CN1099429C - 酚甲醛缩合物的分馏和由其生产的光敏抗蚀剂组合物 - Google Patents
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 81
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 title claims abstract description 13
- SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;phenol Chemical compound O=C.OC1=CC=CC=C1 SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 3
- 238000005194 fractionation Methods 0.000 title description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims abstract description 64
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 62
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 62
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 59
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 27
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 21
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 14
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 14
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 claims description 12
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims description 11
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 10
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000012065 filter cake Substances 0.000 claims description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 9
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 claims 3
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VXKUOGVOWWPRNM-UHFFFAOYSA-N 3-ethoxypropyl acetate Chemical compound CCOCCCOC(C)=O VXKUOGVOWWPRNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000019439 ethyl acetate Nutrition 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 16
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 42
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 19
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 13
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229920001429 chelating resin Polymers 0.000 description 10
- 238000011161 development Methods 0.000 description 10
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 8
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 8
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-3-methylbutan-1-ol Chemical compound COC(C)(C)CCO MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 6
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003957 anion exchange resin Substances 0.000 description 4
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 propylene glycol monoalkyl ether Chemical class 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical group [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trioxane Chemical compound C1OCOCO1 BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003729 cation exchange resin Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 3
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- YZUPZGFPHUVJKC-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-2-methoxyethane Chemical compound COCCBr YZUPZGFPHUVJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxbenzophenone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N Niacin Chemical compound OC(=O)C1=CC=CN=C1 PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 2
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 2
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid Chemical compound CC(C)CC(O)=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 2
- HJIAMFHSAAEUKR-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound OC1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HJIAMFHSAAEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLDUZMNCEGHSBP-UHFFFAOYSA-N 2-(2-octylphenoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCCCC1=CC=CC=C1OCCO GLDUZMNCEGHSBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVLNDCLPPGIRCP-UHFFFAOYSA-N 2-nitro-3-phenylprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C([N+]([O-])=O)=CC1=CC=CC=C1 YVLNDCLPPGIRCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920013683 Celanese Polymers 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- WWKGVZASJYXZKN-UHFFFAOYSA-N Methyl violet 2B Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C=CC(N)=CC=1)=C1C=CC(=[N+](C)C)C=C1 WWKGVZASJYXZKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229940107698 malachite green Drugs 0.000 description 1
- FDZZZRQASAIRJF-UHFFFAOYSA-M malachite green Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)=C1C=CC(=[N+](C)C)C=C1 FDZZZRQASAIRJF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- PGSADBUBUOPOJS-UHFFFAOYSA-N neutral red Chemical compound Cl.C1=C(C)C(N)=CC2=NC3=CC(N(C)C)=CC=C3N=C21 PGSADBUBUOPOJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003512 nicotinic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000001968 nicotinic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011664 nicotinic acid Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- OXNIZHLAWKMVMX-UHFFFAOYSA-N picric acid Chemical compound OC1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O OXNIZHLAWKMVMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000011045 prefiltration Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000006462 rearrangement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 150000003458 sulfonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- YBBRCQOCSYXUOC-UHFFFAOYSA-N sulfuryl dichloride Chemical class ClS(Cl)(=O)=O YBBRCQOCSYXUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQUQLFOMPYWACS-UHFFFAOYSA-N tris(2-chloroethyl) phosphate Chemical compound ClCCOP(=O)(OCCCl)OCCCl HQUQLFOMPYWACS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLWJPGAKXJBKKA-UHFFFAOYSA-N victoria blue B Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C=CC(=CC=1)N(C)C)=C(C=C1)C2=CC=CC=C2C1=[NH+]C1=CC=CC=C1 LLWJPGAKXJBKKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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- C08G8/08—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes of formaldehyde, e.g. of formaldehyde formed in situ
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- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
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Abstract
一种通过分馏酚甲醛缩合产物生产金属离子含量低、不溶于水、溶于碱水的成膜酚醛清漆树脂的方法，生产树脂的方法，含有这种酚醛清漆树脂的高质量的光敏抗蚀剂组合物，及用这种光敏抗蚀剂组合物生产半导体元件的方法。
Description
发明背景
本发明涉及一种生产热稳定的、不溶于水、溶于碱水的成膜酚醛清漆树脂及其在适用作正性光敏抗蚀剂组合物的光敏组合物中的应用。进一步地，本发明涉及一种用这些光敏组合物涂覆基片的方法，及使这些光敏组合物在这些基片上涂覆、成像和显影的方法。
光敏抗蚀剂组合物用于制造小型电子元件的微型平版印刷工艺如用于计算机芯片和集成电路的生产。一般地，在这些工艺中，先将一薄层光敏抗蚀剂组合物膜涂于基材，如用于制造集成电路的硅片。然后将涂后的基片烘干使光敏抗蚀剂组合物中的任何溶剂蒸发并使涂层固定于基片上。再使涂覆后烘干的基片表面以成像方式受到辐射。
此曝光导致涂覆表面的曝光区域发生化学变化。可见光、紫外光(UV)、电子束和X-射线的辐射能是目前微型平版印刷工艺中常用的辐射类型。在此成像方式曝光之后，用显影溶液处理该涂覆的基片以溶解和去除基片的涂覆表面的受到辐射或未受到辐射的区域。
有两类光敏抗蚀剂组合物，负性和正性。当负性光敏抗蚀剂组合物以成像方式受到辐射时，受到辐射的光敏抗蚀剂组合物区域变得较不溶于显影溶液(例如发生交联反应)，而未受到辐射的光敏抗蚀剂涂层区域仍保持相对较溶于该溶液。因此，用显影液处理曝光后的负性光敏抗蚀剂导致光敏抗蚀剂涂层的未曝光区域去除，而在涂层中产生负像。从而，露出其上沉积有光敏抗蚀剂组合物的位于下面的基片表面的所要部分。
另一方面，当正性光敏抗蚀剂组合物以成像方式受到辐射时，受到辐射的光敏抗蚀剂组合物的那些区域变得更易溶于显影溶液(例如发生重排反应)，而未受到辐射的那些区域仍保持相对不溶于显影溶液。因此，用显影液处理曝光后的正性光敏抗蚀剂导致曝光的涂层区域去除而在光敏抗蚀剂涂层中产生正像。也露出下面基片表面的所要部分。
在此显影操作之后，可用基片浸蚀溶液或等离子气体等处理现在已被部分保护的基片。浸蚀溶液或等离子气体浸蚀在显影期间光敏抗蚀剂涂层已被去除的基片部分。仍保留光敏抗蚀剂涂层的基片区域被保护，从而，在基片材料中产生浸蚀图象，其相应于以成像方式曝光所用的光掩模。之后，光敏抗蚀剂涂层的残留区域可在去胶操作期间除去，留下清洁的被浸蚀的基片表面。在某些情况下，在显影步骤之后和浸蚀步骤之前，要求对残留的光敏抗蚀剂层进行热处理，以增加其与下面基片的粘性和其对浸蚀溶液的耐受性。
目前正性光敏抗蚀剂组合物比负性光敏抗蚀剂更受欢迎，因为前者一般有较好的分辨能力和图象转移特性。光敏抗蚀剂分辨率定义为光敏抗蚀剂组合物可在曝光和显影后以高度的图像边界鉴别力从光掩模转移至基片的最小细节。在现今的许多生产应用中，光敏抗蚀剂分辨率在一微米或更小的数量级是必须的。此外，几乎总是希望显影的光敏抗蚀剂侧面接近垂直于基片。光敏抗蚀剂涂层的显影和未显影之间的这种分界转换成掩模图象在基片上的精确图象转移。
发明概述
本发明涉及一种分馏酚甲醛缩合产物以生产不溶于水、溶于碱水的酚醛清漆树脂的方法及其在光敏抗蚀剂组合物中的应用。本发明还涉及生产含有这种高度热稳定的、不溶于水、溶于碱水的成膜酚醛清漆树脂和光敏剂的正性光敏抗蚀剂的方法，及这种光敏抗蚀剂在生产半导体元件中的应用。
本发明提供一种生产不溶于水、溶于碱水的成膜酚醛清漆树脂的方法，该方法这样实现：在酸催化剂存在下缩合一或多种甲基苯酚和甲醛或三噁烷，将酚醛清漆树脂溶解于适合的溶剂如甲醇中，和分馏所得酚醛清漆树脂，该方法包括：
1)提供约10至40％(重)、优选约15至约35％、最优选约20至约30％不溶于水、溶于碱水的成膜酚醛清漆树脂在适合的极性有机溶剂如甲醇、乙醇、丙酮或四氢呋喃(THF)中的溶液；
2)通过规格小于1μm(微米)、优选约0.1μm(微米)至小于1μm(微米)、最优选约0.1μm(微米)至约0.4μm(微米)的过滤器过滤所述酚醛清漆树脂溶液；
3)使所述酚醛清漆树脂溶液通过阴离子交换树脂如Amberlyst21树脂；
4)使所述酚醛清漆树脂溶液通过阳离子交换树脂如Amberlyst15树脂；
5)优选在约2至约3小时的时间周期内，将所得去离子酚醛清漆树脂溶液加入去离子(DI)水中，水与酚醛清漆树脂溶液之比为约65至约35，优选约55至约45；
6)搅拌所述酚醛清漆树脂溶液/水混合物至少约30分钟，优选至少约45分钟，最优选至少约60分钟(混合物可搅拌的时间没有限制，但实用界限为约2小时)；
7)过滤(例如通过Buckner漏斗)和用DI水洗涤所述酚醛清漆树脂溶液/水混合物至少3遍，得到滤饼；
8)将所得滤饼加入光敏抗蚀剂溶剂中至固体含量为约40至约65％(重)、优选约45至约60％、最优选约50至约55％的水平；使用适合的光敏抗蚀剂溶剂如丙二醇一甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇一乙醚乙酸酯或3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇(MMB)；
9)在真空下，在约90℃至约130℃、优选约100℃至约120℃的温度下，和在约50mm至约120mm、优选约80mm至约110mm、最优选约90mm至约100mm的压力下，蒸出基本上所有残余的水和极性有机溶剂；
10)冷却剩余的酚醛清漆树脂溶液至约25℃至约45℃、优选约30℃至约40℃、最优选约30℃至约35℃的温度；
11)如需要，通过加入附加溶剂调节所述酚醛清漆树脂溶液的固含量至要求的水平；
12)通过规格小于1μm(微米)、优选约0.1μm(微米)至小于1μm(微米)、最优选约0.1μm(微米)至约0.4μm(微米)的过滤器过滤所述酚醛清漆树脂溶液。
本发明还提供一种生产高度热稳定的正性光敏抗蚀剂组合物的方法，包括：
1)提供约10至40％(重)、优选约15至约35％、最优选约20至约30％不溶于水、溶于碱水的成膜酚醛清漆树脂在适合的极性有机溶剂如甲醇、乙醇、丙酮或四氢呋喃(THF)中的溶液；
2)通过规格小于1μm(微米)、优选约0.1μm(微米)至小于1μm(微米)、最优选约0.1μm(微米)至约0.4μm(微米)的过滤器过滤所述酚醛清漆树脂溶液；
3)使所述酚醛清漆树脂溶液通过阴离子交换树脂如Amberlyst 21催化剂；
4)使所述酚醛清漆树脂溶液通过阳离子交换树脂如Amberlyst 15催化剂；
5)优选在约2至约3小时的时间周期内，将所得去离子酚醛清漆树脂溶液加入去离子(DI)水中，水与酚醛清漆树脂溶液之比为约65至约35，优选约55至约45；
6)搅拌所述酚醛清漆树脂溶液/水混合物至少约30分钟，优选至少约45分钟，最优选至少约60分钟(混合物可搅拌的时间没有限制，但实用界限为约2小时)；
7)过滤和用DI水洗涤，优选至少3遍，得到滤饼；
8)将所得滤饼加入光敏抗蚀剂溶剂中至固体含量为约40至约65％(重)、优选约45至约60％、最优选约50至约55％的水平。可使用适合的光敏抗蚀剂溶剂如丙二醇一甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇一乙醚乙酸酯或3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇(MMB)；
9)在真空下，在约90℃至约130℃、优选约100℃至约120℃的温度下，和在约50mm至约120mm、优选约80mm至约110mm、最优选约90mm至约100mm的压力下，蒸出基本上所有残余的水和极性有机溶剂；
10)冷却剩余的酚醛清漆树脂溶液至约25℃至约45℃、优选约30℃至约40℃、最优选约30℃至约35℃的温度；
11)如需要，通过加入附加溶剂调节所述酚醛清漆树脂溶液的固含量至要求的水平；
12)通过规格小于1μm(微米)、优选约0.1μm(微米)至小于1μm(微米)、最优选约0.1μm(微米)至约0.4μm(微米)的过滤器过滤所述酚醛清漆树脂溶液；
13)通过提供以下混合物配制光敏抗蚀剂组合物溶液：a)足以使所述光敏抗蚀剂组合物光敏化的量的光敏组分，b)本发明的成膜酚醛清漆树脂，这种酚醛清漆树脂在光敏抗蚀剂组合物中的存在量足以形成基本上均匀的光敏抗蚀剂组合物；和c)适合的光敏抗蚀剂溶剂。
本发明还提供一种通过用正性光敏抗蚀剂组合物涂覆适合的基片在基片上产生光敏抗蚀剂图象生产半导体元件的方法，该方法包括：
1)提供约10至40％(重)、优选约15至约35％、最优选约20至约30％不溶于水、溶于碱水的成膜酚醛清漆树脂在适合的极性有机溶剂如甲醇、乙醇、丙酮或四氢呋喃(THF)中的溶液；
2)通过规格小于1μm(微米)、优选约0.1μm(微米)至小于1μm(微米)、最优选约0.1μm(微米)至约0.4μm(微米)的过滤器过滤所述酚醛清漆树脂溶液；
3)使所述酚醛清漆树脂溶液通过阴离子交换树脂如Amberlyst21催化剂；
4)使所述酚醛清漆树脂溶液通过阳离子交换树脂如Amberlyst15催化剂；
5)优选在约2至约3小时的时间周期内，将所得去离子酚醛清漆树脂溶液加入去离子(DI)水中，水与酚醛清漆树脂溶液之比为约65至约35，优选约55至约45；
6)搅拌所述酚醛清漆树脂溶液/水混合物至少约30分钟，优选至少约45分钟，最优选至少约60分钟(混合物可搅拌的时间没有限制，但实用界限为约2小时)；
7)过滤和用DI水洗涤所述酚醛清漆树脂溶液/水混合物，优选至少3遍，得到滤饼；
8)将所得滤饼加入光敏抗蚀剂溶剂中至固体含量为约40至约65％(重)、优选约45至约60％、最优选约50至约55％的水平；使用适合的光敏抗蚀剂溶剂如丙二醇一甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇一乙醚乙酸酯或3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇(MMB)；
9)在真空下，在约90℃至约130℃、优选约100℃至约120℃的温度下，和在约50mm至约120mm、优选约80mm至约110mm、最优选约90mm至约100mm的压力下，蒸出基本上所有残余的水和极性有机溶剂；
10)冷却剩余的酚醛清漆树脂溶液至约25℃至约45℃、优选约30℃至约40℃、最优选约30℃至约35℃的温度；
11)如需要，通过加入附加溶剂调节所述酚醛清漆树脂溶液的固含量至要求的水平；
12)通过规格小于1μm(微米)、优选约0.1μm(微米)至小于1μm(微米)、最优选约0.1μm(微米)至约0.4μm(微米)的过滤器过滤所述酚醛清漆树脂溶液；
13)通过提供以下混合物配制光敏抗蚀剂组合物溶液：a)足以使所述光敏抗蚀剂组合物光敏化的量的光敏组分，b)本发明的成膜酚醛清漆树脂，这种酚醛清漆树脂在光敏抗蚀剂组合物中的存在量足以形成基本上均匀的光敏抗蚀剂组合物；和c)适合的光敏抗蚀剂溶剂；
14)对所述涂覆后的基片进行热处理直至除去基本上所有溶剂；以成像方式使所述光敏组合物曝光；和用碱性含水显影液除去该组合物的成像曝光区域。在所述去除步骤之前或之后可任选地进行基片的烘干。
优选实施方案的详述
碱溶性酚醛清漆树脂常用于光敏抗蚀剂，如“Chemistry andApplication of Phenolic Resins”，Knop A.And Scheib，W.；SpringerVerlag，New York，1979第4章中所列举的。类似地，邻-醌二叠氮化物为本领域技术人员所公知，如“Light Sensitive Systems”，Kosar，J.；John Wiley & Sons，New York，1965第7.4章中所公开的。然而，根据本发明的方法，已发现使用按本发明方法分馏的树脂产生有高度热稳定性的光敏抗蚀剂。
由本发明方法生产的特殊酚醛清漆树脂是不溶于水、溶于碱水的树脂。这种酚醛清漆树脂的优选重均分子量(GPC)在约20,000至约30,000的范围内，或更优选约22,000至约28,000。
构成本发明光敏抗蚀剂组合物的组分的光敏剂可以是一或多种多羟基酚或醇化合物(优选三羟苯基乙烷或羟基二苯酮)和磺酸或磺酸衍生物如磺酰氯形成的酯，如US3 106 465和4 719 167中所述，这两篇专利均引入本文供参考。
所述光敏抗蚀剂组合物通过将这些成分混合在适合的光敏抗蚀剂溶剂中形成。在优选实施方案中，光敏抗蚀剂中酚醛清漆树脂的量按固体即无溶剂光敏抗蚀剂组分的重量计优选在18％至约40％的范围内，更优选约20％至约30％。在优选的实施方案中，光敏剂在光敏抗蚀剂中的存在量按固体光敏抗蚀剂组分的重量计为约3％至约8％，优选约4％至约6％。在生产光敏抗蚀剂组合物中，将酚醛清漆树脂和光敏剂与溶剂混合，溶剂如丙二醇一烷基醚、丙二醇烷基醚乙酸酯、乙酸丁酯、二甲苯、乙二醇一乙醚乙酸酯、丙二醇一甲醚乙酸酯、2-庚酮、乳酸乙酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、及乳酸乙酯和乙基-3-乙氧基丙酸酯的混合物等。
其它可选的成分如着色剂、染料、防条纹剂、流平剂、增塑剂、增粘剂、增速剂、溶剂和表面活性剂如非离子表面活性剂可在溶液涂覆于基片上之前加入酚醛清漆树脂、光敏剂和溶剂的溶液中。可与本发明光敏抗蚀剂组合物一起使用的染料添加剂的例子包括Methyl Violet 2B(C.I.No.42535)、Crystal Violet(C.I.No.42555)、Malachite Green(C.I.No.42000)、Victoria Blue B(C.I.No.44045)和Neutral Red(C.I.No.50040)，其含量按酚醛清漆树脂和光敏剂的总重计为1至10％(重)。这些染料添加剂通过抑制基片的光反射有助于增强分辨率。
防条纹剂的用量按树脂和光敏剂的总重量计可为最高约5％(重)。可使用的增塑剂包括例如磷酸三-(β-氯乙基)-酯；硬脂酸；二樟脑；聚丙烯；缩醛树脂；苯氧基树脂；和烷基树脂，其含量按酚醛清漆树脂和光敏剂的总重量计为约1至10％(重)。增塑剂添加剂改善材料的涂覆性能，能以平滑而厚度均匀的膜涂于基片上。
可使用的增粘剂包括例如β-(3，4-乙氧基-环己基)-乙基三甲氧基-硅烷；对甲基-二硅烷-甲基丙烯酸甲酯；乙烯基三氯硅烷；和γ-氨基-丙基三乙氧基硅烷，其含量按树脂和光敏剂的总重量计最高约4％(重)。可使用的显影速度增强剂包括例如苦味酸、烟酸或硝基肉桂酸，其含量按酚醛清漆树脂和光敏剂的总重量计最高约20％(重)。这些增强剂趋于增加曝光和未曝光区域中光敏抗蚀剂涂层的溶解度，因而它们用于即使损失对比度显影速度也是主要考虑因素的应用中；即，虽然曝光区域的光敏抗蚀剂涂层将更快速地溶解于显影液，速度增强也将引起未曝光区域的光敏抗蚀剂涂层的较大损失。
涂层溶剂在总组合物中的存在量按组合物中固体的重量计可为最高95％(重)。当然，溶剂在光敏抗蚀剂溶液涂覆于基片上并干燥后已基本上除去。可使用的非离子表面活性剂包括例如壬基苯氧基聚(乙烯化氧)乙醇；辛基苯氧基乙醇，其含量按树脂和光敏剂的总重量计最高约10％(重)。
制备的光敏抗蚀剂溶液可按光敏抗蚀剂领域所用的任何常规方法涂于基片上，包括浸涂、喷涂、旋转涂覆和旋涂。例如，旋涂时，可相对于固体的百分含量调节光敏抗蚀剂溶液，以提供要求厚度的涂层，给出所用旋涂设备的类型和旋涂法所允许的次数。适合的基片包括硅、铝、聚合物树脂、二氧化硅、掺杂二氧化硅、氮化硅、钽、铜、多晶硅、陶瓷、铝/铜混合物；砷化镓和其它这种第III/V族化合物。
按所述方法生产的光敏抗蚀剂涂层特别适用于热生成的硅/二氧化硅涂片，如用于生产微处理器和其它小型集成电路元件。也可使用铝/氧化铝片。基片还可包括各种聚合物树脂，特别是透明聚合物如聚酯。基片可有适用组合物如含有六烷基二硅氮烷的组合物的增粘层。
然后，将光敏抗蚀剂组合物溶液涂覆在基片上，并将基片在约70至约110℃下在热板上处理约30至约180秒或在对流式炉中处理约15至约90分钟。选择此温度处理以降低光敏抗蚀剂中残余溶剂的浓度，而不导致光敏剂显著热解。一般地，希望使溶剂的浓度最小，进行此第一温度处理直到基本上所有溶剂已蒸发，而厚约1微米的光敏抗蚀剂组合物薄层留在基片上。在优选实施方案中，该温度为约85至约95℃。进行该处理直到溶剂去除的变化度变得相对不明显。根据用户所要光敏抗蚀剂性能及所用设备和工业上要求的涂覆时间选择处理温度和时间。然后可使涂覆的基片受到光辐射，例如波长约300至约450nm的紫外辐射、X-射线、电子束、离子束或激光辐射，可以任何要求的图形辐射，利用适合的掩模、底片、型板、模板等产生图形。
然后可选地使光敏抗蚀剂在显影之前或之后经曝光后的第二次烘干或热处理。加热温度可为约90至约120℃，更优选约100至约110℃。该加热可在热板上进行约30秒至约2分钟、更优选约60秒至约90秒或用对流式炉进行约30至约45分钟。
将曝光后的涂有光敏抗蚀剂的基片浸于碱性显影液中除去成像曝光区域使其显影或通过喷雾显影法显影。优选利用例如氮气射流搅拌该溶液。使基片保留在显影液中直到所有或基本上所有光敏抗蚀剂涂层已从曝光区域溶解掉。显影液可包括铵或碱金属氢氧化物的水溶液。一种优选的氢氧化物是氢氧化四甲基铵。从显影溶液中取出涂覆后的晶片之后，可进行可选的显影后热处理或烘干，以增加涂层的粘性和对浸蚀溶液和其它物质的化学耐受性。显影后的热处理可包括使涂层和基片在涂层的软化点以下在烘箱中烘干。在工业应用中，特别是在硅/二氧化硅型基片上生产微型电路元件中，可用缓冲的氢氟酸基浸蚀溶液处理显影后的基片。本发明的光敏抗蚀剂组合物是耐受酸基浸蚀溶液的，为基片上的未曝光光敏抗蚀剂涂层区提供有效的保护。
以下具体实施例将提供生产和利用本发明组合物的方法的详细说明。但这些实施例不以任何方式限制本发明的范围，而应解释为实施本发明提供必须专门采用的条件、参数或值。
实施例1
将60克湿AMBERLYST21阴离子交换树脂粒放在1升的锥形烧瓶中，加入去离子水至所有树脂粒均在水下。密封该烧瓶，静置过夜使树脂粒膨胀。第二天早晨滗去水，加入去离子水也盖过树脂粒，缓慢摇动烧瓶。再滗去水。用去离子水漂洗和滗去步骤重复三次以上。将所得离子交换树脂浆液注入装有多孔盘和活塞的200ml玻璃柱中。使树脂沉底，用去离子水回冲该柱25分钟。再使树脂沉底。
测量床长，计算床体积为120ml。使10％硫酸溶液以约10ml/min的速度向下通过树脂床以至停留时间为12分钟。使床体积6倍的酸溶液通过树脂床。然后使床体积6倍的去离子水以近似相同的流速向下通过树脂床。使床体积6倍的电子级氢氧化铵溶液(6％)以与上面相同的速度通过该柱，然后通入足量的DI水以除去氢氧化铵。测量流出的水的pH以确保其与pH为6的新鲜去离子水相当。使床体积两倍的电子级甲醇以与上面相同的速度通过该柱以除去水。
将60克AMBERLYST15阳离子交换树脂粒放在1升的锥形烧瓶中，加入去离子水至所有树脂粒均在水下。密封该烧瓶，静置过夜使树脂粒膨胀。第二天早晨滗去水，加入去离子水也盖过树脂粒，缓慢摇动烧瓶。再滗去水。用去离子水漂洗和滗去步骤重复三次以上。将所得离子交换树脂浆液注入装有多孔盘和活塞的200ml玻璃柱中。使树脂沉底，用去离子水回冲该柱25分钟。再使树脂沉底。
测量床长，计算床体积为120ml。使10％硫酸溶液以约10ml/min的速度向下通过树脂床以至停留时间为12分钟。使床体积6倍的酸溶液通过树脂床。然后使床体积60倍的去离子水以近似相同的流速通过树脂床。测量流出水的pH以确保其与pH为6的新鲜去离子水相当。使床体积两倍的电子级甲醇以与上面相同的速度通过该柱以除去水。
1.用对甲苯磺酸作为催化剂，使67.5wt％间甲苯酚和32.5wt％对甲苯酚与三噁烷在乙酸丁酯中反应，产生酚醛清漆树脂。完成缩合反应后，用三乙胺中和所述催化剂。蒸出乙酸正丁酯和水。将甲醇加入树脂溶体中提供60wt％固体的溶液，然后用甲醇进一步稀释产生24wt％固体的溶液。该酚醛清漆树脂的GPC重均分子量在23000至28000的范围内。将360克此酚醛清漆树脂加入500ml.烧杯中。使溶液通过0.2μm(微米)过滤器，然后使溶液通过预洗过的Amberlyst21树脂和预洗过的Amberlyst15离子交换树脂，然后进入清洗过的烧杯中。在过滤器前、过滤器后、Amberlyst21处理之后和Amberlyst15树脂处理之后取样，进行金属离子测试。
2.将来自步骤1的酚醛清漆树脂(580g，24％固体)通过滴液漏斗装入1升的烧瓶中。温度调至22至24℃。将酚醛清漆树脂溶液经2.5至3小时加入730g DI水中，温度保持在低于24℃，搅拌1小时。
3.然后通过Buckner漏斗过滤，用DI水洗3遍。
4.然后在搅拌下将滤饼加入460g PGMEA中。
5.在真空下于80℃和40mm压力下蒸出残余的甲醇和水。(注：开始在大气压下，在40℃下缓慢降低真空度，并继续升高温度至约125℃)。
6.将烧瓶中的内容物冷却至40℃，取样测定固含量、水含量和GPC重均分子量(Mw)。加入溶剂调节固含量。
7.使烧瓶中的内容物通过0.2mm的过滤器进入无金属离子的塑料瓶。
结果如下：
实施例
GPC-Mw
间甲苯酚
％对甲苯酚
％MEOH*
％H 2 O
％IPA**
1 25,260 ＜0.01 2.39 0.49 0.07 0.46
MEOH*为甲醇
IPA**为乙酸异丙酯
测试以上方法所得酚醛清漆树脂和所述分馏法前的酚醛清漆树脂的金属含量，结果按每十亿分之几份(ppb)如下：
实施例2重复实施例1，所得分馏的树脂有以下特征。
| 金属 | 对照的酚醛清漆树脂 | 分馏后 |
| Na | 346 | 136 |
| K | 36 | |
| Fe | ＞19000 | 731 |
| Cr | 12 | |
| Cu | 9 | |
| Ca | 34 | |
| Al | 77 | |
| Mn | 27 | |
| Ni | 9 |
| GPC重均分子量： | 25,260 |
| 对甲苯酚： | 2.39％ |
| 间甲苯酚： | ＜0.01％ |
| 乙酸异丙酯： | ＜0.1％ |
| 水： | 0.05％ |
| 甲醇： | 0.1％ |
实施例3
使30g(在PGMEA中40％固体)来自实施例1的间甲苯酚/对甲苯酚/三噁烷酚醛清漆树脂的低分子量馏分和68.16g(在PGMEA中40％固体)第10页中所述间甲苯酚/对甲苯酚/三噁烷酚醛清漆树脂的1703H馏分(由Hoechst Celanese Corporation购得)在PGMEA中混合，制备光敏抗蚀剂制剂。该制剂还包括9.5g光敏剂(三羟二苯酮的2，15-重氮萘醌酯)、0.96g THB(三羟二苯酮)、.048g Modaflow表面活性剂(来自Rohm andHaas的甲基丙烯酸甲酯)和91.515g PGMEA溶剂。使该制剂通过0.2μm(微米)过滤器过滤，以2120rpm/30sec旋涂在4″预先用HMDS(六亚甲基二硅氧烷)涂底的硅片上，然后将其在90℃/30min下软烘干得到1.25微米的膜厚度。使该硅片通过掩模在G-Line分档器上以270mJ/cm2曝光。发现该光敏抗蚀剂组合物的热特性温度为130℃。在25+/-0.5℃下用2.4％TMAH显影液使所有硅片搅动显影60秒。
分子量数据(Mw和Mn)：
通过在该聚合物的四氢呋喃(THF)稀溶液上进行的凝胶渗透色谱法测量聚合物的分子量，重均分子量Mw或数均分子量Mn。实际应用的设备由Waters(Millipore Corp.)程控自动取样器、真空泵、有加热器的色谱柱、和与配有相关软件(version 1.I，Shimadzu part No.T/N 22301309-91)的ShimadzuCR 30A数据处理系统相连的示差折光计。所用折光计是Waters410型，四个色谱柱500埃、1000埃、10000埃和100000埃(购自Millipore Corp.)串联。用可多次利用的分子量范围如下的聚苯乙烯标准校正该系统：
GPC校正
| 校正标准(聚苯乙烯) | 分子量 |
| 1 | 470,000 |
| 2 | 170,000 |
| 3 | 68,000 |
| 4 | 34,500 |
| 5 | 9,200 |
| 6 | 3,200 |
| 7 | 1,250 |
标准基本上是单一分布的，主要由单一分子量构成。用如此校正的系统，得到重均分子量Mw、数均分子量Mn，和聚合度分布性Mw/Mn。
Claims (20)
1.一种生产不溶于水、溶于碱水的成膜酚醛清漆树脂的方法，所述方法主要由以下步骤组成：
A)提供10至40％(重)不溶于水、溶于碱水的成膜酚醛清漆树脂在极性有机溶剂中的溶液；
B)通过规格小于1μm(微米)的过滤器过滤所述酚醛清漆树脂溶液；
C)使所述酚醛清漆树脂溶液通过阴离子交换树脂；
D)使所述酚醛清漆树脂溶液通过阳离子交换树脂；
E)将所得去离子酚醛清漆树脂溶液加入去离子(DI)水中，水与树脂溶液之比为65至35；
F)搅拌所述酚醛清漆树脂溶液/水混合物至少30分钟；
G)过滤所述混合物，然后用去离子水洗涤所述酚醛清漆树脂溶液得到滤饼；
H)将所得滤饼加入光敏抗蚀剂溶剂中至固体含量为40至65％(重)；
I)在真空下，在90℃至130℃的温度下，和在50mm至120mm的压力下，蒸出基本上所有残余的水和极性有机溶剂；
J)冷却剩余的酚醛清漆树脂溶液至25℃至45℃的温度；
K)调节所述酚醛清漆树脂溶液的固含量；
L)通过规格小于1μm(微米)的过滤器过滤所述酚醛清漆树脂溶液。
2.权利要求1的方法，其中A)的溶液包括15至35％(重)所述酚醛清漆树脂。
3.权利要求1的方法，其中A)的溶液包括20至30％(重)所述酚醛清漆树脂。
4.权利要求1的方法，其中A)的极性有机溶剂为甲醇、乙醇、丙酮或四氢呋喃。
5.权利要求1的方法，其中B)的过滤器规格为0.1微米至小于1.0微米。
6.权利要求1的方法，其中B)的过滤器规格为0.1微米至0.4微米。
7.权利要求1的方法，其中在E)中水与树脂溶液之比为55至45。
8.权利要求1的方法，其中在E)中经2至3小时的时间周期将所述树脂溶液加入去离子水中。
9.权利要求1的方法，其中在F)中将所述混合物搅拌至少45分钟。
10.权利要求1的方法，其中在F)中将所述混合物搅拌至少60分钟。
11.权利要求1的方法，其中在H)中所述固含量为45至60％(重)。
12.权利要求1的方法，其中在H)中所述固含量为50至55％(重)。
13.权利要求1的方法，其中在H)中所述光敏抗蚀剂溶剂为丙二醇一甲醚乙酸酯、丙二醇一乙醚乙酸酯或3-甲氧基-1-丁醇。
14.权利要求1的方法，其中在I)中在100℃至120℃的温度下蒸出残余的水和极性有机溶剂。
15.权利要求1的方法，其中在I)中在80mm至100mm的压力下蒸出残余的水和极性有机溶剂。
16.权利要求1的方法，其中在I)中在90mm至100mm的压力下蒸出残余的水和极性有机溶剂。
17.权利要求1的方法，其中在J)中将残余的溶液冷却至30℃至40℃的温度。
18.权利要求1的方法，其中在J)中将残余的溶液冷却至30℃至35℃的温度。
19.权利要求1的方法，其中在L)中过滤器规格为0.1微米至小于1微米。
20.权利要求1的方法，其中在L)中过滤器规格为0.1微米至小于0.4微米。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/530,847 | 1995-09-20 | ||
| US08/530,847 US5739265A (en) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | Fractionation of phenol formaldehyde condensate and photoresist compositions produced therefrom |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1196735A CN1196735A (zh) | 1998-10-21 |
| CN1099429C true CN1099429C (zh) | 2003-01-22 |
Family
ID=24115226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN96197086A Expired - Fee Related CN1099429C (zh) | 1995-09-20 | 1996-09-18 | 酚甲醛缩合物的分馏和由其生产的光敏抗蚀剂组合物 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5739265A (zh) |
| EP (1) | EP0851879B1 (zh) |
| JP (1) | JPH11512832A (zh) |
| KR (1) | KR100411590B1 (zh) |
| CN (1) | CN1099429C (zh) |
| DE (1) | DE69603373T2 (zh) |
| TW (1) | TW376467B (zh) |
| WO (1) | WO1997011100A1 (zh) |
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-
1995
- 1995-09-20 US US08/530,847 patent/US5739265A/en not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-08-30 TW TW085110591A patent/TW376467B/zh active
- 1996-09-18 CN CN96197086A patent/CN1099429C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-09-18 JP JP9512855A patent/JPH11512832A/ja not_active Ceased
- 1996-09-18 EP EP96933043A patent/EP0851879B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-18 KR KR10-1998-0701997A patent/KR100411590B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-09-18 DE DE69603373T patent/DE69603373T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-09-18 WO PCT/US1996/014946 patent/WO1997011100A1/en active IP Right Grant
-
1998
- 1998-03-25 US US09/047,571 patent/US5976761A/en not_active Expired - Fee Related
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| DE69603373D1 (de) | 1999-08-26 |
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| DE69603373T2 (de) | 2000-04-06 |
| KR19990045753A (ko) | 1999-06-25 |
| TW376467B (en) | 1999-12-11 |
| EP0851879B1 (en) | 1999-07-21 |
| JPH11512832A (ja) | 1999-11-02 |
| KR100411590B1 (ko) | 2004-04-28 |
| EP0851879A1 (en) | 1998-07-08 |
| WO1997011100A1 (en) | 1997-03-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| REG | Reference to a national code |
Ref country code: HK Ref legal event code: GR Ref document number: 1048330 Country of ref document: HK |
|
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: AZ ELECTRONIC MATERIALS JAPAN Free format text: FORMER OWNER: CLARIANT INTERNATIONAL LTD. Effective date: 20050819 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
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|
| C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |