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CN110021685A - 一种氮化镓基高光效led外延垒晶片及其制备方法 - Google Patents

一种氮化镓基高光效led外延垒晶片及其制备方法 Download PDF

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CN110021685A
CN110021685A CN201810052575.6A CN201810052575A CN110021685A CN 110021685 A CN110021685 A CN 110021685A CN 201810052575 A CN201810052575 A CN 201810052575A CN 110021685 A CN110021685 A CN 110021685A
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彭泽洋
庄文荣
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Abstract

本发明公开了一种氮化镓基高光效LED外延垒晶片及其制备方法，包括在n型氮化镓与量子阱之间生长含C高缺陷密度层，含C高缺陷密度层生长方法包括：完成n型氮化镓生长后，调整外延垒晶反应室内温度在600℃——990℃之间，以含甲基或乙基的气体源为部分垒晶源参与生长含C高缺陷密度层，引入C掺杂，控制含C高缺陷密度层中C含量浓度1016——1020cm‑3，控制含C高缺陷密度层厚度在100nm——1000nm之间。本发明的LED外延垒晶片提高了现有技术同等规格LED外延片制备的芯片的光效。

Description

一种氮化镓基高光效LED外延垒晶片及其制备方法
技术领域
本发明涉及LED外延垒晶片及其制备方法。更具体地说，本发明涉及氮化镓基高光效LED外延垒晶片及其制备方法。
背景技术
氮化镓LED是半导体二极管中的一种发光二极管，发光二极管早在1962年就出现，现有技术中的发光二极管一般都由含镓、砷、磷等的化合物组成，能把电能转化为光能，其与普通的二极管一样是由PN结组成，单向导电，给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同材料的发光二极管由其材料的不同释放的能量状态也不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短，氮化镓LED自1990年起被常用于发光二极管中，由其能隙宽，热导率大、介电常数小、抗辐射能力强，化学性能稳定等成为第三代半导体材料的典型代表，一般能用于制备抗辐射、高频、大功率和高密度集成电子器件，而且可以用作蓝、绿、紫外发光元件和光探测器件等，其应用领域随着氮化镓LED的深入研究，在取代传统照明领域的基础上不断地向其他领域扩展。
随着氮化镓LED行业的持续发展，氮化镓也成为了全球半导体研究的热点和前沿领域，被誉为IT行业的又一“发动机”，市场应用端的大力推进，另一方面其技术端也在突飞猛进的研发，使得氮化镓LED的质量在不断的提高、价格一直成走低趋势。在这一严峻的形势下，各企业为提高氮化镓LED市场的占有率，在氮化镓LED的研发领域各现神通，而其中提高光效是各企业研究的重中之重，光效即发光效率，就是光通量与点功率之比，单位一般为lm/W。发光效率代表了光源的节能特性，这是衡量现代光源性能的一个重要指标。各企业纷纷投入了大量的人力物力在此项指标上进行研究开发，以此来提高自己产品在市场上的卖点。
发明内容
本发明的目的是提供一种氮化镓基高光效LED外延垒晶片制备方法，使其制备的LED外延垒晶片具备低缺陷密度、高质量的氮化镓量子阱层。
本发明的另一个目的是提供一种氮化镓系LED外延垒晶片可以以同等规格的氮化镓LED在现就技术的基础上提高其光效，使其在运用于发光体后能节约能源，并且与现有的氮化镓LED相比较在同能功率下本发明的氮化镓LED提高了光通量。
本发明的另一个目的是提供一种氮化镓基高光效LED外延垒晶片，使其应用于发光体中可以在不需要荧光粉激发的情况下，发长波长的光，如黄光、红光等。
为了实现根据本发明的目的和其它优点，提供了一种氮化镓基高光效LED外延垒晶片的制备方法，按一般制备氮化镓LED外延垒晶片的方法制备本发明外延垒晶片的各部分，但在n型氮化镓与量子阱之间生长含C高缺陷密度层，含C高缺陷密度层生长方法包括：完成n型氮化镓生长后，调整外延垒晶反应室内温度在600℃——990℃之间，以含甲基或乙基的气体源为部分垒晶源参与生长含C高缺陷密度层，引入C掺杂，控制含C高缺陷密度层中C含量浓度1016——1020cm-3，控制含C高缺陷密度层厚度在100nm——1000nm之间。然后在含C高缺陷密度层之上在生长量子阱。
本发明所述的氮化镓基高光效LED外延垒晶片的制备方法，其中所述含C高缺陷密度层生长的外延垒晶反应室为MOCVD外延垒晶反应室，在完成n型氮化镓生长后进行调整相应垒晶源及生长温度，直接进入含C高缺陷密度层生长。
本发明所述的氮化镓基高光效LED外延垒晶片的制备方法，其中所述在MOCVD内外延垒晶时生长含C高缺陷密度层过程中，其中以含甲基或乙基的气体源为部分垒晶源参与生长含C高缺陷密度层，含甲基或乙基的气体源为三甲基镓TMGa或三乙基镓TEGa。
本发明所述的氮化镓基高光效LED外延垒晶片的制备方法，其中所述在MOCVD内外延垒晶时成长含C高缺陷密度层过程中，通入MOCVD内的含镓的镓源为有机镓源三甲基镓TMGa。
本发明所述的氮化镓基高光效LED外延垒晶片的制备方法，其中所述在MOCVD内外延垒晶时成长含C高缺陷密度层过程中，不断通入氯气、或氯化物、或氯气与氯化物的混合气体作为生长含C高缺陷密度层的催化气体。
本发明所述的氮化镓基高光效LED外延垒晶片的制备方法，其中所述含C高缺陷密度层生长过程中MOCVD内引入的催化气体中氯化物为氯化氢气体。
本发明所述的氮化镓基高光效LED外延垒晶片的制备方法，其中所述高缺陷密度层外延生长温度选自：850℃-990℃之间。
本发明所述的氮化镓基高光效LED外延垒晶片的制备方法，完成含C高缺陷密度层生长后，在含C高缺陷密度层上生长氮化镓量子阱，调整生长速率在0.2A/sec——1.2A/sec之间，阱与磊生长温差w控制在100℃>w>0℃，量子阱数量≥7对，在氮化镓量子阱中引入C掺杂，C堆积浓度范围为1016——1020cm-3。
本发明所述的氮化镓基高光效LED外延垒晶片的制备方法，其中所述的在氮化镓量子阱中引入C掺杂，为在第三对量子阱之后的量子阱中引入C掺杂，在第三对量子阱之后的量子阱中C堆积浓度范围为1016——1020cm-3。
本发明所述的氮化镓基高光效LED外延垒晶片的制备方法制备的氮化镓基高光效LED外延垒晶片，外延层依次包括：缓冲层：在n型氮化镓与外延垒晶衬底之间生长氮化镓缓冲层；
n型氮化镓：生长于氮化镓高缺陷密度层之上，量子阱之下；
含C高缺陷密度层：在量子阱与n型氮化镓之间；
量子阱：为发光层，在高缺陷密度层与p型氮化镓之间；
p型氮化镓: 生长于氮化镓量子阱之上。
用本发明所述的氮化镓基高光效LED外延垒晶片制备的LED芯片，包括：衬底、缓冲层、n型氮化镓、含C高缺陷密度层、量子阱、p型氮化镓、及在n型氮化镓与p型氮化镓上的n电极和P电极。
本发明至少包括以下有益效果：
本发明的发明人通过对氮化镓LED外延垒晶片的研究，发现外延垒晶片的缺陷会影响外延质量，但缺陷不够又会影响发光强度，本发明的发明人发现在量子阱成长前，在N-氮化镓上生长一层含C的高缺陷密度层，把缺陷密度打开，把外延垒晶过程中的缺陷尽量都集中于本层，在生长量子阱时就不再需要引入缺陷，可以在不影响外延垒晶的质量及后期制备成发光体的电性的前提下有效提高现有技术的淡化镓LED外延垒晶片制备成发光体的发光强度。
本发明的发明人通过对氮化镓基高光效LED外延垒晶片的研究，发现在制备含C的高缺陷密度层时，高缺陷密度层的C的含量浓度1016——1020cm-3，高缺陷密度层的厚度为100nm——1000nm之间时氮化镓系LED外延垒晶片的光效达到最佳。
本发明的发明人通过对氮化镓基高光效LED外延垒晶片中含C的高缺陷密度层的研究制备过程中发现，在制备高缺陷密度层时镓源选择三甲基镓，生长温度选择850℃-990℃之间，并在生长过程中以氯气或氯化氢气体为催化气体时生长的含C高缺陷密度层的质量最佳，垒晶生长速度最快，制备的氮化镓LED外延垒晶片用于后期的发光体中光效达到最佳。
本发明的发明人通过对氮化镓基高光效LED外延垒晶片的研究发现，在含C高缺陷密度层之后生长的量子阱进行改进，使其为多量子阱，量子阱≥7对，并在氮化镓量子阱中引入掺杂C，C堆积浓度范围为1016——1020cm-3，可以有效提高氮化镓LED外延垒晶片应用于发光体中，在不使用荧光粉激发的情况下就可以提高发光波长。
本发明的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本发明的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。
附图说明
说明书附图是为了进一步解释本发明，不是对本发明的发明保护范围的限制。
图1 为现有技术一般氮化镓LED外延垒晶片结构示意图。
图2为本发明氮化镓高光效LED外延垒晶片结构示意图A。
图3 为本发明氮化镓高光效LED外延垒晶片结构示意图B。
图4 为本发明氮化镓高光效LED外延垒晶片结构示意图C。
具体实施方式
在说明书中描述了本公开的实施例。所公开的实施例仅仅是示例，并且其他实施例可以采取各种和替代形式。数字不一定按比例；某些功能可能被夸大或最小化，以显示特定组件的细节。因此，公开的特定结构和功能细节不应被解释为限制性的，而是仅作为教导本领域技术人员各种应用实施例的代表性基础。
下面结合具体实施方式，对本发明做进一步详细的说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施，而非对本发明发明范围的限制。
实施例1
现有技术一般氮化镓LED外延垒晶片结构示意图如图1所示，包括：蓝宝石外延垒晶衬底1、缓冲层2、n型氮化镓3、量子阱4、p型氮化镓5，本发明在现有技术的基础在，如图2所示在量子阱4与n型氮化镓5之间包括一层高缺陷密度层6，其中高缺陷密度层6中含C，高缺陷密度层6中的高缺陷密度为在垒晶过程中由C引入，为提高氮化镓LED外延垒晶片后期用于发光体的光效，C在高缺陷密度层6中的含量浓度优选1018cm-3左右，高缺陷密度层为薄薄一层，其厚度控制在为100nm——1000nm之间。
实施例2
如图2所示，本发明氮化镓高光效LED外延垒晶片的制备方法，包括：
a 把蓝宝石外延垒晶衬底1放入MOCVD内。
b 在蓝宝石衬底上外延垒晶生长缓冲层2、n型CaN3。
c 在外延垒晶生长完n型CaN后，控制MOVCD内外延生长温度为910℃左右，MOCVD内通入的镓源为三甲基镓，同时通入氯气，进行外延垒晶生长高缺陷密度层6，控制，控制高缺陷密度层6中C的浓度范围为1019cm-3左右，高缺陷密度层的厚度控制在厚度为100nm——1000nm之间；
d 生长完高缺陷密度层6后，在高缺陷密度层6之上生长量子阱4及p-氮化镓层5。
实施例3
如图3所示，本发明氮化镓高光效LED外延垒晶片的制备方法，包括：
a 把蓝宝石外延垒晶衬底1放入MOCVD内。
b 在蓝宝石衬底上外延垒晶生长缓冲层2、n型CaN3。
c 在外延垒晶生长完n型CaN后，控制MOVCD内外延生长温度为910℃左右，MOCVD内通入的镓源为三甲基镓，同时通入氯气，进行外延垒晶生长高缺陷密度层6，控制，控制高缺陷密度层6中C的浓度范围为1019cm-3左右，高缺陷密度层的厚度控制在厚度为100nm——1000nm之间；
d 生长完高缺陷密度层6后，在高缺陷密度层6之上生长量子阱41，外延生长温度范围控制在870℃左右，MOCVD内通入的镓源为三甲基镓，同时持续通入氯气，控制量子阱41生长速率为1.2A/sec左右，量子阱41中C的浓度范围为1017cm-3左右，外延垒晶生长分布有C堆积的多量子阱41，量子阱41数≥7对；
e 量子阱之上外延垒晶生长p型CaN5。
实施例4
如图3所示，本发明氮化镓高光效LED外延垒晶片的制备方法，包括：
a 把蓝宝石外延垒晶衬底1放入MOCVD内。
b 在蓝宝石衬底上外延垒晶生长缓冲层2、n型CaN3。
c 在外延垒晶生长完n型CaN后，控制MOVCD内外延生长温度为910℃左右，MOCVD内通入的镓源为三甲基镓，同时通入氯气，进行外延垒晶生长高缺陷密度层6，控制，控制高缺陷密度层6中C的浓度范围为1019cm-3左右，高缺陷密度层的厚度控制在厚度为100nm——1000nm之间；
d 生长完高缺陷密度层6后，在高缺陷密度层6之上生长3对不含碳的量子阱42，之后控制外延生长温度在870℃左右，MOCVD内通入的镓源为三甲基镓，同时持续通入氯气，控制量子阱42生长速率为1.2A/sec左右，量子阱42中C的浓度范围为1017cm-3左右，总量子阱数控制在≥7对；
e 量子阱之上外延垒晶生长p型CaN5。
显而易见的是，本领域的技术人员可以从根据本发明的实施方式的各种结构中获得根据不麻烦的各个实施方式尚未直接提到的各种效果。
尽管本发明的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用。它完全可以被适用于各种适合本发明的领域。对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改。因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本发明并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。

Claims (11)

1.一种氮化镓基高光效LED外延垒晶片的制备方法，其特征在于，包括在n型氮化镓与量子阱之间生长含C高缺陷密度层，含C高缺陷密度层生长方法包括：完成n型氮化镓生长后，调整外延垒晶反应室内温度在600℃——990℃之间，以含甲基或乙基的气体源为部分垒晶源参与生长含C高缺陷密度层，引入C掺杂，控制含C高缺陷密度层中C含量浓度1016——1020cm-3，控制含C高缺陷密度层厚度在100nm——1000nm之间。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基高光效LED外延垒晶片的制备方法，其特征在于，其中所述含C高缺陷密度层生长的外延垒晶反应室为MOCVD外延垒晶反应室，在完成n型氮化镓生长后进行调整相应垒晶源及生长温度，直接进入含C高缺陷密度层生长。
3.根据权利要求2所述的氮化镓基高光效LED外延垒晶片的制备方法，其特征在于，其中所述在MOCVD内外延垒晶时生长含C高缺陷密度层过程中，其中以含甲基或乙基的气体源为部分垒晶源参与生长含C高缺陷密度层，含甲基或乙基的气体源为三甲基镓TMGa或三乙基镓TEGa。
4.根据权利要求3所述的氮化镓基高光效LED外延垒晶片的制备方法，其特征在于，其中所述在MOCVD内外延垒晶时成长含C高缺陷密度层过程中，通入MOCVD内的含镓的镓源为有机镓源三甲基镓TMGa。
5.根据权利要求1所述的氮化镓基高光效LED外延垒晶片的制备方法，其特征在于，其中所述在MOCVD内外延垒晶时成长含C高缺陷密度层过程中，不断通入氯气、或氯化物、或氯气与氯化物的混合气体作为生长含C高缺陷密度层的催化气体。
6.根据权利要求5所述的氮化镓基高光效LED外延垒晶片的制备方法，其特征在于，其中所述含C高缺陷密度层生长过程中MOCVD内引入的催化气体中氯化物为氯化氢气体。
7.根据权利要求1所述的氮化镓基高光效LED外延垒晶片的制备方法，其特征在于，其中所述高缺陷密度层外延生长温度选自：850℃-990℃之间。
8.根据权利要求1-7任一项所述的氮化镓基高光效LED外延垒晶片的制备方法，其特征在于，完成含C高缺陷密度层生长后，在含C高缺陷密度层上生长氮化镓量子阱，调整生长速率在0.2A/sec——1.2A/sec之间，阱与磊生长温差w控制在100℃>w>0℃，量子阱数量≥7对，在氮化镓量子阱中引入C掺杂，C堆积浓度范围为1016——1020cm-3。
9.根据权利要求8所述的氮化镓基高光效LED外延垒晶片的制备方法，其特征在于，其中所述的在氮化镓量子阱中引入C掺杂，为在第三对量子阱之后的量子阱中引入C掺杂，在第三对量子阱之后的量子阱中C堆积浓度范围为1016——1020cm-3。
10.根据权利要求1-9任一项所述的氮化镓基高光效LED外延垒晶片的制备方法制备的氮化镓基高光效LED外延垒晶片，其特征在于，外延层依次包括：缓冲层：在n型氮化镓与外延垒晶衬底之间生长氮化镓缓冲层；
n型氮化镓：生长于氮化镓高缺陷密度层之上，量子阱之下；
含C高缺陷密度层：在量子阱与n型氮化镓之间；
量子阱：为发光层，在高缺陷密度层与p型氮化镓之间；
p型氮化镓: 生长于氮化镓量子阱之上。
11.用权利要求10所述的氮化镓基高光效LED外延垒晶片制备的LED芯片，其特征在于包括：衬底、缓冲层、n型氮化镓、含C高缺陷密度层、量子阱、p型氮化镓、及在n型氮化镓与p型氮化镓上的n电极和P电极。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN119384124A (zh) * 2024-12-30 2025-01-28 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 Led外延结构及其制备方法和led器件

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0608674A1 (en) * 1993-01-26 1994-08-03 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw InAsSb light emitting diodes
CN1302082A (zh) * 1999-12-14 2001-07-04 理化学研究所 半导体层的形成方法
CN102315342A (zh) * 2011-09-02 2012-01-11 华灿光电股份有限公司 一种新型GaN基LED外延片及其制备方法
CN102479897A (zh) * 2010-11-23 2012-05-30 绿种子能源科技股份有限公司 具有凹坑层的发光二极管装置及其制造方法
JP2013038417A (ja) * 2011-07-20 2013-02-21 Ultratech Inc ＧａＮＬＥＤ用高速アニール
CN103035804A (zh) * 2011-08-26 2013-04-10 三星电子株式会社 氮化物半导体发光器件及其制造方法
CN103199163A (zh) * 2012-01-06 2013-07-10 华夏光股份有限公司 发光二极管装置
US20130175553A1 (en) * 2012-01-06 2013-07-11 Phostek, Inc. Light-emitting diode device
TW201347224A (zh) * 2012-05-08 2013-11-16 Phostek Inc 發光二極體及其製造方法
CN103650105A (zh) * 2011-06-30 2014-03-19 皮肯特研究有限责任公司 用于半导体器件的缺陷减轻结构
CN104900771A (zh) * 2015-06-24 2015-09-09 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种无荧光粉的高效白光led外延结构及其生长方法
CN106848008A (zh) * 2017-03-20 2017-06-13 圆融光电科技股份有限公司 一种利用v型缺陷改善led光电特性的方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0608674A1 (en) * 1993-01-26 1994-08-03 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw InAsSb light emitting diodes
CN1302082A (zh) * 1999-12-14 2001-07-04 理化学研究所 半导体层的形成方法
CN102479897A (zh) * 2010-11-23 2012-05-30 绿种子能源科技股份有限公司 具有凹坑层的发光二极管装置及其制造方法
CN103650105A (zh) * 2011-06-30 2014-03-19 皮肯特研究有限责任公司 用于半导体器件的缺陷减轻结构
JP2013038417A (ja) * 2011-07-20 2013-02-21 Ultratech Inc ＧａＮＬＥＤ用高速アニール
CN103035804A (zh) * 2011-08-26 2013-04-10 三星电子株式会社 氮化物半导体发光器件及其制造方法
CN102315342A (zh) * 2011-09-02 2012-01-11 华灿光电股份有限公司 一种新型GaN基LED外延片及其制备方法
CN103199163A (zh) * 2012-01-06 2013-07-10 华夏光股份有限公司 发光二极管装置
US20130175553A1 (en) * 2012-01-06 2013-07-11 Phostek, Inc. Light-emitting diode device
TW201347224A (zh) * 2012-05-08 2013-11-16 Phostek Inc 發光二極體及其製造方法
CN104900771A (zh) * 2015-06-24 2015-09-09 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种无荧光粉的高效白光led外延结构及其生长方法
CN106848008A (zh) * 2017-03-20 2017-06-13 圆融光电科技股份有限公司 一种利用v型缺陷改善led光电特性的方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN119384124A (zh) * 2024-12-30 2025-01-28 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 Led外延结构及其制备方法和led器件

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