CN109743927B - 一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法，涉及蔬菜种植领域，该方法包括以下步骤：挑选扁豆种子，加入温度为25～35℃、pH为6～8的水中，加入抗菌材料保温1～2h；抗菌材料与扁豆种子的质量比为0.001～0.006，抗菌材料的壳体结构中包裹有杀菌剂和气体释放载体，杀菌剂包括腐殖质，壳体结构采用质量比为1:0.1～1:0.01～0.005的壳聚糖、明胶和脂质体构成；将浸泡过的种子放在温度为30～35℃、湿度为60～80％的条件下恒温催芽，待种子破衣后，调整温度至24～25℃、湿度为40～60％，待种芽生长至1～5mm催芽结束。本发明能够针对带有病原细菌的种子进行作用。

Description

一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法

技术领域

本发明涉及蔬菜种植领域，具体涉及一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法。

背景技术

扁豆是我国种植较广泛的蔬菜和药食两用植物品种，扁豆可食用的部位包括鲜荚、嫩叶和种子，扁豆种子的营养较丰富，含有大量的蛋白质、淀粉和粗纤维，且其蛋白质的消化率高达75.8，蛋白质功效比值(PER)为4.11，远高于日常食用的高蛋白食品大豆、鸡蛋、花生和玉米；同时，扁豆淀粉的含量高达47.86-57.29％，具有糊冷、热稳定性好，凝胶性强的特性，由扁豆分离得到的淀粉和蛋白粉可以广泛应用于饮料、乳制品、糕点和保健品等食品中，具有较好的应用价值和前景。

扁豆细菌性疫病是扁豆生长过程中常见且危害较大的病害，会导致叶片产生黄褐色至褐色病斑，病部组织变薄，茎部出现红褐色条斑，严重时茎叶均枯死。

扁豆细菌性疫病病原细菌主要在种子内或粘附在种子外越冬，播种带菌种子，幼苗长出后即发病，病部渗出的菌脓借风雨或昆虫传播。从气孔、水孔或伤口侵入，引发植株发病。

目前的防治措施主要是对种子进行包衣或使用灭菌剂进行浸种，尽量减少种子种携带的病原细菌，但是，现有的包衣和灭菌剂对所有种子的处理都是一致的，容易出现药量不足或者过量的情况。

发明内容

针对现有技术中存在的缺陷，本发明的目的在于提供一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法，能够针对带有病原细菌的种子进行作用。

为达到以上目的，本发明采取的技术方案是：

一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法，包括以下步骤：

S1、挑选饱满、无破损和无病斑的扁豆种子，加入温度为25～35℃、pH为6～8的水中，向水中加入抗菌材料保温1～2h；

所述抗菌材料与扁豆种子的质量比为0.001～0.006，所述抗菌材料包括一壳体结构，所述壳体结构中包裹有杀菌剂和气体释放载体，所述杀菌剂包括腐殖质，所述壳体结构采用质量比为1:0.1～1:0.01～0.005的壳聚糖、明胶和脂质体构成；

S2、将浸泡过的种子放在温度为30～35℃、湿度为60～80％的条件下恒温催芽，待种子破衣后，调整温度至24～25℃、湿度为40～60％，待种芽生长至1～5mm催芽结束。

在上述技术方案的基础上，步骤S1中所述挑选饱满、无破损和无病斑的扁豆种子之后，加入温度为25～35℃、pH为6～8的水中之前还包括以下步骤：将挑选后的扁豆种子放置于太阳下暴晒至少24h，且在两次暴晒之间将扁豆种子放置在温度为0℃～5℃的环境中。

在上述技术方案的基础上，所述抗菌材料与扁豆种子的质量比为0.003～0.005。

在上述技术方案的基础上，所述杀菌剂还包括高锰酸钾和多菌灵。

在上述技术方案的基础上，所述腐殖质、高锰酸钾和多菌灵的质量比为1:0～0.5:0.01～0.07。

在上述技术方案的基础上，所述气体释放载体为过氧化钙或碳酸氢钠。

在上述技术方案的基础上，所述步骤S1和S2之间还包括以下步骤：将浸泡后的种子放置在温度为50～65℃、浓度为0.01～0.03的氢氧化钠溶液中，导入二氧化碳气体搅拌至温度为35℃～40℃后洗净。

在上述技术方案的基础上，所述壳体结构采用质量比为1:0.3～0.6:0.02～0.004的壳聚糖、明胶和脂质体构成。

在上述技术方案的基础上，所述壳体结构采用质量比为1:0.5:0.03的壳聚糖、明胶和脂质体构成。

与现有技术相比，本发明的优点在于：

(1)本发明中提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法，通过壳体结构包裹杀菌剂和气体释放载体，壳体结构包括壳聚糖、明胶和脂质体，当壳体结构遇见细菌时，细菌能够食用脂质体，使得壳体结构被破坏，水进入壳体内部与气体释放载体作用，产生气体，气体释放时会促进抗菌剂大量释放，抗菌剂能够大量集中在细菌较多的位置，杀菌效果较好；同时，本发明以腐殖质作为杀菌主体，不仅成本较低，而且比较安全，效果较好。

将浸泡后的种子放置在温度为50～65℃、浓度为0.01～0.03的氢氧化钠溶液中，种皮在该溶液中，其表面的胶质层会被破坏，隐藏在内部的细菌会释放，且该部分细菌多为耐热性较差的细菌，在50～65℃即能够杀死；而导入二氧化碳气体搅拌至35℃～40℃是为了使得种子处于运动状态，杀菌效果较好，同时，二氧化碳能够中和氢氧化钠，降低溶液的pH值，避免种皮被过度破坏。

(2)本发明中提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法，催芽得到的扁豆芽，其种子萌发率较高，高于95％，且在后期种植中，与不经过杀菌剂处理的种子相比，扁豆细菌性疫病的发病率较低；同时，与采用包衣处理的种子相比，扁豆细菌性疫病的发病率基本持平。

具体实施方式

以下结合实施例对本发明作进一步详细说明。

本发明实施例提供一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法，包括以下步骤：

S1、挑选饱满、无破损和无病斑的扁豆种子，将挑选后的扁豆种子放置于太阳下暴晒至少24h，且在两次暴晒之间将扁豆种子放置在温度为0℃～5℃的环境中，然后加入温度为25～35℃、pH为6～8的水中，向水中加入抗菌材料保温1～2h。

本发明实施例中的抗菌材料与扁豆种子的质量比为0.001～0.006，抗菌材料包括一壳体结构，壳体结构中包裹有杀菌剂和气体释放载体，杀菌剂包括腐殖质，壳体结构采用质量比为1:0.1～1:0.01～0.005的壳聚糖、明胶和脂质体构成。

杀菌剂还包括高锰酸钾和多菌灵，腐殖质、高锰酸钾和多菌灵的质量比为1:0～0.5:0.01～0.07；气体释放载体为过氧化钙或碳酸氢钠，当气体释放载体为过氧化钙时，所述杀菌剂为腐殖质和多菌灵。

S2、将浸泡后的种子放置在温度为50～65℃、浓度为0.01～0.03的氢氧化钠溶液中，导入二氧化碳气体搅拌至温度为35℃～40℃后洗净。

S3、将洗净的种子放在温度为30～35℃、湿度为60～80％的条件下恒温催芽，待种子破衣后，调整温度至24～25℃、湿度为40～60％，待种芽生长至1～5mm催芽结束。

本发明实施例中，抗菌材料与扁豆种子的质量比可以为0.003～0.005，壳体结构中壳聚糖、明胶和脂质体质量比为1:0.3～0.6:0.02～0.004，最优为1:0.5:0.03，在实际使用中，可以根据需要配置。

本发明中的杀菌剂通过壳体结构包裹杀菌剂和气体释放载体，壳体结构包括壳聚糖、明胶和脂质体，当壳体结构遇见细菌时，细菌能够食用脂质体，使得壳体结构被破坏，水进入壳体内部与气体释放载体作用，产生气体，气体释放时会促进抗菌剂大量释放，抗菌剂能够大量集中在细菌较多的位置，杀菌效果较好；同时，本发明以腐殖质作为杀菌主体，不仅成本较低，而且比较安全，效果较好。

将浸泡后的种子放置在温度为50～65℃、浓度为0.01～0.03的氢氧化钠溶液中，种皮在该溶液中，其表面的胶质层会被破坏，隐藏在内部的细菌会释放，且该部分细菌多为耐热性较差的细菌，在50～65℃即能够杀死；而导入二氧化碳气体搅拌至35℃～40℃是为了使得种子处于运动状态，杀菌效果较好，同时，二氧化碳能够中和氢氧化钠，降低溶液的pH值，避免种皮被过度破坏。

下面，通过5个实施例对本发明进行详细说明。

实施例1

S101、挑选饱满、无破损和无病斑的扁豆种子，将挑选后的扁豆种子放置于太阳下暴晒30h，且在两次暴晒之间将扁豆种子放置在温度为0℃的环境中，然后加入温度为35℃、pH为8的水中，向水中加入抗菌材料保温2h。

本实施例中的抗菌材料与扁豆种子的质量比为0.001，抗菌材料的壳体结构采用质量比为1:0.1:0.005的壳聚糖、明胶和脂质体构成，壳体结构中包裹有腐殖质和过氧化钙。

S102、将浸泡后的种子放置在温度为65℃、浓度为0.03的氢氧化钠溶液中，导入二氧化碳气体搅拌至温度为35℃后洗净。

S103、将洗净的种子放在温度为30℃、湿度为60％的条件下恒温催芽，待种子破衣后，调整温度至24℃、湿度为40％，待种芽生长至1mm催芽结束。

采用本实施例催芽得到的扁豆芽，其种子萌发率较高，为95％，且在后期种植中，与不经过杀菌剂处理的种子相比，扁豆细菌性疫病的发病率较低；同时，与采用包衣处理的种子相比，扁豆细菌性疫病的发病率基本持平。

实施例2

S201、挑选饱满、无破损和无病斑的扁豆种子，将挑选后的扁豆种子放置于太阳下暴晒24h，且在两次暴晒之间将扁豆种子放置在温度为5℃的环境中，然后加入温度为35℃、pH为6的水中，向水中加入抗菌材料保温1h。

本发明实施例中的抗菌材料与扁豆种子的质量比为0.006，抗菌材料的壳体结构采用质量比为1:1:0.005的壳聚糖、明胶和脂质体构成，杀菌剂选用质量比为1:0.01腐殖质和多菌灵，气体释放载体为碳酸氢钠。

S202、将浸泡后的种子放置在温度为50℃、浓度为0.01的氢氧化钠溶液中，导入二氧化碳气体搅拌至温度为40℃后洗净。

S203、将洗净的种子放在温度为30℃、湿度为60％的条件下恒温催芽，待种子破衣后，调整温度至25℃、湿度为40％，待种芽生长至5mm催芽结束。

采用本实施例催芽得到的扁豆芽，其种子萌发率较高，为97％，且在后期种植中，与不经过杀菌剂处理的种子相比，扁豆细菌性疫病的发病率较低；同时，与采用包衣处理的种子相比，扁豆细菌性疫病的发病率基本持平。

实施例3

S301、挑选饱满、无破损和无病斑的扁豆种子，将挑选后的扁豆种子放置于太阳下暴晒35h，且在两次暴晒之间将扁豆种子放置在温度为3℃的环境中，然后加入温度为30℃、pH为7的水中，向水中加入抗菌材料保温1.4h。

本发明实施例中的抗菌材料与扁豆种子的质量比为0.003，抗菌材料的壳体结构采用质量比为1:0.6:0.03的壳聚糖、明胶和脂质体构成，壳体结构中包裹的杀菌剂为质量比为1:0.2:0.04的腐殖质、高锰酸钾和多菌灵；气体释放载体为过氧化钙。

S302、将浸泡后的种子放置在温度为60℃、浓度为0.02的氢氧化钠溶液中，导入二氧化碳气体搅拌至温度为38℃后洗净。

S303、将洗净的种子放在温度为32℃、湿度为70％的条件下恒温催芽，待种子破衣后，调整温度至24℃、湿度为50％，待种芽生长至3mm催芽结束。

采用本实施例催芽得到的扁豆芽，其种子萌发率较高，为95％，且在后期种植中，与不经过杀菌剂处理的种子相比，扁豆细菌性疫病的发病率较低；同时，与采用包衣处理的种子相比，扁豆细菌性疫病的发病率基本持平。

实施例4

S401、挑选饱满、无破损和无病斑的扁豆种子，将挑选后的扁豆种子放置于太阳下暴晒26h，且在两次暴晒之间将扁豆种子放置在温度为2℃的环境中，然后加入温度为28℃、pH为8的水中，向水中加入抗菌材料保温2h，本发明实施例中的抗菌材料与扁豆种子的质量比为0.003，抗菌材料壳体结构中壳聚糖、明胶和脂质体质量比为1:0.3:0.02，气体释放载体为过氧化钙，杀菌剂是质量比为1:0.4:0.05的腐殖质、高锰酸钾和多菌灵，抗菌材料与扁豆种子的质量比为0.003。

S402、将浸泡后的种子放置在温度为57℃、浓度为0.025的氢氧化钠溶液中，导入二氧化碳气体搅拌至温度为36℃后洗净。

S403、将洗净的种子放在温度为34℃、湿度为75％的条件下恒温催芽，待种子破衣后，调整温度至24℃、湿度为46％，待种芽生长至4mm催芽结束。

采用本实施例催芽得到的扁豆芽，其种子萌发率较高，为98％，且在后期种植中，与不经过杀菌剂处理的种子相比，扁豆细菌性疫病的发病率较低；同时，与采用包衣处理的种子相比，扁豆细菌性疫病的发病率基本持平。

实施例5

S501、挑选饱满、无破损和无病斑的扁豆种子，将挑选后的扁豆种子放置于太阳下暴晒35h，且在两次暴晒之间将扁豆种子放置在温度为2℃的环境中，然后加入温度为29℃、pH为7的水中，向水中加入抗菌材料保温1h。

本实施例中的抗菌材料与扁豆种子的质量比为0.004，抗菌材料的壳体结构中壳聚糖、明胶和脂质体质量比为1:0.5:0.03，杀菌剂中腐殖质、高锰酸钾和多菌灵的质量比为1:0.4:0.06，气体释放载体为碳酸氢钠。

S502、将浸泡后的种子放置在温度为62℃、浓度为0.02的氢氧化钠溶液中，导入二氧化碳气体搅拌至温度为36℃后洗净。

S503、将洗净的种子放在温度为30℃、湿度为63％的条件下恒温催芽，待种子破衣后，调整温度至25℃、湿度为45％，待种芽生长至3mm催芽结束。

采用本实施例催芽得到的扁豆芽，其种子萌发率较高，为97％，且在后期种植中，与不经过杀菌剂处理的种子相比，扁豆细菌性疫病的发病率较低；同时，与采用包衣处理的种子相比，扁豆细菌性疫病的发病率基本持平。

本发明不局限于上述实施方式，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围之内。本说明书中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。

Claims (8)

1.一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、挑选饱满、无破损和无病斑的扁豆种子，加入温度为25～35℃、pH为6～8的水中，向水中加入抗菌材料保温1～2h；

所述抗菌材料与扁豆种子的质量比为0.001～0.006，所述抗菌材料包括一壳体结构，所述壳体结构中包裹有杀菌剂和气体释放载体，所述杀菌剂包括腐殖质，所述壳体结构采用质量比为1:0.1～1:0.01～0.005的壳聚糖、明胶和脂质体构成，所述气体释放载体为过氧化钙；

S2、将浸泡过的种子放在温度为30～35℃、湿度为60～80％的条件下恒温催芽，待种子破衣后，调整温度至24～25℃、湿度为40～60％，待种芽生长至1～5mm催芽结束。

2.如权利要求1所述的一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法，其特征在于：步骤S1中所述挑选饱满、无破损和无病斑的扁豆种子之后，加入温度为25～35℃、pH为6～8的水中之前还包括以下步骤：将挑选后的扁豆种子放置于太阳下暴晒至少24h，且在两次暴晒之间将扁豆种子放置在温度为0℃～5℃的环境中。

3.如权利要求1所述的一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法，其特征在于：所述抗菌材料与扁豆种子的质量比为0.003～0.005。

4.如权利要求1所述的一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法，其特征在于：所述杀菌剂还包括高锰酸钾和多菌灵。

5.如权利要求4所述的一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法，其特征在于：所述腐殖质、高锰酸钾和多菌灵的质量比为1:0～0.5:0.01～0.07。

6.如权利要求1所述的一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法，其特征在于：所述步骤S1和S2之间还包括以下步骤：将浸泡后的种子放置在温度为50～65℃、浓度为0.01～0.03的氢氧化钠溶液中，导入二氧化碳气体搅拌至温度为35℃～40℃后洗净。

7.如权利要求1所述的一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法，其特征在于：所述壳体结构采用质量比为1:0.3～0.6:0.02～0.004的壳聚糖、明胶和脂质体构成。

8.如权利要求7所述的一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法，其特征在于：所述壳体结构采用质量比为1:0.5:0.03的壳聚糖、明胶和脂质体构成。