CN110033929A - 共模滤波器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种共模滤波器。在使一对导线在中途交叉的共模滤波器中，进一步提高高频特性。具备沿着相同方向卷绕于卷芯部(23)的导线(W1、W2)。导线(W1、W2)构成三个卷绕块(B1～B3)，并且在卷绕块(B1)与卷绕块(B3)之间的区域相互交叉，在卷绕块(B2)与卷绕块(B3)之间的区域相互交叉。根据本发明，卷绕块的数量为奇数，因此，如果在轴向上相邻的卷绕块间使导线(W1)与导线(W2)进行偶数次交叉，则能够使导线(W1、W2)的一端部的位置关系与另一端部的位置关系一致。由此，导线(W1、W2)的一端部与另一端部的条件一致，因此，可以提高反射特性(回波损耗)及噪声变换特性等高频特性。

Description

共模滤波器

技术领域

本发明涉及一种共模滤波器，特别是涉及一对导线在中途交叉的类型的共模滤波器及其制造方法。

背景技术

共模滤波器作为用于除去与差分信号线路重叠的共模噪声的元件，广泛用于便携式电子设备或车载用LAN等许多电子设备中。近年来，代替使用了环型磁芯的共模滤波器，主流是使用了能够进行表面安装的鼓型磁芯的共模滤波器(参照专利文献1)。

专利文献1所记载的共模滤波器通过使一对导线在中途交叉，从而提高高频区域中的差分信号的对称性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-199904号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，当使导线在中途交叉时，一对导线的位置关系颠倒，因此，为了将其恢复到原来的位置关系，需要使导线再一次交叉。而且，当将这种第二次交叉在导线的端部附近进行时，会产生一对导线在一端部交叉且一对导线在另一端部未交叉的差异，根据情况判明了这成为使反射特性(回波损耗)及噪声变换特性等的高频特性恶化的原因。

因此，本发明的目的在于在使一对导线在中途交叉的共模滤波器中，进一步提高高频特性。

用于解决课题的技术方案

本发明所涉及的共模滤波器，其特征在于，具备：卷芯部；和沿着相同方向卷绕于卷芯部的第一及第二导线，第一及第二导线构成在卷芯部的轴向上的最靠一端侧进行多匝卷绕的第一卷绕块、在卷芯部的轴向上的最靠另一端侧进行多匝卷绕的第二卷绕块、和位于第一卷绕块与第二卷绕块之间且由进行多匝卷绕的奇数个卷绕块构成的第三卷绕块，从第一卷绕块计数，第二卷绕块为第奇数个的卷绕块，第一导线和第二导线在第一卷绕块与第三卷绕块之间的区域中相互交叉，且在第二卷绕块与第三卷绕块之间的区域中相互交叉。

根据本发明，卷绕块的数量为奇数，因此，如果在轴向上相邻的卷绕块间使第一导线和第二导线进行偶数次交叉，则能够使第一及第二导线的一端部的位置关系与另一端部的位置关系一致。由此，第一及第二导线的一端部和另一端部的条件一致，因此，可以提高反射特性(回波损耗)及噪声变换特性等的高频特性。

本发明中，第一卷绕块的匝数和第二卷绕块的匝数也可以相等。由此，位于两端的第一及第二卷绕块的对称性变高，因此，可以消除产品的方向性。

本发明中，第一及第二卷绕块的合计匝数和第三卷绕块的匝数也可以相等。由此，在着眼于第一及第二导线的同一匝的情况下，第一导线位于卷芯部的轴向上的一端侧的对的数量与第二导线位于卷芯部的轴向上的一端侧的对的数量一致，因此，在第一导线流通的信号与在第二导线流通的信号的对称性变高，其结果，可以得到优异的高频特性。

本发明中，第一、第二及第三卷绕块也可以具有位于下层的第一卷绕层和位于第一卷绕层的上层的第二卷绕层。由此，导线的卷绕密度变高，因此，可以将卷芯部的轴向上的尺寸小型化。

本发明中，第一、第二及第三卷绕块的任一个中，也可以均为第一导线位于第一卷绕层，第二导线位于第二卷绕层。由此，可以通过依次卷绕第一导线和第二导线而制作。或者，也可以在第一及第二卷绕块中，第一导线位于第一卷绕层，第二导线位于第二卷绕层，在第三卷绕块中，第一导线位于第二卷绕层，第二导线位于第一卷绕层。由此，可以缩小第一导线与第二导线的长度的差。

本发明中，也可以第三卷绕块包含从第一卷绕块观察依次排列的第四、第五及第六卷绕块，第一导线和第二导线在第一卷绕块与第四卷绕块之间的区域相互交叉，在第四卷绕块与第五卷绕块之间的区域相互交叉，在第五卷绕块与第六卷绕块之间的区域相互交叉，且在第六卷绕块与第二卷绕块之间的区域相互交叉。由此，可以使第一导线和第二导线进行四次交叉。

本发明中，第一卷绕块的匝数和第五卷绕块的匝数也可以相等。由此，可以提高位于第奇数个的第一及第五卷绕块的对称性。

本发明中，第四卷绕块的匝数和第六卷绕块的匝数也可以相等。由此，可以提高位于第偶数个的第四及第六卷绕块的对称性。

本发明中，第一、第二及第五卷绕块的合计匝数与第四及第六卷绕块的匝数也可以相等。由此，在第一导线流通的信号和在第二导线流通的信号的对称性变高，因此，可以得到优异的高频特性。

本发明中，从第一卷绕块计数，第奇数个的卷绕块各自的匝数也可以比第偶数个的卷绕块各自的匝数少。由此，可以缩小第奇数个的卷绕块的合计匝数与第偶数个的卷绕块的合计匝数的差。

发明的效果

这样，根据本发明，可以提高使一对导线在中途交叉的共模滤波器的高频特性。

附图说明

图1是表示本发明的优选的实施方式的共模滤波器10的外观的大致立体图；

图2是用于更详细地说明第一及第二导线W1、W2的卷绕布局的示意图；

图3是用于说明第一导线W1和第二导线W2在第24匝不交叉的理由的示意图；

图4是用于说明比较例的共模滤波器的第一导线W1和第二导线W2在最终匝交叉的情形的示意图；

图5是用于说明比较例的共模滤波器的第一导线W1和第二导线W2在最终匝交叉的情形的另一示意图；

图6是用于说明比较例的共模滤波器的第一导线W1和第二导线W2在最终匝交叉的情形的又一示意图；

图7是用于说明第一变形例的共模滤波器10A的卷绕布局的示意图；

图8是用于说明第二变形例的共模滤波器10B的卷绕布局的示意图；

图9是用于说明第三变形例的共模滤波器10C的卷绕布局的示意图。

符号的说明：

10、10A～10C 共模滤波器

20 鼓型磁芯

21 第一凸缘部

22 第二凸缘部

21b、22b 安装面

21s、22s 外侧面

21t、22t 上表面

23 卷芯部

30 板状磁芯

41 第一端子电极

42 第二端子电极

43 第三端子电极

44 第四端子电极

A1 第一卷绕区域

A2 第二卷绕区域

A3 第三卷绕区域

A4 第四卷绕区域

A5 第五卷绕区域

A6 第六卷绕区域

B1 第一卷绕块

B2 第二卷绕块

B3 第三卷绕块

B4 第四卷绕块

B5 第五卷绕块

B6 第六卷绕块

CA1 第一交叉区域

CA2 第二交叉区域

CA3 第三交叉区域

CA4 第四交叉区域

S1 第一卷绕层

S2 第二卷绕层

W1 第一导线

W2 第二导线

具体实施方式

以下，一边参照附图，一边详细地说明本发明的优选实施方式。

图1是表示本发明的优选实施方式的共模滤波器10的外观的大致立体图。

如图1所示，本实施方式的共模滤波器10具备：鼓型磁芯20、板状磁芯30、第一～第四端子电极41～44、第一及第二导线W1、W2。鼓型磁芯20及板状磁芯30由Ni-Zn系铁氧体等导磁率比较高的磁性材料构成。另外，第一～第四端子电极41～44是由铜等的良导体构成的金属零件。第一～第四端子电极41～44也可以在鼓型磁芯20上直接烧接银浆等。

鼓型磁芯20具有：第一凸缘部21、第二凸缘部22、设置于它们之间的卷芯部23。卷芯部23具有将x方向设为轴向，在其两端分别设置第一及第二凸缘部21、22，并且它们一体化而成的结构。板状磁芯30粘接于凸缘部21、22的上表面21t、22t。凸缘部21、22的上表面21t、22t构成xy平面，其相反侧的面用作安装面21b、22b。而且，第一及第二端子电极41、42设置于第一凸缘部21的安装面21b及外侧面21s，第三及第四端子电极43、44设置于第二凸缘部22的安装面22b及外侧面22s。外侧面21s、22s构成yz面。第一～第四端子电极41～44的固定通过粘接剂等进行。

第一及第二导线W1、W2沿着相同方向卷绕于卷芯部23。而且，第一导线W1的一端及另一端分别连接于第一及第三端子电极41、43，第二导线W2的一端及另一端分别连接于第二及第四端子电极42、44。第一及第二导线W1、W2的匝数彼此相同。

如图1所示，鼓型磁芯20的卷芯部23包含：最接近第一凸缘部21的第一卷绕区域A1、最接近第二凸缘部22的第二卷绕区域A2、和位于第一卷绕区域A1与第二卷绕区域A2之间的第三卷绕区域A3。另外，第一卷绕区域A1与第三卷绕区域A3之间的区域构成第一交叉区域CA1，第二卷绕区域A2与第三卷绕区域A3之间的区域构成第二交叉区域CA2。而且，第一及第二导线W1、W2在第一～第三卷绕区域A1～A3排列并卷绕，并且在第一及第二交叉区域CA1、CA2中相互交叉。当第一及第二导线W1、W2交叉时，在其前后，第一及第二导线W1、W2的位置关系发生变化。

图2是用于更详细地说明第一及第二导线W1、W2的卷绕布局的示意图。

如图2所示，第一及第二导线W1、W2构成卷绕于第一卷绕区域A1的第一卷绕块B1、卷绕于第二卷绕区域A2的第二卷绕块B2、和卷绕于第三卷绕区域A3的第三卷绕块B3，如上所述，在第一及第二交叉区域CA1、CA2相互交叉。在图2所示的例子中，第一及第二卷绕块B1、B2中的匝数均为6匝，第三卷绕块B3中的匝数为12匝。由此，第一及第二导线W1、W2均成为由第1匝～第24匝构成的24匝结构，但本发明不限定于此。

第一～第三卷绕块B1～B3均具有双层结构。即，具有：位于下层且直接卷绕于卷芯部23的第一卷绕层S1；和位于第一卷绕层S1的上层且经由第一卷绕层S1卷绕于卷芯部23的第二卷绕层S2。而且，第一导线W1位于第一卷绕层S1，第二导线W2的大部分位于第二卷绕层S2。但是，第二导线W2的第6、第8及第24匝位于第一卷绕层S1。这是由于为了使双层结构的导线稳定，需要沿着位于下层的导线的谷线卷绕上层的导线，因此，位于上层的导线的匝数比位于下层的导线的匝数少1匝，因此，第二导线W2的第6、第8及第24匝与其符合。

本实施方式中，在以第一及第二端子电极41、42为起点计数第一及第二导线W1、W2的匝数的情况下，第1匝～第6匝构成第一卷绕块B1，第7匝～第18匝构成第三卷绕块B3，第19匝～第24匝构成第二卷绕块B2。但是，交叉的第7匝及第19匝中，导线的一部分位于交叉区域CA1或CA2。

而且，第一及第二导线W1、W2的第7及第19匝在第一及第二交叉区域CA1、CA2相互交叉。当第一及第二导线W1、W2交叉时，在其前后，第一导线W1与第二导线W2的位置关系颠倒。具体而言，当着眼于第一导线W1和第二导线W2的同一匝时，在第一及第二卷绕块B1、B2中，第一导线W1位于图2的左侧(第一凸缘部21侧)，第二导线W2位于图2的右侧(第二凸缘部22侧)，与之相对，在第三卷绕块B3中，第一导线W1位于右侧(第二凸缘部22侧)，第二导线W2位于左侧(第一凸缘部21侧)。

本实施方式中，第一及第二导线W1、W2各自的匝数在第一及第二卷绕块B1、B2中均为6匝，在第三卷绕块B3中为12匝。因此，第一导线W1位于左侧(第二导线位于右侧)的同一匝为12对，第一导线W1位于右侧(第二导线位于左侧)的同一匝也为12对，因此，在第一导线W1流通的信号和在第二导线W2流通的信号的对称性变高，其结果，可以得到优异的高频特性。

如图1所示，本实施方式中，第一导线W1连接的第一及第三端子电极41、43的y方向位置相同，并且第二导线W2连接的第二及第四端子电极42、44的y方向位置相同。而且，从图1所示的箭头V观察，第一导线W1连接的第一及第三端子电极41、43位于右侧，第二导线W2连接的第二及第四端子电极42、44位于左侧。因此，以第一及第二端子电极41、42为起点，将第一及第二导线W1、W2从箭头V来看向右旋转(顺时针旋转)卷绕时，只要不使导线交叉，第一导线W1和第二导线W2的同一匝中，变成第一导线W1位于图2的左侧(第一凸缘部21侧)，第二导线W2位于图2的右侧(第二凸缘部22侧)。第一卷绕块B1中，第一导线W1和第二导线W2未交叉，因此，该位置关系在第一卷绕块B1的整个区域维持。

接着，当在第一交叉区域CA1中使第一导线W1与第二导线W2交叉时，第一导线W1与第二导线W2的位置关系颠倒。因此，在第三卷绕块B3中，第一导线W1和第二导线W2的同一匝中，变成第一导线W1位于图2的右侧(第二凸缘部22侧)，第二导线W2位于图2的左侧(第一凸缘部21侧)。第三卷绕块B3中，第一导线W1和第二导线W2不交叉，因此，该位置关系在第三卷绕块B3的整个区域维持。

另外，当在第二交叉区域CA2中使第一导线W1与第二导线W2交叉时，第一导线W1与第二导线W2的位置关系再次颠倒。因此，第二卷绕块B2中，第一导线W1与第二导线W2的同一匝中，变成第一导线W1位于图2的左侧(第一凸缘部21侧)，第二导线W2位于图2的右侧(第二凸缘部22侧)。第二卷绕块B2中，第一导线W1与第二导线W2未交叉，因此，该位置关系在第三卷绕块B3的整个区域维持。

而且，如上所述，从图1所示的箭头V观察时，第三端子电极43位于右侧，第四端子电极44位于左侧，因此，如作为示意图的图3所示，不使第一导线W1和第二导线W2再次交叉而能够将两者的终端部分别连接于第三及第四端子电极43、44。

这样，本实施方式的共模滤波器10将卷绕块的数量设为3个，由此，将导线的交叉次数设为两次，因此，第一及第二导线W1、W2的位置关系在第一卷绕块B1和第二卷绕块B2中相同。因此，第一及第二导线W1、W2的一端部和另一端部的条件一致。由此，不会产生端部的条件不一致所引起的不平衡，因此，可以提高反射特性(回波损耗)及噪声变换特性等的高频特性。

与之相对，假定在将卷绕块的数量设为偶数个(例如2个)，并且将导线的交叉次数设为奇数次(例如一次)的情况下，最接近第一凸缘部21的卷绕区域中的导线的位置关系与最接近第二凸缘部22的卷绕区域中的导线的位置关系相互相反，因此，为了将第一导线W1和第二导线W2的终端部分别连接于第三及第四端子电极43、44，需要使第一导线W1和第二导线W2再一次交叉，将两者的位置关系恢复到原来的位置关系。

图4是用于说明比较例的共模滤波器的第一导线W1和第二导线W2在最终匝交叉的情形的示意图。

如图4所示，在从箭头V观察的情况下，第一端子电极41位于右侧，第二端子电极42位于左侧，因此，当使第一及第二导线W1、W2不交叉而向右旋转(顺时针旋转)卷绕时，第一导线W1位于第一凸缘部21侧，第二导线W2位于第二凸缘部22侧。该位置关系每当导线交叉时颠倒，但在导线的交叉次数为奇数次的情况下，最接近第二凸缘部22的卷绕块中成为颠倒的状态，第一导线W1成为第二凸缘部22侧，第二导线W2成为第一凸缘部21侧。在该状态下，当要将第一及第二导线W1、W2的终端分别连接于第三及第四端子电极43、44时，从箭头V观察，第三端子电极43位于右侧，第四端子电极44位于左侧，因此，如符号C所示，第一导线W1和第二导线W2在最终匝交叉。

在此，如图5所示，在第三端子电极43与第四端子电极44在y方向上的距离分开的情况下，平面地观察时(从z方向观察时)，第一导线W1和第二导线W2看起来像在最终匝一看不交叉。但是，在该情况下，如图6所示，变成第一导线W1和第二导线W2在卷芯部23的xz侧面交叉。即，均使第一及第二导线W1、W2在最终匝交叉，由此，需要将第一导线W1和第二导线W2的位置关系恢复到原来。

这样，在卷绕块间的导线的交叉次数为奇数次的情况下，产生第一及第二导线W1、W2不在位于一端侧的第一匝交叉，而在位于另一端侧的最终匝交叉的差异。因此，第一及第二导线W1、W2在一端侧的容量成分的附加方式与另一端侧的容量成分的附加方式中产生差异，该不平衡可以成为使反射特性等的高频特性恶化的原因。但是，本实施方式的共模滤波器10将卷绕块的数量设为3个(奇数)，将卷绕块间的导线的交叉次数设为两次(偶数)，因此，不会产生上述的不平衡。其结果，可以提高反射特性等的高频特性。

如以上所说明的，本实施方式的共模滤波器10将卷绕块的数量设为3个(奇数)，将卷绕块间的导线的交叉次数设为两次(偶数)，因此，第一及第二导线W1、W2的一端部和另一端部的条件一致。由此，不会产生两端部的条件不一致所引起的不平衡，因此，可以提高反射特性(回波损耗)及噪声变换特性等的高频特性。

而且，本实施方式中，第一卷绕块B1的匝数与第二卷绕块B2的匝数相等，因此，位于两端的第一及第二卷绕块B1、B2的对称性变高。由此，可以消除产品的方向性。另外，本实施方式中，第一及第二卷绕块B1、B2的合计匝数与第三卷绕块B3的匝数相等，因此，第一导线W1位于左侧(第一凸缘部21侧)且第二导线W2位于右侧(第二凸缘部22侧)的对的数量、与第一导线W1位于右侧(第二凸缘部22侧)且第二导线W2位于左侧(第一凸缘部21侧)的对的数量一致。由此，在第一导线W1流通的信号与在第二导线W2流通的信号的对称性变高，因此，可以得到优异的高频特性。

另外，本实施方式中，在第一导线W1上重叠卷绕第二导线W2，因此，可以提高导线的卷绕密度。由此，也可以将卷芯部23的轴向(x方向)的尺寸小型化。

以下，对共模滤波器10的几个变形例进行说明。以下说明的变形例的结构也包含于本发明的范围中。

图7是用于说明第一变形例的共模滤波器10A的卷绕布局的示意图。

图7所示的共模滤波器10A在第三卷绕块B3中第二导线W2位于第一卷绕层S1(下层)，且第一导线W1位于第二卷绕层S2(上层)的方面，与上述实施方式的共模滤波器10不同。如第一变形例所示，第一及第二导线W1、W2的上下关系也可以在第一及第二卷绕块B1、B2和第三卷绕块B3中颠倒。由此，存在第一导线W1的长度和第二导线W2的长度大致相等的优点。

图8是用于说明第二变形例的共模滤波器10B的卷绕布局的示意图。

图8所示的共模滤波器10B中，卷芯部23的第三卷绕区域A3细分成第四～第六卷绕区域A4～A6、第三及第四交叉区域CA3、CA4。第四～第六卷绕区域A4～A6从第一卷绕区域A1观察依次排列，分别形成第四～第六卷绕块B4～B6。

而且，第一、第二及第五卷绕块B1、B2、B5中的匝数均为4匝，第四及第六卷绕块B4、B6中的匝数均为6匝。第一及第二导线W1、W2在第一～第四交叉区域CA1～CA4相互交叉。因此，就第一导线W1和第二导线W2的同一匝而言，位于第奇数个的第一、第二及第五卷绕块B1、B2、B5中，第一导线W1位于图8的左侧(第一凸缘部21侧)，第二导线W2位于图8的右侧(第二凸缘部22侧)，与之相对，位于第偶数个的第四及第六卷绕块B4、B6中，第一导线W1位于右侧(第二凸缘部22侧)，第二导线W2位于左侧(第一凸缘部21侧)。

而且，第一及第二导线W1、W2各自的匝数在位于第奇数个的第一、第二及第五卷绕块B1、B2、B5中均为4匝，在位于第偶数个的第四及第六卷绕块B4、B6中均为6匝，因此，第一导线W1位于左侧(第二导线位于右侧)的同一匝成为12对，第一导线W1位于右侧(第二导线位于左侧)的同一匝也成为12对。

如第二变形例所示，本发明中卷绕块的数量不是必须为3个，也可以为5个。即，如果构成奇数个的卷绕块，且在轴向上相邻的卷绕块间不使第一导线W1和第二导线W2交叉，则交叉次数成为偶数次，因此，能够使第一及第二导线W1、W2的一端部和另一端部的条件一致。

图9是用于说明第三变形例的共模滤波器10C的卷绕布局的示意图。

图9所示的共模滤波器10C在第四及第六卷绕块B4、B6中第二导线W2位于第一卷绕层S1(下层)，且第一导线W1位于第二卷绕层S2(上层)的方面，与第二变形例的共模滤波器10B不同。由此，与第一变形例同样地，存在第一导线W1的长度与第二导线W2的长度大致相等的优点。

以上，对本发明的优选实施方式进行了说明，但本发明不限定于上述的实施方式，可以在不脱离本发明宗旨的范围内进行各种变更，当然这些也包含于本发明的范围内。

例如，上述实施方式中，以制造第一及第二导线W1、W2时，从第1匝向第24匝卷绕为前提进行了说明，但也可以与其相反，通过从第24匝向第1匝卷绕而制作。

另外，上述实施方式中，所有的卷绕块具有双层结构，但也可以在一部分或全部的卷绕块中将第一及第二导线W1、W2进行双线卷绕。

Claims (15)

1.一种共模滤波器，其特征在于，

具备：

卷芯部；和

沿着相同方向卷绕于所述卷芯部的第一及第二导线，

所述第一及第二导线构成在所述卷芯部的轴向上的最靠一端侧进行多匝卷绕的第一卷绕块、在所述卷芯部的轴向上的最靠另一端侧进行多匝卷绕的第二卷绕块、和位于所述第一卷绕块与所述第二卷绕块之间且由进行多匝卷绕的奇数个卷绕块构成的第三卷绕块，

从所述第一卷绕块计数，所述第二卷绕块为第奇数个的卷绕块，

所述第一导线和所述第二导线在所述第一卷绕块与所述第三卷绕块之间的区域中相互交叉，且在所述第二卷绕块与所述第三卷绕块之间的区域中相互交叉。

2.如权利要求1所述的共模滤波器，其特征在于，

所述第一卷绕块的匝数与所述第二卷绕块的匝数相等。

3.如权利要求1所述的共模滤波器，其特征在于，

所述第一及第二卷绕块的合计匝数与所述第三卷绕块的匝数相等。

4.如权利要求1所述的共模滤波器，其特征在于，

所述第一、第二及第三卷绕块具有位于下层的第一卷绕层和位于所述第一卷绕层的上层的第二卷绕层。

5.如权利要求4所述的共模滤波器，其特征在于，

所述第一、第二及第三卷绕块的任一个中，均为所述第一导线位于所述第一卷绕层，且所述第二导线位于所述第二卷绕层。

6.如权利要求4所述的共模滤波器，其特征在于，

所述第一及第二卷绕块中，所述第一导线位于所述第一卷绕层，所述第二导线位于所述第二卷绕层，

所述第三卷绕块中，所述第一导线位于所述第二卷绕层，所述第二导线位于所述第一卷绕层。

7.如权利要求1所述的共模滤波器，其特征在于，

所述第三卷绕块包含从所述第一卷绕块观察依次排列的第四、第五及第六卷绕块，

所述第一导线和所述第二导线在所述第一卷绕块与所述第四卷绕块之间的区域相互交叉，在所述第四卷绕块与所述第五卷绕块之间的区域相互交叉，在所述第五卷绕块与所述第六卷绕块之间的区域相互交叉，且在所述第六卷绕块与所述第二卷绕块之间的区域相互交叉。

8.如权利要求7所述的共模滤波器，其特征在于，

所述第一卷绕块的匝数和所述第五卷绕块的匝数相等。

9.如权利要求7所述的共模滤波器，其特征在于，

所述第四卷绕块的匝数与所述第六卷绕块的匝数相等。

10.如权利要求7所述的共模滤波器，其特征在于，

所述第一、第二及第五卷绕块的合计匝数与所述第四及第六卷绕块的匝数相等。

11.如权利要求1～10中任一项所述的共模滤波器，其特征在于，

从所述第一卷绕块计数，第奇数个的卷绕块各自的匝数比第偶数个的卷绕块各自的匝数少。

12.一种共模滤波器，其特征在于，

具备：

卷芯部，其包括沿轴向依次排列的第一、第二、第三、第四和第五部分；和

第一和第二导线，其卷绕于所述卷芯部上，

所述第一和第二导线在所述第一、第三和第五部分的每一个卷绕多匝；

所述第一和第二导线在所述第二和第四部分的每一个中彼此交叉。

13.如权利要求12所述的共模滤波器，其特征在于，

所述第三部分中的匝数比所述第一和第五部分的各自的匝数大。

14.如权利要求13所述的共模滤波器，其特征在于，

所述第一部分的匝数与所述第三部分的匝数彼此相等。

15.如权利要求12所述的共模滤波器，其特征在于，

还包括：

第一凸缘部，其设置在所述卷芯部轴向上的一端；和

第二凸缘部，其设置在所述卷芯部轴向上的另一端，

所述第一和第二导线在所述第一凸缘部与所述卷芯部的所述第一部分之间不相互交叉，

所述第一和第二导线在所述第二凸缘部与所述卷芯部的所述第五部分之间不相互交叉。