CN109705854B - 一种铟、铊共掺的碘化铯闪烁体及其应用 - Google Patents
一种铟、铊共掺的碘化铯闪烁体及其应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109705854B CN109705854B CN201910039839.9A CN201910039839A CN109705854B CN 109705854 B CN109705854 B CN 109705854B CN 201910039839 A CN201910039839 A CN 201910039839A CN 109705854 B CN109705854 B CN 109705854B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- thallium
- indium
- cesium iodide
- codoped
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims abstract description 75
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 15
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 15
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 14
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 45
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 26
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910021621 Indium(III) iodide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 238000010025 steaming Methods 0.000 claims description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 16
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 8
- 229910001449 indium ion Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开了一种铟、铊共掺的碘化铯闪烁体及其应用，所述闪烁体的化学组成通式为：(Cs1‑x‑yTlxIny)I1+2y，0<x≤0.05、0<y≤0.05。将铟、铊共掺的碘化铯闪烁体应用于制备的铟、铊共掺的碘化铯薄膜，薄膜采用热蒸发工艺制备。采用本发明所述的铟、铊共掺的碘化铯闪烁体制备的铟、铊共掺的碘化铯薄膜具有高闪烁效率和高稳定性，特别是稳定性的提高将对促使CsI闪烁材料在高分辨X成像领域的广泛应用具有重要价值。
Description
技术领域
本发明属于闪烁体材料技术领域，具体涉及一种铟、铊共掺的碘化铯闪烁体及其应用。
背景技术
碘化铯(CsI)系闪烁材料主要包括纯CsI产生的本征CsI系闪烁体材料及其掺杂后产生的非本征CsI系闪烁体材料。本征CsI系闪烁体具有均匀性高、光输出高、余辉较小等特点，但纯CsI晶体的荧光时间太短，电荷藕合器件图像传感器(CCD)不能够直接接受其信号。非本征闪烁体中掺铊碘化铯(CsI：Tl)晶体密度较大，转换后的可见光可以与CCD匹配，同时CsI：Tl晶体具有较高的光产额和优良的抗辐照能力，是一种综合性能优良的闪烁晶体。
然而，CsI：Tl晶体稳定性远不如CdWO4、BaF2等闪烁晶体材料，其较低稳定性极大的制约了该类闪烁材料的发展，如何提高CsI：Tl晶体的稳定性是研究此类材料的关键技术。卤素类闪烁材料(如NaI、CsI等)的稳定性主要是此类材料的潮解性引起的，抑制此类材料的潮解性是提高材料稳定性的关键。元素掺杂是改善材料和器件性能的有效手段之一。诸如通过对CsI进行Na元素掺杂可以有效增强闪烁体的光产能，通过对CsI进行Yb、Bi元素的掺杂进行余晖性能的减弱。但到目前为止，能显著提高CsI闪烁材料稳定性的元素掺杂未见报道。
发明内容
本发明的目的在于提供一种铟、铊共掺的碘化铯闪烁体及其应用，该闪烁体在具有高闪烁效率的基础上，还能具有较高的稳定性。
为实现上述目的，本发明提供了一种铟、铊共掺的碘化铯闪烁体，所述闪烁体的化学组成通式为：(Cs1-x-yTlxIny)I1+2y，0<x≤0.05、0<y≤0.05。
本发明所述的铟、铊共掺的碘化铯闪烁体可应用于制备的铟、铊共掺的碘化铯薄膜。
优选的，所述薄膜采用热蒸发工艺制备。
优选的，所述热蒸发工艺包括以下步骤：
(1)按组成通式：(Cs1-x-yTlxIny)I1+2y称取化学计量比的CsI、TlI和InI3，在混合均匀后装入固定在电极上的钼金属蒸发舟内；
(2)将衬底基片加热至150～250℃，并调节热蒸室内气压至10-5～10-3Torr，以
的蒸镀速率进行蒸镀，在衬底基片上的薄膜厚度达到30～600μm后停止蒸镀；然后在100～350℃下进行退火处理30～90min，再自然降温至室温。
优选的，所述衬底基片选用铝片、玻璃、陶瓷材料、单晶硅片、石英片中的一种。
经过实验图谱分析可知，与现有技术相比，采用本发明所述的铟、铊共掺的碘化铯闪烁体制备的铟、铊共掺的碘化铯薄膜具有高闪烁效率和高稳定性，特别是稳定性的提高将对促使CsI闪烁材料在高分辨X成像领域的广泛应用具有重要价值。
附图说明
图1是本发明提供的掺铊碘化铯在共掺铟离子前后的X射线激发发光效率的差异图；
图中：曲线A是掺铊碘化铯薄膜样品的X射线激发发光效率曲线；曲线B是掺杂铟离子后的掺铊碘化铯薄膜样品的X射线激发发光效率曲线；
图2是掺铊碘化铯薄膜样品在空气中(25℃，80％RH)放置240h前后的X射线衍射对比图谱；
图中：曲线A是掺铊碘化铯薄膜样品在空气中(25℃，80％RH)放置240h前的X射线衍射图谱；曲线B是掺铊碘化铯薄膜样品在空气中(25℃，80％RH)放置240h后的X射线衍射图谱；
图3是本发明提供的掺铊碘化铯在共掺铟离子后薄膜样品在空气中(25℃，80％RH)放置240h前后的X射线衍射对比图谱；
图中：曲线C是本发明提供的掺铊碘化铯在共掺铟离子后薄膜样品在空气中(25℃，80％RH)放置240h前的X射线衍射图谱；曲线D是本发明提供的掺铊碘化铯在共掺铟离子后薄膜样品在空气中(25℃，80％RH)放置240h后的X射线衍射图谱。
具体实施方式
以下结合附图对本发明作进一步详细说明。
选择常用的掺铊碘化铯作为对比例：制备(Cs0.999Tl0.001)I薄膜
将259.55g CsI和0.331g TlI混合均匀后，装入固定在电极上的钼金属蒸发舟内，通过电阻加热的方式对铝片加热至180℃，并调节热蒸室内气压为10-3torr，以
的蒸镀速率进行蒸镀，蒸发时基片架旋转以保证薄膜均匀性，待薄膜厚度达到80μm后停止蒸镀，待温度降至150℃后保温30min退火，自然冷却到室温，生长得到的薄膜样品无色透明，与铝片结合牢固。
实施例1：制备(Cs0.9985Tl0.001In0.0005)I1.001薄膜
将259.42CsI、0.331g TlI和0.248g InI3充分混合均匀后，装入固定在电极上的钼金属蒸发舟内，通过电阻加热的方式对单晶硅片加热至180℃，并调节热蒸室内气压为10-3torr，以
的蒸镀速率进行蒸镀，蒸发时基片架旋转以保证薄膜均匀性，待薄膜厚度达到80μm后停止蒸镀，待温度降至150℃后保温30min退火，自然冷却到室温，生长得到的薄膜样品无色透明，与单晶硅片结合牢固，所述单晶硅片也可选用铝片或陶瓷片来替换。
将对比例和实施例1所制得的薄膜样品分别进行X射线激发发光效率检测，结果如图1所示。由图1分析可知，铟、铊共掺CsI薄膜与掺杂铊的CsI薄膜都具有CsI的衍射峰，且铟、铊共掺CsI薄膜的闪烁效率明显高于掺杂铊的CsI薄膜。
图2是对比例所制得的薄膜样品在空气中(25℃，80％RH)放置240h前后的X射线衍射对比图谱；由图2分析可知，掺杂铊的CsI薄膜样品暴露在空气后，衍射峰强度明显降低，说明该样品的结晶度下降，样品部分成分产生降解，性能不稳定。
图3是实施例1所制得的薄膜样品在空气中(25℃，80％RH)放置240h前后的X射线衍射对比图谱；由图3分析可知，本发明提供的掺铊碘化铯在共掺铟离子后薄膜样品暴露在空气后，衍射峰强度基本没有变化，说明共掺杂铟离子后的碘化铯样品在空气中无降解，样品稳定性好。
实施例2：制备(Cs0.998Tl0.001In0.001)I1.002薄膜
将259.30g CsI、0.331g TlI和0.496g InI3充分混合均匀后，装入固定在电极上的钼金属蒸发舟，通过电阻加热的方式对玻璃片加热至250℃，并调节热蒸室内气压为10- 5torr，以
的蒸镀速率进行蒸镀，蒸发时基片架旋转以保证薄膜均匀性，待薄膜厚度达到600μm后停止蒸镀，待温度降至350℃后保温90min退火，自然冷却到室温，生长得到的薄膜样品无色透明，与玻璃片结合牢固，所述玻璃片也可选用铝片或陶瓷片来替换。
本实施例的检测结果与实施例1类似，通过检测结果分析表明铟、铊共掺CsI薄膜与掺杂铊的CsI薄膜都具有CsI的衍射峰，且铟、铊共掺CsI薄膜的闪烁效率明显高于掺杂铊的CsI薄膜。另外，铟、铊共掺CsI薄膜的稳定性优于掺杂铊的CsI薄膜。
实施例3：制备(Cs0.9975Tl0.001In0.0015)(I1.003)薄膜
将259.16g CsI、0.331g TlI和0.743g InI3充分混合后，装入固定在电极上的钼金属蒸发舟，通过电阻加热的方式对石英片加热至150℃，热蒸室内气压降至10-4torr，以
的蒸镀速率进行蒸镀，蒸发时基片架旋转以保证薄膜均匀性，待薄膜厚度达到30μm后停止蒸镀，待温度降至100℃后保温40min退火，自然冷却到室温，生长得到的薄膜样品无色透明，与石英片结合牢固，所述石英片也可选用铝片或陶瓷片来替换。
本实施例的检测结果与实施例1类似，通过检测结果分析表明铟、铊共掺CsI薄膜与掺杂铊的CsI薄膜都具有CsI的衍射峰，且铟、铊共掺CsI薄膜的闪烁效率明显高于掺杂铊的CsI薄膜。另外，铟、铊共掺CsI薄膜的稳定性优于掺杂铊的CsI薄膜。
Claims (5)
1.一种铟、铊共掺的碘化铯闪烁体，其特征在于：所述闪烁体的化学组成通式为：(Cs1-x-yTlxIny)I1+2y，0<x≤0.05、0<y≤0.05。
2.一种应用权利要求1所述的铟、铊共掺的碘化铯闪烁体制备的铟、铊共掺的碘化铯薄膜。
3.根据权利要求2所述的铟、铊共掺的碘化铯薄膜，其特征在于：所述薄膜采用热蒸发工艺制备。
4.根据权利要求3所述的铟、铊共掺的碘化铯薄膜，其特征在于：所述热蒸发工艺包括以下步骤：
(1)按组成通式：(Cs1-x-yTlxIny)I1+2y称取化学计量比的CsI、TlI和InI3，在混合均匀后装入固定在电极上的钼金属蒸发舟内；
(2)将衬底基片加热至150～250℃，并调节热蒸室内气压至10-5～10-3Torr，以
的蒸镀速率进行蒸镀，在衬底基片上的薄膜厚度达到30～600μm后停止蒸镀；然后在100～350℃下进行退火处理30～90min，再自然降温至室温。
5.根据权利要求4所述的铟、铊共掺的碘化铯薄膜，其特征在于：所述衬底基片选用铝片、玻璃、陶瓷材料、单晶硅片、石英片中的一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910039839.9A CN109705854B (zh) | 2019-01-16 | 2019-01-16 | 一种铟、铊共掺的碘化铯闪烁体及其应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910039839.9A CN109705854B (zh) | 2019-01-16 | 2019-01-16 | 一种铟、铊共掺的碘化铯闪烁体及其应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109705854A CN109705854A (zh) | 2019-05-03 |
| CN109705854B true CN109705854B (zh) | 2021-06-15 |
Family
ID=66261609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910039839.9A Active CN109705854B (zh) | 2019-01-16 | 2019-01-16 | 一种铟、铊共掺的碘化铯闪烁体及其应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109705854B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115323323B (zh) * | 2021-04-25 | 2024-04-12 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种铊掺杂低维钙钛矿结构微晶闪烁薄膜及其制备方法和应用 |
| CN118064841B (zh) * | 2024-04-18 | 2024-08-23 | 杭州钛光科技有限公司 | 一种低余晖x射线闪烁体膜的制备及应用 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102575160A (zh) * | 2009-09-02 | 2012-07-11 | 佳能株式会社 | 闪烁体材料 |
| WO2012169659A1 (en) * | 2011-06-06 | 2012-12-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Scintillator material and radiation detector using same |
| CN103050365A (zh) * | 2012-12-19 | 2013-04-17 | 杭州时代照明电器有限公司 | 植物生长金属卤化物灯及其制造方法 |
| CN103388179A (zh) * | 2013-07-19 | 2013-11-13 | 上海硅酸盐研究所中试基地 | 共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体及其制备方法和应用 |
| CN103858177A (zh) * | 2011-10-10 | 2014-06-11 | 美国西门子医疗解决公司 | 吸湿性降低的金属卤化物闪烁体及其制造方法 |
| JP5603461B1 (ja) * | 2013-07-02 | 2014-10-08 | 公立大学法人大阪府立大学 | アルカリハライド系シンチレータ粉末の製造方法及びシンチレータ材料の製造方法 |
| DE102014217580A1 (de) * | 2014-09-03 | 2016-03-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Szintillatorplatte und Verfahren zu deren Herstellung |
| CN105555916A (zh) * | 2013-07-19 | 2016-05-04 | 田纳西大学研究基金会 | 三元金属卤化物闪烁体 |
| CN105849228A (zh) * | 2014-10-21 | 2016-08-10 | 公立大学法人大阪府立大学 | 碱金属卤化物系闪烁体粉末的制造方法和闪烁体材料的制造方法 |
| CN106661448A (zh) * | 2014-05-08 | 2017-05-10 | 田纳西大学研究基金会 | 用于辐射探测的混合卤化物闪烁体 |
-
2019
- 2019-01-16 CN CN201910039839.9A patent/CN109705854B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102575160A (zh) * | 2009-09-02 | 2012-07-11 | 佳能株式会社 | 闪烁体材料 |
| WO2012169659A1 (en) * | 2011-06-06 | 2012-12-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Scintillator material and radiation detector using same |
| CN103858177A (zh) * | 2011-10-10 | 2014-06-11 | 美国西门子医疗解决公司 | 吸湿性降低的金属卤化物闪烁体及其制造方法 |
| CN103050365A (zh) * | 2012-12-19 | 2013-04-17 | 杭州时代照明电器有限公司 | 植物生长金属卤化物灯及其制造方法 |
| JP5603461B1 (ja) * | 2013-07-02 | 2014-10-08 | 公立大学法人大阪府立大学 | アルカリハライド系シンチレータ粉末の製造方法及びシンチレータ材料の製造方法 |
| CN103388179A (zh) * | 2013-07-19 | 2013-11-13 | 上海硅酸盐研究所中试基地 | 共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体及其制备方法和应用 |
| CN105555916A (zh) * | 2013-07-19 | 2016-05-04 | 田纳西大学研究基金会 | 三元金属卤化物闪烁体 |
| CN106661448A (zh) * | 2014-05-08 | 2017-05-10 | 田纳西大学研究基金会 | 用于辐射探测的混合卤化物闪烁体 |
| DE102014217580A1 (de) * | 2014-09-03 | 2016-03-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Szintillatorplatte und Verfahren zu deren Herstellung |
| CN105849228A (zh) * | 2014-10-21 | 2016-08-10 | 公立大学法人大阪府立大学 | 碱金属卤化物系闪烁体粉末的制造方法和闪烁体材料的制造方法 |
Non-Patent Citations (6)
| Title |
|---|
| Characterization of the nefor high-speed radiographic imagingw codoped CsI microcolumnar films;Samta C. Thacker et al.;《Proc. of SPIE》;20080318;第6913卷;第69103Q（1-11）页 * |
| Luminescence and scintillation properties of Tl and In-doped CsCl crystals;Takumi Sakai et al.;《Japanese Journal of Applied Physics》;20170531;第56卷;第062601（1-5）页 * |
| Scintillation Characteristic of In,Ga-Doped ZnO Thin Films with Different Dopant Concentrations;Yutaka Fujimoto et al.;《Japanese Journal of Applied Physics》;20110120;第50卷;第01BG04（1-4）页 * |
| Scintillation Characteristics of Indium Doped Cesium Iodide Single Crystal;Yuntao Wu et al.;《IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE》;20150430;第62卷(第2期);第571-576页 * |
| 不同浓度掺铊碘化铯(CsI:Tl)晶体的光谱特性;吴正龙;《光谱学与光谱分析》;20110831;第31卷(第8期);第2141-2143页 * |
| 掺杂ZnO超快闪烁体单晶研究进展;左艳彬 等;《超硬材料工程》;20150430;第27卷(第2期);第51-56页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109705854A (zh) | 2019-05-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7008558B2 (en) | Terbium or lutetium containing scintillator compositions having increased resistance to radiation damage | |
| US6793848B2 (en) | Terbium or lutetium containing garnet scintillators having increased resistance to radiation damage | |
| US6437336B1 (en) | Scintillator crystals and their applications and manufacturing process | |
| JPWO2006049284A1 (ja) | Ｐｒを含むシンチレータ用単結晶及びその製造方法並びに放射線検出器及び検査装置 | |
| CN1902341A (zh) | 闪烁体(变体) | |
| WO2005110943A1 (en) | Fluorescent ceramic and fabrication method thereof | |
| Chen et al. | Preparation and optical properties of transparent (Ce, Gd) 3Al3Ga2O12 ceramics | |
| CN109705854B (zh) | 一种铟、铊共掺的碘化铯闪烁体及其应用 | |
| Zhu et al. | Influence of calcium doping concentration on the performance of Ce, Ca: LuAG scintillation ceramics | |
| Shi et al. | Microstructure, optical, and scintillation characteristics of Pr3+ doped Lu3Al5O12 optical ceramics | |
| CN111499204A (zh) | 一种Ce3+掺杂硅酸盐闪烁玻璃及其制备方法和应用 | |
| CN106673639B (zh) | 共掺杂钇铝石榴石闪烁透明陶瓷及其制备方法 | |
| Wisniewski et al. | Development of novel polycrystalline ceramic scintillators | |
| CN101560102A (zh) | C掺杂α-Al2O3透明陶瓷热释光和光释光材料的制备方法 | |
| WO2019168169A1 (ja) | 蛍光体 | |
| EP2397453A1 (en) | Method for preparation of synthetic garnets based in luag or yag | |
| Xu et al. | Scintillation and luminescent properties of cerium doped lutetium aluminum garnet (Ce: LuAG) powders and transparent ceramics | |
| JP2001181043A (ja) | 透明多結晶ガーネットシンチレータ、シンチレータ用粉末およびその製造方法 | |
| CN103951240B (zh) | 稀土离子掺杂的Cs2LiLaCl6微晶玻璃及其制备方法 | |
| Kawaguchi et al. | Scintillation and thermoluminescence properties of transparent glass-ceramics containing Sr0. 5Ba0. 5Nb2O6 nanocrystallites | |
| Zhuravleva et al. | Crystal Growth and Scintillating Properties of Zr/Si-Codoped ${\rm YAlO} _ {3}:{\rm Pr}^{3+} $ | |
| CN118562173B (zh) | 一种x射线探测用稀土基卤化物类钙钛矿柔性薄膜制备方法 | |
| CN112390278A (zh) | 一种强吸电子元素掺杂稀土正硅酸盐闪烁材料及其制备方法和应用 | |
| Qin et al. | Effects of Doping ${\rm Lu} _ {2}{\rm O} _ {3} $ Into ${\rm Gd} _ {2}{\rm O} _ {3} $ on Phase Transformation and Luminescence | |
| CN105778911A (zh) | 以YbMoO4为基质的稀土掺杂光致发光材料及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220818 Address after: 221200 no.899 Yongchang Road, Suining Economic Development Zone, Xuzhou City, Jiangsu Province Patentee after: JIANGSU NADIA ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD. Address before: 221000 No.28, Gaoxin Road, Xuzhou Economic and Technological Development Zone, Xuzhou City, Jiangsu Province Patentee before: JIANGSU JINHUPO OPTICS TECHNOLOGY CO.,LTD. |