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CN110195166A - 一种引线框架用抗折弯CuNiCoSi系合金及其制造方法 - Google Patents

一种引线框架用抗折弯CuNiCoSi系合金及其制造方法 Download PDF

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CN110195166A
CN110195166A CN201910306870.4A CN201910306870A CN110195166A CN 110195166 A CN110195166 A CN 110195166A CN 201910306870 A CN201910306870 A CN 201910306870A CN 110195166 A CN110195166 A CN 110195166A
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黄国杰
马吉苗
杨振
冯雪
尹向前
廖骏骏
雷伏庆
蒋志晶
朱太恒
陈军
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GRIMN Engineering Technology Research Institute Co Ltd
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Abstract

本发明涉及一种引线框架用抗折弯CuNiCoSi系合金及其制造方法，其按质量份包含有Ni：1.0～2.5%、Co：0.5～2.5%、Si：0.3～1.2%，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成其中。

Description

一种引线框架用抗折弯CuNiCoSi系合金及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种引线框架用抗折弯CuNiCoSi系合金及其制造方法，该CuNiCoSi系合金产品可应用于高可靠性引线框架、分立元器件、抗弯折弹性元器件和汽车电子元器件等，属于有色金属加工领域。
背景技术
信息化时代导致IT产业席卷全球，集成电路是现代电子信息技术的核心，而引线框架是集成电路的重要组成部分，起着支撑芯片、连接外部电路、散发热量、功率分配等作用。集成电路（IC）的基础材料是芯片、引线框架和封装材料。随着集成电路IC向超大规模和极大规模迅速发展，线路高集成化高密度化，引线框架也向短、小、轻、薄方向发展，制造引线框架材料的铜合金带材不仅在尺寸精度、表面质量和板型上有严格的要求，而且要有良好的导热、导电性能，较高的强度、弹性、硬度和软化温度，还要有良好的耐热、耐蚀、抗氧化、焊接性、塑封性能和反复弯曲性能等一系列优异的综合基础性能。
从高强度和高导电性的角度考虑，作为引线框架材料用铜合金，沉淀强化型铜合金的使用量正在增加，以代替以往以磷青铜、黄铜等为代表的固溶强化型铜合金。对于沉淀强化铜合金，通过对经过固溶化处理的过饱和固溶体进行时效处理，而使微细的析出物均匀地分散，合金的强度得到提高，同时铜中的固溶元素量减少，导电性提高。因此，可以得到强度、弹性等机械性质优异且导电性、导热性良好的材料。沉淀强化型铜合金中，Cu-Ni-Si系铜合金是兼具较高导电性、强度和加工性能的代表性铜合金，且是铜合金行业中正在集中开发的合金之一。该铜合金通过使微细的Ni-Si系金属间化合物粒子在铜基体中析出，来实现强度和导电率的提高。
为了更进一步提高Cu-Ni-Si合金的综合性能，正进行以下各种技术的开发：添加Ni 及Si 以外的合金成分，对合金熔体成分进行洁净化处理，结晶组织的优化，沉淀相的优化，对加工工艺进行改进等等。例如，已知通过添加Co、或控制母相中析出的第二相粒子来提高综合性能，作为Cu-Ni-Co-Si系铜合金最近的专利内容列举如下。
专利CN102812138A中记载了一种锻造铜合金，其包含镍：1～2.5 wt %、钴：0.5～2.0 wt%、硅：0.5～1.5wt% 和作为剩余部分的铜及不可避免的杂质，镍与钴的合计含量为1.7～4.3wt%，(Ni＋Co)／Si 的比例为2 ：1～7 ：1，该锻造铜合金具有超过40%IACS的导电性。合金中的钴与硅相组合，可限制粒子生长且提高其抗软化性能，因此形成有助于时效硬化的硅化物。并且该专利文献记载了在其制造工序中，包含依次进行下述处理的工序：在固溶化处理后不进行中间冷加工，而是以对析出第二相有效的多次时效，对实质上为单一相的上述合金实施一次时效退火，而形成具有硅化物的多相合金，并对多相合金实施冷加工，进行二次时效处理，以对增大析出粒子分布的有效温度（其中，第二时效退火温度比第一时效退火温度低） 和时间，对多相合金实施二次时效退火。此外，该专利文献还记载了固溶处理以750℃～1050℃的温度进行10秒～ 1小时；一次时效以350℃～600℃的温度进行30分钟～30小时；以5～50%的加工率进行冷加工；二次时效是在温度350℃～600℃下进行10秒～30小时。
专利CN102245787B中公开了一种强度、导电率、弯曲加工性、应力松弛特性优异的铜合金，其特征在于：含有Ni：0.5～4.0wt%、Co：0.5～2.0wt%、Si：0.3～1.5wt%，且剩余部分由Cu 及不可避免的杂质构成；Ni量与Co量之和，与Si量的比例(Ni＋Co)／Si为2～7，第2相的密度（每单位面积的个数）为108～1012个／ mm2；其中，50～1000nm大小的第2相密度为104～108个／mm 2。根据该专利文献，通过使第2相的密度（每单位面积的个数）为108～1012个／mm2，可实现优异的各特性。此外，通过使50～1000nm 大小的第二相的密度为104～108个／mm2，可使第二相分散，由此在850℃以上等高温下的固溶热处理中，可抑制晶粒的粗大，从而能够改善弯曲加工性。另一方面，当第二相的大小小于50nm 时，抑制粒子生长的效果较低，因而不优选。该专利还记载了上述铜合金可以通过在900℃以上进行铸锭的均匀化热处理，且在之后的热加工中以0.5～4℃／秒的冷却速度冷却至850℃，然后各进行1 次以上的热处理和冷加工。
专利CN102227510B中公开了一种Cu-Ni-Si-Co 系铜合金，其能够以高水平实现强度与导电率，同时抗永久变形性也优异。电子材料用铜合金，其是含有Ni：1.0～2.5质量%、Co：0.5～2.5质量%、Si：0.3～1.2质量%，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质所构成的电子材料用铜合金，其中，母相中析出的第二相粒子中，粒径为5nm以上、50nm以下的粒子的个数密度为1×1012～1×1014个／mm3；粒径为5nm以上、小于20nm的粒子的个数密度以相对于粒径为20nm以上、50nm以下的粒子的个数密度的比例来表示，为3～6。该专利还记载了使材料温度为950℃以上、1050℃以下进行1小时以上的加热，然后进行热轧，随后通过任意冷轧后，将材料温度加热至950℃以上、1050℃以下进行固溶处理的工序；随后在400℃以上、500℃以下加热1～12小时进行一次时效处理，再进行压下率为30～50%的冷轧，随后进行300℃以上、400℃以下加热3～36 小时，使该加热时间为一次时效处理中的加热时间的3～10倍的二次时效处理工序。
专利201180059363.7中公开了一种铜合金条，其是含有Ni：1.0～2.5 wt%、Co：0.5～2.5wt%、Si：0.3～1.2wt%，剩余部分由Cu 和不可避免的杂质构成的电子材料用铜合金条，其中，根据以轧制面为基准的X 射线衍射极图测定所得的结果，满足下述（a）和（b）两者：（a）｛200｝极图中，α＝20°的利用β扫描所得的衍射峰强度中，β角度145°的峰高度相对于标准铜粉末的该峰高度为5.2倍以下；（b）｛111｝极图中，α＝75°的利用β扫描所得的衍射峰强度中，β角度185°的峰高度相对于标准铜粉末的该峰高度为3.4倍以上。该专利还记载了对该材料在950℃以上且1050℃以下加热1小时以上后进行热轧，使热轧结束时的温度为850℃以上，从850℃至400℃的平均冷却速度为15℃/s 以上来进行冷却；或从850℃以上且1050℃以下进行固溶处理，使材料温度降低至650℃的平均冷却速度为1℃/s 以上且小于15℃/s 来进行冷却，使从650℃降低至400℃时的平均冷却速度为15℃ /s 以上来进行冷却；随后进行冷轧；随后进行两次时效处理，第一次时效处理在425℃以上且小于475℃进行1～24 小时，第二次时效处理在100℃以上且小于350℃进行1～48小时。
专利CN101646791B公开了一种粗大第二相粒子的生成得到抑制的Cu-Ni-Si-Co系合金。在Cu-Ni-Si-Co系合金的制造步骤中，热轧是在950℃～1050℃下加热1小时以上后进行，使热轧结束时的温度在850℃以上，以15℃/s 以上的冷却速度进行冷却，且固溶处理在850℃～1050℃下进行，然后以15℃/s 以上的冷却速度进行冷却。根据本发明，可提供一种电子材料用铜合金，其含有Ni：1.0～2.5wt％、Co：0.5～2.5wt％、Si：0.30～1.20wt％，剩余部分包含Cu 及不可避免的杂质，其中，不存在粒径超过10μm的第二相粒子，在平行于压延方向的剖面上，粒径为5μm～10μm的第二相粒子为50个/mm2以下。
专利CN101541987B公开了一种强度、电导率及冲裁性优异的Cu-Ni-Si-Co 系合金。本发明为一种电子材料用铜合金，含有Ni：1.0～2.5wt％、Co：0.5～2.5wt％、Si：0.30～1.2wt％，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，在平行于轧制方向的剖面上进行观察时，对于粒径在0.1μm以上、1μm 以下的第二相粒子的组成的差异及面积率，〔Ni+Co+Si〕量的中间值：ρ(wt％) 为20(wt％) ≤ρ≤ 60(wt％)，标准偏差：σ(Ni+Co+Si) 为σ(Ni+Co+Si) ≤30(wt％)，面积率：S(％) 为1％≤S≤10％。
以上专利文献记载的铜合金虽然可得到较高的强度和导电性能，但仍有一些提高的空间。而且，以上专利文献只是考虑了对于该类铜合金材料的基础性能的提高，而没有考虑到其在产品器件中的使用性能，特别是折弯性能，该类产品由于其力学性能高，在折弯后极易出现微小裂纹、脆断、橘皮断裂等，导致在产品应用中出现失效、短路等问题，最终导致器件乃至整个电路的损坏。
专利CN102245787B虽然采用单位面积的控制及限定第二相个数的做法提高了其弯曲加工性，但对于最终形成产品后的折弯性能还是不能够很好的提供高的可靠性。
专利CN102227510B虽然对一个体积内不同析出相的个数进行了研究及限定，但其并未对哪种相进行甄别，而且其析出相的限定以50nm为界，在50nm上下均存在析出相，在该合金体系中，析出相大于50nm之后，虽然容易得到较好的抗拉性能，但会损失其抗弯折性能，尤其是大角度的弯折性能。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明旨在提供一种Cu-Ni-Co-Si铜合金及其制造方法，能够在达到高的强度与导电率的同时，具有优异的抗折弯性能。
为实现上述目的，本发明提供了如下的技术方案：
一种引线框架用抗折弯CuNiCoSi系合金，其按质量份包含有Ni：1.0～2.5 %、Co：0.5～2.5 %、Si：0.3～1.2 %，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成其中。
一种加工上述引线框架用抗折弯CuNiCoSi系合金的制造方法，其包括依次进行以下工序：
1）、熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼，合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1245～1255℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1139～1160℃；
2）、铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm；
3）、热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为92～95%；
4）、经过立式或卧式的退火炉加热至固溶温度T1，随后快速进行气体冷却，冷却气体采用的为氮气与氩气的混合气体，混合比例根据成分及加工率的不同在N2/Ar=1~3.5之间，气体温度≤20℃，再经过钟罩式退火炉加热至温度T2，随后保温1~8小时，在快速进行气体冷却，这一阶段的冷却气体采用的是氮气与氩气的混合气体，混合比例根据成分及加工率的不同在N2/Ar=2~3.2之间，气体温度≤20℃，随后在5℃~30℃/分钟之间将温度升至T3，保温1小时，随后进行随炉冷却析出合金粒子，合金粒子的晶粒大小在85～180μm之间，析出的晶粒中，粒径为3nm~10nm的NiSi相个数密度为8×1013～6×1014个／mm3，CoSi相个数密度为4×105～6×108个／mm3；10nm~20nm的NiSi相个数密度为3×1010～4×1012个／mm3，CoSi相个数密度为3×106～7×109个／mm3；20nm-30nm的NiSi相个数密度为8×109～2×1011个／mm3，CoSi相个数密度为8×107～2×1010个／mm3；30nm以上的NiSi相个数密度为6×105～9×107个／mm3，CoSi相个数密度为3×109～2×1012个／mm3；但最大析出粒子直径NiSi相不超过45nm，CoSi相不超过50nm；两个30nm以上NiSi析出相之间的最小间距大于等于105nm，两个30nm以上CoSi析出相之间的最小间距大于等于140nm，两个30nm以上NiSi析出相和CoSi析出相之间的最小间距大于等于110nm。
作为上述制造方法的改进，T1的范围为880℃~1020℃。
作为上述制造方法的优选，T2的温度范围为420℃~490℃。
作为上述制造方法的进一步改进，T3的温度范围为150℃~320℃。
与现有技术相比，本发明的优点在于：本发明的引线框架用抗折弯CuNiCoSi系合金的抗拉强度σb可达到860～915MPa，导电率为42～50%IACS。其具有高弹性、高强度、良好的导电性能、优良的抗应力松弛性能，同时其折弯性能优异，横向纵向在R/T＝0.2时，折弯90度不出现任何缺陷，横向纵向在R/T＝0.5时，折弯180度不出现断裂，可应用于对可靠性要求高的引线框架和汽车电子元器件中。
附图说明
图1-图3为表1实施例1-60的合金成分配方（wt%）；
图4-图12为表2实施例1-60的合金成分配方（wt%）。
具体实施方式
下文对本发明中的引线框架用抗折弯CuNiCoSi系合金及其制造方法做进一步说明。
一种引线框架用抗折弯CuNiCoSi系合金，它含有如下化学成分：Ni：1.5～2.2wt%、Co：0.5～1.2 wt%、Si：0.3～1.0 wt%，且剩余部分由Cu 及不可避免的杂质所构成。
所添加元素的作用：
钴：主要是与硅结合，形成钴硅沉淀相使合金发生时效强化，抑制晶粒长大和晶界不连续反应发生，此外还可能与铜形成一种抗高温化合物，有利于提高合金的抗应力松弛性能。
镍：镍可以降低钴在铜中的溶解度，同时也可以与形成镍硅沉淀相，抑制晶粒长大和晶界不连续反应，但过多的镍会使合金中出现β相，严重影响着合金的抗应力松弛和疲劳性能，因此，镍的成分范围应在1.5～2.2%。
硅：可以起到细化晶粒及提高合金综合性能的作用，适量的硅在铜中的加入可与镍和钴形成沉淀相以提高合金的力学性能。
本发明的另一目的是提供一种引线框架用抗折弯CuNiCoSi系合金的组织性能调控方法。
为实现上述目的，采取以下技术方案：
在进行合金熔炼之后，不管采用何种方法的制备加工技术，在成品需求的基础上，保障总加工率达到92%以上之后，
经过立式或卧式的退火炉加热至固溶温度T1（根据成分及总加工率的差别，在880℃~1020℃之间）并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例根据成分及加工率的不同在N2/Ar=1~3.5之间，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度T2（根据成分及总加工率的差别，在420℃~490℃之间）保温1~8小时之后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例根据成分及加工率的不同在N2/Ar=2~3.2之间，气体温度≤20℃），随后将温度以一定速度（根据成分及总加工率的差别，在5℃~30℃/分钟之间）升至温度T3（根据成分及总加工率的差别，在150℃~320℃之间）保温1小时，随后进行随炉冷却，使得晶粒大小在85～180μm之间，析出的第二相粒子中，粒径为3nm~10nm的NiSi相个数密度为8×1013～6×1014个／mm3，CoSi相个数密度为4×105～6×108个／mm3；10nm~20nm的NiSi相个数密度为3×1010～4×1012个／mm3，CoSi相个数密度为3×106～7×109个／mm3；20nm-30nm的NiSi相个数密度为8×109～2×1011个／mm3，CoSi相个数密度为8×107～2×1010个／mm3；30nm以上的NiSi相个数密度为6×105～9×107个／mm3，CoSi相个数密度为3×109～2×1012个／mm3；但最大析出粒子直径NiSi相不超过45nm，CoSi相不超过50nm；两个30nm以上NiSi析出相之间的最小间距大于等于105nm，两个30nm以上CoSi析出相之间的最小间距大于等于140nm，两个30nm以上NiSi析出相和CoSi析出相之间的最小间距大于等于110nm，不仅可以达到此类合金优异基础性能的组合，而且可以得到优异的折弯性能。
以下通过具体实例对本发明的技术方案作进一步描述。
实施例1：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例1。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例1。
实施例2：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例2。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1245℃，至熔体完全熔化后，保温15min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1160℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例2。
实施例3：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例3。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1246℃，至熔体完全熔化后，保温12min后，充分搅拌、静置6min后出炉浇铸，浇铸温度为1145℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例3。
实施例4：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例4。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1247℃，至熔体完全熔化后，保温16min后，充分搅拌、静置8min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例4。
实施例5：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例5。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1247℃，至熔体完全熔化后，保温22min后，充分搅拌、静置6min后出炉浇铸，浇铸温度为1156℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例5。
实施例6：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例6。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1248℃，至熔体完全熔化后，保温11min后，充分搅拌、静置3min后出炉浇铸，浇铸温度为1165℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例6。
实施例7：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例7。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1249℃，至熔体完全熔化后，保温14min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1155℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例7。
实施例8：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例8。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1252℃，至熔体完全熔化后，保温12min后，充分搅拌、静置3min后出炉浇铸，浇铸温度为1139℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例8。
实施例9：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例9。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1253℃，至熔体完全熔化后，保温16min后，充分搅拌、静置6min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例9。
实施例10：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例10。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1255℃，至熔体完全熔化后，保温12min后，充分搅拌、静置3min后出炉浇铸，浇铸温度为1146℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例10。
实施例11：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例11。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93.5%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例11。
实施例12：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例12。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为94.2%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例12。
实施例13：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例13。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为94.8%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例13。
实施例14：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例14。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为95.1%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例14。
实施例15：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例15。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为95.7%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例15。
实施例16：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例16。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为96.3%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例16。
实施例17：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例17。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为97%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例17。
实施例18：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例18。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为98.2%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例18。
实施例19：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例19。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为99.3%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例19。
实施例20：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例20。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为99.6%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例20。
实施例21：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例21。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度880℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=1，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例21。
实施例22：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例22。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=1.2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例22。
实施例23：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例23。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度900℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=1.4，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例23。
实施例24：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例24。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度910℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=1.6，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例24。
实施例25：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例25。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度920℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=1.8，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例25。
实施例26：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例26。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度930℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2.1，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例26。
实施例27：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例27。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度940℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2.2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例27。
实施例28：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例28。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度950℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=3.5，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例28。
实施例29：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例29。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度970℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2.8，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例29。
实施例30：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例30。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度980℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2.8，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例30。
实施例31：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例31。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度990℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=3.0，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例31。
实施例32：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例32。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度1000℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=3.2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例32。
实施例33：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例33。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度1010℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=3.0，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例33。
实施例34：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例34。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度1020℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=3.5，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例34。
实施例35：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例35。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度1000℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2.3，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例35。
实施例36：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例36。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度880℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=1，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度420℃保温8小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2.2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例36。
实施例37：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例37。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度880℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=1，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度430℃保温7.5小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2.4，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例37。
实施例38：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例38。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度880℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=1，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度440℃保温7小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2.6，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例38。
实施例39：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例39。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度880℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=1，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度460℃保温6小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2.8，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例39。
实施例40：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例40。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度880℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=1，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度470℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=3.2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例40。
实施例41：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例41。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度880℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=1，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度480℃保温2小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=3.1，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例41。
实施例42：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例42。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度880℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=1，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度490℃保温1小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=3.2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例42。
实施例43：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例43。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度880℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=1，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温3小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2.2，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例43。
实施例44：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例44。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度880℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=1，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度460℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2.6，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例44。
实施例45：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例45。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度880℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=1，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度480℃保温2.5小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=3.1，气体温度≤20℃），随后将温度以5℃/分钟升至温度320℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例45。
实施例46：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例46。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以6℃/分钟升至温度310℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例46。
实施例47：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例47。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以7.5℃/分钟升至温度300℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例47。
实施例48：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例48。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以8℃/分钟升至温度290℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例48。
实施例49：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例49。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以10℃/分钟升至温度280℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例49。
实施例50：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例50。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以13℃/分钟升至温度270℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例50。
实施例51：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例51。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以15℃/分钟升至温度260℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例51。
实施例52：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例52。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以18℃/分钟升至温度240℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例52。
实施例53：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例53。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以20℃/分钟升至温度220℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例53。
实施例54：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例54。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以22℃/分钟升至温度200℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例54。
实施例55：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例55。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以24℃/分钟升至温度190℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例55。
实施例56：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例56。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以24℃/分钟升至温度180℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例56。
实施例57：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例57。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以27℃/分钟升至温度150℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例57。
实施例58：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例58。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以28℃/分钟升至温度150℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例58。
实施例59：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例59。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以29℃/分钟升至温度150℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例59。
实施例60：
本发明的合金采用以下原料熔炼：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金。合金的成分见表1的实施例60。
1.熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼。合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1250℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1150℃。
2.铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm。
3.热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为93%。
4. 经过卧式的退火炉加热至固溶温度890℃并快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），再经过钟罩式退火炉加热至温度450℃保温4小时后，快速进行气体冷却（氮气与氩气的混合气体，混合比例N2/Ar=2，气体温度≤20℃），随后将温度以30℃/分钟升至温度150℃保温1小时，随后进行随炉冷却，经过以上熔炼、铣面、热轧、固溶时效等加工处理后，其性能及微观组织见表2中的实施例60。
对比专利CN102227510B，我们采取了其制备方法与延长时效时间及增长时效温度使得部分析出相大于50nm之后，强度性能略有损失，虽然最高强度性能低于其最高强度915MPa，但本发明可以得到导电性能为50%IACS的导电率，高于其导电性能，尤其是抗弯折性能，本发明在R/T＝0.2时，折弯90度， R/T＝0.5时，折弯180度的实验中，无一发生断裂，而析出相大于50nm的试样中，R/T＝0.2时，折弯90度的试样断裂比例高达45%，R/T＝0.5时，折弯180度的试样断裂比例高达80%，因此，本发明对于该类合金折弯性能的提高是独特且不可替代的。

Claims (5)

1.一种引线框架用抗折弯CuNiCoSi系合金，其按质量份包含有Ni：1.0～2.5 %、Co：0.5～2.5 %、Si：0.3～1.2 %，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成其中。
2.一种加工如权利要求所述引线框架用抗折弯CuNiCoSi系合金的制造方法，其包括依次进行以下工序：
1）、熔炼：采用真空感应电炉进行熔炼，合金的加入顺序为：电解铜、纯镍、纯钴、镍硅合金，将温度升到1245～1255℃，至熔体完全熔化后，保温18min后，充分搅拌、静置5min后出炉浇铸，浇铸温度为1139～1160℃；
2）、铣面：对合金进行铣面，上下表面各铣1mm；
3）、热轧：对合金进行加热，加热温度为900℃，保温时间为1h，热轧总加工率为92～95%；
4）、经过立式或卧式的退火炉加热至固溶温度T1，随后快速进行气体冷却，冷却气体采用的为氮气与氩气的混合气体，混合比例根据成分及加工率的不同在N2/Ar=1~3.5之间，气体温度≤20℃，再经过钟罩式退火炉加热至温度T2，随后保温1~8小时，在快速进行气体冷却，这一阶段的冷却气体采用的是氮气与氩气的混合气体，混合比例根据成分及加工率的不同在N2/Ar=2~3.2之间，气体温度≤20℃，随后在5℃~30℃/分钟之间将温度升至T3，保温1小时，随后进行随炉冷却析出合金粒子，合金粒子的晶粒大小在85～180μm之间，析出的晶粒中，粒径为3nm~10nm的NiSi相个数密度为8×1013～6×1014个／mm3，CoSi相个数密度为4×105～6×108个／mm3；10nm~20nm的NiSi相个数密度为3×1010～4×1012个／mm3，CoSi相个数密度为3×106～7×109个／mm3；20nm-30nm的NiSi相个数密度为8×109～2×1011个／mm3，CoSi相个数密度为8×107～2×1010个／mm3；30nm以上的NiSi相个数密度为6×105～9×107个／mm3，CoSi相个数密度为3×109～2×1012个／mm3；但最大析出粒子直径NiSi相不超过45nm，CoSi相不超过50nm；两个30nm以上NiSi析出相之间的最小间距大于等于105nm，两个30nm以上CoSi析出相之间的最小间距大于等于140nm，两个30nm以上NiSi析出相和CoSi析出相之间的最小间距大于等于110nm。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：T1的范围为880℃~1020℃。
4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：T2的温度范围为420℃~490℃。
5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：T3的温度范围为150℃~320℃。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05179377A (ja) * 1991-12-27 1993-07-20 Kobe Steel Ltd 曲げ加工性が優れた高力銅合金及びその製造方法
CN102549180A (zh) * 2009-09-28 2012-07-04 Jx日矿日石金属株式会社 电子材料用Cu－Ni－Si－Co系铜合金和其制造方法
CN107267803A (zh) * 2016-03-31 2017-10-20 Ｊｘ金属株式会社 铜合金板材及铜合金板材的制造方法

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