CN109887943B - 选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构及其制备方法，该选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构，包括可探测不同波段入射光的若干个亚像素单元，每个亚像素单元均由方井状的微结构阵列及其表面的金属下电极、光敏层和上电极构成，不同亚像素单元中的方井状的微结构尺寸及阵列间距根据其所在亚像素单元的探测波段确定，所述方井状的微结构上端开口内部中空构成谐振腔，同一亚像素单元内相邻的方井状的微结构之间构成谐振腔。本发明解决现有技术中的探测器结构无法同时实现可见光‑近红外多波段吸收增强探测的问题。

Description

选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构及其制备方法

技术领域

本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构及其制备方法。

背景技术

光电探测器是由辐射引起被照射材料电导率发生改变而进行探测。光电探测器具有广泛用途，在可见光或近红外波段主要用于成像和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于红外热成像、红外遥感等方面。常见的是单波段的可见光成像或者单波段的红外成像器件，其波段覆盖范围窄，集成度低，在宽光谱探测应用时因体积大、重量重、功耗高、对入射光波利用率不够高等原因，应用受到限制。

成像器件由像素单元阵列组成，每个像素单元又由多种亚像素单元组合构成。现有的可见光探测器的像素单元由可探测红光（R）、绿光（G）、蓝光（B）的3个探测区域组成，分别称为红光（R）亚像素单元，绿光（G）亚像素单元，蓝光（B）亚像素单元，各区域上方的滤光片对入射光波进行滤波，分别选择性透过红光、绿光、蓝光，分别称为红光滤光片（R）、绿光滤光片（G）、蓝光滤光片（B）。三种滤光片在三种亚像素单元上方对应排布，上下对正。相应地，三种滤光片的阵列位于像素单元阵列的正上方，其中红光滤光片（R）在红光（R）亚像素单元正上方，绿光滤光片（G）在绿光（G）亚像素单元正上方，蓝光滤光片（B）在蓝光（B）亚像素单元正上方。设计红光（R）、绿光（G）、蓝光（B）亚像素单元不同的排列组合形式，使入射光波透过探测元件，实现可见光波段的彩色探测成像，此种探测元件对光波的吸收利用率低。

已公开专利CN106328753A提出了基于MEMS微结构的红外增强Si-PIN探测器及其制备方法，探测器包括硅本征衬底、MEMS微结构层、红外增强非晶硅钌合金薄膜、金属下电极、P型区、环形P+型区、上电极，MEMS微结构层为按正方形阵列排布的柱子或孔洞，通过调控微结构的柱子或孔洞的结构参数及其阵列的周期参数，可以得到光波不同的反射率和吸收峰的位置，从而提高特定波长的响应特性。该发明的探测器结构中红外探测的光敏面在微结构的底面，提高了红外光的探测能力，简单描述了探测器结构中的MEMS结构。该发明专利只对近红外实现吸收增强，未实现可见光-近红外波段宽光谱探测及吸收增强。

发明内容

本发明的目的是提供一种选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构及其制备方法，解决现有技术中的探测器结构无法同时实现可见光-近红外多波段吸收增强探测的问题。

为了达到上述目的，本发明的技术方案如下：

选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构，包括可探测不同波段入射光的若干个亚像素单元，每个亚像素单元均由方井状的微结构阵列及其表面的金属下电极、光敏层和上电极构成，不同亚像素单元中的方井状的微结构尺寸及阵列间距根据其所在亚像素单元的探测波段确定，所述方井状的微结构上端开口内部中空构成谐振腔，同一亚像素单元内相邻的方井状的微结构之间构成谐振腔。

进一步的，包括衬底，所述衬底的上端面包括红光方井阵列结构、绿光方井阵列结构、蓝光方井阵列结构和近红外光方井阵列结构；在衬底上的结构表面依次设置金属下电极、光敏层和上电极；所述红光方井阵列结构、绿光方井的阵列结构、蓝光方井的阵列结构、近红外光方井的阵列结构与它们表面上的金属下电极、光敏层和上电极分别构成红光亚像素单元、绿光亚像素单元、蓝光亚像素单元和近红外光亚像素单元；所述红光亚像素单元、绿光亚像素单元、蓝光亚像素单元和近红外光亚像素单元上方分别设置滤光片。

进一步的，红光方井的阵列结构、绿光方井的阵列结构、蓝光方井的阵列结构和近红外光方井的阵列结构各自方井内壁及相邻方井外壁之间每对下电极构成的反射面的间距分别是R（红光）、G（绿光）、B（蓝光）、IR（近红外光）四种亚像素单元所探测光波频段中心波长的四分之一。

进一步的，所述红光亚像素单元、绿光亚像素单元、蓝光亚像素单元和近红外光亚像素单元上方的设置的滤光片分别只能透过红光、绿光、蓝光和近红外光。

选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构的制备方法，包括以下步骤：

根据各自的工作波段分别确定红光、绿光、蓝光、红外光的方井微结构尺寸；

在基片上同时制备红光、绿光、蓝光、近红外光方井阵列结构，构成衬底；

在红光、绿光、蓝光、红外光方井阵列结构表面化学镀制导电金属薄膜作为金属下电极；

在金属下电极表面制备宽光谱响应的纳米光敏层；

在光敏层表面制备透明导电纳米线网格作为上电极；

刻蚀红光、绿光、蓝光和近红外光方井阵列结构之间的上电极、光敏层和金属下电极，构成相互隔离的红光、绿光、蓝光和近红外光亚像素单元。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

根据红光、绿光、蓝光和近红外光四种亚像素单元各自对应的探测波段中心波长，分别在探测器衬底各自区域制作不同尺寸的三维方井微结构，亚像素单元内的方井内壁相对的下电极表面及相邻方井结构外壁相对的下电极表面均构成谐振腔；其中，每个方井微结构内壁相对的下电极表面形成两对反射面，每个方井微结构的外壁下电极表面与相邻的方井微结构外壁下电极表面最多可以形成四对反射面。每对反射面形成一个谐振腔，入射的光波进入谐振腔，被光敏层吸收形成光生载流子，未被吸收的光波到达下电极，通过谐振腔的反射面多次反射，多次穿过光敏层，直至谐振腔的入射光波几乎全被吸收，从而提高了探测效率及灵敏度，提高了光波利用率。在同一器件中集成了从可见光到红外的多波段探测单元，可同时实现可见光与红外同多波段吸收增强探测。

附图说明

图1为本发明实施例的探测器结构的示意图。

图2为探测器结构的俯视图。

图3为探测器结构的局部剖视图。

其中，1-衬底，2-下电极，3-光敏层，4-上电极，111-红光亚像素单元，112-绿光亚像素单元，113-蓝光亚像素单元，114-近红外光亚像素单元，101-红光方井，102-绿光方井，103-蓝光方井，104-近红外光方井。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。

本申请的基本原理和思路是：

宽光谱探测结构的基底是三维的方井微结构的阵列，方井微结构的方井内和方井微结构之间具有谐振腔。由方井微结构阵列及其表面的下电极2、光敏层3和上电极4构成的亚像素单元上方布置微透镜阵列，其中的每个微透镜对着下方的亚像素单元，微透镜将入射光波汇聚，透过滤光片，进入宽光谱探测结构，大部分光波射到谐振腔，少部分射到非谐振处。入射的光波透过导电且透可见光和近红外的上电极4，然后经过对可见光和近红外敏感的材料构成的光敏层3，激发光敏层3的探测薄膜进行光电转化，产生光生载流子，在电场的作用下，光生载流子流出，形成光电流。之后入射光波到达由金属制备的下电极2，由于下电极2表面具有较高的反射率，入射到谐振腔的光波在谐振腔内多次反射，并多次穿过光敏层3，直至谐振腔的入射光波几乎全被吸收，从而提高了探测效率及灵敏度。

简而言之，该结构包括可探测不同波段入射光的若干个亚像素单元，每个亚像素单元均由方井微结构阵列及其表面的下电极2、光敏层3和上电极4构成，不同亚像素单元中的方井微结构尺寸及阵列间距根据其所在亚像素单元的探测波段中心波长确定，所述方井微结构方井内壁相对的下电极2表面构成谐振腔，同一亚像素单元内相邻的方井微结构外壁相对的下电极2表面之间构成谐振腔。

下面介绍本发明宽光谱探测结构的一个具体的实施例：

参见图1，一种选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构，

包括衬底1，衬底1的上表面具有红光方井阵列结构、绿光方井阵列结构、蓝光方井阵列结构和近红外光方井阵列结构；在衬底1的结构表面上依次叠层设置下电极2、光敏层3和上电极4；从而以红光方井101的阵列结构、绿光方井102的阵列结构、蓝光方井103的阵列结构、近红外光方井104的阵列结构及其表面上的下电极2、光敏层3和上电极4分别构成红光亚像素单元111、绿光亚像素单元112、蓝光亚像素单元113和近红外光亚像素单元114；红光亚像素单元111、绿光亚像素单元112、蓝光亚像素单元113和近红外光亚像素单元114上方分别设置一个滤光片（图中未示出）。

衬底1上的方井阵列结构按不同的亚像素单元要求设计不同结构参数；不同尺寸的方井阵列结构是使用光刻或等离子体刻蚀等批量加工的方法同时进行制备，方井阵列结构的尺寸分别与R（红光）、G（绿光）、B（蓝光）、IR（近红外光）四种亚像素单元所探测光波频段中心波长相关。

下面给出一组具体的亚像素单元设计参数，红光方井101的阵列结构包括多个矩形的红光方井101，红光方井101中空上端开口，每两个相邻的红光方井101表面的下电极2之间的距离为红光中心波长的1/4，每个红光方井101的方井边长等于相邻红光方井101的间距，红光方井101的壁厚50nm，高度为580nm；

绿光方井102的阵列结构包括多个矩形的绿光方井102，绿光方井102中空上端开口，每两个相邻的绿光方井102表面的下电极2之间的距离为绿光中心波长的1/4，每个绿光方井102的方井边长等于相邻绿光方井102的间距，所述绿光方井102的壁厚50nm，高度为580nm；

蓝光方井103的阵列结构包括多个矩形的蓝光方井103，蓝光方井103中空上端开口，每两个相邻的蓝光方井103表面的下电极2之间的距离为蓝光中心波长的1/4，每个蓝光方井103的方井边长等于相邻方井的间距，所述蓝光方井103的壁厚50nm，高度为580nm；

近红外光方井104的阵列结构包括多个矩形的红外光方井104，红外光方井104中空上端开口，每两个相邻的红外光方井104表面的下电极2之间的距离为所探测红外波长的1/4，每个红外光方井104的方井边长等于相邻方井的间距，所述近红外光方井104的壁厚50nm，高度为580nm。

下电极2为金属薄膜，采用化学镀或化学气相沉积的方法在衬底1的上表面制备，金属薄膜具有光滑的表面，具有较高的反射率，能够导电。金属包括金、银、铜、铝等；下电极2以像素阵列为范围进行制备，最终要使相邻亚像素单元的下电极2之间绝缘。下电极2制备后，对每个亚像素单元而言，使得方井的内壁下电极2两相对表面的距离尺寸是对应亚像素单元所探测波段中心波长的四分之一，方井的内壁下电极2两相对表面形成光学谐振腔；相邻两个方井的外壁下电极2相对表面的距离是对应亚像素单元所探测波段中心波长的四分之一，一个方井最多可与相邻的4个方井形成4个谐振腔。

光敏层3是选用对可见光和近红外敏感的材料，采用化学气相沉积的方法在像素阵列上制备的纳米级薄膜。

上电极4为导电且对可见光至近红外透明的材料，包括一维导电纳米线材料以各种形式构成的网格，覆盖在像素阵列上，最终要使相邻亚像素单元的上电极4之间绝缘；一维导电纳米线网格，其形状由一维导电纳米线随机排布构成，其网孔能够透过可见光和近红外光，一维导电纳米线能够导电；一维导电纳米线可选用碳纳米管、银纳米线和金纳米线等。

在探测器中每个亚像素单元的上方，对应着能透过该亚像素单元所探测光波频段的滤光片。设置在每个亚像素单元上方的滤光片透射本区域探测频段的光波，滤除其它频段的光波，避免干扰。

本实施例的探测结构探测机理如下：光波入射到宽光谱探测结构时，由于各亚像素单元上方滤光片只能透过该亚像素单元探测波段的光波，所以红光亚像素单元111上方的红光滤光片只透过红光，绿光亚像素单元112上方的绿光滤光片只透过绿光，蓝光亚像素单元113上方的蓝光滤光片只透过蓝光，近红外光亚像素单元114上方的近红外滤光片只透过近红外光；光波到达上电极4，穿透上电极4后到达光敏层3，由光敏层3吸收一部分光波进行光电转换，透过光敏层3的光波到达下电极2，由下电极2的光滑表面反射，再次到达光敏层3，进行光电转换，未被吸收的光波透过光敏层3和上电极4，射向谐振腔对面的上电极4，到达光敏层3再次进行光电转换。对一束入射光波，此种反射和光电转换多次发生，直至光波几乎被全部吸收。

下面介绍本发明选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构制备方法的一个具体的实施例：

步骤一：根据工作波段不同分别设计红光、绿光、蓝光、红外光的方井微结构尺寸；

分别为：

红光亚像素单元的工作波长包括但不限于620-780nm的某一波段，取红光的中心波长为700nm，设计每两个相邻的红光方井微结构表面的下电极之间的距离为红光中心波长的1/4，每个红光方井微结构的方井边长等于相邻红光方井微结构的间距，红光方井微结构的壁厚50nm，高度为580nm；

绿光亚像素单元的工作波长包括但不限于490-580nm的某一波段，取绿光的中心波长为546nm，设计每两个相邻的绿光方井微结构表面的下电极之间的距离为绿光中心波长的1/4，每个绿光方井微结构的方井边长等于相邻绿光方井微结构的间距，所述绿光方井微结构的壁厚50nm，高度为580nm；

蓝光亚像素单元的工作波长包括但不限于400-460nm的某一波段，取蓝光的中心波长为435nm，设计每两个相邻的蓝光方井微结构表面的下电极之间的距离为蓝光中心波长的1/4，每个蓝光方井微结构的方井边长等于相邻方井微结构的间距，所述方井微结构的壁厚50nm，高度为580nm；

红外光亚像素单元的工作波长包括但不限于780-2200nm的某一波段，取红外光的中心波长为1550nm，设计每两个相邻的红外光方井微结构表面的下电极之间的距离为所选红外波长的1/4，每个红外光方井微结构的方井边长等于相邻方井微结构的间距，所述方井微结构的壁厚50nm，高度为580nm。

步骤二：在基片上制备红光、绿光、蓝光、红外光方井阵列结构，构成衬底；

具体的，包括：

201、基片的预处理：

对硅片进行研磨、抛光、清洗，其处理过程严格按照光学元件冷加工工艺和半导体清洗规范进行。取厚度为100μm的双面抛光本征单晶硅片，将硅片浸没在H₂SO₄:H₂O₂=3:1的溶液中，在800℃的高温下煮10min，去除硅基片表面的各种颗粒和有机污染物，用去离子水冲洗5分钟。将硅片浸没在HF:H₂O=1:10的溶液中，常温下放置15min，去除硅片表面的金属污染和氧化物，用去离子水冲洗5分钟。将硅片浸没在HCl:H₂O₂:H₂O=1:1:6的混合液中，在75℃下放置10min，去除硅基片表面的金属离子污染，用去离子水冲洗5分钟。用氮气将硅片吹干，然后将其放置在热板上，去除硅片表面吸附的水分。

202、用于深硅刻蚀的金属铝掩蔽层制备：

采用AZ5214E型光刻胶，KW-4A型台式匀胶机。将三至四滴光刻胶滴至硅片中心，然后设置转速为低速500/15（rpm/s）、高速4500/50（rpm/s），使光刻胶均匀的涂敷在硅片上。采用MIRAKTMT The molyne型热板，在100℃温度下前烘60s。将硅片放置在SUSSMA6双面曝光光刻机中，对光刻胶进行曝光。对曝光后的光刻胶进行反转烘烤，使曝光区域的光刻胶发生交联反应不溶于显影液。将反转烘后的硅片在光刻机下去掉掩模版，进行泛曝光，使未曝光区域的光刻胶发生光敏反应使其可以溶于显影液，设置泛曝光的时间为11s。采用KMPPD238-Ⅱ型显影液，对硅片进行显影。将显影好的硅片放置在热板上，设置热板温度为120℃，后烘20min，取出自然降温。采用JPG560BV型磁控溅射镀膜机磁控溅射铝膜，选择直径为10mm，厚度1mm，纯度为99.999%的铝靶材，设置工作气体为99.99%的氩气，真空为5.0×10^{- 3}Pa。将具有掩膜光刻胶的硅片放置于基片架上，然后关闭真空室门。通过机械真空泵和扩散泵对真空室进行抽真空，在抽真空的同时，预热质量流量计10min，对气路中的管道也进行抽真空，当真空度达到10^-3Pa时，使真空室的本底压强达到5.0×10^-3Pa。清洗源工作气体为氩气，设置流量为10sccm，清洗3min。接下来进行预溅射处理。只通氩气，设置流量在45sccm左右，功率1kw，预溅射1min。通入氩气，使其真空室压强处于工作状态。打开电源，待辉光稳定后，开始在硅片表面沉积铝膜。沉积20min后，关闭氩气，待真空室冷却到室温，然后打开真空室取出镀好的样品，将其浸入丙酮溶液中，采用剥离工艺对金属图形化，最终获得金属铝掩蔽层。

203、采用低温反应离子刻蚀基片：

采用英国Oxford仪器设备公司生产的ICP180刻蚀机，将具有铝掩蔽层的硅片放置在基片架上，设置衬底温度为-110℃，当反应室压强为12mTorr，ICP功率为500W，氧气流速5sccm时，开始进行硅深刻蚀，刻蚀到方井微结构的设计高度580nm时停止刻蚀。最后使用丙酮去除光刻胶，使用磷酸去除铝掩蔽层。

204、基片热氧化生成绝缘层：

经过热氧化形成二氧化硅层作为光刻掩模，在高温下硅片与氧或水汽等氧化剂反应生成SiO₂，厚度为50-500nm；SiO₂在此工艺中起到掩蔽的作用,薄膜掩蔽效果与厚度和杂质在其中的扩散系数有关。

步骤三：在红光、绿光、蓝光、红外光方井阵列结构表面制备铜薄膜作为下电极；

具体的：

常温下在方井阵列结构表面镀铜，镀液为硫酸铜的水溶液（浓度为２％），施镀时间为1min，镀制的铜薄膜厚50-100nm；使得红光亚像素单元内部相邻的红光方井的内壁下电极的外表面的间隙距离为175nm；绿光亚像素单元内部相邻绿光方井的内壁下电极的外表面的间隙距离为136nm；蓝光亚像素单元内部相邻蓝光方井的内壁下电极的外表面的间隙距离为109nm；近红外光亚像素单元内部相邻近红外光方井的内壁金属下电极的外表面的间隙距离为387nm。

步骤四：在金属下电极表面制备石墨烯作为光敏层；

具体的：

将方井微结构阵列衬底放在石英板上，将石英板放入真空管式炉的石英管中，使其处于温区的中央位置，将石英管两端的法兰进行连接固定，打开真空泵开始抽真空，当系统的真空度降到10Pa以下时，开始通入甲烷和氢气，调节甲烷和氢气为40sccm:40sccm，持续一段时间使两种气体混合，压强稳定后，关闭甲烷气体，开启管式炉开关，开始进行阶段升温阶段；当温度升至保温阶段后，对铜进行退火处理，有利于生长阶段中石墨烯的生长，生长阶段通入甲烷气体，生长完毕，关闭甲烷，进入降温阶段，让其自热冷却至室温后，关闭氢气、真空泵，取出方井微结构阵列衬底。

步骤五：在光敏层表面制备碳纳米管网格作为上电极；

具体的：

将碳纳米管和乙醇通过超声混合均匀形成悬浮液，将步骤四制作的方井微结构阵列衬底以方井微结构向上的姿态浸入该悬浮液，浸入深度为方井微结构没入液面以下，待乙醇挥发后，形成碳纳米管网格，作为上电极。

步骤六：沉积硫化锌钝化层并图形化，刻蚀红光、绿光、蓝光和近红外光方井阵列结构之间的上电极、光敏层和金属下电极，使得相邻方井阵列结构表面的上电极、光敏层和金属下电极叠层之间都绝缘，构成表面叠层相互隔离的红光、绿光、蓝光和近红外光亚像素单元。

具体的：

采用化学气相沉积的方法制备50nm厚的硫化锌钝化层，通过光刻、腐蚀的方法使钝化层刻成正方形图形阵列，将图形化的钝化层作为掩蔽层，对上电极、敏感层和金属下电极进行图形化，形成相互隔离的红光、绿光、蓝光和近红外光亚像素单元。

经过上述步骤。可以制备得到一种选择性吸收增强的可见光--近红外波段宽光谱探测结构。

本申请探测器衬底上的方井微结构的尺寸及阵列周期尺寸虽然不同，但是可以在相同衬底上采用相同工艺、相同工序同时制备，从而在亚像素单元内形成不同尺寸的三维方井微结构阵列。该制造过程工序步骤少，工艺兼容性好。

以上应用了具体个例对本发明进行阐述，只是用于帮助理解本发明，并不用以限制本发明。对于本发明所属技术领域的技术人员，依据本发明的思想，还可以做出若干简单推演、变形或替换。

Claims (5)

1.选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构，其特征在于，包括可探测不同波段入射光的若干个亚像素单元，每个亚像素单元均由方井状的微结构阵列及其表面的金属下电极（2）、光敏层（3）和上电极（4）构成，不同亚像素单元中的方井状的微结构尺寸及阵列间距根据其所在亚像素单元的探测波段确定，所述方井状的微结构上端开口内部中空构成谐振腔，同一亚像素单元内相邻的方井状的微结构之间构成谐振腔。

2.根据权利要求1所述选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构，其特征在于，包括衬底（1），所述衬底（1）的上端面包括红光方井（101）的阵列、绿光方井（102）的阵列、蓝光方井（103）的阵列和近红外光方井（104）的阵列；在衬底（1）上的结构表面依次设置金属下电极（2）、光敏层（3）和上电极（4）；所述红光方井（101）的阵列结构、绿光方井（102）的阵列结构、蓝光方井（103）的阵列结构、近红外光方井（104）的阵列结构与它们表面上的金属下电极（2）、光敏层（3）和上电极（4）分别构成红光亚像素单元（111）、绿光亚像素单元（112）、蓝光亚像素单元（113）和近红外光亚像素单元（114）；所述红光亚像素单元（111）、绿光亚像素单元（112）、蓝光亚像素单元（113）和近红外光亚像素单元（114）上方分别设置滤光片。

3.根据权利要求1所述选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构，其特征在于，红光方井（101）的阵列结构、绿光方井（102）的阵列结构、蓝光方井（103）的阵列结构和近红外光方井（104）的阵列结构各自方井内壁及相邻方井外壁之间每对下电极构成的反射面的间距分别是R（红光）、G（绿光）、B（蓝光）、IR（近红外光）四种亚像素单元所探测光波频段中心波长的四分之一。

4.根据权利要求2所述选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构，其特征在于，所述红光亚像素单元（111）、绿光亚像素单元（112）、蓝光亚像素单元（113）和近红外光亚像素单元（114）上方的设置的滤光片分别只能透过红光、绿光、蓝光和近红外光。

5.选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

根据各自的工作波段分别确定红光、绿光、蓝光、红外光的方井微结构尺寸；

在基片上同时制备红光、绿光、蓝光、红外光方井阵列结构，构成衬底；

在红光、绿光、蓝光、红外光方井阵列结构表面化学镀制导电金属薄膜作为金属下电极；

在金属下电极表面制备宽光谱响应的纳米光敏层；

在光敏层表面制备透明导电纳米线网格作为上电极；

刻蚀红光、绿光、蓝光和近红外光方井阵列结构之间的上电极、光敏层和金属下电极，构成相互隔离的红光、绿光、蓝光和近红外光亚像素单元。

Images