CN109963820B - 玻璃基板的制造装置及制造方法 - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 141
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 105
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 70
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 18
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 104
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 7
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 6
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002438 flame photometric detection Methods 0.000 description 3
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000003280 down draw process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000007600 charging Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007786 electrostatic charging Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
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- B65G49/063—Transporting devices for sheet glass
- B65G49/064—Transporting devices for sheet glass in a horizontal position
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G2201/00—Indexing codes relating to handling devices, e.g. conveyors, characterised by the type of product or load being conveyed or handled
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- B65G2201/0214—Articles of special size, shape or weigh
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
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Abstract
本发明的玻璃基板(P)的制造装置(10)具备将玻璃基板(P)沿规定的方向(X1)输送的输送装置(11)和表面处理装置(12)。表面处理装置(12)具备:箱体(14);在箱体(14)中的一个主表面(P1)侧开口的开口部(17);以相对于开口部(17)能够拆卸的方式安装,且具有用于向一个主表面(P1)供给处理气体(Ga)的供气口(31)的一个或多个供气单元(18)。这里,供气单元(18)安装在开口部(17)中的沿着玻璃基板(P)的输送方向(X1)的多个位置处。
Description
技术领域
本发明涉及玻璃基板的制造装置及制造方法,尤其是涉及对成为玻璃基板的板状玻璃的一个主表面实施基于处理气体的表面处理的装置及方法。
背景技术
众所周知,关于近年来的图像显示装置,液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、场发射显示器(FED)、有机EL显示器(OLED)等所代表的平板显示器(以下仅称为FPD。)成为主流。针对这些FPD推进了轻质化,因此,针对用于FPD的玻璃基板,对薄板化的要求也变高。
上述的玻璃基板通过如下方式等而得到:将例如通过各种下拉法所代表的板状玻璃的成形方法而成形为带状的板状玻璃(带状板玻璃)切断成规定的尺寸,将切断后的板状玻璃的宽度方向(是指与带状板玻璃的表背面平行且与长边方向正交的朝向。以下相同。)两端部分进一步切断,之后,根据需要,对各切断面实施研磨加工。
然而,在制造这种玻璃基板时,该制造过程中的静电的带电有时成为问题。即,作为绝缘体的玻璃具有非常容易带电的性质,在玻璃基板的制造工序中,例如在载置台上载置玻璃基板并实施规定的加工时,有时由于玻璃基板与载置台的接触剥离而使玻璃基板带电(有时将这种情况称为剥离带电。)。当导电性的物体接近带了电的玻璃基板时产生放电,由于该放电,可能导致形成在玻璃基板的表面上的构成各种元件或电子电路的电极线的破损、或者玻璃基板自身的破损(有时将这种情况称为绝缘破坏或静电破坏。)。另外,带了电的玻璃基板容易粘贴在载置台上,通过蛮力将该玻璃基板剥离,也可能导致玻璃基板的破损。这当然会成为显示不良的原因,因此,是应尽量避免的情况。
作为用于避免上述情况的方法,例如考虑如下方法:通过向玻璃基板的背面(与载置台的载置面接触的一侧的面)供给规定的处理气体而对背面实施表面处理,由此,使背面粗面化。存在玻璃基板与载置台的接触面积越大,剥离时的带电量越增大的倾向,因此,通过使与载置台的载置面接触的玻璃基板的背面粗面化,期待能够减少玻璃基板与载置台的接触面积,实现剥离时的带电抑制。另外,鉴于玻璃基板的接触面(背面)越平滑则越容易粘贴于载置面那样的平滑面这一点,如上所述,通过将玻璃基板的背面粗面化而使例如该背面的表面粗糙度大于载置面的表面粗糙度,从而能够使玻璃基板难以粘贴在载置面上,由此,期待能够防止剥离时的玻璃基板的破损。
这里,作为如上述那样能够进行表面处理的结构,例如在下述专利文献1中记载了一种表面处理装置,具备:将玻璃基板在载置的状态下沿规定的方向输送的输送单元;以及将包含氟化氢气体的处理气体朝向输送路径上的玻璃基板的一个主表面(成为背面的一侧的主表面)供给、且将供给后的处理气体向排气系统排出的喷射器。这里,在喷射器上,与氟化氢气体源连接的第一狭缝设置于玻璃基板的输送方向规定位置,并且,与载气源连接的第二狭缝设置于第一狭缝的上述输送方向两侧的规定位置。另外,与排气系统连接的第三狭缝设置于比第二狭缝更靠上述输送方向两侧的规定位置。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014-80331号公报
发明内容
发明要解决的课题
在像这样利用处理气体来实施表面处理的情况下,表面处理的结果(处理后的表面品质)不但被输送单元输送玻璃基板的输送速度大幅左右,还被处理气体的种类、供给量、供给位置大幅左右。因此,在实际上实施上述的表面处理时,需要根据成为处理对象的玻璃基板的材质、尺寸、制造线的结构等,适当地设定玻璃基板的输送速度、处理气体的种类、供给量及供给位置(专利文献1中为第一狭缝及第二狭缝的位置)等。然而,在专利文献1所记载的表面处理装置中,供给处理气体的第一狭缝及第二狭缝被固定在预先规定的位置,因此,无法根据玻璃基板的种类(材质、厚度、输送方向尺寸等)来变更处理气体的供给位置。此时,在变更了成为制造对象的玻璃基板的情况下,难以实施品质优良的表面处理。
鉴于以上情况,通过本发明应解决的技术课题在于,不依赖于成为玻璃基板的板状玻璃的种类地对该板状玻璃实施品质优良的表面处理。
用于解决课题的方案
所述课题的解决通过本发明的玻璃基板的制造装置来实现。即,该制造装置是一种玻璃基板的制造装置,具备:输送装置,其将成为玻璃基板的板状玻璃沿规定的方向输送;以及表面处理装置,其向由输送装置输送的板状玻璃的一个主表面供给处理气体而实施规定的表面处理,所述玻璃基板的制造装置的特征在于,表面处理装置具备:箱体;开口部,其在箱体中的一个主表面侧开口;以及一个或多个供气单元,一个或多个所述供气单元以相对于开口部能够拆卸的方式安装,且具有用于向一个主表面供给处理气体的供气口,供气单元能够安装在开口部中的沿着板状玻璃的输送方向的多个位置。
这样,在本发明中,能够使具有用于向输送的板状玻璃的一个主表面供给处理气体的供气口的构件单元化而安装于沿着板状玻璃的输送方向的多个位置。通过这样构成,仅通过变更供气单元的安装位置就能够容易地调整供气口的输送方向位置。因此,即便在需要变更所输送的板状玻璃的种类的情况下,也能够容易地设定最佳的处理条件,由此,能够对板状玻璃实施品质优良的表面处理。或者,即便是同一种类的板状玻璃,也有时可能根据生产状况或制造线的其他部分的结构而变更输送速度,但在这种情况下,也能够通过变更供气单元的安装位置而容易地设定包含处理气体的供给位置在内的供给条件,能够实施品质优良的表面处理。
另外,在本发明中,在表面处理装置的箱体设置有开口部,并且在该开口部安装有上述结构的供气单元,因此,能够将供气单元的例如包含配管系统在内的大部分配置于箱体的内部空间。由此,能够将表面处理装置不大型化到需要以上的程度而组入到制造线中。另外,能够使箱体内部的大部分成为空腔,因此,即便在变更或追加了供气单元的安装位置的情况下,也不用担心与其他构件的干涉成为问题。
另外,本发明的玻璃基板的制造装置也可以是,还具备排气单元,该排气单元以相对于开口部能够拆卸的方式安装,用于进行处理气体的排气,排气单元能够安装在开口部中的沿着输送方向的多个位置。
根据上述结构,仅通过变更排气单元的安装位置,从而即便是关于处理气体的排气口,也能够容易地调整其输送方向位置。排气口的位置与供气口的位置同样地,是对与一个主表面相面对的空间内的处理气体的流动造成影响的因素,因此,通过如上述那样调整排气口的位置,能够设定最佳的处理条件。因此,能够容易地重新设定处理气体对板状玻璃的处理条件,由此,也能够对板状玻璃实施品质优良的表面处理。
另外,本发明的玻璃基板的制造装置也可以是,还具备虚设单元,该虚设单元以相对于开口部能够拆卸的方式安装,用于封堵开口部,虚设单元能够安装在开口部中的沿着输送方向的多个位置。
根据上述结构,在箱体的开口部安装有一个或多个供气单元以及根据需要而安装有排气单元时,能够利用虚设单元来封堵开口部的剩余部分。由此,能够容易地调整供气单元的安装位置。另外,能够利用虚设单元完全地封堵开口部,因此,即便在供气单元等采取了任意配置的情况下,也能够不阻碍处理气体的流动地容易地实施品质优良的表面处理。另外,通过进行单元化,能够使供气单元与尺寸共通化而容易地置换供气单元与虚设单元的位置。因此,能够迅速地进行重组。
另外,本发明的玻璃基板的制造装置也可以是,供气单元具有间隙形成面,在供气单元安装于开口部的状态下,该间隙形成面与一个主表面之间形成规定的间隙。在还具备排气单元和虚设单元的情况下,关于这些排气单元和虚设单元,也可以具有间隙形成面。
通过像这样在安装于开口部的各单元设置间隙形成面,能够与各单元的安装位置无关地,在间隙形成面与一个主表面之间形成规定的间隙。由此,能够始终调整对处理气体的流动造成影响的间隙的大小、形状,因此,能够更加稳定地实施品质优良的表面处理。
另外,本发明的玻璃基板的制造装置也可以是,供气单元具有辊,在供气单元安装于开口部的状态下,该辊对由输送装置输送的板状玻璃的一个主表面进行支承。在还具备排气单元和虚设单元的情况下,关于这些排气单元和虚设单元,也可以具有对一个主表面进行支承的辊。
这样,通过将对板状玻璃的一个主表面进行支承的辊设置于各单元,从而能够将这些辊作为输送装置的构成要素而组入到表面处理装置中。由此,即便在板状玻璃沿输送方向具有较大的尺寸的情况下,也能够对通过表面处理装置的部分可靠地进行支承,从而与各单元之间形成规定的间隙。因此,由此也能够稳定地实施品质优良的表面处理。
另外,本发明的玻璃基板的制造装置也可以是,供气单元以嵌合的方式安装于开口部,由此,将箱体的内部空间密闭。在还具备排气单元和虚设单元的情况下,关于这些排气单元和虚设单元,也可以以嵌合的方式安装于开口部,由此,将箱体的内部空间密闭。
通过这样构成,即便在采用以相对于开口部能够拆卸的方式安装各单元的结构的情况下,能够可靠地将箱体的内部空间密闭。由此,能够尽可能地避免阻碍间隙中的处理气体的流动的事态而稳定地实施表面处理。另外,如后所述,在将箱体的内部空间与排气单元相连而构成排气系统的情况下,能够通过将箱体的内部空间密闭来确保所需要的排气性能。
另外,在具备排气单元的情况下,本发明的玻璃基板的制造装置也可以是,在排气单元设置有第一排气口,该第一排气口将一个主表面和排气单元之间的空间与箱体的内部空间相连,箱体的内部空间与处理气体用的洗涤器相连。
通过像这样采用将箱体的内部空间与处理气体用的洗涤器相连的结构,能够与排气单元的安装位置无关地,更加简单地构成处理气体的排气系统。另外,在被排出的气体中不仅包含处理气体也包含外部气体(通常为空气),因此,即便包含处理气体,其浓度也比供气时刻的浓度低。因此,能够在不那么考虑耐蚀性的情况下构成在箱体的内部空间从排气单元到洗涤器的排气系统。
另外,本发明的玻璃基板的制造装置也可以是,在箱体中的板状玻璃的输送方向两端部设置有第二排气口,该第二排气口将一个主表面和箱体之间的空间与箱体的内部空间相连,箱体的内部空间与处理气体用的洗涤器相连。
针对供气口与排气口的位置关系进行了研究,其结果是,判明了在采用一个或多个供气口配置于板状玻璃的输送方向中央侧且两个排气口配置于板状玻璃的输送方向两端部的结构的情况下,在板状玻璃的输送方向整个区域(表面处理装置的输送方向上的处理区域的整个区域)形成均匀的处理气体的流动。因此,通过在箱体中的板状玻璃的输送方向两端部设置将一个主表面和箱体之间的空间与箱体的内部空间相连的第二排气口,能够防止处理气体向装置外的流出,同时能够在与板状玻璃之间形成良好的处理气体的流动。这些第二排出口均能够成为固定于箱体的状态,因此,不会对区段更换(各单元的置换)造成影响。
另外,本发明的玻璃基板的制造装置也可以是,供气单元与安装于箱体的连通管的一端侧连接,连通管的另一端侧经由柔性管而与位于箱体的外部的处理气体产生装置连接。
通过这样构成,通常,能够在固定了设置于箱体附近的处理气体产生装置的状态下,容易且迅速地应对供气单元的位置更换。因此,能够享受在短时间内完成区段更换的优点。
另外,所述课题的解决也通过本发明的玻璃基板的制造方法来实现。即,该制造方法是一种玻璃基板的制造方法,具备:将成为玻璃基板的板状玻璃沿规定的方向输送的输送工序;以及对沿规定的方向输送的板状玻璃的一个主表面实施规定的表面处理的表面处理工序,所述玻璃基板的制造方法的特征在于,表面处理工序通过向由表面处理装置沿规定的方向输送的板状玻璃的一个主表面供给处理气体来进行,表面处理装置具备:箱体;开口部,其在箱体中的一个主表面侧开口;以及一个或多个供气单元,一个或多个所述供气单元以相对于开口部能够拆卸的方式安装,且具有用于向一个主表面供给处理气体的供气口,供气单元能够安装在开口部中的沿着板状玻璃的输送方向的多个位置。
根据本发明的制造方法,与上述的本发明的制造装置同样地,仅通过变更供气单元的安装位置就能够容易地调整供气口的输送方向位置。因此,即便在需要变更所输送的板状玻璃的种类的情况下,也能够容易地设定最佳的处理条件,由此,能够对板状玻璃实施品质优良的表面处理。或者,即便是同一种类的板状玻璃,也有时可能根据生产状况或制造线的其他部分的结构而变更输送速度,但在这种情况下,也能够容易地设定包含处理气体的供给位置在内的供给条件,能够实施品质优良的表面处理。
另外,在本发明中,在表面处理装置的箱体设置有开口部,并且在该开口部安装有上述结构的供气单元,因此,能够将供气单元的例如包含配管系统在内的大部分配置于箱体的内部空间。由此,能够将表面处理装置不大型化到需要以上的程度而组入到制造线中。另外,能够使箱体内部的大部分成为空腔,因此,即便在变更或追加了供气单元的安装位置的情况下,与其他构件的干涉也不会成为问题。
发明效果
如以上所述,根据本发明,能够不依赖于成为玻璃基板的板状玻璃的种类地,对该板状玻璃实施品质优良的表面处理。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的玻璃基板的制造装置的剖视图。
图2是图1所示的表面处理装置的主要部分俯视图。
图3是将图1所示的表面处理装置的各单元拆卸后的状态下的主要部分俯视图。
图4是图2所示的表面处理装置的主要部分A-A剖视图。
图5是从箭头B的方向观察图2所示的供气单元的剖视图。
图6是图5所示的供气单元的C-C剖视图。
图7是从箭头D的方向观察图2所示的排气单元的剖视图。
图8是用于对使用了图1所示的表面处理装置的表面处理的一例进行说明的主要部分放大图。
图9是本发明的第二实施方式的玻璃基板的制造装置的剖视图。
具体实施方式
以下,参照图1~图8对本发明的第一实施方式进行说明。需要说明的是,在本实施方式中,以对从作为板状玻璃的成形后的带状板玻璃按照规定的尺寸切出的玻璃基板的背面实施表面处理的情况为例进行说明。
图1示出本发明的第一实施方式的玻璃基板的制造装置10的一实施方式。该制造装置10具备:用于将玻璃基板P沿规定的方向X1输送的输送装置11;对由输送装置11输送的玻璃基板P的一个主表面P1(图1中为下表面)实施规定的表面处理的表面处理装置12;以及收容输送装置11及表面处理装置12的处理槽13。
其中,表面处理装置12用于向玻璃基板P的一个主表面P1供给处理气体Ga而实施规定的表面处理,主要具备:箱体14;在与箱体14之间形成玻璃基板P的插通通道15的头部16;形成在箱体14中的面向插通通道15的一侧(在本实施方式中为上侧)的开口部17;以及安装于开口部17的供气单元18。在本实施方式中,表面处理装置12还具备与供气单元18一起安装于开口部17的排气单元19和虚设单元20a、20b。以下,详细说明各构成要素。
箱体14如图1及图2所示那样呈箱状,在箱体14的上侧(面向玻璃基板P的一侧),在玻璃基板P的输送方向X1的大致整个区域设置有开口部17。这里,开口部17具有:与供气单元18、排气单元19及虚设单元20a、20b抵接的底部21;位于底部21的宽度方向(是指与玻璃基板P的输送方向X1正交的方向。以下,在本说明书中相同。)两侧的侧壁部22;以及设置于底部21、且将箱体14的内部空间23与箱体14的外部空间24(这里为箱体14的外部空间且处理槽13的内部空间。)、尤其是插通通道15侧的空间相连的连通孔25。在本实施方式中,如图3所示,在连通孔25的周围配设有O型圈等密封构件26,在底部21上载置有供气单元18、排气单元19及虚设单元20a、20b的状态下,成为连通孔25被封堵且箱体14的内部空间23相对于外部空间24密封的状态(参照图4)。
另外,在箱体14的玻璃基板P的输送方向X1两端部安装有排气口形成构件27,在箱体14与排气口形成构件27之间形成有沿宽度方向延伸的狭缝状的排气口28(参照图2)。该排气口28经由设置于箱体14的输送方向X1两端部的连通孔29(参照图1)而与内部空间23相连,能够进行利用后述的洗涤器30(参照图1)的排气。
接着,进行供气单元18、排气单元19及虚设单元20a、20b的说明。
供气单元18、排气单元19及虚设单元20a、20b分别安装为相对于箱体14的开口部17能够拆卸。在本实施方式中,两个供气单元18、一个排气单元19及五个虚设单元20a、20b分别安装在开口部17的沿着输送方向X1的规定的位置(参照图1)。详述的话,从开口部17中的输送方向X1的最靠上游侧起依次配设有虚设单元20b、供气单元18、虚设单元20a、虚设单元20a、虚设单元20a、供气单元18、排气单元19、虚设单元20a。这里,如图2所示,各单元18~20a的输送方向尺寸C1~C3(除了最靠上游侧的虚设单元20b之外)相同,并且,宽度方向尺寸W1~W3也相同。在该情况下,除了排气口形成构件27之外的箱体14的输送方向尺寸L(参照图3)与安装于开口部17的供气单元18、排气单元19及虚设单元20a、20b的输送方向尺寸C1~C3的总和(参照图2)相等。另外,各单元18~20a、20b以相互在输送方向X1上抵接的状态安装于开口部17(参照图1)。由此,供气单元18、排气单元19及虚设单元20a能够相对于开口部17的沿着输送方向X1的多个位置(在图示例中为除了最靠上游侧之外的七个位置)任意地安装。
另外,位于开口部17的宽度方向两侧的侧壁部22的内侧面22a、22a间的距离T(参照图3)同样与安装于开口部17的供气单元18、排气单元19及虚设单元20a、20b的宽度方向尺寸W1~W3(参照图2)分别相等。由此,各单元18~20a、20b处于例如通过镶嵌嵌合而安装于开口部17的状态(参照图2及图4)。通过以上的安装方式,箱体14的内部空间23相对于外部空间24处于密闭的状态。
其中,如图1及图5所示,供气单元18具有朝向玻璃基板P的插通通道15开口且用于朝向玻璃基板P的一个主表面P1供给处理气体Ga的供气口31、以及将由处理气体产生装置32(参照图1)产生的处理气体Ga向供气口31导入的导入部33。这里,例如如图2所示,供气口31形成为在宽度方向上延伸的狭缝形状,导入部33具有规定形态的导入通道34,以使得能够在该形成为狭缝形状的供气口31的宽度方向整个区域内均匀地导入处理气体Ga。导入部33的一部分通过箱体14的连通孔25而位于内部空间23。
图6示出处理气体Ga的导入通道34的一形态。该图所示的导入通道34形成为从处理气体产生装置32侧朝向供气口31侧分支为多级的形态,由此,能够在供气口31的宽度方向(图6为左右方向)整个区域内尽量均匀地导入处理气体Ga。在本实施方式中,设置有两个导入通道34,在各导入通道34的与供气口31相反的一侧的端部34a连接有连通管35(图5中以双点划线示出)的一端。需要说明的是,此时,如图5所示,也可以在端部34a的内周设置O型圈等密封构件36。如图1所示,连通管35仅安装于在箱体14的与开口部17相反的一侧的部分形成的多个管安装部37(参照图3)中的、位于供气单元18的下方的管安装部37。在连通管35的另一端,经由柔性管38而连接有处理气体产生装置32。在未安装连通管35的管安装部37安装有盖39。由此,能够与供气单元18的安装位置无关地,在处于被设置固定的状态的处理气体产生装置32上连接供气单元18。
如图7所示,排气单元19具有用于进行朝向玻璃基板P的一个主表面P1供给的处理气体Ga的排气的排气口40。该排气口40将箱体14的外部空间24、尤其是玻璃基板P的一个主表面P1和排气单元19之间的空间与箱体14的内部空间23相连,在本实施方式中,形成为沿宽度方向延伸的狭缝形状(参照图2)。
另外,箱体14的内部空间23经由例如设置于箱体14的下部的连通孔41而与洗涤器30相连(参照图1)。由此,朝向玻璃基板P的一个主表面P1供给的处理气体Ga经由排气单元19的排气口40及箱体14的内部空间23被洗涤器30引入。
另外,在本实施方式中,除了排气单元19的排气口40之外,还在箱体14的输送方向两端设置有排气口28,该排气口28与箱体14的内部空间23相连(参照图1)。由此,在插通通道15的输送方向两端,处理气体Ga或外部气体经由排气口28及箱体14的内部空间23被洗涤器30引入。
虚设单元20a、20b以将安装于开口部17的供气单元18与排气单元19的间隙填充而封堵开口部17的目的安装。因此,虚设单元20a、20b不具有用于向玻璃基板P的一个主表面P1侧的空间进行供气排气的功能。
需要说明的是,在本实施方式中,供气单元18、排气单元19及虚设单元20a、20b均具有在安装于开口部17的状态下与玻璃基板P的一个主表面P1之间形成规定的间隙42的间隙形成面43a~43c(参照图8)。此时,供气单元18的间隙形成面43a采用使供气口31的附近部分与其周围的部分相比向插通通道15这一侧突出的形态。在该情况下,一个主表面P1与间隙形成面43a的间隙42在供气口31的附近部分成为最小。
另外,在本实施方式中,供气单元18、排气单元19及虚设单元20a、20b均具有在安装于开口部17的状态下、对由输送装置11输送的玻璃基板P的一个主表面P1进行支承的支承辊44a~44c。由此,玻璃基板P一边被输送装置11的支承辊45(参照图1)和设置于各单元18~20a、20b的支承辊44a~44c支承一边沿规定的方向X1输送。
另外,在本实施方式中,供气单元18、排气单元19及虚设单元20a、20b均具有加热器46a~46c(参照图8)。由此,在安装于开口部17的状态下,能够调整在与玻璃基板P的一个主表面P1之间的间隙42中流动的处理气体Ga的温度。
对于成为表面处理的对象的玻璃基板P,例如使用如下的玻璃基板:通过溢流下拉法所代表的下拉法或浮法等公知的方法将成形为带状的板状玻璃(带状板玻璃)切断成规定的长边方向尺寸之后,根据需要实施两条边或四条边的研磨加工而得到。另外,关于玻璃基板P的尺寸未特别限制,但例如沿着输送方向X1的朝向的尺寸期望大于表面处理装置12的输送方向尺寸(实质上是箱体14的输送方向尺寸L)。
根据采用以上结构的表面处理装置12,例如能够作出以下那样的处理气体Ga的流动,而对一个主表面P1实施规定的表面处理。即,如图8所示,在玻璃基板P由输送装置11导入到表面处理装置12的内部(插通通道15)的状态下,利用处理气体产生装置32产生规定的处理气体Ga,例如将氟化氢气体与氮气等载气混合而成的处理气体Ga。然后,将该处理气体Ga经由柔性管38、连通管35及导入通道34从供气口31向与一个主表面P1之间的间隙42供给。另外,利用洗涤器30向箱体14的内部空间23作用引入力,进行经由与内部空间23相连的各排气口28、40(参照图8)供给至间隙42的处理气体Ga的排气。由此,间隙42被处理气体Ga充满,并且在间隙42内形成处理气体Ga的规定的流动。另外,利用配置在间隙42的输送方向X1两端的排气口28(参照图1),尽可能地防止处理气体Ga向间隙42的外侧、即表面处理装置12的外侧的漏出。当然,也可以在处理槽13中设置任意的排气单元,对处理槽13的内部空间实施规定的排气处理,对此省略图示。
这样,一边持续供给处理气体Ga,一边向插通通道15导入玻璃基板P,当玻璃基板P通过插通通道15之后,利用处理气体Ga对一个主表面P1进行的表面处理完成。而且,通过该处理,实现了一个主表面P1的粗面化,另一方面,另一个主表面P2(图8中为上表面)的表面性状及表面精度得以维持。作为一例,当以表面粗糙度Ra的变化对上述粗面化进行说明时,可以以如下方式设定利用处理气体Ga对一个主表面P1进行处理的表面处理条件:在上述表面处理的前后,一个主表面P1的表面粗糙度Ra[nm]在0.1nm以上且1.8nm以下的范围内提高(在此为增加),更优选在0.1nm以上且0.8nm以下的范围内提高。通过在上述范围内使一个主表面P1的表面粗糙度Ra提高,从而在表面处理以后的制造工序中,能够避免玻璃基板P产生实质上成为问题这一级别的带电的事态。需要说明的是,这里所说的表面粗糙度Ra[nm]是指通过使用JIS R 1683:2007的方法进行测定而得到的值。
这样,在本发明的第一实施方式的制造装置10中,能够将具有用于向由输送装置11输送的玻璃基板P的一个主表面P1供给处理气体Ga的供气口31的构件单元化而安装于沿着玻璃基板P的输送方向X1的多个位置。通过这样构成,仅通过变更供气单元18的安装位置,就能够容易地调整供气口31的输送方向X1的位置。因此,即便在需要变更所输送的玻璃基板P的种类的情况下,也能够容易地设定最佳的处理条件,由此,能够对玻璃基板P实施品质优良的表面处理。或者,即便是同一种类的玻璃基板P,也有时可能根据生产状况或制造线的其他部分的结构而变更输送装置11的输送速度,但在这种情况下,也能够容易地设定包含处理气体Ga的供给位置在内的供给条件,能够实施品质优良的表面处理。
另外,在本实施方式中,在该箱体14设置开口部17,并且在该开口部17安装上述结构的供气单元18,因此,能够将供气单元的包含导入通道34在内的大部分配置于箱体14的内部空间23。由此,能够将表面处理装置12不大型化到需要以上的程度而组入到制造线中。另外,能够使箱体14内部的大部分成为空腔,因此,即便在变更或追加了供气单元18的安装位置的情况下,也不用担心与其他构件的干涉成为问题。
另外,在本实施方式中,将排气口28、40与箱体14的内部空间23相连,并且将该内部空间23与洗涤器30相连。这样,通过将箱体14的内部空间23构成为排气系统的一部分,从而仅通过变更排气单元19的安装位置就能够容易地将排气口40与洗涤器30相连。另外,通过将内部空间23设为排气系统的一部分,从而即便在变更供气单元18的安装位置的情况下,供气系统与排气系统也不会发生干涉。因此,仅通过变更供气单元18与连通管35的安装位置,就能够容易地变更供气口31的位置。
以上,对本发明的第一实施方式的玻璃基板P的制造装置10及制造方法进行说明,但这些制造装置10及制造方法当然在本发明的范围内能够采用任意的方式。
例如,在第一实施方式中,例示了将两个供气单元18、一个排气单元19及五个虚设单元20a、20b安装于开口部17的情况,但当然不仅能够变更供气单元18的位置,还能够变更数量。图9示出该一例(本发明的第二实施方式)的玻璃基板P的制造装置50的剖视图。如图9所示,该制造装置50与第一实施方式同样地,具备输送装置11、表面处理装置51以及处理槽13,另一方面,表面处理装置51的结构与第一实施方式的表面处理装置12不同。具体而言,该表面处理装置51在箱体14的开口部17安装有三个供气单元18和五个虚设单元20a、20b。与第一实施方式进行比较的话,采用了将从上游侧(图1及图9中为左侧)数第四个虚设单元20a置换为供气单元18、并且将从上游侧数第七个排气单元19置换为虚设单元20a的形态。
这样,通过增加供气单元18的个数,能够减小每个供气单元18(供气口31)所负责的一个主表面P1的处理面积。因此,例如能够在供气口31、31之间尽可能避免产生因处理气体Ga停滞而使其浓度下降的区域,能够对一个主表面P1实施品质均匀且充分的表面处理。另外,若如本实施方式那样采用在箱体14的输送方向X1的两端配设了一对排气口28的形态,则如图9所示,即便采用排气单元19的个数为零的结构,也能够尽可能地防止处理气体Ga向表面处理装置51外的漏出,因此,没有特别的问题。
另外,在以上的说明中,作为开口部17,例示了在底部21上存在有在输送方向X1上连续的一个空间的情况,但当然也可以采用除此以外的结构。例如如上述实施方式那样,在供气单元18、排气单元19及虚设单元20a的输送方向尺寸C1~C3和宽度方向尺寸W1~W3均相等的情况下,当然也可以以将一对侧壁部22、22相连的方式设置沿宽度方向延伸的分隔壁(省略图示),在由这些分隔壁与侧壁部22、22划分的多个单元收容部(省略图示)选择配置各单元18~20a。
另外,在上述实施方式中,各排气口28、40构成为经由箱体14的内部空间23而与洗涤器30相连,但当然也可以采用除此以外的结构。例如也可以通过利用规定的配管将设置于箱体14的侧部的连通孔29与设置于箱体14的底部的连通孔41连接,从而将排气口28与洗涤器30相连。在该情况下,箱体14的内部也可以不为空腔,只要能够避免与各单元18~20a的干涉即可,能够采用任意的结构。
另外,在以上的说明中,说明了对从带状板玻璃切出的玻璃基板P的一个主表面P1实施了规定的表面处理的情况,但当然也能够对带状板玻璃的任一个主表面应用本发明。即,即便在仅对成形为带状并沿宽度方向切断之后卷绕了其长边方向一端或两端的玻璃薄膜表背一方的面实施表面处理的情况下,也能够优选实施上述结构的表面处理,对此省略图示。
Claims (9)
1.一种玻璃基板的制造装置,其具备:
输送装置,其将成为玻璃基板的板状玻璃沿规定的方向输送;以及
表面处理装置,其向由所述输送装置输送的所述板状玻璃的一个主表面供给处理气体而实施规定的表面处理,
所述玻璃基板的制造装置的特征在于,
所述表面处理装置具备:
箱体;
开口部,其在所述箱体中的所述一个主表面侧开口;以及
一个或多个供气单元,一个或多个所述供气单元以相对于所述开口部能够拆卸的方式安装,且具有用于向所述一个主表面供给所述处理气体的供气口,
所述供气单元能够安装在所述开口部中的沿着所述板状玻璃的输送方向的多个位置,
所述表面处理装置还具备虚设单元,该虚设单元以相对于所述开口部能够拆卸的方式安装,用于封堵所述开口部,所述虚设单元能够安装在所述开口部中的沿着所述输送方向的多个位置。
2.根据权利要求1所述的玻璃基板的制造装置,其特征在于,
所述玻璃基板的制造装置还具备排气单元,该排气单元以相对于所述开口部能够拆卸的方式安装,用于进行所述处理气体的排气,所述排气单元能够安装在所述开口部中的沿着所述输送方向的多个位置。
3.根据权利要求2所述的玻璃基板的制造装置,其特征在于,
在所述排气单元设置有第一排气口,该第一排气口将所述一个主表面和所述排气单元之间的空间与所述箱体的内部空间相连,所述箱体的内部空间与所述处理气体用的洗涤器相连。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的玻璃基板的制造装置,其特征在于,
所述供气单元具有间隙形成面,在所述供气单元安装于所述开口部的状态下,该间隙形成面与所述一个主表面之间形成规定的间隙。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的玻璃基板的制造装置,其特征在于,
所述供气单元具有辊,在所述供气单元安装于所述开口部的状态下,该辊对由所述输送装置输送的所述板状玻璃的所述一个主表面进行支承。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的玻璃基板的制造装置,其特征在于,
所述供气单元以嵌合的方式安装于所述开口部,由此,将所述箱体的内部空间密闭。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的玻璃基板的制造装置,其特征在于,
在所述箱体中的所述板状玻璃的输送方向两端部设置有第二排气口,该第二排气口将所述一个主表面和所述箱体之间的空间与所述箱体的内部空间相连,所述箱体的内部空间与所述处理气体用的洗涤器相连。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的玻璃基板的制造装置,其特征在于,
所述供气单元与安装于所述箱体的连通管的一端侧连接,所述连通管的另一端侧经由柔性管而与位于所述箱体的外部的处理气体产生装置连接。
9.一种玻璃基板的制造方法,其具备:
将成为玻璃基板的板状玻璃沿规定的方向输送的输送工序;以及
对沿所述规定的方向输送的所述板状玻璃的一个主表面实施规定的表面处理的表面处理工序,
所述玻璃基板的制造方法的特征在于,
所述表面处理工序通过由表面处理装置向沿所述规定的方向输送的所述板状玻璃的所述一个主表面供给处理气体来进行,
所述表面处理装置具备:
箱体;
开口部,其在所述箱体中的所述一个主表面侧开口;以及
一个或多个供气单元,一个或多个所述供气单元以相对于所述开口部能够拆卸的方式安装,且具有用于向所述一个主表面供给所述处理气体的供气口,
所述供气单元能够安装在所述开口部中的沿着所述板状玻璃的输送方向的多个位置,
所述表面处理装置还具备虚设单元,该虚设单元以相对于所述开口部能够拆卸的方式安装,用于封堵所述开口部,所述虚设单元能够安装在所述开口部中的沿着所述输送方向的多个位置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016223248A JP6665760B2 (ja) | 2016-11-16 | 2016-11-16 | ガラス基板の製造装置及び製造方法 |
JP2016-223248 | 2016-11-16 | ||
PCT/JP2017/037958 WO2018092506A1 (ja) | 2016-11-16 | 2017-10-20 | ガラス基板の製造装置及び製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109963820A CN109963820A (zh) | 2019-07-02 |
CN109963820B true CN109963820B (zh) | 2021-12-31 |
Family
ID=62146441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201780070959.4A Active CN109963820B (zh) | 2016-11-16 | 2017-10-20 | 玻璃基板的制造装置及制造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6665760B2 (zh) |
KR (1) | KR102312556B1 (zh) |
CN (1) | CN109963820B (zh) |
TW (1) | TWI722251B (zh) |
WO (1) | WO2018092506A1 (zh) |
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2017
- 2017-10-20 CN CN201780070959.4A patent/CN109963820B/zh active Active
- 2017-10-20 WO PCT/JP2017/037958 patent/WO2018092506A1/ja active Application Filing
- 2017-10-20 KR KR1020197016656A patent/KR102312556B1/ko active Active
- 2017-10-31 TW TW106137517A patent/TWI722251B/zh not_active IP Right Cessation
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CN102473627A (zh) * | 2009-07-23 | 2012-05-23 | 夏普株式会社 | 湿蚀刻装置和湿蚀刻方法 |
JP2013157418A (ja) * | 2012-01-30 | 2013-08-15 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | エッチング装置 |
WO2014123089A1 (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-14 | 旭硝子株式会社 | ガラス製造方法 |
CN104882395A (zh) * | 2014-02-27 | 2015-09-02 | 圆益Ips股份有限公司 | 基板处理装置及基板处理方法 |
WO2015159927A1 (ja) * | 2014-04-16 | 2015-10-22 | 旭硝子株式会社 | エッチング装置、エッチング方法、基板の製造方法、および基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI722251B (zh) | 2021-03-21 |
JP2018080079A (ja) | 2018-05-24 |
KR102312556B1 (ko) | 2021-10-14 |
KR20190084098A (ko) | 2019-07-15 |
WO2018092506A1 (ja) | 2018-05-24 |
JP6665760B2 (ja) | 2020-03-13 |
CN109963820A (zh) | 2019-07-02 |
TW201829339A (zh) | 2018-08-16 |
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PB01 | Publication | ||
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