CN109881185A - 一种气相沉积反应装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种气相沉积反应装置，包括：真空外腔室，真空内腔室，加热装置，加热引流结构，加热源；其中，所述真空外腔室及所述真空内腔室均包括围合成相应腔室的腔壁，所述真空内腔室设置于所述真空外腔室的腔室内；所述加热装置设置于所述真空内腔室腔壁外侧，并通过所述加热引流结构延伸至真空外腔室腔壁之外，与所述加热源相连接；所述真空外腔室和所述真空内腔室设置有与抽真空装置连接的通道。所述真空内腔室设置于所述真空外腔室的腔室内，由于真空环境中不存在热量传递介质，真空内腔室腔壁外侧的加热装置的引入可以避免真空内腔室的热量散失，从而保证PECVD反应腔的恒温绝热状态。
Description
技术领域
本发明涉及真空腔室技术领域，具体涉及一种对PECVD镀膜工艺的真空腔室技术领域。
背景技术
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是指等离子体增强化学的气相沉积法。工作原理是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。
现有技术中，用于PECVD镀膜工艺的反应结构设备恒温性偏差，工艺进程中较差的温度恒定性和较大的耗能问题及热能损失导致工艺重复的一致性。
发明内容
本发明提供一种气相沉积反应装置，以解决现有技术中存在的上述问题。
本发明提供一种气相沉积反应装置，其特征在于，包括：真空外腔室，真空内腔室，加热装置，加热引流结构，加热源；
其中，所述真空外腔室及所述真空内腔室均包括围合成相应腔室的腔壁，所述真空内腔室设置于所述真空外腔室的腔室内；
所述加热装置设置于所述真空内腔室腔壁外侧，并通过所述加热引流结构延伸至真空外腔室腔壁之外，与所述加热源相连接；
所述真空外腔室和所述真空内腔室设置有与抽真空装置连接的通道。
可选的，所述真空内腔室腔壁独立于所述真空外腔室腔壁设置，所述加热装置设置包覆于所述真空内腔室的外腔壁。
可选的，所述真空内腔室和所述真空外腔室包括共同的上腔壁，所述真空内腔室的其它腔壁独立于所述真空外腔室的腔壁；所述加热装置设置包覆于所述真空内腔室的独立腔壁外侧。
可选的，所述加热装置具体为加热管。
可选的，所述加热管为中空管道，用于通过流体加热介质。
可选的，所述加热装置具体为加热装置为加热丝或加热片。
可选的，所述加热装置具体为加热装置为管状加热丝。
可选的，所述加热引流结构包括加热引入装置、密封圈和锁母，所述加热引流结构通过所述加热引入装置，所述密封圈和所述锁母共同作用并固定于所述真空外腔室腔壁。
可选的，所述加热引流结构将所述加热装置作用于所述真空外腔室和所述真空内腔室。
可选的，还包括设置于所述真空内腔室中的上下电极。
与现有技术相比，本发明具有以下优点:
本发明提供一种气相沉积反应装置，其特征在于，包括：真空外腔室，真空内腔室，加热装置，加热引流结构，加热源；其中，所述真空外腔室及所述真空内腔室均包括围合成相应腔室的腔壁，所述真空内腔室设置于所述真空外腔室的腔室内；所述加热装置设置于所述真空内腔室腔壁外侧，并通过所述加热引流结构延伸至真空外腔室腔壁之外，与所述加热源相连接；所述真空外腔室和所述真空内腔室设置有与抽真空装置连接的通道。
由此可知，在本申请提出的技术方案中，所述真空内腔室设置于所述真空外腔室的腔室内，由于真空环境中不存在热量传递介质，真空内腔室腔壁外侧的加热装置的引入可以避免真空内腔室的热量散失，从而保证PECVD反应腔的恒温绝热状态。
附图说明
图1是本申请实施例提供的气相沉积反应装置的内部结构示意图，其中，所述真空内腔室腔壁独立于所述真空外腔室腔壁设置，所述加热装置设置包覆于所述真空内腔室的外腔壁。
图2是本申请实施例提供的气相沉积反应装置的内部结构示意图，其中，所述真空内腔室和所述真空外腔室包括共同的上腔壁，所述真空内腔室的其它腔壁独立于所述真空外腔室的腔壁；所述加热装置设置包覆于所述真空内腔室的独立腔壁外侧。
具体实施方式
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
本发明公开一种气相沉积反应装置，所述真空内腔室设置于所述真空外腔室的腔室内，由于真空环境中不存在热量传递介质，真空内腔室腔壁外侧的加热装置的引入可以避免真空内腔室的热量散失，从而保证PECVD反应腔的恒温绝热状态。
以下通过具体的实施例对本申请提供的气相沉积反应装置进行详细的介绍和说明。
图1是本申请实施例提供的气相沉积反应装置的内部结构示意图，其中，所述真空内腔室腔壁独立于所述真空外腔室腔壁设置，所述加热装置设置包覆于所述真空内腔室的外腔壁。图2是本申请实施例提供的气相沉积反应装置的内部结构示意图，其中，所述真空内腔室和所述真空外腔室包括共同的上腔壁，所述真空内腔室的其它腔壁独立于所述真空外腔室的腔壁；所述加热装置设置包覆于所述真空内腔室的独立腔壁外侧。
本发明提供一种气相沉积反应装置，该气相沉积反应装置包括：真空外腔室001，真空内腔室002，加热装置003，加热引流结构004，加热源005。
下面对本申请的真空腔室结构进行详细介绍。本申请实施例中，真空外腔室001及真空内腔室002均包括围合成相应腔室的腔壁，所述真空内腔室002设置于所述真空外腔室001的腔室内；其中，所述真空内腔室腔壁独立于所述真空外腔室腔壁设置，如图1所示，所述加热装置003设置包覆于所述真空内腔室002的外腔壁。此外，所述真空内腔室002和所述真空外腔室001还可以包括共同的上腔壁，所述真空内腔室002的其它腔壁独立于所述真空外腔室001的腔壁，如图2所示，所述加热装置003设置包覆于所述真空内腔室002的独立腔壁外侧。
以上是对所述真空腔室结构的介绍和说明，因为所述真空内腔室002是在上述真空环境中由所述加热装置提供恒温绝热环境。下面对所述加热装置003进行介绍和说明。所述加热装置003设置于所述真空内腔室腔壁外侧，其中，所述加热装置003具体为加热管，所述加热管为中空管道，用于通过流体加热介质；此外，所述加热装置003还可以为加热装置为加热丝或加热片；再者，所述加热装置003还可以为加热装置为管状加热丝。所述真空内腔室中还包括上下电极006。
由于所述加热装置003设置于所述真空内腔室腔壁外侧，并通过所述加热引流结构004延伸至真空外腔室腔壁之外，与所述加热源005相连接。下面对所述加热引流结构004进行介绍和说明。所述加热引流结构004包括加热引入装置004-1、密封圈004-2和锁母004-3，所述加热引流结构004通过所述加热引入装置004-1、所述密封圈004-2和所述锁母004-3共同作用并固定于所述真空外腔室腔壁。所述加热引流结构004将所述加热源005作用于所述真空外腔室001和所述真空内腔室002。
本申请提供的气相沉积反应装置可以应用在PECVD镀膜工艺中。一般情况下，适用于PECVD镀膜工艺的反应腔室需要真空恒温绝热条件。然而，现有技术中，用于PECVD镀膜工艺的反应结构设备恒温性偏差，工艺进程中较差的温度恒定性和较大的耗能问题及热能损失导致工艺重复的一致性。本实施例中通过真空外腔室001及真空内腔室002结构，将真空内腔室002设置于真空外腔室001内，同时真空外腔室001及真空内腔室002设置有与抽真空装置连接的通道，确保PECVD反应腔室保持真空状态。同时将加热装置003包覆于真空内腔室002的外腔壁，由于真空环境中不存在热量传递介质，真空内腔室腔壁外侧的加热装置003的引入可以避免真空内腔室002的热量散失，从而保证PECVD反应腔的恒温绝热状态。
本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种气相沉积反应装置，其特征在于，包括：真空外腔室，真空内腔室，加热装置，加热引流结构，加热源；
其中，所述真空外腔室及所述真空内腔室均包括围合成相应腔室的腔壁，所述真空内腔室设置于所述真空外腔室的腔室内；
所述加热装置设置于所述真空内腔室腔壁外侧，并通过所述加热引流结构延伸至真空外腔室腔壁之外，与所述加热源相连接；
所述真空外腔室和所述真空内腔室设置有与抽真空装置连接的通道。
2.根据权利要求1所述的气相沉积反应装置，其特征在于，所述真空内腔室腔壁独立于所述真空外腔室腔壁设置，所述加热装置设置包覆于所述真空内腔室的外腔壁。
3.根据权利要求1所述的气相沉积反应装置，其特征在于，所述真空内腔室和所述真空外腔室包括共同的上腔壁，所述真空内腔室的其它腔壁独立于所述真空外腔室的腔壁；所述加热装置设置包覆于所述真空内腔室的独立腔壁外侧。
4.根据权利要求1至3任一所述的气相沉积反应装置，其特征在于，所述加热装置具体为加热管。
5.根据权利要求4所述的气相沉积反应装置，其特征在于，所述加热管为中空管道，用于通过流体加热介质。
6.根据权利要求1至3任一所述的气相沉积反应装置，其特征在于，所述加热装置具体为加热装置为加热丝或加热片。
7.根据权利要求1至3任一所述的气相沉积反应装置，其特征在于，所述加热装置具体为加热装置为管状加热丝。
8.根据权利要求1至3任一所述的气相沉积反应装置，其特征在于，所述加热引流结构包括加热引入装置、密封圈和锁母，所述加热引流结构通过所述加热引入装置，所述密封圈和所述锁母共同作用并固定于所述真空外腔室腔壁。
9.根据权利要求1所述的气相沉积反应装置，其特征在于，所述加热引流结构将所述加热源作用于所述真空外腔室和所述真空内腔室。
10.根据权利要求1所述的气相沉积反应装置，其特征在于，还包括设置于所述真空内腔室中的上下电极。
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