19，则能够抑制发光装置10的射出光的绿移。在实验中，在25℃环境下使发光装置10及比较例所涉及的发光装置分别恒定发光，每1小时进行射出光的色度的测量。比较例所涉及的发光装置为除了在密封构件中不包含沸石19以外与发光装置10同样的构成。图6是表示比较例所涉及的发光装置的色度坐标上的色度的变化的图。图7是表示发光装置10的色度坐标上的色度的变化的图。图8是表示比较例所涉及的发光装置及发光装置10的色度坐标的x轴方向的色度的与初期值的变化的图。

如图6的箭头及图8的(a)中所示的那样，比较例所涉及的发光装置的射出光的色度随着时间的经过向一个方向持续变化。具体而言，比较例所涉及的发光装置的射出光的色度随着时间的经过向x轴负方向持续变化。

如图7的箭头及图8的(b)中所示的那样，发光装置10的射出光的色度反复进行朝向x轴负方向的变化和朝向x轴正方向的变化。因此，发光装置10的射出光的色度不易从初期值大幅偏离，绿移得以抑制。预想这起因于沸石19将附着于红色荧光体14r上的水分进行吸附。

此外，得到图7及图8的实验结果时的密封构件13中包含的沸石19的量为4.8wt％，但认为只要为4.80±4.75wt％的范围内就可得到同样的效果。密封构件13中包含的沸石19的量在可得到抑制绿移的效果的范围内通过经验或实验而适当决定即可。

像这样若在密封构件13中包含沸石，则发光装置10的射出光的蓝移及绿移得以抑制。也就是说，可实现因使用而引起的色度的变化得以抑制的发光装置10。

[布线的腐蚀的抑制效果]

如上述那样，沸石19具有吸附水分的性质。因此，通过在密封构件13中包含沸石19，水分变得难以到达至布线16的被密封构件13覆盖的部分。其结果是，可抑制布线16由于水分而发生腐蚀。

[其它的添加材料]

在密封构件13中，也可以包含沸石19以外的添加材料。例如，在密封构件13中，也可以包含过渡金属元素的氧化物。过渡金属元素的氧化物例如为氧化锆(ZrO₂)、氧化钛(TiO₂)、氧化铁(Fe₂O₃)、氧化铈(CeO₂)、氧化钇(Y₂O₃)或氧化钆(Gd₂O₃)等。通过在密封构件13中包含过渡金属元素的氧化物，能够提高密封构件13的耐热性。此外，在密封构件13中包含氧化铈的情况下，密封构件13中包含的铈的浓度例如为5ppm以上且50000ppm以下。

在密封构件13中，也可以包含过渡金属元素的羧酸盐。过渡金属元素的羧酸盐例如为锆的金属皂或辛酸金属皂等。密封构件13也可以包含辛酸金属皂以外的金属皂，还可以包含锆以外的过渡金属的金属皂。通过在密封构件13中包含过渡金属元素的羧酸盐，能够提高密封构件13的耐热性。

在密封构件13中，也可以包含过渡金属元素的有机络合物。过渡金属元素的有机络合物例如为锆的乙酰丙酮络合物。密封构件13也可以包含乙酰丙酮络合物以外的有机络合物，还可以包含锆以外的过渡金属的有机络合物。通过在密封构件13中包含过渡金属元素的有机络合物，能够提高密封构件13的耐热性。

此外，在密封构件13中包含过渡金属元素的氧化物、过渡金属元素的羧酸盐或过渡金属元素的有机络合物的情况下，过渡金属元素与有机硅树脂中的聚有机硅氧烷进行Si-O-M(M：Metal，金属)键合。由此，密封构件13的耐热性提高。

[汇总]

如以上说明的那样，发光装置10具备基板11、配置于基板11上的LED芯片12、和以有机硅树脂作为基材18并将LED芯片12密封的密封构件13。LED芯片12为发光元件的一个例子。密封构件13包含沸石19及通过LED芯片12所发出的光而被激发的荧光体。

通过像这样在密封构件13中包含沸石19，因使用而引起的发光装置10的射出光的色度的变化得以抑制。

另外，例如上述荧光体为氮化物荧光体。

由此，使用了比较容易产生与有机硅树脂的剥离的氮化物荧光体的发光装置10的射出光的色度的变化得以抑制。

另外，例如，上述荧光体为通过LED芯片12所发出的光被激发而发出红色光的红色荧光体14r。

由此，因红色荧光体14r与有机硅树脂的剥离而产生的色度的变化得以抑制。

另外，例如在发光装置10的连续发光中，发光装置10所射出的光的色度在色度坐标上朝向x轴正侧移动后，朝向x轴负侧移动。

由此，发光装置10的射出光的色度向一个方向持续偏离的情况得以抑制。

另外，例如密封构件13进一步包含通过LED芯片12所发出的光被激发而发出黄色光的黄色荧光体、及通过LED芯片12所发出的光被激发而发出绿色光的绿色荧光体14g中的至少一者。

由此，在LED芯片12发出蓝色光的情况下，发光装置10能够射出白色光。

另外，密封构件13中包含的上述沸石的浓度为5ppm以上且50000ppm以下。

由此，因使用而引起的发光装置10的射出光的色度的变化得以抑制。

另外，密封构件13包含粒径为200nm以下的沸石。

由此，能够抑制光的取出效率的下降。

另外，密封构件13进一步包含过渡金属元素的氧化物。

由此，密封构件13的耐热性提高。

另外，过渡金属元素为铈，密封构件13中包含的铈的浓度为5ppm以上且50000ppm以下。

由此，密封构件13的耐热性提高。

另外，密封构件13进一步包含过渡金属元素的羧酸盐。

由此，密封构件13的耐热性提高。

另外，密封构件13进一步包含过渡金属元素的有机络合物。

由此，密封构件13的耐热性提高。

另外，在有机硅树脂中包含聚有机硅氧烷，过渡金属元素与聚有机硅氧烷进行Si-O-M键合。

由此，密封构件13的耐热性提高。

另外，密封构件13进一步包含二氧化硅粒子。

由此，密封构件13中包含的荧光体的沉降得以抑制。

另外，作为密封构件13的基材18使用的有机硅树脂包含沸石19及荧光体。

这样的有机硅树脂通过被用于密封构件13中，能够抑制因使用而引起的发光装置10的色度的变化。

(实施方式2)

以下，对实施方式2所涉及的发光装置进行说明。需要说明的是，实施方式2所涉及的发光装置由于关于密封构件以外的构成与实施方式1所涉及的发光装置10同样，所以以密封构件的结构为中心并使用剖视图进行说明。对于与发光装置10实质上相同的构成，标注同一符号并省略说明。图9是实施方式2所涉及的发光装置的剖视图。需要说明的是，图9为与图2的IV-IV处的截面对应的剖视图。

实施方式2所涉及的发光装置10a的特征是，密封构件13c为两层结构。密封构件13c具体而言具有第一层13a和第二层13b。

首先，对于第一层13a，进一步使用图10进行说明。图10是表示第一层13a的结构的示意图。

第一层13a是将LED芯片12密封的密封层。如图10中所示的那样，第一层13a包含基材18、绿色荧光体14g及红色荧光体14r。第一层13a不包含沸石19。第一层13a也可以包含填料。需要说明的是，图10是示意图，绿色荧光体14g及红色荧光体14r的形状及粒径等没有被准确地图示。

基材18为透光性树脂材料，具体而言，为加成型的有机硅树脂，但也可以使用缩合型的有机硅树脂等。

第一层13a除了将LED芯片12密封以外，还将接合线17密封。也就是说，第一层13a具有保护LED芯片12及接合线17免受尘埃、水分或外力等的侵害的功能。

另外，第一层13a还作为波长转换材料发挥功能，LED芯片12所发出的蓝色光的一部分通过第一层13a中包含的绿色荧光体14g被波长转换成绿色光。另外，LED芯片12所发出的蓝色光的另一部分通过第一层13a中包含的红色荧光体14r被波长转换成红色光。并且，没有被绿色荧光体14g吸收的蓝色光、经绿色荧光体14g波长转换了的绿色光和经红色荧光体14r波长转换了的红色光在第一层13a中被扩散及混合。由此，从第一层13a(密封构件13c)射出白色光。

接着，对于第二层13b进一步使用图11进行说明。图11是表示第二层13b的结构的示意图。

第二层13b是位于第一层13a的上方的密封层，将第一层13a覆盖。如图11中所示的那样，第二层13b包含基材18及沸石19。第二层13b不包含荧光体。第二层13b也可以包含填料。需要说明的是，图11为示意图，沸石19的形状及粒径等没有被准确地图示。

实施方式2中，第二层13b中包含的基材18通过与第一层13a中包含的基材18相同的材料(相同的密封材料)而形成。该情况下，若第一层13a用的密封材料和第二层13b用的密封材料在涂布后被同时固化，则在第一层13a与第二层13b之间没有形成界面。这样的话，由于因形成界面而引起的光的损耗降低，所以具有能够抑制光取出效率的下降的优点。

此外，第一层13a的基材18和第二层13b的基材18也可以通过不同的材料来形成。例如，也可以第一层13a通过甲基系的有机硅树脂来形成，第二层13b通过苯基系的有机硅树脂来形成。

第二层13b为密封构件13中的与大气接触的部分，作为第一层13a的保护层发挥功能。

需要说明的是，在密封构件13c中，在第一层13a中不包含沸石19，但也可以包含沸石。在该情况下，第二层13b中包含的沸石19的浓度比第一层13a中包含的沸石19的浓度高。同样地，在第二层13b中，也可以包含荧光体。在该情况下，第二层13b中包含的荧光体的浓度比第一层13a中包含的荧光体的浓度低。

[实施方式2的效果等]

如以上说明的那样，在发光装置10a中，密封构件13c具有将LED芯片12密封的第一层13a及位于第一层13a的上方的第二层13b，在第一层13a中，仅包含荧光体及沸石19中的荧光体，在第二层13b中，仅包含荧光体及沸石19中的沸石19。

由此，因使用而引起的发光装置10a的射出光的色度的变化得以抑制。

需要说明的是，发光装置10a所具有的密封构件13c的层叠结构为一个例子。例如，在第一层13a与第二层13b的层间也可以设置别的层。另外，在实施方式2中，对于构成发光装置10a所具有的层叠结构的各层的主要材料进行了例示，但在层叠结构的各层中，也可以在能够实现与上述发光装置10a同样的功能的范围内包含其它的材料。

(实施方式3)

接着，对于实施方式3所涉及的照明装置，使用图12及图13进行说明。图12是实施方式3所涉及的照明装置的剖视图。图13是实施方式3所涉及的照明装置及其周边构件的外观立体图。

如图12及图13中所示的那样，实施方式3所涉及的照明装置200为例如通过埋入配设于住宅等的天花板中而对下方(走廊或墙壁等)照射光的筒灯等埋入型照明装置。

照明装置200具备发光装置10。照明装置200进一步具备通过基部210与框体部220被结合而构成的大致有底筒状的器具主体、和配置于该器具主体中的反射板230及透光面板240。

基部210为安装发光装置10的安装台，同时为将由发光装置10产生的热进行散热的散热器。基部210使用金属材料而形成为大致圆柱状，在实施方式3中为压铸铝制。

在基部210的上部(天花板侧部分)，沿着一个方向彼此空出一定的间隔而设置有朝向上方突出的多个散热片211。由此，能够使由发光装置10产生的热高效率地散热。

框体部220具有在内表面具有反射面的大致圆筒状的圆锥部221和安装圆锥部221的框体主体部222。圆锥部221使用金属材料而成形，例如可以通过对铝合金等进行拉深加工或加压成形来制作。框体主体部222通过硬质的树脂材料或金属材料来成形。框体部220通过将框体主体部222安装于基部210上来固定。

反射板230为具有内表面反射功能的圆环框状(漏斗状的)反射构件。反射板230例如可以使用铝等金属材料来形成。需要说明的是，反射板230也可以不是金属材料、而是通过硬质的白色树脂材料来形成。

透光面板240为具有光扩散性及透光性的透光构件。透光面板240为配置于反射板230与框体部220之间的平板，被安装于反射板230上。透光面板240例如可以通过丙烯酸或聚碳酸酯等透明树脂材料而形成为圆盘状。

需要说明的是，照明装置200也可以不具备透光面板240。通过不具备透光面板240，能够提高从照明装置200射出的光的光束。

另外，如图13中所示的那样，在照明装置200中，连接有对发光装置10供给用于使该发光装置10点亮的电力的点亮装置250、和将来自商用电源的交流电力中继至点亮装置250的端子台260。点亮装置250具体而言将从端子台260中继的交流电力转换成直流电力后输出到发光装置10。

点亮装置250及端子台260被固定于不同于器具主体而另外设置的安装板270上。安装板270是将由金属材料形成的矩形板状的构件折弯而形成的，在其长度方向的一端部的下表面固定点亮装置250，同时在另一端部的下表面固定端子台260。安装板270与固定于器具主体的基部210的上部的顶板280彼此连结。

如以上说明的那样，照明装置200具备发光装置10、和对发光装置10供给用于使该发光装置10点亮的电力的点亮装置250。由此，因使用而引起的照明装置200的射出光的色度的变化得以抑制。

需要说明的是，照明装置200也可以具备发光装置10a来代替发光装置10。该情况也可抑制因使用而引起的照明装置200的射出光的色度的变化。

需要说明的是，在实施方式3中，作为照明装置，例示出了筒灯，但本发明也可以作为射灯等其它的照明装置来实现。

(其它的实施方式)

以上，对实施方式所涉及的发光装置及照明装置进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式。

例如，在上述实施方式中，对COB结构的发光装置进行了说明，但本发明也可以适用于SMD结构的发光装置。SMD结构的发光装置(发光元件)例如具备具有凹部的树脂制的容器、安装于凹部中的LED芯片和封入凹部内的密封构件(含荧光体的树脂)。

另外，在上述实施方式中，安装于基板上的LED芯片与其它的LED芯片通过接合线以Chip To Chip被连接。然而，LED芯片也可以通过接合线与设置于基板上的布线(金属膜)连接、并介由该布线与其它的LED芯片电连接。

另外，在上述实施方式中，作为发光装置中使用的发光元件例示出了LED芯片。然而，也可以采用半导体激光等半导体发光元件或有机EL(Electro Luminescence，电致发光)或者无机EL等固体发光元件作为发光元件。

另外，在发光装置中，也可以使用发光色不同的2种以上的发光元件。例如，出于提高演色性等目的，发光装置也可以除了具备发出蓝色光的LED芯片以外还具备发出红色光的LED芯片。

此外，对于各实施方式实施本领域技术人员所想到的各种变形而得到的方式、或通过在不脱离本发明的主旨的范围内将各实施方式中的构成要素及功能任意地组合而实现的方式也包含在本发明中。

符号的说明

10、10a 发光装置

11 基板

12 LED芯片(发光元件)

13、13c 密封构件

13a 第一层

13b 第二层

14g 绿色荧光体

14r 红色荧光体(荧光体)

18 基材

19 沸石

200 照明装置

250 点亮装置

Claims (11)

1.一种发光装置，其具备：

基板；

配置于所述基板上的发光元件；和

密封构件，其以有机硅树脂作为基材，将所述发光元件密封；

所述密封构件包含沸石及通过所述发光元件所发出的光被激发的荧光体，

所述荧光体为通过所述发光元件所发出的光被激发而发出红色光的氮化物荧光体，

在所述发光装置的连续发光中，所述发光装置所射出的光的色度在色度坐标上朝向x轴正侧移动后，朝向x轴负侧移动，

所述密封构件中包含的所述沸石的量为4.80±4.75wt％。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

所述密封构件进一步包含通过所述发光元件所发出的光被激发而发出黄色光的黄色荧光体及通过所述发光元件所发出的光被激发而发出绿色光的绿色荧光体中的至少一者。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

所述密封构件包含粒径为200nm以下的所述沸石。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

所述密封构件进一步包含过渡金属元素的氧化物。

5.根据权利要求4所述的发光装置，其中，

所述过渡金属元素为铈，

所述密封构件中包含的所述铈的浓度为5ppm以上且50000ppm以下。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

所述密封构件进一步包含过渡金属元素的羧酸盐。

7.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

所述密封构件进一步包含过渡金属元素的有机络合物。

8.根据权利要求4所述的发光装置，其中，

在所述有机硅树脂中包含聚有机硅氧烷，

所述过渡金属元素与所述聚有机硅氧烷进行Si-O-M键合。

9.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

所述密封构件进一步包含二氧化硅粒子。

10.根据权利要求1～9中任1项所述的发光装置，其中，

所述密封构件具备将所述发光元件密封的第一层及位于所述第一层的上方的第二层，

在所述第一层中，仅包含所述荧光体及所述沸石中的所述荧光体，

在所述第二层中，仅包含所述荧光体及所述沸石中的所述沸石。

11.一种照明装置，其具备：

权利要求1～10中任1项所述的发光装置、和

对所述发光装置供给用于使该发光装置点亮的电力的点亮装置。