CN110149765B - 一种在电路衬底上制作保护膜层的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种在电路衬底上制作保护膜层的方法，包括：在电路衬底的电路面上制作剥离图案层，所述剥离图案层覆盖于所述电路衬底的第一电路区域，而露出所述电路衬底的第二电路区域；在所述电路衬底的电路面上制作保护膜层，所述保护膜层覆盖于所述电路衬底的第二电路区域和位于所述第一电路区域上的剥离图案层，其中所述保护膜层和所述电路衬底之间的第一结合力大于所述保护膜层和所述剥离图案层之间的第二结合力；对所述保护膜层进行擦拭，至少露出位于所述电路衬底的第一电路区域上的剥离图案层；采用剥离液腐蚀掉所述剥离图案层，以露出所述电路衬底的第一电路区域。该方法可降低在电路衬底上制作保护膜层的设备成本。
Description
技术领域
本发明涉及电路衬底保护方法，尤其涉及一种在电路衬底上制作保护膜层的方法。
背景技术
随着触控显示技术的成熟，各生产厂家之间的竞争越来越激烈，产品的制作成本已经成为至关重要的竞争力。
在触控显示产品中往往需要用到电路衬底，所述电路衬底上具有功能电路层，所述触控显示产品通过所述功能电路层实现触摸功能、显示功能或触摸显示功能等。现有技术中，所述电路衬底的电路功能层表面上会制作一层保护膜层，以对所述电路功能层进行保护，普通保护膜层是OCA光学胶，但是OCA光学胶不耐高温，而产品的某些制程（如AMOLED制程）需要在400-500℃的高温下进行，这种情况下就需要使用SIO2或SI3N4等耐高温保护膜层。而所述电路功能层中有一些电路区域需要从所述保护膜层中露出以绑定FPC、IC等，因此需要对耐高温保护膜层进行刻蚀，以将这些电路区域露出，但是耐高温保护膜层只能采用黄光工艺进行刻蚀，而黄光工艺所使用的黄光设备价格昂贵，一般公司买不起，设备成本很高。
发明内容
为了解决上述现有技术的不足，本发明提供一种在电路衬底上制作保护膜层的方法，可降低在电路衬底上制作保护膜层的设备成本。
本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：
一种在电路衬底上制作保护膜层的方法，包括：
在电路衬底的电路面上制作剥离图案层，所述剥离图案层覆盖于所述电路衬底的第一电路区域，而露出所述电路衬底的第二电路区域；
在所述电路衬底的电路面上制作保护膜层，所述保护膜层覆盖于所述电路衬底的第二电路区域和位于所述第一电路区域上的剥离图案层，其中所述保护膜层和所述电路衬底之间的第一结合力大于所述保护膜层和所述剥离图案层之间的第二结合力；
对所述保护膜层进行擦拭，至少露出位于所述电路衬底的第一电路区域上的剥离图案层；
采用剥离液腐蚀掉所述剥离图案层，以露出所述电路衬底的第一电路区域。
进一步地，所述剥离图案层为光阻材料，在所述电路衬底的电路面上制作所述剥离图案层的步骤包括：
在所述电路衬底的电路面上制作一层剥离膜层，所述剥离膜层同时覆盖于所述电路衬底的第一电路区域和第二电路区域；
对所述剥离膜层进行曝光显影后，去掉位于所述第二电路区域上的剥离膜层，留下位于所述第一电路区域上的剥离膜层，形成所述剥离图案层。
进一步地，所述剥离图案层为正性光阻材料，对所述第二电路区域上的剥离膜层进行曝光，然后用显影液腐蚀掉位于所述第二电路区域上被曝光的剥离膜层。
进一步地，所述剥离图案层为负性光阻材料，对所述第一电路区域上的剥离膜层进行曝光，然后用显影液腐蚀掉位于所述第二电路区域上未曝光的剥离膜层。
进一步地，所述剥离液为碱性溶液。
进一步地，所述电路衬底包括透明衬底和制作于所述透明衬底一面上的功能电路层。
进一步地，所述功能电路层包括需要从所述保护膜层中露出的第一电路区域和需要被覆盖于所述保护膜层下保护的第二电路区域。
进一步地，所述保护膜层为耐高温保护膜层。
进一步地，所述保护膜层为无机非金属化合物膜层。
进一步地，所述剥离液能够腐蚀所述剥离图案层，而无法腐蚀所述保护膜层。
本发明具有如下有益效果：该方法在所述电路衬底上制作所述保护膜层时，通过擦拭所述保护膜层，利用所述电路衬底和所述剥离图案层分别对所述保护膜层具有不同结合力的特性，将位于所述剥离图案层上的保护膜层擦拭掉，无需通过黄光工艺对所述保护膜层进行刻蚀，而所述剥离图案层的制作只需采用普通的光刻工艺即可，普通的光刻设备很便宜，可降低设备成本。
附图说明
图1为本发明提供的在电路衬底上制作保护膜层的方法的步骤框图；
图2为本发明提供的在电路衬底上制作保护膜层的示意图；
图3为本发明提供的在电路衬底上制作保护膜层的另一示意图；
图4为本发明提供的在电路衬底上制作保护膜层的又一示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明。
如图1-4所示，一种在电路衬底1上制作保护膜层3的方法，包括：
S101：在电路衬底1的电路面上制作剥离图案层2，所述剥离图案层2覆盖于所述电路衬底1的第一电路区域11，而露出所述电路衬底1的第二电路区域12；
所述电路衬底1包括透明衬底和制作于所述透明衬底一面上的功能电路层，所述功能电路层可以为具有触摸功能的触摸电路层、具有显示功能的显示电路层或者同时具有触摸和显示功能的触摸显示电路层，在此不对所述功能电路层的功能类型作限制。其中所述功能电路层的第一电路区域11为最终需要从保护膜层3中露出绑定FPC和IC的电路区域，而所述功能电路层的第二电路区域12为最终需要被覆盖于保护膜层3下进行保护的电路区域。
所述透明衬底可以为塑料衬底、玻璃衬底或蓝宝石衬底等常规材料衬底；所述功能电路层可以为ITO电路层、纳米银电路层或石墨烯电路层等常规材料电路层。
具体的，所述剥离图案层2为光阻材料，在所述电路衬底1的电路面上制作所述剥离图案层2的步骤包括：
在所述电路衬底1的电路面上制作一层剥离膜层，所述剥离膜层同时覆盖于所述电路衬底1的第一电路区域11和第二电路区域12；
对所述剥离膜层进行曝光显影后，去掉位于所述第二电路区域12上的剥离膜层，留下位于所述第一电路区域11上的剥离膜层，形成所述剥离图案层2。
在曝光显影的过程中，依据光阻材料的不同进行曝光和显影的电路区域也不相同，若所述剥离图案层2为正性光阻材料，则对所述第二电路区域12上的剥离膜层进行曝光，然后用显影液腐蚀掉位于所述第二电路区域12上被曝光的剥离膜层；若所述剥离图案层2为负性光阻材料，则对所述第一电路区域11上的剥离膜层进行曝光，然后用显影液腐蚀掉位于所述第二电路区域12上未曝光的剥离膜层。
S102：在所述电路衬底1的电路面上制作保护膜层3，如图2所示，所述保护膜层3覆盖于所述电路衬底1的第二电路区域12和位于所述第一电路区域11上的剥离图案层2，其中所述保护膜层3和所述电路衬底1之间的第一结合力大于所述保护膜层3和所述剥离图案层2之间的第二结合力；
所述保护膜层3优选为耐高温保护膜层3，材质可以为SIO2或SI3N4等无机非金属化合物膜层。
S103：对所述保护膜层3进行擦拭，如图3所示，至少露出位于所述电路衬底1的第一电路区域11上的剥离图案层2；
由于所述电路衬底1对所述保护膜层3的第一结合力要大于所述剥离图案层2对所述保护膜层3的第二结合力，通过控制对所述保护膜层3的擦拭力，使得擦拭力介于所述第一结合力和第二结合力之间，则位于所述剥离图案层3上的保护膜层3会被擦拭掉，而位于所述电路衬底1的第二电路区域12上的保护膜层3则不会被擦拭掉；擦拭过后，至少应将位于所述电路衬底1的第一电路区域11上的剥离图案层2露出，以方便下一步骤S104中进行腐蚀，当然也可将位于所述剥离图案层2上的保护膜层3完全去掉，而仅留下位于所述电路衬底1的第二电路区域12上的保护膜层3。
擦拭所述保护膜层3时，可以但不限于采用无尘布。
S104：采用剥离液腐蚀掉所述剥离图案层2，如图4所示，以露出所述电路衬底1的第一电路区域11；
通过选择合适的剥离液来对所述剥离图案层2进行腐蚀，所述剥离液应当仅能够腐蚀所述剥离图案层2，而无法腐蚀所述保护膜层3。由于SIO2或SI3N4等无机非金属化合物膜层制作的耐高温保护膜层3一般仅会被酸性溶液腐蚀，不会被碱性溶液腐蚀，而制作所述剥离图案层2的光阻材料则刚好可以被碱性溶液腐蚀，因此所述剥离液优选为碱性溶液。
该方法在所述电路衬底1上制作所述保护膜层3时，通过擦拭所述保护膜层3，利用所述电路衬底1和所述剥离图案层2对所述保护膜层3分别具有不同结合力的特性，将位于所述剥离图案层2上的保护膜层3擦拭掉，无需通过黄光工艺对所述保护膜层3进行刻蚀，而所述剥离图案层2的制作只需采用普通的光刻工艺即可，普通的光刻设备很便宜，可降低设备成本。
以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种在电路衬底上制作保护膜层的方法，其特征在于，包括：
在电路衬底的电路面上制作剥离图案层，所述剥离图案层覆盖于所述电路衬底的第一电路区域，而露出所述电路衬底的第二电路区域；
在所述电路衬底的电路面上制作保护膜层，所述保护膜层覆盖于所述电路衬底的第二电路区域和位于所述第一电路区域上的剥离图案层，其中所述保护膜层和所述电路衬底之间的第一结合力大于所述保护膜层和所述剥离图案层之间的第二结合力；
对所述保护膜层进行擦拭，至少露出位于所述电路衬底的第一电路区域上的剥离图案层；
采用剥离液腐蚀掉所述剥离图案层，以露出所述电路衬底的第一电路区域，其中所述剥离液能够腐蚀所述剥离图案层，而无法腐蚀所述保护膜层。
2.根据权利要求1所述的在电路衬底上制作保护膜层的方法，其特征在于，所述剥离图案层为光阻材料，在所述电路衬底的电路面上制作所述剥离图案层的步骤包括：
在所述电路衬底的电路面上制作一层剥离膜层，所述剥离膜层同时覆盖于所述电路衬底的第一电路区域和第二电路区域；
对所述剥离膜层进行曝光显影后，去掉位于所述第二电路区域上的剥离膜层，留下位于所述第一电路区域上的剥离膜层，形成所述剥离图案层。
3.根据权利要求2所述的在电路衬底上制作保护膜层的方法，其特征在于，所述剥离图案层为正性光阻材料，对所述第二电路区域上的剥离膜层进行曝光，然后用显影液腐蚀掉位于所述第二电路区域上被曝光的剥离膜层。
4.根据权利要求2所述的在电路衬底上制作保护膜层的方法，其特征在于，所述剥离图案层为负性光阻材料，对所述第一电路区域上的剥离膜层进行曝光，然后用显影液腐蚀掉位于所述第二电路区域上未曝光的剥离膜层。
5.根据权利要求2-4中任一所述的在电路衬底上制作保护膜层的方法，其特征在于，所述剥离液为碱性溶液。
6.根据权利要求1所述的在电路衬底上制作保护膜层的方法，其特征在于，所述电路衬底包括透明衬底和制作于所述透明衬底一面上的功能电路层。
7.根据权利要求6所述的在电路衬底上制作保护膜层的方法，其特征在于，所述功能电路层包括需要从所述保护膜层中露出的第一电路区域和需要被覆盖于所述保护膜层下保护的第二电路区域。
8.根据权利要求1所述的在电路衬底上制作保护膜层的方法，其特征在于，所述保护膜层为耐高温保护膜层。
9.根据权利要求1或8所述的在电路衬底上制作保护膜层的方法，其特征在于，所述保护膜层为无机非金属化合物膜层。
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