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CN109656093B - 设计光掩模的布局的方法以及制造光掩模的方法 - Google Patents

设计光掩模的布局的方法以及制造光掩模的方法 Download PDF

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CN109656093B CN201811060653.3A CN201811060653A CN109656093B CN 109656093 B CN109656093 B CN 109656093B CN 201811060653 A CN201811060653 A CN 201811060653A CN 109656093 B CN109656093 B CN 109656093B
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Abstract

一种设计光掩模的布局的方法和制造光掩模的方法，该设计光掩模的布局的方法包括：获得掩模图案的设计布局；对设计布局执行光学邻近校正以获得设计数据；获得在根据设计数据曝光光掩模期间出现的图案的位置误差数据；基于位置误差数据来校正图案的位置数据以校正设计数据；以及将经校正的位置数据提供给曝光设备以根据经校正的设计数据用曝光光束来曝光衬底。

Description

设计光掩模的布局的方法以及制造光掩模的方法
相关申请的交叉引用
2017年10月12日在韩国知识产权局提交的标题为“Method of Designing Layoutof Photomask and Method of Manufacturing Photomask”的韩国专利申请第10-2017-0132241号其整体通过引用被并入本文。
技术领域
实施例涉及一种设计光掩模的布局的方法以及制造光掩模的方法。
背景技术
近来，随着半导体器件的设计规则已变得更小，光掩模可能需要更高程度的精度。
发明内容
可以通过提供一种设计光掩模的布局的方法来实现实施例，该方法包括：获得掩模图案的设计布局；对设计布局执行光学邻近校正以获得设计数据；获得在根据设计数据曝光光掩模期间出现的图案的位置误差数据；基于位置误差数据来校正图案的位置数据以校正设计数据；以及将经校正的位置数据提供给曝光设备以根据经校正的设计数据用曝光光束来曝光衬底。
可以通过提供一种制造光掩模的方法来实现实施例，该方法包括：获得要在衬底上形成的掩模图案的设计数据；获得当衬底根据设计数据被曝光于曝光光束时出现的图案的位置误差数据；基于位置误差数据来校正图案的位置数据以补偿位置误差；以及根据经校正的、图案的位置数据来曝光衬底。
可以通过提供一种制造光掩模的方法来实现实施例，该方法包括：获得光掩模的设计图案数据；获得在实际曝光期间出现的图案的位置误差数据；定义将设计图案的掩模区域划分成预定尺寸的网格；通过补偿位置误差数据在网格上重新排列设计图案的位置；并根据设计图案的位置数据来曝光衬底。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将是显而易见的，其中：
图1示出了根据示例实施例的制造光掩模的装置的视图。
图2示出了图1中的装置的框图。
图3A示出了掩模图案的理想配准图的视图。图3B示出了掩模图案的实际配准图的视图。
图4示出了根据示例实施例的制造光掩模的方法的流程图。
图5和图6示出根据示例实施例的划分设计掩模图案的掩模区域的网格的视图。
图7示出了设计掩模图案的校正位置数据的平台(stage)的视图。
图8示出了分别由设计掩模图案和经校正的掩模图案形成的掩模图案的配准图的视图。
具体实施方式
图1示出了根据示例实施例的制造光掩模的装置的视图。图2示出了图1中的装置的框图。图3A示出了掩模图案的理想配准图的视图。图3B示出了掩模图案的实际配准图的视图。
参照图1至图3B，光掩模制造装置可以包括曝光设备100和被配置为控制曝光设备100的控制器200。曝光设备100可以基于在控制器200中提供的设计数据来根据控制信号用曝光光束来曝光衬底10。
在实施方式中，曝光设备100可以使用至少一个曝光光束B在衬底10上生成图案。曝光设备100可以是用于在其上沉积有感光材料的衬底上写入的微光刻写入设备。曝光设备100可以用于制造用于晶片的光刻工艺的光掩模或中间掩模(reticle)。例如，曝光光束B可以包括激光光束、电子光束等(例如，曝光设备100可以是激光光束发射器、电子光束发射器等)。曝光设备100可以包括将曝光光束B引向曝光平台上的衬底10并执行扫描操作的扫描设备。
曝光设备100可以包括用于扫描操作的偏转器。偏转器可以将曝光光束偏转到衬底上以形成图案。曝光平台可以支撑和移动衬底。曝光平台可以通过致动器沿X方向或Y方向移动。
衬底10可以包括例如依次堆叠在另一个上的空白掩模衬底12、遮光层14和感光层16。空白掩模衬底12可以是例如透明衬底、反射衬底或吸收衬底。例如，空白掩模衬底12可以包括玻璃或石英。遮光层14可以包括金属层，例如铬层。衬底10可以用作用于晶片的光刻工艺的光掩模或中间掩模。曝光设备100可以根据设计数据用曝光光束B曝光在衬底10上的感光层16以形成光刻胶(photoresist)图案。
当根据设计数据将衬底10曝光于曝光光束时，由于曝光设备本身的性质或散射现象等，光刻胶图案可能具有相对于设计数据的位置误差(例如，配准误差)。
如图3A所示，当配准误差为零时，可以获得掩模图案的理想配准图50。在这种情况下，可以将光掩模图案(例如，感光图案)形成为在与设计数据的掩模图案相同的位置中具有相同的形状。然而，由于在光掩模制造工艺中出现的图案的位置误差，光掩模图案可能在局部区域或整个区域中具有配准误差。
如图3B所示，实际配准图52可能具有不规则配准误差。衬底10上的光掩模图案可能在X方向或Y方向上具有(+)或(-)移位量的配准误差。
配准误差可以是由于曝光设备本身的性质(例如，曝光平台的性质、偏转器的性质等)而出现的位置误差或者由于图案密度差异的充电效应而出现的位置误差。
在实施方式中，控制器200可以使用位置误差数据来校正输入的设计数据，并且可以输出用于控制根据经校正的设计数据用曝光光束来曝光衬底10的曝光设备100的控制信号。如图2所示，控制器200可以包括数据接收器210、数据校正器220和输出230。
数据接收器210可以从例如CAD系统接收设计图案数据。例如，设计图案数据可以是要在光掩模中形成的图案的设计数据，并且可以由图案的轮廓的坐标值表示设计图案数据。可以由多边形(三角形、矩形等)的组合来提供设计图案数据。在设计图案数据中，具有多边形形状的多个子图案可以形成一个图案。设计图案数据可以包括关于子图案的尺寸和位置的信息。
数据接收器210可以接收图案的位置误差数据。例如，数据接收器210可以从配准工具300接收位置误差数据。配准工具300可以测量由实际曝光形成的图案的位置误差以提供位置误差数据。
图案的位置误差数据可以包括多个位置误差元素。在实施方式中，位置误差数据可以包括例如由于曝光设备或由曝光设备引起的位置误差元素和/或由图案密度引起的位置误差元素。
例如，由曝光设备引起的位置误差元素可以包括由曝光平台、偏转器、扫描设备等引起的位置误差元素。例如，由曝光设备引起的位置误差元素可以是由于曝光设备本身的性质(诸如曝光平台的性质、偏转器的性质等)出现的位置误差。
由图案密度引起的位置误差元素可以是当随着曝光于电子光束的区域增加，由于散射现象而导致的电子光束极大失真时出现的充电效应误差。
在实施方式中，数据接收器210可以接收关于多个位置误差元素以及可以由用户确定的误差元素的权重的信息。在实施方式中，数据接收器210可以根据预定配方(recipe)确定多个位置误差元素和误差元素的权重。
数据校正器220可以基于位置误差数据来校正图案的位置数据。
例如，网格可以被定义为将掩模图案的掩模区域划分成期望尺寸，并且可以通过反映或考虑位置误差数据在网格上重新排列图案的位置。在实施方式中，网格可以具有几纳米到几十纳米的尺寸。图案的位置可以在错误元素的权重的影响下重新排列。
在实施方式中，掩模区域的第一区域和第二区域可以被划分成具有第一尺寸的第一网格区域和具有与第一尺寸不同的第二尺寸的第二网络区域。可以在具有不同分辨率的第一网格区域和第二网格区域上重新排列图案的位置。
输出230可以输出经校正的设计数据并且根据经校正的设计数据输出用于控制曝光设备100的控制信号。曝光设备100可以根据控制信号用曝光光束来曝光衬底10。
经校正的设计数据可以是用于制造光掩模的设计工艺的最终结果。经校正的设计数据可以被称为掩模带出(Mask Tape Out，MTO)。曝光设备100可以根据经校正的设计数据用曝光光束来曝光衬底10。
在下文中，将解释使用图1中的光掩模制造装置制造光掩模的方法。
图4示出了根据示例实施例的制造光掩模的方法的流程图。图5和图6示出了根据示例实施例的划分设计掩模图案的掩模区域的网格的视图。图7示出了设计掩模图案的校正位置数据的平台的视图。图8示出了分别由设计掩模图案和经校正的掩模图案形成的掩模图案的配准图的视图。
在根据示例实施例的制造光掩模的方法中，在设计光掩模的布局之后，可以根据设计的布局通过曝光光束来曝光衬底以制造光掩模。
参照图1、图2和图4，首先，在第一步骤100中，可以获得掩模图案的设计数据。
可以从例如半导体制造装置的主计算机或服务器提供与要在衬底10上形成的实际电路图案相对应的掩模图案的布局。例如，掩模图案的设计数据可以从CAD系统被提供为图案的轮廓的坐标值。可以由多边形(三角形、矩形等)的组合来提供图案数据。
在实施方式中，设计图案数据可以被提供为其上已经执行了光学邻近校正(Optical Proximity Correction，OPC)的经校正的、掩模图案的布局。
光学邻近校正可以包括放大掩模图案的整个尺寸并处理掩模图案的角。光学邻近可以包括移动边缘或向每个图案添加额外的多边形。可以由预先计算的环路表驱动光学邻近校正。在实施方式中，可以由各种合适的方法驱动OPC。
然后，在第二步骤S110中，可以获得在实际曝光过程期间出现或将出现的图案的位置误差数据。
在实施方式中，可以从配准工具300获得位置误差数据。配准工具300可以测量由实际曝光形成的图案的位置误差以提供位置误差数据。
图案的位置误差数据可以包括多个位置误差元素。例如，位置误差数据可以包括由于曝光设备或由曝光设备引起的位置误差元素和由图案密度引起的位置误差元素。
例如，由曝光设备引起的位置误差元素可以包括由曝光平台、偏转器、扫描设备等引起的位置误差元素。例如，由曝光设备引起的位置误差元素可以是由于曝光设备本身的性质(诸如曝光平台的性质、偏转器的性质等)出现的位置误差。
由图案密度引起的位置误差元素可以是当随着曝光于电子光束的区域(例如，在密度上)增加，由于散射现象而导致的电子光束(例如，极大)失真时出现的充电效应误差。
图案的位置误差数据可以进一步包括在将光掩模转移到晶片的步骤中的位置误差数据。
然后，在第三步骤S120中，为了校正设计数据，可以基于位置误差数据来校正图案的位置数据。
在实施方式中，掩模图案的掩模区域可以被划分成具有期望尺寸的网格，并且可以基于位置误差数据在网格上重新排列图案的位置。
如图5所示，掩模设计图案L的掩模区域R可以被划分成具有预定尺寸的网格G，并且掩模图案可以位于网格G的坐标系上。例如，根据用户的选择，网格G可以具有几到几十纳米的尺寸。
如图6所示，掩模区域R的第一区域R1可以被划分成具有第一尺寸的第一网格区域，并且掩模区域R的第二区域R2可以被划分成具有与第一尺寸不同的第二尺寸的第二网格区域。掩模图案的第一区域R1可以位于第一网格G1的坐标系上，并且掩模图案的第二区域R2可以位于第二网格G2的坐标系上。
因此，可以根据掩模区域R中的网格区域来执行场校正(field correction)或全局校正。网格区域可以被确定为根据图案的密度、大小等变化。
如图7所示，可以基于位置误差数据在网格G的坐标系上校正掩模设计图案P的位置数据。设计图案P可以被重新排列以移位到校正位置C。可以确定图案P的移动位置以补偿每个网格G中的误差。例如，占据网格G的边界的图案P的一部分的移动量可以确定为分别指定给共享边界的两个网格的值中的一个(例如，可以基于位置误差数据确定所指定的值)。
图案的位置误差数据可以包括多个位置误差元素。可以通过考虑从位置误差元素选择的至少一个来执行设计图案P的位置校正。在实施方式中，可以确定所选择的错误元素的权重。因此，可以在误差元素的权重的影响下重新排列设计图案P的位置。
经校正的设计数据可以是为制造光掩模而准备的设计工艺的最终结果。经校正的设计数据可以被称为掩模带出(MTO)。经校正的设计数据可以被提供给曝光设备100以执行实际曝光过程。
在此，在将经校正的设计数据提供给曝光设备之前，可以对经校正的设计数据执行验证过程。可以根据预定的制造规范来执行重新排列的图案的验证过程。
然后，在第四步骤S130中，可以根据经校正的、图案的位置数据来曝光衬底10。
在实施方式中，可以根据经校正的设计数据将衬底10上的感光层16曝光于曝光光束以形成感光图案。
例如，可以在掩模衬底12上顺序地形成遮光层14和感光层16，并且可以根据经校正的设计数据将感光层曝光于曝光光束以形成感光图案。然后，可以使用感光图案将遮光层14图案化以形成掩模图案。具有在其上形成掩模图案的衬底10可以是用于晶片的光刻工艺的光掩模M。例如，空白掩模衬底12可以包括玻璃或石英。遮光层14可以包括金属层，例如铬层。
如图8所示，配准图54可表示在校正设计图案数据之前和之后检测到的位置中的配准误差向量。根据经校正的设计数据形成的感光图案的误差向量可以具有比根据原始设计数据形成的感光图案的误差向量更小的幅度。例如，通过校正设计数据可以减少感光图案的配准误差。
通过总结和回顾，表示光掩模上的图案的精确程度的配准误差可能是与重叠误差直接相关的重要品质因素。如果在光掩模上出现配准误差，并且执行曝光过程而不校正配准误差，则可能产生晶片重叠误差，从而引起晶片缺陷。
如上所述，在设计光掩模的布局的方法和制造光掩模的方法中，可以反映或补偿由实际曝光形成的位置误差元素，以在网格坐标系上校正设计图案的位置数据，以设计掩模图案的最终布局。可以根据经校正的设计数据在衬底上执行曝光过程以制造光掩模。
因此，在进行到曝光装置之前的掩模数据准备(Mask Data Preparation，MDP)步骤中，考虑到在实际曝光过程期间的任何可能的误差元素，可以在具有期望尺寸的网格上执行针对每个图案和每个区域的位置校正处理，从而提高校正一致性和生产率，并确保曝光装置之间的网格匹配能力，从而提高重叠自由度。
在校正由实际曝光形成的图案的位置误差的另一方法中，可以使用校正图在指定位置校正曝光装置的偏转器的位置，并且由于装备数据处理的限制，在精确校正、算法改变等方面可能存在困难。
通过根据示例实施例的设计光掩模的布局的方法和制造光掩模的方法制造的掩模图案可以被转移到晶片。例如，为了在晶片上形成电路层，可以在晶片上沉积光刻胶层，并且可以通过光刻工艺将光掩模的掩模图案转移到光刻胶层。然后，可以在光刻胶层上执行显影工艺以形成光刻胶图案，并且可以使用光刻胶图案执行蚀刻工艺以在晶片上形成期望的电路图案。
实施例可以提供一种能够在衬底上转移电路图案的设计光掩模的布局的方法。
实施例可以提供一种能够最小化光掩模上的图案的位置误差的设计光掩模的布局的方法。
所制造的光掩模可以与半导体器件的相应的图案化层相对应。因此，可以制造与组成半导体器件的多个图案化层相对应的一组光掩模。
可以在诸如计算系统的各种系统中使用由该组光掩模制造的半导体器件。半导体器件可以包括finFET、DRAM、VAND等。该系统可以应用于计算机、便携式计算机、膝上型计算机、个人便携式终端、平板电脑、手机、数字音乐播放器等。
这里已经公开了示例实施例，并且虽然使用了特定术语，但是仅以一般性和描述性的意义使用它们并将仅以一般性和描述性的意义解释它们，而不是为了限制的目的。在一些实例中，对于本领域普通技术人员而言显而易见的是，提交本申请时，除非另外具体指示，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元素可以单独使用或与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元素组合使用。因此，本领域技术人员将会理解，在不脱离以下权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种改变。

Claims (18)

1.一种设计光掩模的布局的方法，所述方法包括：
获得掩模图案的设计布局；
对设计布局执行光学邻近校正以获得设计数据；
获得在根据设计数据曝光光掩模期间出现的图案的位置误差数据；
基于位置误差数据来校正图案的位置数据以校正设计数据；以及
将经校正的位置数据提供给曝光设备以根据经校正的设计数据用曝光光束来曝光衬底，
其中获得所述图案的位置误差数据包括获得由所述曝光设备引起的位置误差元素和由图案密度引起的位置误差元素，其中，由所述曝光设备引起的位置误差元素包括由曝光平台引起的位置误差元素或由偏转器引起的位置误差元素，
其中，基于所述位置误差数据来校正所述图案的位置数据包括：
定义将掩模图案的掩模区域划分成期望尺寸的网格；以及
通过反映所述位置误差数据在网格上重新排列图案的位置。
2.如权利要求1所述的方法，其中获得所述图案的位置误差数据包括：
根据设计数据来曝光衬底上的感光层以形成感光图案；以及
从感光图案检测配准误差。
3.如权利要求1所述的方法，其中获得所述图案的位置误差数据包括：
确定在光掩模的曝光期间出现的多个位置误差元素；以及
检测所确定的位置误差元素的位置误差。
4.如权利要求3所述的方法，其中：
获得图案的位置误差数据进一步包括生成所确定的位置误差元素的权重，并且
校正设计数据包括在位置误差元素的权重的影响下校正图案的位置数据。
5.如权利要求1所述的方法，其中获得所述图案的位置误差数据进一步包括获得当将所述光掩模转移到晶片时出现的位置误差数据。
6.如权利要求1所述的方法，其中定义所述网格包括：
将掩模区域的第一区域划分成第一网格区域；以及
将掩模区域的第二区域划分成第二网格区域。
7.如权利要求6所述的方法，其中，所述第一网格区域具有第一尺寸的网格，并且所述第二网格区域具有与所述第一尺寸不同的第二尺寸的网格。
8.一种制造光掩模的方法，所述方法包括：
获得要在衬底上形成的掩模图案的设计数据；
获得当衬底根据设计数据被曝光于曝光光束时出现的图案的位置误差数据；
基于所述位置误差数据来校正所述图案的位置数据以补偿所述位置误差；以及
根据经校正的、图案的位置数据来曝光衬底，
其中获得所述图案的位置误差数据包括获得由曝光设备引起的位置误差元素和由图案密度引起的位置误差元素，其中，由所述曝光设备引起的位置误差元素包括由曝光平台引起的位置误差元素或由偏转器引起的位置误差元素，
其中基于所述位置误差数据来校正所述图案的位置数据包括：
定义将掩模图案的掩模区域划分成期望尺寸的网格；以及
通过反映位置误差数据在网格上重新排列图案的位置。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述曝光光束包括激光光束或电子光束。
10.如权利要求8所述的方法，其中获得设计数据包括对所述掩模图案执行光学邻近校正。
11.如权利要求8所述的方法，其中获得所述图案的位置误差数据包括：
确定当衬底曝光于曝光光束时出现的多个位置误差元素；以及
检测所确定的位置误差元素的位置误差。
12.如权利要求11所述的方法，其中：
获得所述图案的位置误差数据进一步包括生成所确定的位置误差元素的权重，并且
校正图案的位置数据包括在位置误差元素的权重的影响下重新排列图案的位置。
13.如权利要求8所述的方法，其中定义所述网格包括：
将掩模区域的第一区域划分成具有第一尺寸的第一网格区域；以及
将掩模区域的第二区域划分成具有与第一尺寸不同的第二尺寸的第二网格区域。
14.如权利要求8所述的方法，其中根据所述经校正的、图案的位置数据来曝光所述衬底包括：
在衬底上依次形成遮光层和感光层；
根据经校正的、图案的位置数据用曝光光束来曝光感光层以形成感光图案；以及
使用感光图案来图案化遮光层以形成掩模图案。
15.一种制造光掩模的方法，所述方法包括：
获得光掩模的设计图案数据；
获得在实际曝光期间出现的图案的位置误差数据；
定义将设计图案的掩模区域划分成预定尺寸的网格；
通过补偿位置误差数据在网格上重新排列设计图案的位置；以及
根据经校正的设计图案的位置数据来曝光衬底，
其中获得所述图案的位置误差数据包括获得由曝光设备引起的位置误差元素和由图案密度引起的位置误差元素，其中，由所述曝光设备引起的位置误差元素包括由曝光平台引起的位置误差元素或由偏转器引起的位置误差元素。
16.如权利要求15所述的方法，其中定义所述网格包括：
将掩模区域的第一区域划分成具有第一尺寸的第一网络区域；以及
将掩模区域的第二区域划分成具有与第一尺寸不同的第二尺寸的第二网格区域。
17.如权利要求15所述的方法，其中获得所述图案的位置误差数据包括：
确定当衬底曝光于曝光光束时出现的多个位置误差元素；以及
检测所确定的位置误差元素的位置误差。
18.如权利要求17所述的方法，其中：
获得图案的位置误差数据进一步包括生成所确定的位置误差元素的权重，并且
重新排列设计图案的位置包括在位置误差元素的权重的影响下重新排列图案的位置。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112433443A (zh) * 2019-08-26 2021-03-02 上海凸版光掩模有限公司 适用于jbx光刻机的图案修正方法、装置、介质、及系统
CN114556217A (zh) * 2019-10-08 2022-05-27 应用材料公司 用于无掩模光刻系统的通用计量文档、协议及处理
KR20220078755A (ko) 2020-12-03 2022-06-13 삼성전자주식회사 오버레이 보정 방법, 오버레이 보정에 대한 평가 방법 및 오버레이 보정 방법을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
CN117850155B (zh) * 2024-01-02 2024-07-16 广州新锐光掩模科技有限公司 光掩模注记差的修正方法及系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19625894A1 (de) * 1995-06-30 1997-01-02 Sony Corp Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von Abrasterdaten, die zum Herstellen einer Photomaske verwendet werden
CN101995763A (zh) * 2009-08-17 2011-03-30 上海宏力半导体制造有限公司 光学邻近校正方法
CN102096309A (zh) * 2009-12-15 2011-06-15 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学邻近校正方法
CN105388708A (zh) * 2014-08-28 2016-03-09 株式会社Orc制作所 投影曝光装置和方法、光掩模以及基板的制造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101296290B1 (ko) * 2007-12-07 2013-08-14 삼성전자주식회사 패턴 면적 측정에 기반한 ｍｔｔ 측정방법 및 이를 이용한포토마스크 교정방법
US20120219886A1 (en) 2011-02-28 2012-08-30 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage
JP5331638B2 (ja) 2008-11-04 2013-10-30 Ｈｏｙａ株式会社 表示装置製造用フォトマスクの製造方法及び描画装置
US8555211B2 (en) * 2012-03-09 2013-10-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mask making with error recognition
JP5970021B2 (ja) 2013-08-20 2016-08-17 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、描画装置、フォトマスクの検査方法、フォトマスクの検査装置、及び表示装置の製造方法
KR20150066966A (ko) 2013-12-09 2015-06-17 삼성전자주식회사 포토마스크, 포토마스크의 에러 보정 방법, 포토마스크를 이용하여 제조된 집적회로 소자 및 그 제조 방법
US9311443B2 (en) 2014-06-17 2016-04-12 Globalfoundries Inc. Correcting for stress induced pattern shifts in semiconductor manufacturing
JP2016035542A (ja) 2014-08-04 2016-03-17 株式会社ニューフレアテクノロジー 位置測定方法、位置ずれマップの作成方法および検査システム
KR102395198B1 (ko) 2015-09-22 2022-05-06 삼성전자주식회사 마스크 패턴의 보정 방법 및 이를 이용하는 레티클의 제조 방법
KR102491578B1 (ko) * 2015-11-02 2023-01-25 삼성전자주식회사 Ｏｐｃ 방법 및 그 ｏｐｃ 방법을 이용한 마스크 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19625894A1 (de) * 1995-06-30 1997-01-02 Sony Corp Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von Abrasterdaten, die zum Herstellen einer Photomaske verwendet werden
CN101995763A (zh) * 2009-08-17 2011-03-30 上海宏力半导体制造有限公司 光学邻近校正方法
CN102096309A (zh) * 2009-12-15 2011-06-15 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学邻近校正方法
CN105388708A (zh) * 2014-08-28 2016-03-09 株式会社Orc制作所 投影曝光装置和方法、光掩模以及基板的制造方法

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