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CN110174787B - 阵列基板及其制作方法和显示装置 - Google Patents

阵列基板及其制作方法和显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提实施例供了一种阵列基板及其制作方法和显示装置。所述阵列基板包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的扫描线、数据线、公共电极线以及多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管、主像素电极、次像素电极和公共电极，并且至少一个所述像素单元的主像素电极和与之相邻的像素单元的次像素电极之间的区域不设置公共电极，以降低公共电极的电压对所述像素单元的主像素电极和与之相邻的像素单元的次像素电极之间的区域的干扰，从而解决因公共电极引起液晶导向紊乱而产生暗纹的问题，提高了该区域内的透光率，进而提高了画面显示质量。

Description

阵列基板及其制作方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置。
背景技术
目前液晶显示(Liquid Crystal Display,LCD)器是最广泛使用的显示器之一，LCD包括设置有场发生电极如像素电极和公共电极的一对面板以及设置在两个面板之间的液晶层，当施加电压到场发生电极从而在液晶层中产生电场，液晶分子在电场作用下进行偏转，由此可以控制光的透过情况使LCD显示图像。液晶显示器包括扭曲向列(TwistedNematic，TN)模式、电子控制双折射(Electrically Controlled Birefringence，ECB)模式、垂直配向(Vertical Alignment，VA)模式等多种模式，其中，VA模式是一种具有高对比度、宽视角、无需摩擦配向等优势的常见显示模式，但在VA模式中像素通常会由于液晶分子导向不良而产生暗纹，严重影响了显示面板的光透过率。
为了提升面板视角表现，聚合物稳定的垂直排列(Polmer StabilizedVertivally Aligned，PSVA)型像素逐渐应用于大尺寸电视面板的设计，但在该PSVA型像素设计中存在暗纹，严重影响了画面质量。
发明内容
基于此，有必要针对PSVA型像素设计中存在暗纹的问题，提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置。
本发明提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的扫描线、数据线、公共电极线以及多个像素单元，所述像素单元包括至少两个薄膜晶体管、主像素电极、次像素电极和公共电极，所述至少两个薄膜晶体管设置在所述扫描线的上方，分别与所述主像素电极和所述次像素电极电连接，所述主像素电极和所述次像素电极分别设置在所述扫描线的两侧，并且至少一个所述像素单元的主像素电极和与之相邻的像素单元的次像素电极之间的区域不设置公共电极。
在其中一个实施例中，所述公共电极包括相互垂直的第一公共子电极和第二公共子电极，且所述第一公共子电极与所述数据线平行；
同一像素单元内，在所述第一公共子电极的延伸方向上，所述第一公共子电极的远端在所述沉底基板上投影与所述主像素电极的远端在所述衬底基板上的投影之间的距离为5～8μm，其中所述第一公共子电极的远端为所述第一公共子电极远离所述扫描线的一端，所述主像素电极的远端所述主像素电极远离所述扫描线的一端。
在其中一个实施例中，所述主像素电极和所述次像素电极均包括周边连接部、多个条状主干以及与所述主干连接的多个条状像素子电极，所述主干包括相互垂直的水平主干和竖直主干，所述水平主干和所述竖直主干将所述像素单元分成多个显示畴区，所述像素子电极位于所述显示畴区内；
所述像素电极的主干覆盖所述公共电极，且所述主像素的竖直主干的远端和与之对应的所述第一公共子电极的远端在所述衬底基板上的投影距离为5～8μm，其中所述主像素的竖直主干的远端为所述主像素的竖直主干远离所述扫描线的一端。
在其中一个实施例中，所述主像素的竖直主干的远端和与之对应的所述第一公共子电极的远端在所述衬底基板上的投影距离为6μm。
在其中一个实施例中，所述像素单元包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；
所述第一薄膜晶体管的源极与所述数据线连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述主像素电极连接，用于为所述主像素电极提供数据驱动信号；
所述第二薄膜晶体管的源极与所述数据线连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述次像素电极连接，用于为所述次像素电极提供数据驱动信号；
所述第三薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的源极，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述公共电极线连接，用于为所述次像素电极上的数据驱动信号的电压。
在其中一个实施例中，在一个所述像素单元中，所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极和所述第三薄膜晶体管的栅极连接同一条扫描线，所述第一薄膜晶体管的漏极和所述第二薄膜晶体管的漏极连接同一条数据线。
在其中一个实施例中，所述第一薄膜晶体管的源极和漏极之间形成的第一导电沟道为U型，所述第二薄膜晶体管的源极和漏极之间形成的第二导电沟道为U型，所述第三薄膜晶体管的源极和漏极之间形成的第三导电沟道为一字型。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，所述方法包括形成扫描线、数据线、公共电极和公共电极线的步骤、形成至少两个薄膜晶体管的步骤以及形成主像素电极和次像素电极的步骤，形成薄膜晶体管包括形成栅极、源极、漏极和有源层的步骤，其中所述至少两个薄膜晶体管设置在所述扫描线的上方，分别与所述主像素电极和所述次像素电极电连接，所述主像素电极和所述次像素电极分别设置在所述扫描线的两侧，且至少一个所述像素单元的主像素电极和与之相邻的像素单元的次像素电极之间的区域不设置公共电极。
在其中一个实施例中，所述公共电极包括相互垂直的第一公共子电极和第二公共子电极，且所述第一公共子电极与所述数据线平行；
在所述第一公共子电极的延伸方向上，所述第一公共子电极的远端在所述沉底基板上投影与所述主像素电极的远端在所述衬底基板上的投影之间的距离为5～8μm，其中所述第一公共子电极的远端为所述第一公共子电极远离所述扫描线的一端，所述主像素电极的远端所述主像素电极远离所述扫描线的一端。
基于同一发明构思，本发明还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任一权项所述的阵列基板。
综上，本发明提实施例供了一种阵列基板及其制作方法和显示装置。所述阵列基板包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的扫描线、数据线、公共电极线以及多个像素单元，所述像素单元包括至少两个薄膜晶体管、主像素电极、次像素电极和公共电极，所述至少两个薄膜晶体管设置在所述扫描线的上方，分别与所述主像素电极和所述次像素电极电连接，所述主像素电极和所述次像素电极分别设置在所述扫描线的两侧，并且至少一个所述像素单元的主像素电极和与之相邻的像素单元的次像素电极之间的区域不设置公共电极。本发明中，所述像素单元的主像素电极和与之相邻的像素单元的次像素电极之间的区域不设置公共电极，因此降低了公共电极的电压对所述像素单元的主像素电极和与之相邻的像素单元的次像素电极之间的区域的干扰，从而解决了因公共电极引起液晶导向紊乱而产生暗纹的问题，提高了该区域内的透光率，进而提高了画面显示质量。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视图；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视图；
图4为本发明实施例提供的相邻像素单元间无公共电极时和存在公共电极时的电场分布图示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
本发明实施例提供了一种阵列基板，请参考图1和图2，所述阵列基板包括衬底基板900以及设置在所述衬底基板900上的扫描线100、数据线200、公共电极线300以及多个像素单元，所述像素单元包括至少两个薄膜晶体管、主像素电极400、次像素电极500和公共电极600，所述至少两个薄膜晶体管设置在所述扫描线100的上方，分别与所述主像素电极400和所述次像素电极500电连接，所述主像素电极400和所述次像素电极500分别设置在所述扫描线100的两侧，并且至少一个所述像素单元的主像素电极400和与之相邻的像素单元的次像素电极500之间的区域不设置公共电极600。
可以理解，在3T_8domain的PSVA型像素设计中，主要是通过给同一个子像素的两个区(主(main)像素区和次(sub)像素区)施加不同电压，使同一个像素单元内的main显示区的4个显示畴区与sub显示区的4个显示畴区的液晶分子的转动角度不一样，从而改善色偏问题。但在PSVA型像素设计中，在沿数据线200延伸的方向上，相邻的两个像素单元之间，即一个像素单元的主像素电极400和与该像素单元相邻的次像素电极500之间区域液晶分子受公共电极600电压的影响，产生导向不良，从而产生暗纹。本实施例中，通过在所述像素单元的主像素电极400和与之相邻的像素单元的次像素电极500之间的区域不设置公共电极600，从而降低了公共电极600的电压对相邻的两个所述像素单元之间区域内的液晶分子导向的干扰，从而解决了公共电极600引起液晶导向紊乱而产生暗纹的问题，提高了该区域内的透光率，进而提高了画面显示质量。
在其中一个实施例中，请参见图3和图4，所述公共电极600包括相互垂直的第一公共子电极610和第二公共子电极(未显示)，且所述第一公共子电极610与所述数据线200平行；同一像素单元内，在所述第一公共子电极610的延伸方向上，所述第一公共子电极610的远端在所述沉底基板上投影与所述主像素电极400的远端在所述衬底基板900上的投影之间的距离为5～8μm，其中所述第一公共子电极610的远端为所述第一公共子电极610远离所述扫描线100的一端，所述主像素电极400的远端所述主像素电极400远离所述扫描线100的一端。
可以理解，对于3T_8domain像素设计的阵列基板，通过所述公共电极600和所述像素电极交叠的部分形成存储电容，所述存储电容用于在所述薄膜晶体管的栅极关闭时维持像素单元的驱动电压。所述第一公共子电极610对应于所述主像素电极400和所述次像素电极500，因此在所述像素单元的主像素电极400和与之相邻的像素单元的次像素电极500之间的区域，液晶分子受到双重公共电压的作用，液晶分子不良导向问题严重，暗纹现象也比较严重。本实施例中通过将所述第一公共子电极610的远端内缩5～8μm，避免产生液晶分子受两重公共电压的现象，从而改善在相邻的两个像素单元的竖直主干之间的区域产生的液晶分子不良导向问题，进一步提高光透过率和画面显示质量。
在其中一个实施例中，所述主像素电极400和所述次像素电极500均包括周边连接部410、多个条状主干420以及与所述主干420连接的多个条状像素子电极430，所述主干包括相互垂直的水平主干421和竖直主干422，所述水平主干421和所述竖直主干422将所述像素单元分成多个显示畴区，所述像素子电极430位于所述显示畴区内。所述像素电极的主干覆盖所述公共电极600，且所述主像素的竖直主干422的远端和与之对应的所述第一公共子电极610的远端在所述衬底基板900上的投影距离为5～8μm，其中所述主像素的竖直主干422的远端为所述主像素的竖直主干422远离所述扫描线100的一端。
可以理解，本实施例中所述第一公共子电极610对应于所述主像素电极400的竖直主干422和所述次像素电极500的竖直主干422，因此在所述像素单元的主像素电极400的竖直主干422和与之相邻的像素单元的次像素电极500的竖直主干422之间的区域，液晶分子受到两重公共电压的作用，液晶分子不良导向问题比较严重。所以可通过将所述第一公共子电极610的远端内缩5～8μm，避免产生液晶分子受两重公共电压的现象，从而改善在相邻的两个像素单元的竖直主干422之间的区域产生的液晶分子不良导向问题，进一步提高光透过率和画面显示质量。
在其中一个实施例中，所述主像素的竖直主干422的远端和与之对应的所述第一公共子电极610的远端在所述衬底基板900上的投影距离为6μm。可以理解，将所述第一公共子电极610的远端内缩6μm，可有效降低相邻的两个像素单元的竖直主干422之间的区域产生的液晶分子不良导向问题，而且还不会因为第一公共子电极610过短造成主像素电极400与公共电极600之间的重叠面积过小，导致主存储电容较小而影响显示效果。
在其中一个实施例中，所述像素单元包括第一薄膜晶体管TFT_1、第二薄膜晶体管TFT_2和第三薄膜晶体管TFT_3；
所述第一薄膜晶体管TFT_1的源极与所述数据线200连接，所述第一薄膜晶体管TFT_1的漏极与所述主像素电极400连接，用于为所述主像素电极400提供数据驱动信号；
所述第二薄膜晶体管的源极与所述数据线200连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述次像素电极500连接，用于为所述次像素电极500提供数据驱动信号；
所述第三薄膜晶体管TFT_3的源极与所述第二薄膜晶体管TFT_2的源极，所述第三薄膜晶体管TFT_3的漏极与所述公共电极线300连接，用于为所述次像素电极500上的数据驱动信号的电压。
在其中一个实施例中，在一个所述像素单元中，所述第一薄膜晶体管TFT_1的栅极、所述第二薄膜晶体管TFT_2的栅极和所述第三薄膜晶体管TFT_3的栅极连接同一条扫描线100，所述第一薄膜晶体管TFT_1的漏极和所述第二薄膜晶体管TFT_2的漏极连接同一条数据线200。
在显示过程中，主像素电极400与公共电极600之间形成主存储电容，次像素电极500与公共电极600之间形成次存储电容。当扫描线100打开时，第一薄膜晶体管TFT_1、第二薄膜晶体管TFT_2和第三薄膜晶体管TFT_3同时打开，数据线200向主像素电极400和次像素电极500充入数据驱动信号。同时，第三薄膜晶体管TFT_3将次像素电极500上的一部分电荷传输至公共电极线300上，使得所述主存储电容两端的电压大于所述存储电容两端的电压，进而使次像素电极500对应区域的亮度低于主像素电极400对应区域的亮度。并且，主像素电极400对应区域与次像素电极500对应区域中液晶分子的偏转角度也不同，从而改善了VA型液晶显示器的大视角色偏现象。
在其中一个实施例中，所述第一薄膜晶体管TFT_1的源极和漏极之间形成的第一导电沟道为U型，所述第二薄膜晶体管TFT_2的源极和漏极之间形成的第二导电沟道为U型，所述第三薄膜晶体管TFT_3的源极和漏极之间形成的第三导电沟道为一字型。具体设计中，可以将所述第一薄膜晶体管TFT_1的源极和所述第二薄膜晶体管TFT_2的源极设计为U型，从而实现薄膜晶体管的U型设计，减少第一薄膜晶体管TFT_1和第二薄膜晶体管TFT_2的源极和漏极在沿扫描线100延伸方向上的长度，即减小导电沟道的宽度在沿扫描线100延伸方向上的距离，以减小布线所需的空间，实现显示面板的窄边框设计。
在其中一个实施例中，所述第一导电沟道的宽度与长度的比值大于所述第二导电沟道的宽度与长度的比值。可以理解，薄膜晶体管的特性与所述导电沟道的宽度与长度的比值有关，导电沟道的宽度与长度的比值越大，薄膜晶体管的性能越好，因此可通过设计所述第一导电沟道的宽度与长度的比值以及所述第二导电沟道的宽度与长度的比值，使次像素电极500对应区域的亮度低于主像素电极400对应区域的亮度，进一步改善VA型液晶显示器的大视角色偏现象。
在其中一个实施例中，所述阵列基板还包括栅绝缘层700和钝化层800，所述栅绝缘层700设置在薄膜晶体管的栅极与同层设置的源极和漏极所在层之间，所述钝化层800设置在所述主像素电极和次像素电极所在层与源极和漏极所在层之间。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，所述方法包括形成扫描线100、数据线200、公共电极600和公共电极线300的步骤、形成薄膜晶体管的步骤以及形成主像素电极400和次像素电极500的步骤，形成薄膜晶体管包括形成栅极、源极、漏极和有源层的步骤，其中所述至少两个薄膜晶体管设置在所述扫描线100的上方，分别与所述主像素电极400和所述次像素电极500电连接，所述主像素电极400和所述次像素电极500分别设置在所述扫描线100的两侧，且至少一个所述像素单元的主像素电极400和与之相邻的像素单元的次像素电极500之间的区域不设置公共电极600。
在其中一个实施例中，所述公共电极600包括相互垂直的第一公共子电极610和第二公共子电极，且所述第一公共子电极610与所述数据线200平行；同一像素单元内，在所述第一公共子电极610的延伸方向上，所述第一公共子电极610的远端在所述沉底基板上投影与所述主像素电极400的远端在所述衬底基板900上的投影之间的距离为5～8μm，其中所述第一公共子电极610的远端为所述第一公共子电极610远离所述扫描线100的一端，所述主像素电极400的远端所述主像素电极400远离所述扫描线100的一端。
可以理解，本实施例中通过将所述第一公共子电极610的远端内缩5～8μm，避免产生液晶分子受两重公共电压的现象，从而改善在相邻的两个像素单元的竖直主干422之间的区域产生的液晶分子不良导向问题，进一步提高光透过率和画面显示质量。
以上述3T_8domain像素设计的PSVA型阵列基板为例，所述阵列基板的制作方法具体以下几个步骤：
步骤一，在衬底基板900上形成所述公共电极600、所述公共电极线300、第一薄膜晶体管TFT_1的栅极、第二薄膜晶体的栅极、第三薄膜晶体管TFT_3的栅极和所述扫描线100。本实施例中，所述在衬底基板900上形成所述公共电极600、公共电极线300、所述栅极和所述扫描线100的步骤，包括：在衬底基板900上沉积一层金属薄膜，然后通过第一次构图工艺处理，形成包含扫描线100、栅极、公共电极600和公共电极线300的图形，所述扫描线100、栅极和公共电极600相隔设置。所述公共电极600包括相互垂直的第一公共子电极610和第二公共子电极，且所述第一公共子电极610与所述数据线200平行；同一像素单元内，在所述第一公共子电极610的延伸方向上，所述第一公共子电极610的远端在所述沉底基板上投影与所述主像素电极400的远端在所述衬底基板900上的投影之间的距离为5～8μm，其中所述第一公共子电极610的远端为所述第一公共子电极610远离所述扫描线100的一端，所述主像素电极400的远端所述主像素电极400远离所述扫描线100的一端。
在本发明中，构图工艺，可只包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。
步骤二，在形成所述公共电极600、所述公共电极线300、第一薄膜晶体管TFT_1的栅极、第二薄膜晶体管TFT_2的栅极、第三薄膜晶体管TFT_3的栅极和所述扫描线100的衬底基板900上形成栅绝缘层。本实施例中，在完成步骤一的衬底基板900上沉积氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)层，形成栅绝缘层。所述栅绝缘层中设置有第一通孔，所述第三薄膜晶体管TFT_3的漏极与所述公共电极600通过所述第一通孔实现电连接。
步骤三，在形成所述栅绝缘层的衬底基板900上形成所述有源层。本实施例中，通过等离子体增强化学气相沉积法或其他类似方法，在栅绝缘层的上方形成非晶硅薄膜层，然后通过激光退火工艺或固相结晶工艺等工艺过程，使得非晶硅结晶化，形成多晶硅薄膜层，并通过第二次构图工艺处理形成包含低温多晶硅有源层的图形。
步骤四，在形成所述有源层的衬底基板900上形成所述数据线200、第一薄膜晶体管TFT_1的源极和漏极、第二薄膜晶体管TFT_2的源极和漏极以及第三薄膜晶体管TFT_3的源极和漏极。本实施例中，首先沉积源极和漏极、以及数据线200的金属层，采用光阻剂涂胶和掩膜曝光后，再通过刻蚀形成数据线200、源极和漏极的图案。其中刻蚀的方法可以为干法刻蚀或湿法刻蚀，方法不做限定。所述第一薄膜晶体管TFT_1的源极和漏极之间形成的第一导电沟道为U型，所述第二薄膜晶体管TFT_2的源极和漏极之间形成的第二导电沟道为U型，所述第三薄膜晶体管TFT_3的源极和漏极之间形成的第三导电沟道为一字型。
步骤五，在形成所述数据线200、第一薄膜晶体管TFT_1的源极和漏极、第二薄膜晶体管TFT_2的源极和漏极以及第三薄膜晶体管TFT_3的源极和漏极的衬底基板900上形成钝化层，并形成贯穿所述钝化层的第二通孔和第三通孔，所述主像素电极400与所述第一薄膜晶体管TFT_1的漏极通过所述第二通孔实现电连接，所述次像素电极500与所述第二薄膜晶体管TFT_2的漏极通过所述第三通孔实现电连接。本实施例中，通过所述钝化层保护所述第一薄膜晶体管TFT_1、第二薄膜晶体管TFT_2和第三薄膜晶体管TFT_3，防止第一薄膜晶体管TFT_1、第二薄膜晶体管TFT_2和第三薄膜晶体管TFT_3受到腐蚀。
步骤六，在形成所述钝化层的衬底基板900上形成所述主像素电极400和次像素电极500。即，在完成步骤五的衬底基板900上，使用磁控溅射法在钝化层上沉积一层氧化铟锡ITO透明导电薄膜，通过构图工艺，即经涂覆光刻胶并曝光显影后，再进行湿刻、剥离后，形成包括像素电极的图形；所述通孔中填充有用于形成所述像素电极的导电材料，所述像素电极通过所述通孔与漏极电连接。经过上述步骤，即形成本发明实施例提供的阵列基板。本实施例中，所述主像素电极400和所述次像素电极500均包括周边连接部410、多个条状主干以及与所述主干连接的多个条状像素子电极430，所述主干包括相互垂直的水平主干421和竖直主干422，所述水平主干421和所述竖直主干422将所述像素单元分成多个显示畴区，所述像素子电极430位于所述显示畴区内。
基于同一发明构思，本发明还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任一实施例所述的阵列基板。其中，所述显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
综上，本发明提实施例供了一种阵列基板及其制作方法和显示装置。所述阵列基板包括衬底基板900以及设置在所述衬底基板900上的扫描线100、数据线200、公共电极线300以及多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管、主像素电极400、次像素电极500和公共电极600，并且至少一个所述像素单元的主像素电极400和与之相邻的像素单元的次像素电极500之间的区域不设置公共电极600。本发明中，所述像素单元的主像素电极400和与之相邻的像素单元的次像素电极500之间的区域不设置公共电极600，因此降低了公共电极600的电压对所述像素单元的主像素电极400和与之相邻的像素单元的次像素电极500之间的区域的干扰，从而解决了公共电极600引起液晶导向紊乱而产生暗纹的问题，提高了该区域内的透光率，进而提高了画面显示质量。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (7)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的扫描线、数据线、公共电极线以及多个像素单元，所述像素单元包括至少两个薄膜晶体管、主像素电极、次像素电极和公共电极，所述至少两个薄膜晶体管设置在所述扫描线的上方，分别与所述主像素电极和所述次像素电极电连接，所述主像素电极和所述次像素电极分别设置在所述扫描线的两侧，并且至少一个所述像素单元的主像素电极和与之相邻的像素单元的次像素电极之间的区域不设置公共电极；
所述公共电极包括相互垂直的第一公共子电极和第二公共子电极，且所述第一公共子电极与所述数据线平行；
所述主像素电极和所述次像素电极均包括周边连接部、多个条状主干以及与所述主干连接的多个条状像素子电极，所述主干包括相互垂直的水平主干和竖直主干，所述水平主干和所述竖直主干将所述像素单元分成多个显示畴区，所述像素子电极位于所述显示畴区内；
所述像素电极的主干覆盖所述公共电极，同一像素单元内，在所述第一公共子电极的延伸方向上，所述主像素的竖直主干的远端和与之对应的所述第一公共子电极的远端在所述衬底基板上的投影距离为5～8μm，其中所述主像素的竖直主干的远端为所述主像素的竖直主干远离所述扫描线的一端；所述第一公共子电极的远端为所述第一公共子电极远离所述扫描线的一端，所述第一公共子电极的远端在所述衬底基板上投影相比于所述主像素电极的远端在所述衬底基板上的投影更靠近所述扫描线。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述主像素的竖直主干的远端和与之对应的所述第一公共子电极的远端在所述衬底基板上的投影距离为6μm。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；
所述第一薄膜晶体管的源极与所述数据线连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述主像素电极连接，用于为所述主像素电极提供数据驱动信号；
所述第二薄膜晶体管的源极与所述数据线连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述次像素电极连接，用于为所述次像素电极提供数据驱动信号。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在一个所述像素单元中，所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极和所述第三薄膜晶体管的栅极连接同一条扫描线，所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二薄膜晶体管的源极连接同一条数据线。
5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的源极和漏极之间形成的第一导电沟道为U型，所述第二薄膜晶体管的源极和漏极之间形成的第二导电沟道为U型，所述第三薄膜晶体管的源极和漏极之间形成的第三导电沟道为一字型。
6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括形成扫描线、数据线、公共电极和公共电极线的步骤、形成至少两个薄膜晶体管的步骤以及形成主像素电极和次像素电极的步骤，形成薄膜晶体管包括形成栅极、源极、漏极和有源层的步骤，其中所述至少两个薄膜晶体管设置在所述扫描线的上方，分别与所述主像素电极和所述次像素电极电连接，所述主像素电极和所述次像素电极分别设置在所述扫描线的两侧，且至少一个像素单元的主像素电极和与之相邻的像素单元的次像素电极之间的区域不设置公共电极；
所述公共电极包括相互垂直的第一公共子电极和第二公共子电极，且所述第一公共子电极与所述数据线平行；
所述主像素电极和所述次像素电极均包括周边连接部、多个条状主干以及与所述主干连接的多个条状像素子电极，所述主干包括相互垂直的水平主干和竖直主干，所述水平主干和所述竖直主干将所述像素单元分成多个显示畴区，所述像素子电极位于所述显示畴区内；
所述像素电极的主干覆盖所述公共电极，同一像素单元内，在所述第一公共子电极的延伸方向上，所述主像素的竖直主干的远端和与之对应的所述第一公共子电极的远端在所述衬底基板上的投影距离为5～8μm，其中所述主像素的竖直主干的远端为所述主像素的竖直主干远离所述扫描线的一端；所述第一公共子电极的远端为所述第一公共子电极远离所述扫描线的一端，所述第一公共子电极的远端在所述衬底基板上投影相比于所述主像素电极的远端在所述衬底基板上的投影更靠近所述扫描线。
7.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1～5任一权项所述的阵列基板。
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