CN110119052B - 显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示面板。显示面板包括:第一基底基板;面对第一基底基板的第二基底基板;包括非焊盘部分和焊盘部分的绝缘结构,非焊盘部分具有与第二基底基板的侧表面对齐的端部,焊盘部分具有从第二基底基板的侧表面横向凹陷的端部;与显示区域重叠并且布置在第一基底基板与第二基底基板之间的像素;位于第一基底基板上并且连接到像素的信号线;以及连接焊盘,包括布置在连接区域中的部分,连接区域被限定在第二基底基板的侧表面与焊盘部分的端部之间。信号线与焊盘部分重叠。连接焊盘与信号线接触。绝缘结构被布置在第一基底基板与第二基底基板之间,并且与显示区域外面的非显示区域重叠。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2018年2月6日提交的第10-2018-0014662号韩国专利申请的优先权和权益,该申请出于所有目的通过引用合并于此,如同在本文中充分地阐述一样。
技术领域
示例性实施例一般涉及显示面板,并且更具体地,涉及具有坚固结构的显示面板。
背景技术
通常,显示面板可以被制造,并且然后,电路板可以诸如在边框区域(或非显示区域)中连接到显示面板。例如,在带式自动键合(TAB)方法中,可以使用例如各向异性导电膜(ACF)将电路板结合到显示面板。然而,要注意的是,已经对用于减小边框区域(或非显示区域)的显示面板设计技术进行了各种研究,并且因此,存在能够提高结构完整性并且可靠制造这样的显示设备的有效、经济的技术的需要。
在这部分公开的上述信息仅用于对本发明构思的背景的理解,并因此可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
一些示例性实施例提供了一种能够改善电路板与信号线之间的电气连接特性的显示面板。
一些示例性实施例提供了一种制造能够改善电路板与信号线之间的电气连接特性的显示面板的方法。
另外的方面将在以下的详细描述中阐述,并且部分地将根据本公开而为显而易见的,或者可以通过对本发明构思的实践而习得。
根据一些示例性实施例,显示面板包括第一基底基板、第二基底基板、绝缘结构、像素、信号线和连接焊盘。第二基底基板面向第一基底基板。第二基底基板包括显示区域和布置在显示区域外部的非显示区域。绝缘结构包括非焊盘部分和焊盘部分,非焊盘部分具有与第二基底基板的侧表面对齐的端部,焊盘部分具有从第二基底基板的侧表面横向凹陷的端部。绝缘结构被布置在第一基底基板与第二基底基板之间,并且与非显示区域重叠。像素被布置在第一基底基板与第二基底基板之间,并且与显示区域重叠。信号线被布置在第一基底基板上并且电连接到像素。信号线与焊盘部分重叠。连接焊盘包括布置在限定在第二基底基板的侧表面与焊盘部分的端部之间的连接区域中的部分。连接焊盘与信号线接触。
在一些示例性实施例中,信号线的端部可以从绝缘结构被暴露,信号线的被暴露的端部可以与第一基底基板的侧表面基本上对齐。连接焊盘可以与信号线的被暴露的端部接触。
在一些示例性实施例中,绝缘结构可以包括多个有机层。
在一些示例性实施例中,像素可以包括第一电极、与第一电极绝缘的第二电极、电连接到第一电极和信号线的薄膜晶体管、以及布置在第一电极与第二电极之间的液晶层。
在一些示例性实施例中,显示面板可以进一步包括布置在第一基底基板与第一电极之间的滤色器。
在一些示例性实施例中,多个有机层中的最靠近信号线的第一有机层可以包括与滤色器相同的材料。
在一些示例性实施例中,绝缘结构可以包括多个焊盘部分和多个非焊盘部分,焊盘部分可以是多个焊盘部分中的一个,并且非焊盘部分可以是多个非焊盘部分中的一个。在平面图中观察时,多个焊盘部分和多个非焊盘部分可以交替排列。
在一些示例性实施例中,显示面板可以包括间隔件,间隔件与薄膜晶体管重叠并且保持间隙,液晶层被布置在间隙中。多个有机层中的可以被布置在第一有机层上的第二有机层可以包括与间隔件相同的材料。
在一些示例性实施例中,显示面板可以进一步包括与显示区域部分地重叠的黑矩阵。显示区域可以包括与第一电极重叠的透射区域和与薄膜晶体管重叠的周围区域。黑矩阵可以与周围区域重叠。多个有机层中的可以被布置成最靠近第二基底基板的有机层可以包括与黑矩阵相同的材料。
在一些示例性实施例中,绝缘结构可以进一步包括多个无机层。薄膜晶体管可以包括控制电极、布置在控制电极上的半导体图案、以及与半导体图案重叠并且彼此隔开的输入电极和输出电极。多个无机层中的可以被布置成最靠近信号线的第一无机层可以直接覆盖控制电极和信号线。
在一些示例性实施例中,多个有机层可以暴露第一无机层的上表面的一部分。
在一些示例性实施例中,连接焊盘可以与第一无机层的上表面的被暴露的一部分接触。
在一些示例性实施例中,信号线的上表面的一部分可以从绝缘结构被暴露,并且连接焊盘可以与信号线的上表面的被暴露的一部分接触。
在一些示例性实施例中,与焊盘部分的端部相比,非焊盘部分的端部可以具有相对平坦的表面,并且焊盘部分的端部可以具有槽形状。
在一些示例性实施例中,信号线可以是多条信号线中的一条,多条信号线中的第一信号线和第二信号线可以彼此隔开,连接焊盘可以包括多个连接焊盘,多个连接焊盘分别与第一信号线和第二信号线重叠,多个连接焊盘可以彼此隔开,并且,连接焊盘可以暴露除了第一基底基板的上表面的与被布置有多个连接焊盘的焊盘部分对应的部分之外的、第一基底基板的上表面的与焊盘部分对应的剩余部分。
根据一些示例性实施例,显示面板包括第一基底基板、第二基底基板、像素、信号线、绝缘结构和连接焊盘。第二基底基板面对第一基底基板并且与第一基底基板隔开。像素被布置在第一基底基板与第二基底基板之间。信号线被布置在第一基底基板上并且电连接到像素。绝缘结构被布置在第一基底基板与第二基底基板之间。绝缘结构包括多个有机层和多个无机层。连接焊盘与信号线接触,并且与绝缘结构的侧表面的一部分接触。绝缘结构的侧表面与第一基底基板和第二基底基板中的每个形成台阶形状。
在一些示例性实施例中,多个有机层和多个无机层可以包括:与信号线相邻的第一无机层;布置在第一无机层上的第一有机层;布置在第一有机层上的第二无机层;布置在第二无机层上的第二有机层;以及布置在第二有机层上的第三有机层。多个有机层的端部和多个无机层的端部可以形成至少一个台阶部分。
在一些示例性实施例中,第一无机层的端部可以比第一有机层的端部更靠近第一基底基板的侧表面。
在一些示例性实施例中,第二无机层的至少一部分可以被第一有机层和第二有机层暴露,并且第二无机层的被第一有机层和第二有机层暴露的至少一部分可以覆盖第一有机层的端部。
在一些示例性实施例中,第一有机层可以具有红色、绿色和蓝色中的一种。
在一些示例性实施例中,第三有机层可以具有黑色。
在一些示例性实施例中,信号线的端部可以与第一基底基板的侧表面不对齐,并且可以从第一基底基板的侧表面横向凹陷。
在一些示例性实施例中,绝缘材料可以被布置在一空间中,所述空间被限定在第一基底基板的上表面上、在第一基底基板的侧表面与信号线的端部之间。
在一些示例性实施例中,信号线的上表面的一部分可以被绝缘结构暴露,并且连接焊盘可以与信号线的上表面的被暴露的一部分接触。
在一些示例性实施例中,信号线的上表面的一部分可以被绝缘结构暴露,信号线的后表面的一部分可以与第一基底基板的上表面隔开,并且连接焊盘可以与信号线的上表面的被暴露的一部分以及信号线的后表面的被隔开的一部分接触。
上面的概括描述和下面的详细描述是示例性和说明性的,并且旨在提供所要求保护的主题的进一步说明。
附图说明
被包括用以提供对本发明构思的进一步理解并且被并入本说明书并构成本说明书的一部分的附图图示了本发明构思的示例性实施例,并且与描述一起用来解释本发明构思的原理。
图1是图示根据一些示例性实施例的显示设备的透视图。
图2是图示根据一些示例性实施例的显示设备的平面图。
图3是根据一些示例性实施例的像素的等效电路图。
图4是图示根据一些示例性实施例的显示面板的显示区域的透视图。
图5是图示根据一些示例性实施例的显示面板的显示区域的截面图。
图6A是图示根据一些示例性实施例的显示面板的侧表面的透视图。
图6B是图示根据一些示例性实施例的显示面板的一部分的平面图。
图7A、图7B和图7C是图示根据一些示例性实施例的显示面板的非显示区域的截面图。
图8A和图8B是图示根据一些示例性实施例的显示面板的非显示区域的截面图。
图9A、图9B、图9C和图9D是图示根据一些示例性实施例的显示面板的非显示区域中的绝缘结构的修改实施例的截面图。
图10A、图10B、图10C和图10D是图示根据一些示例性实施例的显示面板的非显示区域中的信号线的修改实施例的截面图。
图11A、图11B和图11C是示出根据一些示例性实施例的显示面板的非显示区域的截面图。
图12A、图12B、图12C、图12D、图12E、图12F和图12G是图示根据一些示例性实施例的处于制造的各个阶段的显示面板的示意图。
具体实施方式
在下面的描述中,为了说明的目的,阐述许多具体细节,以便提供各种示例性实施例的透彻理解。然而,明显的是,可以在没有这些具体细节或者具有一个或多个等效布置的情况下实践各种示例性实施例。在其他情况中,以框图的形式示出公知的结构和设备,以免不必要地混淆各种示例性实施例。此外,各种示例性实施例可以是不同的,但不必是排他的。例如,在不脱离本发明构思的情况下,一示例性实施例的特定形状、配置和特性可以在另一示例性实施例中被使用或实现。
除非另有规定,否则所图示的示例性实施例将被理解为提供一些示例性实施例的不同细节的示例性特征。因此,除非另有规定,否则在不脱离本发明构思的情况下,可以以其他方式组合、分离、互换和/或重新布置各种图示的特征、部件、模块、层、膜、面板、区域、方面等(以下单独或统称为“元件”)。
附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供用于使相邻元件之间的边界清楚。因此,除非指定,交叉影线或阴影的存在或不存在均不表达或指示针对特定材料、材料性质、尺寸、比例、图示元件之间的共性、和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外,在附图中,为了清楚和/或描述目的,可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。这样,相应元件的尺寸和相对尺寸不必局限于附图中所示的尺寸和相对尺寸。当示例性实施例可以被不同地实现时,不同于所描述的顺序的特定工艺顺序可以被执行。例如,两个连续描述的工艺可以基本上同时被执行,或以与所描述的顺序相反的顺序被执行。此外,相同的附图标记表示相同的元件。
当一元件被称为在另一元件“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件时,该元件可以直接在该另一元件上、直接地连接到或耦接到另一元件,或者可以存在中间元件。然而,当一元件被称为“直接地”在另一元件“上”、“直接地连接到”或“直接地耦接到”另一元件时,不存在中间元件。用于描述元件之间的关系的其他术语和/或短语应该以类似的方式解释,例如,“在…之间”与“直接地在…之间”,“相邻”与“直接地相邻”,“在…上”与“直接地在…上”等。另外,术语“连接”可以指物理、电气和/或流体连接。另外,DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的三个轴,而是可以以更广泛的意义解释。例如,DR1轴、DR2轴和DR3轴可以是相互垂直的,或者可表示不相互垂直的不同方向。为了本公开目的,“X、Y和Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z构成的组中选择出的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或X、Y和Z中两个或更多个的任意组合,诸如,例如,XYZ、XYY、YZ和ZZ。除非上下文另有明确说明,否则术语“或”意味着“和/或”。如本文中使用的,术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任意和全部组合。
尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语被用于将一个元件与另一元件区分开。因此,在不脱离本公开的教导的情况下,下面所讨论的第一元件可以被称为第二元件。
为了描述的目的,在本文中可以使用诸如“之下”、“下面”、“下方”、“下”、“上方”,“上面”、“之上”、“高于”、“侧”(例如,如在“侧壁”)等空间相对术语,并且由此来描述如图中所示的一个元件与另一元件的关系。除了图中所描绘的方位之外,空间相对术语旨在涵盖装置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如,如果图中的装置被翻转,则被描述为在其他元件或特征“下面”或“之下”的元件随后将会被定位为在其他元件或特征“上面”。因此,示例性术语“下面”可以涵盖上面和下面两种方位。此外,设备可以被另外定位(例如,旋转90度或以其它定位),并且因此,本文所使用的空间相对描述词作相应解释。
本文中使用的术语是为了描述特定实施例的目的,而不旨在限制。如本文使用的,单数形式的“一”和“该”旨在也包括复数形式,除非上下文另有明确说明。此外,当在此说明书中使用时,术语“包括”和/或“包含”表明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组,但并不排除存在或添加一个或多个其他的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组。还应注意,如本文所使用的,术语“大致”、“大约”以及其他类似的术语被用作近似的术语而不用作程度的术语,并且因此被用于对将由本领域的普通技术人员识别的、测量到的、计算出的和/或提供的值中的固有偏差做出解释。
在本文中参考截面图、透视图、平面图和/或分解图示来描述各种示例性实施例,该截面图、透视图、平面图和/或分解图示是理想化示例性实施例和/或中间结构的示意性图示。这样,作为例如制造技术和/或公差的结果,可预期来自图示的形状的变化。因此,本文所公开的示例性实施例不应被解释为限于特定图示的区域形状,而将包括由例如制造导致的形状的偏差。以这种方式,在附图中图示的区域实际上是示意性的,并且这些区域的形状可以不反映设备的区域的实际形状,并且因此不旨在限制。
除非另有定义,否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开属于其一部分的领域中的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。诸如那些在通常使用的词典中定义的那些术语应被解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义一致的含义,并且将不以理想化或过于正式的意义来解释,除非在本文中明确地这样定义。
如在本领域中通常地那样,用功能块、单元和/或模块在附图中描述和图示了一些示例性实施例。本领域的技术人员将会理解,这些块、单元和/或模块在物理上由诸如逻辑电路、分立部件、微处理器、硬连线电路、存储器元件、布线连接等的电子(或光学)电路来实现,该电子(或光学)电路可以使用基于半导体的制造技术或者其他的制造技术来形成。在块、单元和/或模块由微处理器或其他类似的硬件实现的情况下,可以使用软件(例如,微代码)对块、单元和/或模块进行编程和控制,以执行本文所讨论的各种功能,并且可以可选地由固件和/或软件来对块、单元和/或模块进行驱动。还可以考虑,每个块、单元和/或模块可以由专用硬件来实现,或者可以作为用以执行一些功能的专用硬件和用以执行其他功能的处理器(例如,一个或多个被编程的微处理器及相关电路)这两者的组合。而且,在不脱离本发明构思的情况下,一些示例性实施例的每个块、单元和/或模块可以被物理地划分成两个或更多个相互作用并离散的块、单元和/或模块。此外,在不脱离本发明构思的情况下,一些示例性实施例的块、单元和/或模块可以被物理地组合成更复杂的块、单元和/或模块。
现在将参考附图描述各种示例性实施例。
图1是图示根据一些示例性实施例的显示设备的透视图。图2是图示根据一些示例性实施例的显示设备的平面图。图3是根据一些示例性实施例的像素的等效电路图。图4是图示根据一些示例性实施例的显示面板的显示区域的透视图。图5是图示根据一些示例性实施例的显示面板的显示区域的截面图。图6A是图示根据一些示例性实施例的显示面板的侧表面的透视图。图6B是图示根据一些示例性实施例的显示面板的一部分的平面图。
参考图1和图2,显示设备DD包括显示面板DP、栅驱动单元(或栅驱动器)GDC、数据驱动单元(或数据驱动器)DDC、主电路板PB和信号控制器SC。即使附图中未示出,显示设备DD可以进一步包括底盘构件或模具构件,并且可以进一步包括根据显示面板DP的种类的背光单元。
显示面板DP可以是但不限于液晶显示面板、等离子显示面板、电泳显示面板、微机电系统(MEMS)显示面板、电润湿显示面板等。
显示面板DP可以包括第一显示基板100和布置在第一显示基板100上的第二显示基板200。即使图1中未示出,间隙可以形成在第一显示基板100与第二显示基板200之间。
如图1所示,显示面板DP可以通过显示表面DP-IS显示图像。显示表面DP-IS与由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面平行。显示表面DP-IS可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。非显示区域NDA可以被限定在显示区域DA外部。例如,非显示区域NDA可以沿显示表面DP-IS的边界被限定,并且可以围绕显示区域DA。
显示表面DP-IS的法线方向(例如,显示面板DP的厚度方向)由第三方向轴DR3指示。在下文中,层或单元中的每个的前表面(或上表面)和后表面(或底部表面)由第三方向轴DR3限定(或相对于第三方向轴DR3被限定)。然而,如前面提到的,各个附图中图示的第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3仅仅是示例,并且由第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3指示的方向可以是相对概念并且可以改变成其他方向。在下文中,第一方向至第三方向是分别由第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3指示的方向,并且由与第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3相同的参考指示符来指示。
具有平坦的显示表面DP-IS的显示面板DP被图示为示例;然而,示例性实施例并不限于此。在一些示例性实施例中,显示设备DD可以包括弯曲的显示表面或三维(3D)显示表面。3D显示表面可以包括由不同方向指示的多个显示区域。
栅驱动单元GDC和数据驱动单元DDC可以分别包括电路板GCB和DCB以及驱动芯片GC和DC。电路板GCB和DCB中的每个电路板具有绝缘层和导电层在其中堆叠的结构。导电层可以包括多条信号线。栅驱动单元GDC和数据驱动单元DDC可以耦接到显示面板DP的侧表面,以便电连接到显示面板DP的信号线。由于栅驱动单元GDC和数据驱动单元DDC耦接到显示面板DP的侧表面,因此可以减小非显示区域NDA。
尽管图1图示了栅驱动单元GDC和数据驱动单元DDC耦接到显示面板DP的不同的侧表面,但是示例性实施例并不限于此。在一些示例性实施例中,栅驱动单元GDC和数据驱动单元DDC中的一个可以被省略。在一些示例性实施例中,栅驱动单元GDC和数据驱动单元DDC可以耦接到显示面板DP的同一侧表面,或者栅驱动单元GDC可以通过氧化硅栅驱动器电路(OSG)工艺、非晶硅栅驱动器电路(ASG)工艺或任何其他合适的工艺而集成在显示面板DP上。
主电路板PB可以连接到数据驱动单元DDC的电路板DCB。主电路板PB可以通过各向异性导电膜(ACF)或锡球电连接到数据驱动单元DDC的电路板DCB。信号控制器SC可以安装在主电路板PB上。信号控制器SC接收来自例如外部图形控制器(未示出)的图像数据和控制信号。信号控制器SC可以将控制信号提供到栅驱动单元GDC和数据驱动单元DDC。
在一些示例性实施例中,显示设备DD可以进一步包括连接到栅驱动单元GDC的电路板GCB的主电路板。在一些示例性实施例中,数据驱动单元DDC的驱动芯片DC可以安装在主电路板PB上。
图1图示了一形状,其中多个数据驱动单元DDC中的一个数据驱动单元DDC与显示面板DP的一个侧表面隔开。连接焊盘CP被布置在显示面板DP的连接到数据驱动单元DDC的侧表面上。
连接焊盘CP可以被提供为多个,并且连接焊盘CP可以沿第一方向轴DR1彼此隔开。连接焊盘CP可以被连接到布置在数据驱动单元DDC的后表面处的焊盘DCB-P(参见图8B),以电连接显示面板DP和数据驱动单元DDC。多个连接焊盘CP中的每个连接焊盘CP可以被连接到信号线PL-G和PL-D中对应的一条。连接焊盘CP也可以被应用于栅驱动单元GDC与显示面板DP的连接部分。连接焊盘CP可以包括金属膏。金属膏可以包括金属和绝缘材料的混合物。连接焊盘CP可以包括例如银膏。
信号线PL-G和PL-D被布置在其中的区域可以被定义为焊盘部分PDA。与焊盘部分PDA隔开并且信号线PL-G和PL-D未被布置在其中的区域可以被定义为非焊盘部分PDN。稍后将更具体地描述连接焊盘CP和连接到连接焊盘CP的显示面板DP。
图2图示了包含在显示面板DP中的信号线GL1至GLn、DL1至DLm、PL-G和PL-D以及像素PX11至PXnm的平面排列,其中“n”和“m”是大于零的自然数。要注意的是“n”和“m”可以彼此相同或彼此不同。信号线GL1至GLn、DL1至DLm、PL-G和PL-D可以包括多条栅极线GL1至GLn、多条数据线DL1至DLm以及辅助信号线PL-G和PL-D。
栅极线GL1至GLn在第一方向DR1上延伸并且在第二方向DR2上被排列(例如,彼此隔开),并且数据线DL1至DLm与栅极线GL1至GLn绝缘并且与栅极线GL1至GLn相交。以这种方式,数据线DL1至DLm在第二方向DR2上延伸并且在第一方向DR1上被排列。
栅极线GL1至GLn和数据线DL1至DLm可以与显示区域DA重叠。辅助信号线PL-G和PL-D可以与非显示区域NDA重叠,并且可以被连接到栅极线GL1至GLn和数据线DL1至DLm。
连接到栅极线GL1至GLn的第一辅助信号线PL-G可以与栅极线GL1至GLn布置在同一层上。彼此连接的第一辅助信号线PL-G和栅极线GL1至GLn可以构成单个整体(unitarybody)。连接到数据线DL1至DLm的第二辅助信号线PL-D可以被布置在与在其上布置有数据线DL1至DLm的层不同的层上。数据线DL1至DLm中的每条数据线可以通过接触孔CH电连接到第二辅助信号线PL-D中对应的一条第二辅助信号线PL-D,接触孔CH贯穿布置在第二辅助信号线PL-D与数据线DL1至DLm之间的至少一个绝缘层。
在一些示例性实施例中,接触孔CH可以被省略,并且数据线DL1至DLm和第二辅助信号线PL-D可以布置在同一层上。如本文中所述,栅极线GL1至GLn与第一辅助信号线PL-G被彼此区分开;然而,在一些示例性实施例中,彼此连接的栅极线GL1至GLn和第一辅助信号线PL-G可以被定义为一条信号线。在此情形下,彼此连接的栅极线GL1至GLn和第一辅助信号线PL-G可以被定义为一条信号线的不同部分。
信号线GL1至GLn、DL1至DLm、PL-G和PL-D可以进一步包括其他信号线(未示出)。例如,信号线可以进一步包括用于将多个栅驱动单元GDC彼此电连接的信号线(未示出)和用于将多个栅驱动单元GDC电连接到主电路板PB的信号线(未示出)。
像素PX11至PXnm中的每个像素连接到多条栅极线GL1至GLn中对应的一条栅极线以及多条数据线DL1至DLm中对应的一条数据线。像素PX11至PXnm中的每个像素可以包括像素驱动电路和显示元件。尽管像素PX11至PXnm在图2中作为示例被示出为以矩阵形式排列,但是示例性实施例并不限于此。在一些示例性实施例中,像素PX11至PXnm可以以像素排列(pentile)形式或任何其他合适的排列来排列。
图3图示了根据一些示例性实施例的像素PXij的等效电路图。像素PXij可以包括薄膜晶体管TR(下文称为“晶体管”)、液晶电容器Clc和存储电容器Cst。液晶电容器Clc可以与显示元件对应,并且晶体管TR和存储电容器Cst可以构成像素驱动电路。晶体管TR和存储电容器Cst的数量可以根据显示面板DP(例如,液晶显示面板)的操作模式或设计而改变。
液晶电容器Clc可以存储从晶体管TR输出的像素电压。包含在液晶层LCL中的液晶指向矢的排列可以根据存储在液晶电容器Clc中的电荷的量而改变。换句话说,可以通过在例如液晶电容器Clc的两个电极之间形成的电场来控制液晶指向矢。入射到液晶层LCL的光可以根据液晶指向矢的排列被透射或阻挡。
存储电容器Cst与液晶电容器Clc并联连接。存储电容器Cst将液晶指向矢的排列保持一定时段。
晶体管TR包括连接到第i条栅极线GLi的控制电极GE、与控制电极GE重叠的有源部分AL、连接到第j条数据线DLj的输入电极SE以及与输入电极SE隔开的输出电极DE。
液晶电容器Clc包括像素电极PE和公共电极CE。存储电容器Cst包括像素电极PE和与像素电极PE重叠的存储线STL的一部分。
图4部分地图示了根据一些示例性实施例的显示区域DA的中心部分。显示区域DA可以包括透射区域PXA和周围区域NPXA。周围区域NPXA可以围绕透射区域PXA中的每个透射区域PXA,并且可以与透射区域PXA之间的边界区域对应。透射区域PXA可以以与像素PX11至PXnm相同的形式排列。
透射区域PXA可以与基本上显示至少一种颜色的区域对应。透射区域PXA可以与透射型显示面板中的透射区域对应,或者可以与发光显示面板中的发光区域对应。基于通过透射区域PXA显示的颜色,透射区域PXA可以被分成多个组。换句话说,透射区域PXA中的每个透射区域PXA可以显示原色中的一种。原色可以包括例如红色、绿色、蓝色和白色;然而,示例性实施例并不限于此。
间隙GP被限定在第一显示基板100与第二显示基板200之间。参考图2描述的信号线GL1至GLn、DL1至DLm、PL-G和PL-D可以包含在第一显示基板100和第二显示基板200中的一个中(或作为第一显示基板100和第二显示基板200中的一个的一部分)。像素PX11至PXnm可以包含在第一显示基板100和第二显示基板200中的一个中。可替代地,像素PX11至PXnm的一些部件可以包含在第一显示基板100中,并且像素PX11至PXnm的其他部件可以包含在第二显示基板200中。像素PX11至PXnm可以被布置在第一显示基板100的第一基底基板BS1与第二显示基板200的第二基底基板BS2之间。
如图5所示,第i条栅极线GLi和存储线STL被布置在第一显示基板100的第一基底基板BS1的一个表面上。控制电极GE从第i条栅极线GLi被分出。第i条栅极线GLi、控制电极GE和存储线STL可以包括金属(例如,铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)或钛(Ti))或它们的任何合金;然而,示例性实施例并不限于此。在一些示例性实施例中,第i条栅极线GLi、控制电极GE和存储线STL可以具有包括例如钛层和铜层的多层结构。
第一基底基板BS1可以是玻璃基板或塑料基板。第一绝缘层10可以被布置在第一基底基板BS1的一个表面上,并且可以覆盖控制电极GE和存储线STL。第一绝缘层10可以包括无机材料或有机材料中的至少一种。例如,第一绝缘层10可以包括氮化硅层、氧氮化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。在一些示例性实施例中,第一绝缘层10可以具有包括例如氮化硅层和氧化硅层的多层结构。
与控制电极GE重叠的有源部分AL被布置在第一绝缘层10上。有源部分AL可以包括半导体层SCL和欧姆接触层OCL。半导体层SCL被布置在第一绝缘层10上,并且欧姆接触层OCL被布置在半导体层SCL上。
半导体层SCL可以包括非晶硅或多晶硅。可替代地,半导体层SCL可以包括金属氧化物半导体。欧姆接触层OCL可以掺杂有掺杂剂。欧姆接触层OCL中的掺杂剂的浓度可以高于半导体层SCL中的掺杂剂的浓度。欧姆接触层OCL可以包括彼此隔开的两部分。在一些示例性实施例中,欧姆接触层OCL可以具有单个整体的形状。
输出电极DE和输入电极SE被布置在有源部分AL上。输出电极DE和输入电极SE彼此隔开。输出电极DE和输入电极SE中的每个与控制电极GE部分地重叠。
第二绝缘层20被布置在第一绝缘层10上,并且覆盖有源部分AL、输出电极DE和输入电极SE。第二绝缘层20可以包括无机材料或有机材料中的至少一种。例如,第二绝缘层20可以包括氮化硅层、氧氮化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。在一些示例性实施例中,第二绝缘层20可以具有包括例如氮化硅层和氧化硅层的多层结构。
在图5中作为示例图示了具有交错结构的晶体管TR;然而,晶体管TR的结构并不限于此。在一些示例性实施例中,晶体管TR可以具有平面结构。
第三绝缘层30被布置在第二绝缘层20上。第三绝缘层30可以是提供平坦表面的单层有机层。如在图5中可见,第三绝缘层30可以包括多个滤色器。滤色器可以完全覆盖至少透射区域PXA(参见图4)。相邻像素的滤色器可以在周围区域NPXA中彼此部分地重叠。
包含在第三绝缘层30中的滤色器可以与透射区域PXA重叠。滤色器可以包括具有至少两种彼此不同的颜色的滤色器。滤色器中的每个滤色器可以是具有红色、绿色或蓝色的有机层。在一些示例性实施例中,滤色器可以具有彼此不同的四种颜色或更多颜色,并且相邻滤色器中的一些滤色器可以具有相同的颜色。滤色器可以被实现为各种实施例,并且可以不限于特定实施例。
第四绝缘层40被布置在第三绝缘层30上。第四绝缘层40可以是覆盖滤色器的无机层。例如,第四绝缘层40可以包括氮化硅层、氧氮化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。在一些示例性实施例中,第四绝缘层40可以具有包括例如氮化硅层和氧化硅层的多层结构。
像素电极PE被布置在第四绝缘层40上。像素电极PE通过贯穿第二绝缘层20、第三绝缘层30和第四绝缘层40的接触孔CH10连接到输出电极DE。覆盖像素电极PE的取向层(未示出)可以被布置在第四绝缘层40上。
第二显示基板200的第二基底基板BS2可以是玻璃基板或塑料基板。黑矩阵BM被布置在第二基底基板BS2的底部表面上。黑矩阵BM可以具有与周围区域NPXA(参见图4)对应的形状。黑矩阵BM可以被布置为与显示区域DA部分地重叠。在一些示例性实施例中,黑矩阵BM可以吸收入射到黑矩阵BM上的光。因此,黑矩阵BM可以是黑色的有机层。
覆盖黑矩阵BM的至少一个绝缘层可以被布置在第二基底基板BS2的底部表面上。提供平坦表面的第五绝缘层50作为示例在图5中图示。第五绝缘层50可以包括有机材料。
公共电极CE被布置在第二基底基板BS2的底部表面上。公共电压被施加到公共电极CE。公共电压的值不同于像素电压的值。然而,图5中的像素PXij的横截面仅仅被图示为示例。在一些示例性实施例中,第一显示基板100和第二显示基板200可以被翻转。
为了便于描述,垂直取向(VA)模式的液晶显示面板将作为示例被描述;然而,示例性实施例并不限于此。在一些示例性实施例中,显示面板DP可以是平面内切换(IPS)模式、边缘场切换(FFS)模式、平面到线切换(PLS)模式、超级垂直取向(SVA)模式、表面稳定的垂直取向(SS-VA)模式等的液晶显示面板。
间隔件CS可以被布置在第一显示基板100与第二显示基板200之间。间隔件CS保持第一显示基板100与第二显示基板200之间的间隙GP(参见图4)。间隔件CS可以包括光敏有机材料。间隔件CS与周围区域NPXA重叠。间隔件CS可以与晶体管TR重叠。
图6A图示了根据一些示例性实施例的沿显示面板DP的一个侧表面限定的焊盘部分PDA和非焊盘部分PDN。为了便于描述和说明,图6B图示了一平面图,其中第二基底基板BS2和图6A的一些部件被省略。
显示面板DP包括绝缘结构IS。图5中描述的像素PXij的绝缘层10至50、间隔件CS和黑矩阵BM可以延伸到非显示区域NDA中,并且绝缘结构IS可以包括与非显示区域NDA重叠的绝缘层10至50、间隔件CS和黑矩阵BM。因此,绝缘结构IS的层中的每个层可以包括与作为像素PXij的部件的绝缘层10至50、间隔件CS和黑矩阵BM中对应的一个相同的材料。
图6A图示了作为包含在绝缘结构IS中的部件中的一些的有机层。绝缘结构IS的有机层可以包括堤坝构件BL、间隔件CS、第五绝缘层50和黑矩阵BM。
堤坝构件BL可以包括与包含在第三绝缘层30中的滤色器中的至少一个相同的材料。例如,堤坝构件BL可以包括与蓝色的滤色器相同的材料。
绝缘结构IS可以被布置在第一基底基板BS1与第二基底基板BS2之间。
由于绝缘结构IS可以与非显示区域NDA重叠,因此绝缘结构IS可以围绕显示面板DP的边缘并且可以支撑形成在第一基底基板BS1与第二基底基板BS2之间的空间。
第一基底基板BS1和第二基底基板BS2可以分别具有沿显示面板DP的边缘限定的侧表面B1和B2。
绝缘结构IS包括具有非焊盘端部NS的非焊盘部分PDN,非焊盘端部NS可以与第二基底基板BS2的侧表面B2对齐。另外,绝缘结构IS包括焊盘部分PDA,焊盘部分PDA具有从第二基底基板BS2的侧表面B2横向凹陷预定距离的焊盘端部PS。
根据一些示例性实施例,绝缘结构IS可以包括多个焊盘部分PDA和多个非焊盘部分PDN。如图6B所示,在平面图中观察时,多个焊盘部分PDA和多个非焊盘部分PDN可以交替排列在绝缘结构IS中。
焊盘部分PDA可以与在其中布置有信号线PL-G和PL-D的区域重叠。在下文中,为了便于描述和说明,在图6A和和6B中图示了信号线PL-G和PL-D中的一些信号线PL,并且信号线PL的特征和特性可以与信号线PL-G和PL-D的特征和特性相同。
连接焊盘CP的一部分可以被布置在连接区域AS中,连接区域AS被限定在焊盘端部PS与第一基底基板BS1和第二基底基板BS2的侧表面B1和B2之间。如图6B所示,连接焊盘CP与信号线PL重叠并且与信号线PL接触。
连接焊盘CP的一部分可以与第一基底基板BS1和第二基底基板BS2的侧表面B1和B2中的每个侧表面的一部分重叠。根据一些示例性实施例,多条信号线PL可以被布置成在焊盘部分PDA中彼此隔开。当多条信号线PL被布置时,分别与信号线PL重叠的多个连接焊盘CP可以被布置成彼此隔开预定距离。因此,在连接区域AS中的连接焊盘CP之间的第一基底基板BS1的上表面可以暴露于外部。根据一些示例性实施例,由于与信号线PL分别对应的连接焊盘CP彼此隔开,因此连接焊盘CP可以彼此电绝缘。
图7A至图7C是图示根据一些示例性实施例的显示面板DP的非显示区域NDA的截面图。例如,图7A至图7C分别为沿图6A的剖面线I-I'、II-II'和III-III'截取的截面图,并且图示了非焊盘部分PDN、焊盘部分PDA的未布置信号线PL的区域以及焊盘部分PDA的布置信号线PL的区域。
绝缘结构IS包括第一绝缘层10、第二绝缘层20、堤坝构件BL、第四绝缘层40、间隔件CS、第五绝缘层50和黑矩阵BM。第二绝缘层20被布置在第一绝缘层10上,并且堤坝构件BL被布置在第二绝缘层20上。第四绝缘层40被布置在堤坝构件BL上,并且第五绝缘层50被布置在第四绝缘层40上。间隔件CS可以被布置在第四绝缘层40与第五绝缘层50之间,并且黑矩阵BM可以被布置在第五绝缘层50与第二基底基板BS2的后表面(例如,底部表面)之间。在一些示例性实施例中,第一绝缘层10、第二绝缘层20和第四绝缘层40可以是包括无机材料的无机层,并且堤坝构件BL、间隔件CS、第五绝缘层50和黑矩阵BM可以是包括有机材料的有机层。
如图7A所示,绝缘结构IS的非焊盘部分PDN的非焊盘端部NS基本上与基底基板BS1和BS2的侧表面B1和B2对齐。彼此对齐的侧表面B1和B2以及非焊盘端部NS可以在制造显示面板的方法中的打磨切割的显示面板DP的侧表面的工艺中形成,这将稍后描述。非焊盘部分PDN是未布置信号线PL的区域,并且因此,在非焊盘部分PDN的横截面中,信号线PL不被布置在第一基底基板BS1上。
如图7B所示,在彼此隔开的信号线PL之间的焊盘部分PDA的横截面中,绝缘结构IS的焊盘端部PS可以在朝向显示区域DA的内部方向上从基底基板BS1和BS2的侧表面B1和B2横向凹陷,以形成台阶形状。
如图7C所示,在焊盘部分PDA的信号线PL的横截面中,绝缘结构IS的焊盘端部PS可以从基底基板BS1和BS2的侧表面B1和B2朝向与显示区域DA相邻的内部横向凹陷,以形成台阶形状。图7C图示了包括信号线PL的连接区域AS的横截面,并且因此,信号线PL被布置在第一基底基板BS1上。绝缘结构IS被布置在信号线PL上,并且暴露信号线PL的一部分。
显示面板DP的一个侧表面可以包括参考图7A描述的多个非焊盘部分PDN以及参考图7B和图7C描述的多个焊盘部分PDA。在平面图中观察时,焊盘部分PDA和非焊盘部分PDN可以交替排列。
根据一些示例性实施例,基底基板BS1和BS2的侧表面B1和B2、非焊盘端部NS和焊盘端部PS被图示为平坦的表面形状。然而,侧表面B1和B2、非焊盘端部NS和焊盘端部PS的形状可以根据制造技术和/或容许误差来修改。换句话说,侧表面B1和B2、非焊盘端部NS和焊盘端部PS可以具有不均匀的形状,并且从而不是平坦的表面形状。
图8A和图8B是图示根据一些示例性实施例的显示面板DP的非显示区域NDA的截面图。在下文中,与图6A至图7C中相同或相似的部件将由相同或相似的附图标记或指示符指示,并且将省略对与上面提到的相同的特征的描述。
如图8A所示,连接焊盘CP的一部分被布置在图7C所示的连接区域AS中。连接焊盘CP的一部分可以与基底基板BS1和BS2的侧表面B1和B2中的每个侧表面的至少一部分重叠。
信号线PL的上表面的部分PLU和信号线PL的端部PLS被绝缘结构IS暴露。被绝缘结构IS暴露的信号线PL的上表面的部分PLU和信号线PL的端部PLS与连接焊盘CP接触。在一些示例性实施例中,信号线PL的端部PLS可以与第一基底基板BS1的侧表面B1基本上对齐;然而,示例性实施例并不限于此。
如图8B所示,连接焊盘CP可以通过各向异性导电膜(ACF)电连接到电路板DCB的焊盘DCB-P。各向异性导电膜(ACF)可以用焊膏代替,并且连接焊盘CP可以直接连接到电路板DCB的焊盘DCB-P。
根据各种示例性实施例,由于连接焊盘CP被布置在显示面板DP的侧表面上,因此电路板GCB和/或DCB(参见图1)可以连接到显示面板DP的侧表面。由于电路板GCB和/或DCB与显示面板DP的接触部分被限定在显示面板DP的侧表面上,因此可以减小非显示区域NDA的面积或尺寸。另外,连接焊盘CP可以连接到信号线PL的上表面的部分PLU,并且因此,可以增大信号线PL与连接焊盘CP之间的接触面积。结果是,可以减小电路板GCB或DCB与显示面板DP的接触电阻。
图9A至图9D是图示根据一些示例性实施例的显示面板DP的非显示区域NDA中的绝缘结构IS的修改实施例的截面图。图9A至图9D图示了绝缘结构IS和耦接到绝缘结构IS的连接焊盘CP的各种形状。图11A、图11B和图11C是示出根据一些示例性实施例的显示面板DP的非显示区域NDA的截面图。在下文中,与图6A至图8B中相同或相似的部件将由相同或相似的附图标记或指示符指示,并且将省略对与上面提到的相同的特征的描述。
如图9A所示,绝缘结构IS-1的焊盘端部PS-1具有至少一个台阶部分。例如,绝缘结构IS-1的无机层10-1、20-1和40-1以及有机层BL-1、CS-1、50-1和BM-1的端部中的至少一个可以从无机层10-1、20-1和40-1以及有机层BL-1、CS-1、50-1和BM-1的端部中的至少另一个在朝向显示区域DA的方向上横向凹陷。因此,在截面图中观察时,构成绝缘结构IS-1的无机层10-1、20-1和40-1以及有机层BL-1、CS-1、50-1和BM-1可以包括至少一个或多个台阶部分。与绝缘结构IS-1的焊盘端部PS-1直接接触的连接焊盘CP-1的表面可以具有与绝缘结构IS-1的焊盘端部PS-1的台阶形状对应的形状。
在图9A中,第一绝缘层10-1、第二绝缘层20-1、堤坝构件BL-1和第四绝缘层40-1的侧表面彼此对齐,并且与基底基板BS1和BS2的侧表面B1和B2相邻(例如,从基底基板BS1和BS2的侧表面B1和B2凹陷),并且间隔件CS-1和黑矩阵BM-1的侧表面彼此对齐,并且在朝向显示区域DA的方向上比第一绝缘层10-1、第二绝缘层20-1、堤坝构件BL-1和第四绝缘层40-1更加凹陷。此外,第五绝缘层50-1可以在朝向显示区域DA的方向上比间隔件CS-1和黑矩阵BM-1更加凹陷。然而,由无机层10-1、20-1和40-1以及有机层BL-1、CS-1、50-1和BM-1形成的台阶形状不限于上述台阶形状。
如图9B所示,绝缘结构IS-2的焊盘端部PS-2可以具有槽形状。例如,绝缘结构IS-2的无机层10-2、20-2和40-2、以及有机层BL-2、CS-2和50-2以及BM-2的端部中的至少一个具有槽形状。槽形状可以在焊盘端部PS-2处具有不均匀的形状。因此,与非焊盘端部NS(参见图7A)相比,绝缘结构IS-2的焊盘端部PS-2可以具有相对不均匀的表面。与绝缘结构IS-2的焊盘端部PS-2相比,非焊盘端部NS可以具有相对平坦的表面。
与绝缘结构IS-2的焊盘端部PS-2直接接触的连接焊盘CP-2的表面可以具有与绝缘结构IS-2的焊盘端部PS-2的槽形状对应的形状。
图11B示出了在真实(或实际)制造工艺中在绝缘结构IS-2的焊盘端部PS-2上执行刻蚀处理之后焊盘端部PS-2的槽形状的示例。然而,示例性实施例并不限于此。例如,示例性实施例可以包括可以在刻蚀处理或其他制造工艺中产生的焊盘端部PS-2的各种不均匀形状。
如图9C所示,绝缘结构IS-3中包括的无机层10-3、20-3和40-3中的至少一个可以从有机层BL-3、CS-3、50-3和BM-3突出。例如,第一绝缘层10-3和第二绝缘层20-3的端部ZS-3可以与第一基底基板BS1-3的侧表面B1和信号线PL的端部PLS基本上对齐。多个有机层BL-3、CS-3、50-3和BM-3可以暴露第二绝缘层20-3的上表面的部分ZU-3。
第四绝缘层40-3的部分40-C可以被堤坝构件BL-3和间隔件CS-3暴露。第四绝缘层40-3的部分40-C可以覆盖堤坝构件BL-3的端部的至少一部分。
如图9C所示,信号线PL被第一绝缘层10-3和布置在第一绝缘层10-3上的第二绝缘层20-3覆盖。因此,连接焊盘CP-3的一部分与第二绝缘层20-3的上表面的暴露部分ZU-3和信号线PL的端部PLS接触。
如图9D所示,第一绝缘层10-4和第二绝缘层20-4的端部ZS-4比堤坝构件BL-4的端部更靠近第一基底基板BS1-4的侧表面B1。然而,第一绝缘层10-4和第二绝缘层20-4的端部ZS-4可以从第一基底基板BS1-4的侧表面B1凹陷,并且可以暴露信号线PL的上表面的部分PLU。
第四绝缘层40-4的部分40-D可以被堤坝构件BL-4和间隔件CS-4暴露。第四绝缘层40-4的部分40-D可以覆盖堤坝构件BL-4的端部的至少一部分。
如图9D所示,绝缘结构IS-4中包括的无机层10-4、20-4和40-4中的至少一个可以从有机层BL-4、CS-4、50-4和BM-4突出。连接焊盘CP-4的一部分可以与信号线PL的上表面的暴露部分PLU、信号线PL的端部PLS以及第二绝缘层20-4的上表面的暴露部分ZU-4接触。
如图9A至图9D所示,在稍后将描述的制造显示面板的方法中,可以通过有机层与无机层之间的材料和厚度的差异和/或在通过使用等离子气体刻蚀绝缘结构的部件的工艺中注入的等离子气体的量,来形成无机层和有机层的台阶部分和槽形状以及覆盖有机层的至少一部分的无机层的形状。
如本文中使用的,术语“基本上对齐”可以包括绝缘结构(例如,绝缘结构IS)的侧表面、信号线(例如,信号线PL)以及第一基底基板和第二基底基板(例如,第一基底基板BS1和第二基底基板BS2)彼此共面的情形。另外,术语“基本上对齐”也可以包括作为制造技术和/或工艺公差的结果的变化。例如,信号线(例如,信号线PL)的侧表面(或端部)可以具有通过打磨机YM(参见图12C)形成的精细弯曲表面。限定信号线的弯曲侧表面的拐角可以与限定绝缘结构的侧表面的拐角对齐。
图10A至图10D是图示根据一些示例性实施例的显示面板的非显示区域中的信号线的修改实施例的截面图。如前面提到的,图11A、图11B和图11C是示出根据一些示例性实施例的显示面板的非显示区域的截面图。例如,图11A和图11C示出了根据一些示例性实施例的在打磨信号线的工艺中可能发生的修改实施例。在下文中,与图8A中相同或相似的部件将由相同或相似的附图标记或指示符指示,并且将省略对与上面提到的相同的特征的描述。
如图10A所示,绝缘结构IS可以暴露第一基底基板BS1上的信号线PL-A的上表面的部分PLU-A。信号线PL-A的端部PLS-A可以在朝向显示区域DA的内部方向上从第一基底基板BS1的侧表面B1横向凹陷。因此,信号线PL-A的端部PLS-A可以与第一基底基板BS1的侧表面B1不对齐。以这种方式,连接焊盘CP-5的一部分可以与信号线PL-A的上表面的部分PLU-A和信号线PL-A的端部PLS-A接触。
如图10B所示,绝缘结构IS可以暴露第一基底基板BS1上的信号线PL-B的上表面的部分PLU-B。绝缘材料MU可以被布置在空间OP中,空间OP被限定在第一基底基板BS1的侧表面B1与信号线PL-B的端部PLS-B之间。以这种方式,连接焊盘CP-6的一部分可以与信号线PL-B的上表面的部分PLU-B和绝缘材料MU接触。
在稍后要描述的制造方法中,显示面板可以被切割,并且然后,第一基底基板BS1和第二基底基板BS2的侧表面、信号线PL-B和绝缘结构IS可以通过用于打磨显示面板的不均匀侧表面的打磨机YM(参见图12C)被打磨。在该工艺中,信号线PL-B的端部部分的一部分可以通过打磨机YM的旋转力被移除,并且绝缘结构IS的无机层10、20和40以及有机层BL、CS、50和BM的外来材料可以被布置在空间OP中,从而形成绝缘材料MU。绝缘材料MU可以耦接到连接焊盘CP-6。图11C示出了一示例,其中在真实打磨工艺中产生的绝缘材料MU被布置在第一基底基板BS1的侧表面B1与信号线PL-B的端部PLS-B之间。
如图10C所示,信号线PL-C的端部PLS-C可以与第一基底基板BS1的侧表面B1基本上对齐。与第一基底基板BS1的侧表面B1对齐的端部PLS-C的尖端可以包括突起PLP。在打磨工艺中信号线PL-C可以与打磨机YM直接接触,并且因此,可以形成突起PLP。在打磨工艺中,可以通过打磨机YM的旋转力在信号线PL-C的端部PLS-C与打磨机YM之间产生摩擦力。这样,信号线PL-C的端部PLS-C的一部分可以塑性变形以形成突起PLP。此外,连接焊盘CP-7的一部分可以与信号线PL-C的上表面的部分PLU-C和信号线PL-C的端部PLS-C接触。
如图10D所示,绝缘结构IS可以暴露第一基底基板BS1上的信号线PL-D的上表面的部分PLU-D。信号线PL-D的后表面PLB-D的一部分可以与第一基底基板BS1的上表面隔开。
连接焊盘CP-8的一部分可以与端表面的一部分PLS-D和信号线PL-D的上表面的暴露部分PLU-D以及信号线PL-D的后表面PLB-D的暴露部分接触。
图11A示出了一示例,其中在真实的打磨工艺中,信号线PL-D的后表面PLB-D的一部分通过打磨机YM的旋转力与第一基底基板BS1的上表面隔开。
图12A至图12G是图示根据一些示例性实施例的处于制造的各个阶段的显示面板的示意图。因此,将结合图12A至图12G描述制造显示设备DD的方法。此外,在下文中,与图1至图8B中相同部件将由相同的附图标记或指示符指示,并且将省略对与上面描述的相同的特征的描述。
图12A是图示根据一些示例性实施例的在制造显示面板DP的方法中使用的工作面板WP的透视图。图12B是图示根据一些示例性实施例的在制造显示面板DP的方法中使用的工作面板WP的截面图。图12C和图12D是图示从图12B所示的工作面板WP切割的初始显示面板DPA的截面图。图12E至图12G是图示将连接焊盘CP连接到显示面板DP的操作的截面图。
如图12A所示,在工作面板WP中限定的多个单元区域DP-C上可以执行相同的工艺,以在单元区域DP-C中的每个单元区域中形成显示面板DP(参见图1至图6B)。例如,第一工作基板100-W和第二工作基板200-W可以彼此耦接以形成工作面板WP。在单元区域DP-C中的每个单元区域中的第一工作基板100-W可以具有与参考图5至图6B描述的第一显示基板100相同的结构,并且在单元区域DP-C中的每个单元区域中的第二工作基板200-W可以具有与参考图5至图6B描述的第二显示基板200相同的结构。
如图12B所示,单元区域DP-C的结构可以延伸到工作面板WP的边界区域BA中,以便彼此连接。边界区域BA可以与非显示区域NDA重叠。工作面板WP可以通过例如划线工艺沿图12B所示的切割线CL被切割,并且因此,初始显示面板DPA(初始显示面板DPA中的每个在图12C中被图示)可以彼此分开。
与图6A所示的显示面板DP的非焊盘部分PDN的非焊盘端部NS相比,图12C所示的初始显示面板DPA的侧表面可以是不均匀的。使用打磨机YM(例如,打磨工艺)打磨初始显示面板DPA的侧表面。绝缘结构IS的端部、信号线PL的端部、第一基底基板BS1的侧表面和第二基底基板BS2的侧表面可以通过研磨工艺而基本上彼此对齐。信号线PL的端部的形状可以根据研磨方法(例如,研磨机YM的旋转方向)而改变。然而,信号线PL的端部和第一基底基板BS1的侧表面可以基本上彼此对齐,与打磨方法无关。图10C、图10D和图11A图示了通过图12C所示的研磨机YM的旋转方向形成的信号线PL的端部的示例。
如前面提到的,术语“基本上对齐”可以包括绝缘结构IS的端部、信号线PL的端部、第一基底基板BS1的侧表面和第二基底基板BS2的侧表面2彼此共面的情形。另外,术语“基本上对齐”也可以包括作为制造技术和/或工艺公差的结果的变化。例如,信号线PL的侧表面(或端部)可以具有通过研磨机YM形成的精细弯曲表面。限定信号线PL的弯曲侧表面的拐角可以与限定绝缘结构IS的侧表面的拐角对齐。
绝缘结构IS可以防止信号线PL的端部在研磨过程中被损坏和/或变形。这可能是因为绝缘结构IS支撑第一显示基板100和第二显示基板200,以防止显示面板DP的侧表面由于研磨机YM的摩擦而损坏/变形。
图10A至图10D图示了可以通过打磨工艺形成的、信号线(例如,信号线PL)的端部(例如,端部PLS)的各种形状。图10A图示了一形状,其中信号线PL-A的一部分通过打磨工艺被移除。图10B图示了一形状,其中与残留物对应的绝缘材料MU被布置在空间OP中并且耦接到连接焊盘CP-6,空间OP通过移除信号线PL-B的部分而形成。图10C图示了一形状,其中信号线PL-C的突起PLP通过信号线PL-C与打磨机YM之间的摩擦力形成。图10D图示了一形状,其中信号线PL-D的后表面PLB-D的部分通过打磨机YM与信号线PL-D之间的直接接触而与第一基底基板BS1的上表面隔开,并且连接焊盘CP-8被布置在信号线PL-D与第一基底基板BS1之间的空间中。
如图12D所示,刻蚀工艺可以被执行以移除绝缘结构IS的与初始显示面板DPA的焊盘部分PDA(参见图1)对应的部分。刻蚀工艺使用等离子气体PG。等离子气体PG可以意味着包括离子、电子和自由基的电离气体状态。等离子气体PG可以通过高温、强电场和/或射频(RF)电磁场产生。有机层和/或无机层可以根据等离子气体PG的种类选择性地被刻蚀。
用于刻蚀或移除绝缘结构IS的有机层BL、CS、50和BM的等离子气体PG可包括氩(Ar)、氧(O2)和氮氧化物(NXOY)中的一种。另外,用于刻蚀或移除绝缘结构IS的无机层10、20和40的等离子气体PG可以包括基于氯的气体(例如,BCl3)和基于碳氟化合物的气体(例如,CF4、C3F8、C4F8或CHF3)。因此,等离子气体PG可以选择性地被注入以移除有机层BL、CS、50以及BM和/或无机层10、20以及40。
用于移除有机层BL、CS、50和BM的等离子气体PG以及用于移除无机层10、20和40的等离子气体PG可以彼此混合并且可以被注入以刻蚀绝缘结构IS,并且因此,可以形成图9A和/或图9B的绝缘结构IS-1和IS-2的焊盘端部PS-1和PS-2。
在一些示例性实施例中,可以仅注入用于移除有机层BL、CS、50和BM的等离子气体PG,或者用于移除无机层10、20和40的等离子气体PG的流速可以相对降低。在这些情形下,无机层10、20和40的至少一部分可以从有机层BL、CS、50和BM被暴露,以保留在绝缘结构IS的焊盘端部PS处。图9C和图9D图示了这些情形的示例。
如图12E和图12F所示,在刻蚀工艺之后,连接焊盘CP可以被布置成与由基底基板BS1和BS2的侧表面B1和B2以及绝缘结构IS的焊盘端部PS限定的空间对应。其后,外部压力TL可以被施加到连接焊盘CP(例如,使用光学处理)以使连接焊盘CP与绝缘结构IS接触。此时,连接焊盘CP可以由金属膏形成,并且因此,包含在连接焊盘CP中的金属可以通过毛细现象(或力)与信号线PL电接触。
如图12G所示,连接焊盘CP的一部分可以被激光LS烧结,并且因此,连接到多条信号线PL的连接焊盘CP可以被分成彼此隔开的多个连接焊盘CP,如图6A所示。结果是,可以防止彼此隔开的信号线PL之间的电连接,并且连接焊盘CP可以分别连接到信号线PL。因此,如图6A所示,分别与信号线PL重叠的连接焊盘CP可以暴露第一基底基板BS1的上表面的一部分和第二基底基板BS2的后表面的与第一基底基板BS1重叠的部分。
根据各种示例性实施例,由于连接焊盘CP被布置在显示面板DP的侧表面上,因此电路板GCB和/或DCB(参见图1)可以连接到显示面板DP的侧表面。由于电路板GCB和/或DCB与显示面板DP的连接区域被限定在显示面板DP的侧表面上,因此可以减小非显示区域NDA的面积或尺寸。另外,由于连接焊盘CP与信号线PL之间的接触面积被充分地保障,因此可以减小显示面板DP与电路板GCB或DCB之间的接触电阻。
尽管本文已经描述特定示例性实施例和实现,但是其他实施例和修改将从该描述中显而易见。因此,本发明构思不局限于这样的实施例,而是受限于随附权利要求的更广范围以及对本领域普通技术人员来说将是显而易见的各种明显的修改和等价布置。
Claims (25)
1.一种显示面板,包括:
第一基底基板;
第二基底基板,面对所述第一基底基板,所述第二基底基板包括显示区域和布置在所述显示区域外部的非显示区域;
绝缘结构,被布置在所述第一基底基板与所述第二基底基板之间,从与所述显示区域重叠的层延伸,并且与所述非显示区域重叠,所述绝缘结构包括:
具有从所述第一基底基板的侧表面到所述第二基底基板的侧表面并且与所述第二基底基板的所述侧表面对齐的端部的非焊盘部分;以及
具有从所述第二基底基板的所述侧表面横向凹陷的端部的焊盘部分;
像素,布置在所述第一基底基板与所述第二基底基板之间并且与所述显示区域重叠;
信号线,布置在所述第一基底基板上并且连接到所述像素,所述信号线与所述焊盘部分重叠;以及
连接焊盘,包括布置在被限定在所述第二基底基板的所述侧表面与所述焊盘部分的所述端部之间的连接区域中的部分,所述连接焊盘与所述信号线接触,
与所述焊盘部分的所述端部相比,所述非焊盘部分的所述端部具有相对平坦的表面。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中:
所述信号线的端部从所述绝缘结构被暴露,所述信号线的被暴露的所述端部与所述第一基底基板的所述侧表面对齐;并且
所述连接焊盘与所述信号线的被暴露的所述端部接触。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述绝缘结构包括多个有机层。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其中所述像素包括:
第一电极;
与所述第一电极绝缘的第二电极;
电连接到所述第一电极和所述信号线的薄膜晶体管;以及
布置在所述第一电极与所述第二电极之间的液晶层。
5.根据权利要求4所述的显示面板,进一步包括:
布置在所述第一基底基板与所述第一电极之间的滤色器。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其中,所述多个有机层中的最靠近所述信号线的第一有机层包括与所述滤色器相同的材料。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其中:
所述绝缘结构包括多个焊盘部分和多个非焊盘部分,所述焊盘部分是所述多个焊盘部分中的一个,并且所述非焊盘部分是所述多个非焊盘部分中的一个;并且
在平面图中观察时,所述多个焊盘部分和所述多个非焊盘部分交替排列。
8.根据权利要求6所述的显示面板,进一步包括:
间隔件,与所述薄膜晶体管重叠并且保持间隙,所述液晶层被布置在所述间隙中,
其中,所述多个有机层中的被布置在所述第一有机层上的第二有机层包括与所述间隔件相同的材料。
9.根据权利要求4所述的显示面板,进一步包括:
与所述显示区域部分地重叠的黑矩阵,
其中:
所述显示区域包括与所述第一电极重叠的透射区域和与所述薄膜晶体管重叠的周围区域;
所述黑矩阵与所述周围区域重叠,并且
所述多个有机层中的被布置成最靠近所述第二基底基板的有机层包括与所述黑矩阵相同的材料。
10.根据权利要求4所述的显示面板,其中:
所述绝缘结构进一步包括多个无机层;
所述薄膜晶体管包括:
控制电极;
布置在所述控制电极上的半导体图案;以及
与所述半导体图案重叠并且彼此隔开的输入电极和输出电极;并且
所述多个无机层中的被布置成最靠近所述信号线的第一无机层直接覆盖所述控制电极和所述信号线。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其中,所述多个有机层暴露所述第一无机层的上表面的一部分。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其中,所述连接焊盘与所述第一无机层的所述上表面的被暴露的所述一部分接触。
13.根据权利要求1所述的显示面板,其中:
所述信号线的上表面的一部分从所述绝缘结构被暴露;并且
所述连接焊盘与所述信号线的所述上表面的被暴露的所述一部分接触。
14.根据权利要求1所述的显示面板,其中:
所述焊盘部分的所述端部具有槽形状。
15.根据权利要求1所述的显示面板,其中:
所述信号线是多条信号线中的一条;
所述多条信号线中的第一信号线和第二信号线彼此隔开;
所述连接焊盘包括多个连接焊盘,所述多个连接焊盘分别与所述第一信号线和所述第二信号线重叠,所述多个连接焊盘彼此隔开;并且
所述连接焊盘暴露除了所述第一基底基板的上表面的与被布置有所述多个连接焊盘的所述焊盘部分对应的部分之外的、所述第一基底基板的所述上表面的与所述焊盘部分对应的剩余部分。
16.一种显示面板,包括:
第一基底基板;
第二基底基板,面对所述第一基底基板并且与所述第一基底基板隔开,所述第二基底基板包括显示区域和布置在所述显示区域外部的非显示区域;
像素,布置在所述第一基底基板与所述第二基底基板之间;
信号线,布置在所述第一基底基板上并且电连接到所述像素;
绝缘结构,布置在所述第一基底基板与所述第二基底基板之间,并且从与所述显示区域重叠的层延伸,所述绝缘结构包括多个有机层和多个无机层,并且具有非焊盘部分和焊盘部分,所述非焊盘部分具有从所述第一基底基板的侧表面到所述第二基底基板的侧表面并且与所述第二基底基板的所述侧表面对齐的端部,所述焊盘部分具有从所述第二基底基板的所述侧表面横向凹陷的端部;以及
连接焊盘,与所述信号线接触并且与所述绝缘结构的侧表面的一部分接触,所述绝缘结构的所述侧表面与所述第一基底基板和第二基底基板中的每个形成台阶形状,与所述焊盘部分的所述端部相比,所述非焊盘部分的所述端部具有相对平坦的表面。
17.根据权利要求16所述的显示面板,其中:
所述多个有机层和所述多个无机层包括:
与所述信号线相邻的第一无机层;
布置在所述第一无机层上的第一有机层;
布置在所述第一有机层上的第二无机层;
布置在所述第二无机层上的第二有机层;以及
布置在所述第二有机层上的第三有机层;并且
所述多个有机层的端部和所述多个无机层的端部形成至少一个台阶部分。
18.根据权利要求17所述的显示面板,其中,所述第一无机层的所述端部比所述第一有机层的所述端部更靠近所述第一基底基板的所述侧表面。
19.根据权利要求17所述的显示面板,其中:
所述第二无机层的至少一部分被所述第一有机层和所述第二有机层暴露;并且
所述第二无机层的被所述第一有机层和所述第二有机层暴露的所述至少一部分覆盖所述第一有机层的所述端部。
20.根据权利要求17所述的显示面板,其中,所述第一有机层具有红色、绿色和蓝色中的一种。
21.根据权利要求17所述的显示面板,其中,所述第三有机层具有黑色。
22.根据权利要求16所述的显示面板,其中,所述信号线的端部与所述第一基底基板的所述侧表面不对齐,并且从所述第一基底基板的所述侧表面横向凹陷。
23.根据权利要求22所述的显示面板,其中,绝缘材料被布置在一空间中,所述空间被限定在所述第一基底基板的上表面上、在所述第一基底基板的所述侧表面与所述信号线的所述端部之间。
24.根据权利要求16所述的显示面板,其中:
所述信号线的上表面的一部分被所述绝缘结构暴露;并且
所述连接焊盘与所述信号线的所述上表面的被暴露的所述一部分接触。
25.根据权利要求16所述的显示面板,其中:
所述信号线的上表面的一部分被所述绝缘结构暴露;
所述信号线的后表面的一部分与所述第一基底基板的上表面隔开;并且
所述连接焊盘与所述信号线的所述上表面的被暴露的所述一部分以及所述信号线的所述后表面的被隔开的所述一部分接触。
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---|---|---|---|---|
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KR20210027579A (ko) * | 2019-08-28 | 2021-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조 방법 |
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CN113568224B (zh) * | 2020-08-14 | 2022-10-21 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置 |
US12265305B2 (en) * | 2023-06-01 | 2025-04-01 | Pixieray Oy | Subtractive method for providing connections to electrodes in liquid crystal cells |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102073171A (zh) * | 2009-11-23 | 2011-05-25 | 三星电子株式会社 | 液晶显示器 |
CN106297566A (zh) * | 2015-06-29 | 2017-01-04 | 乐金显示有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
KR20170005254A (ko) * | 2015-07-01 | 2017-01-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN107479229A (zh) * | 2016-06-08 | 2017-12-15 | 三星显示有限公司 | 包括显示面板的显示装置和制造显示装置的方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6204081B1 (en) * | 1999-05-20 | 2001-03-20 | Lg Lcd, Inc. | Method for manufacturing a substrate of a liquid crystal display device |
US7102726B2 (en) * | 2002-03-15 | 2006-09-05 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | System for fabricating liquid crystal display and method of fabricating liquid crystal display using the same |
KR20100021847A (ko) * | 2008-08-18 | 2010-02-26 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR20140038823A (ko) * | 2012-09-21 | 2014-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
US9201276B2 (en) * | 2012-10-17 | 2015-12-01 | Apple Inc. | Process architecture for color filter array in active matrix liquid crystal display |
KR20150139525A (ko) * | 2013-04-05 | 2015-12-11 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 어레이 기판, 액정 표시 소자 및 감방사선성 수지 조성물 |
US8994042B2 (en) | 2013-05-20 | 2015-03-31 | Lg Electronics Inc. | Display panel and display device |
KR102060652B1 (ko) | 2013-05-20 | 2019-12-30 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 패널 및 그를 포함하는 디스플레이 장치 |
KR102060665B1 (ko) | 2013-05-20 | 2019-12-30 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 패널 및 그를 포함하는 디스플레이 장치 |
KR102060657B1 (ko) | 2013-05-20 | 2019-12-30 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 패널 및 그를 포함하는 디스플레이 장치 |
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KR102127379B1 (ko) | 2013-12-23 | 2020-06-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
JP6562651B2 (ja) | 2015-02-20 | 2019-08-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR102343411B1 (ko) * | 2015-05-15 | 2021-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102584326B1 (ko) * | 2015-06-29 | 2023-10-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR102403671B1 (ko) * | 2015-09-18 | 2022-05-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR20170080937A (ko) * | 2015-12-31 | 2017-07-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 측면 접합 구조를 갖는 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR102505879B1 (ko) * | 2016-03-24 | 2023-03-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
-
2018
- 2018-02-06 KR KR1020180014662A patent/KR102569936B1/ko active Active
-
2019
- 2019-01-28 CN CN201910079013.5A patent/CN110119052B/zh active Active
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102073171A (zh) * | 2009-11-23 | 2011-05-25 | 三星电子株式会社 | 液晶显示器 |
CN106297566A (zh) * | 2015-06-29 | 2017-01-04 | 乐金显示有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
KR20170005254A (ko) * | 2015-07-01 | 2017-01-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN107479229A (zh) * | 2016-06-08 | 2017-12-15 | 三星显示有限公司 | 包括显示面板的显示装置和制造显示装置的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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