CN109687072B - 滤波器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种滤波器，其包括：陶瓷本体、设置于陶瓷本体内、外表面的金属层；陶瓷本体的一面具有多个谐振腔，多个谐振腔中的两个谐振腔之间设置有用于电容耦合的贯通陶瓷本体的孔洞，孔洞的上端边缘和/或下端边缘设置有环形的调节带，调节带处未设置金属层，孔洞的长度h1定义滤波器的第一性能参数，孔洞的孔径D1定义滤波器的第二性能参数，调节带由孔洞上端边缘和/或下端边缘所露出环形区域上的环形凹槽所限定。本发明的滤波器通过在谐振腔之间开设孔洞，实现了滤波器的电容耦合性能，同时通过在孔洞上制作调节带，有效地对滤波器的电容耦合大小、带外抑制、远端抑制等性能进行调节，特别是能极好的改善滤波器通带两侧的零点平衡性。
Description
技术领域
本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种应用于通信领域的滤波器。
背景技术
介质波导滤波器是一种采用介质谐振腔经过多级耦合而取得选频作用的微波滤波器。介质波导滤波器的表面覆盖着金属层，电磁波被限制在介质内，形成驻波振荡。介质波导滤波器的主要优点是功率容量大，插入损耗低，但是，现有的介质滤波器实现电容耦合相当困难，且对左右远端有杂散影响，如此限制了介质滤波器的应用。因此，针对上述要求，有必要提出进一步地解决方案。
发明内容
本发明旨在提供一种滤波器，以克服现有技术中存在的不足。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：
一种滤波器，其包括：陶瓷本体、设置于所述陶瓷本体内、外表面的金属层；
所述陶瓷本体的一面具有多个谐振腔，多个谐振腔中的两个谐振腔之间设置有用于电容耦合的贯通所述陶瓷本体的孔洞，所述孔洞的上端边缘和/或下端边缘设置有环形的调节带，所述调节带处未设置所述金属层，所述孔洞的长度h1定义所述滤波器的第一性能参数，所述孔洞的孔径D1定义所述滤波器的第二性能参数，所述调节带由所述孔洞上端边缘和/或下端边缘所露出环形区域上的环形凹槽所限定。
作为本发明的滤波器的改进，所述孔洞位于两个谐振腔之间连线的中点位置。
作为本发明的滤波器的改进，所述孔洞的截面形状为：圆形、椭圆形、多边形或者异形中的一种。
作为本发明的滤波器的改进，所述环形凹槽的深度h2定义所述滤波器的第三性能参数，所述环形凹槽的直径D2定义所述滤波器的第四性能参数。
作为本发明的滤波器的改进，所述谐振腔为六个，六个谐振腔以阵列形式排布于所述陶瓷本体的一面上。
作为本发明的滤波器的改进，三列谐振腔中相邻两列的各谐振腔之间通过第一隔离腔所隔离，所述相邻两列的各谐振腔与其余一列谐振腔通过第二隔离腔所隔离。
作为本发明的滤波器的改进，所述孔洞位于其余一列两个谐振腔之间。
作为本发明的滤波器的改进，所述金属层为镀银层或镀铜层。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明的滤波器通过在谐振腔之间开设孔洞，实现了滤波器的电容耦合性能，同时通过在孔洞上制作调节带，有效地对滤波器的电容耦合大小、带外抑制、远端抑制等性能进行调节，特别是能极好的改善滤波器通带两侧的零点平衡性，充分满足了实际的使用需求。此外，本发明的滤波器从物理结构上，更容易机加、压铸成形，工艺更简单，更利于生产。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的滤波器的俯视图；
图2为本发明的滤波器的仰视图；
图3为另一实施方式中图1A-A方向的截面放大图，此时，调节带为设置于孔洞上、下端边缘的环形区域；
图4为另一实施方式中图1A-A方向的截面放大图，此时，调节带为设置于孔洞上、下端边缘的环形凹槽；
图5为本发明的滤波器的S参数曲线图；
需要说明的是，A-A方向为垂直于纸面的方向，为了绘制的方便，将其倾斜绘制。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1、2所示，本发明提供一种滤波器，其包括：陶瓷本体1、设置于所述陶瓷本体1内、外表面的金属层2。
所述陶瓷本体1的一面具有多个谐振腔11，所述谐振腔11为设置于所述陶瓷本体1一面上的盲孔，多个谐振腔11通过多级耦合实现选频滤波。由于滤波器的滤波原理上属于现有技术，此处不对其进行详细说明。
在一个实施方式中，所述谐振腔11为六个，此时，六个谐振腔11以阵列形式排布于所述陶瓷本体1的一面上。本实施方式中，三列谐振腔11中相邻两列的各谐振腔11之间通过第一隔离腔12所隔离。该第一隔离腔12为十字形结构，四个谐振腔11分别分布于由所述第一隔离腔12所划分的四个区域中。所述相邻两列的各谐振腔11与其余一列谐振腔11通过第二隔离腔13所隔离。该第二隔离腔13大致呈T字形。
如图3、4所示，多个谐振腔11中的两个谐振腔11之间设置有用于电容耦合的贯通所述陶瓷本体1的孔洞14，该孔洞14在实现电容耦合的同时，相比于开设盲孔，还具有加工方便的优势。因为，开设盲孔时，对盲孔的底部距离陶瓷本体1的表面之间的距离具有精度的要求，该精度要求显著提高了器件的工艺难度以及成本，而开设通孔则克服了该问题。优选地，所述孔洞14位于两个谐振腔11之间连线的中点位置。当多个谐振腔11为六个，并以阵列形式排布时，所述孔洞14位于其余一列两个谐振腔11之间。此外，所述孔洞14的截面形状可以为：圆形、椭圆形、多边形或者异形中的一种。优选地，所述孔洞14的截面形状为圆形。
为了实现对电容耦合大小、带外抑制、远端抑制等性能进行调节，所述孔洞14上端边缘和/或下端边缘设置有环形的调节带141，该调节带141处未设置所述金属层2。当在孔洞14的上端边缘和下端边缘同时设置调节带141时，相比在一端边缘设置调节带141具有更好的电容耦合效果。
所述孔洞14的长度h1定义所述滤波器的第一性能参数，所述孔洞14的孔径D1定义所述滤波器的第二性能参数。
从而，通过改变调节带141与所述陶瓷本体1的一面的距离h1或孔洞14的孔径D1尺寸参数，可实现对电容耦合大小、带外抑制、远端抑制等性能进行适应性调节，以使得本发明的滤波器满足相应条件下的使用需求。
为了验证第一、第二性能参数与电容耦合大小、带外抑制、远端抑制等性能之间的相关性，如图5所示，建立不同频率下表征本发明滤波器性能的S参数的曲线图，其中，S参数，也就是散射参数。是微波传输中的一个重要参数。
由图5可知，L曲线中出现了左右分布的A点波峰和B点波峰，其表明本发明的滤波器具有电容耦合性能，同时A点波峰和B点波峰的高度差反映了对于带外抑制的影响。此外，L曲线中还出现了C点波峰，C点波峰为该远端谐波，对比同类电容耦合，本专利的谐波点离通带更远，抑制度更大，从而表明本发明的滤波器可以产生特性更好的远端抑制。
再次如图3所示，在另一个替代的实施方式中，所述孔洞14上端边缘和下端边缘设置有环形的调节带141。所述调节带141由所述孔洞14上端边缘和下端边缘所露出的环形区域所述限定。本实施方式中，该调节带141的加工方式同样通过铣刀加工而成，此处不再重复介绍。
再次如图4所示，在另一个替代的实施方式中，所述孔洞14上端边缘和下端边缘设置有环形的调节带141。所述调节带141由所述孔洞14上端边缘和下端边缘所露出环形区域上的环形凹槽所限定。本实施方式中，该调节带141同样通过铣刀加工而成。加工时，控制铣刀先铣去调节带141表面对应的金属层2后，在继续铣加工，使得露出的环形区域上形成环形的凹槽结构，环形的凹槽结构占据露出的环形区域部分或者全部，占据部分时，露出的环形区域与环形的凹槽结构之间形成台阶结构。此时，通过调节台阶结构的高度，也可实现对电容耦合大小的调节。
上述替代实施方式中，通过形成环形的凹槽结构，使得所述环形凹槽的深度h2定义所述滤波器的第三性能参数，所述环形凹槽的直径D2定义所述滤波器的第四性能参数。从而，第一、第二、第三、第四性能参数能够一起对滤波器的性能进行调整、优化。
所述陶瓷本体1的另一面还设置有输入口15和输入口16。
所述金属层2用于实现本发明滤波器的电气性能，优选地，所述金属层2可以为镀银层或镀铜层。此外，所述金属层2也可以通过其他具有导电性能的层结构所替代。
综上所述，本发明的滤波器通过在谐振腔之间开设孔洞，实现了滤波器的电容耦合性能，同时通过在孔洞上制作调节带，有效地对滤波器的电容耦合大小、带外抑制、远端抑制等性能进行调节，特别是能极好的改善滤波器通带两侧的零点平衡性，充分满足了实际的使用需求。此外，本发明的滤波器从物理结构上，更容易机加、压铸成形，工艺更简单，更利于生产。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (8)
1.一种滤波器，其特征在于，所述滤波器包括：陶瓷本体、设置于所述陶瓷本体内、外表面的金属层；
所述陶瓷本体的一面具有多个谐振腔，多个谐振腔中的两个谐振腔之间设置有用于电容耦合的贯通所述陶瓷本体的孔洞，所述孔洞的上端边缘和/或下端边缘设置有环形的调节带，所述调节带处未设置所述金属层，所述孔洞的长度h1定义所述滤波器的第一性能参数，所述孔洞的孔径D1定义所述滤波器的第二性能参数，所述调节带由所述孔洞上端边缘和/或下端边缘所露出环形区域上的环形凹槽所限定。
2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述孔洞位于两个谐振腔之间连线的中点位置。
3.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述孔洞的截面形状为：圆形、椭圆形、多边形或者异形中的一种。
4.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述环形凹槽的深度h2定义所述滤波器的第三性能参数，所述环形凹槽的直径D2定义所述滤波器的第四性能参数。
5.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述谐振腔为六个，六个谐振腔以阵列形式排布于所述陶瓷本体的一面上。
6.根据权利要求5所述的滤波器，其特征在于，三列谐振腔中相邻两列的各谐振腔之间通过第一隔离腔所隔离，所述相邻两列的各谐振腔与其余一列谐振腔通过第二隔离腔所隔离。
7.根据权利要求6所述的滤波器，其特征在于，所述孔洞位于其余一列两个谐振腔之间。
8.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述金属层为镀银层或镀铜层。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: Building 14, environmental protection industrial park, No. 369, Lushan Road, high tech Zone, Suzhou City, Jiangsu Province Applicant after: SUZHOU RF TOP ELECTRONIC COMMUNICATIONS CO., LTD. Applicant after: Chen Rongda Address before: 215129 14 Environmental Protection Industrial Park No. 369 Lushan Road, Suzhou High-tech Zone, Jiangsu Province Applicant before: Suzhou RF Top Electronic Communication Co., Ltd. Applicant before: Chen Rongda |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: No. 65, Chengji Road, Hushuguan Town, high tech Zone, Suzhou City, Jiangsu Province Co-patentee after: Chen Rongda Patentee after: SUZHOU RF TOP ELECTRONIC COMMUNICATIONS Co.,Ltd. Address before: 215129 14 Environmental Protection Industrial Park No. 369 Lushan Road, Suzhou High-tech Zone, Jiangsu Province Co-patentee before: Chen Rongda Patentee before: SUZHOU RF TOP ELECTRONIC COMMUNICATIONS Co.,Ltd. |
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| CP02 | Change in the address of a patent holder | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200628 Address after: No. 65, Chengji Road, Hushuguan Town, high tech Zone, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee after: SUZHOU RF TOP ELECTRONIC COMMUNICATIONS Co.,Ltd. Address before: 215000 No.65, Chengji Road, Hushuguan Town, high tech Zone, Suzhou City, Jiangsu Province Co-patentee before: Chen Rongda Patentee before: SUZHOU RF TOP ELECTRONIC COMMUNICATIONS Co.,Ltd. |
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| TR01 | Transfer of patent right |