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CN109545944A - 一种通过分区激发单色荧光薄膜实现白光led的方法 - Google Patents

一种通过分区激发单色荧光薄膜实现白光led的方法 Download PDF

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张娜
刘光熙
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Abstract

本发明公开了一种通过分区激发单色荧光薄膜实现白光LED的方法，包含以下步骤：（1）将LED芯片通过固晶、焊线工艺固定在支架中；（2）支架中注入透明硅胶，保持两者高度一致；（3）将不同发射光谱峰值的单色荧光薄膜通过透明硅胶粘合在支架顶部，在80~150℃下烘烤1~2h，完成固化，制备出具有不同发射光谱峰值的单色LED；（4）将单色LED焊接在同一铝基板上，通过电流激发所述的单色LED，产生不同发射光谱峰值的单色光，基于光谱叠加，实现白光LED；（5）通过电流或者单色荧光薄膜中单色荧光粉和模塑硅胶质量配比的调整，来获得任意光谱形状、任意光色参数的白光LED。本发明提高了白光LED光谱设计的效率，同时，缓解荧光粉间交叉吸收，提高能量利用的效率。

Description

一种通过分区激发单色荧光薄膜实现白光LED的方法
技术领域
本发明涉及一种通过分区激发单色荧光薄膜实现白光LED的方法，属于半导体照明领域。
背景技术
白光LED作为一种新型固态照明光源，近年来在照明、显示等领域获得了广泛的应用。目前，实现白光LED的主流方法是LED芯片激发荧光粉，即将荧光粉和硅胶混合脱泡后直接涂覆在LED芯片表面，但是这种方法存在热积累效应、后向散射损耗等缺点，荧光薄膜通过荧光粉和硅胶预先成型远离LED芯片放置，可以有效的缓解上述问题。
随着人们对光品质要求的提高，全光谱、高品质的白光LED逐渐成为了焦点，实现全光谱白光LED需要至少两种荧光粉及以上组合，但是多种荧光粉间由于存在重吸收效率，容易造成能量损耗，且荧光粉种类过多导致白光LED的光谱设计变得更加复杂和困难。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供一种通过分区激发单色荧光薄膜实现白光LED的方法，该种方法一方面可以通过电流或者单色荧光薄膜中单色荧光粉和模塑硅胶质量配比的调整，来获得任意光谱形状、任意光色参数的白光LED，提高白光LED光谱设计的效率，另一方面，缓解单色荧光粉间交叉吸收的影响，提高能量利用的效率。包含以下步骤：
（1）将LED芯片通过固晶、焊线工艺固定在支架中；
（2）支架中注入透明硅胶，保持透明硅胶表面与支架顶部保持高度一致；
（3）将不同发射光谱峰值的单色荧光薄膜通过透明硅胶分别粘合在支架顶部，在80~150℃下烘烤1~2h，完成透明硅胶固化，制备出具有不同发射光谱峰值的单色LED；
（4）将单色LED焊接在同一铝基板上，通过电流激发所述的单色LED，产生不同发射光谱峰值的单色光，基于光谱的叠加，实现白光LED；
（5）通过电流或者单色荧光薄膜中单色荧光粉和模塑硅胶质量配比的调整，来获得任意光谱形状、任意光色参数的白光LED。
所述的单色荧光薄膜由单色荧光粉和模塑硅胶在不同质量配比下，通过丝网印刷或者模具压膜或者旋转涂覆工艺制备而成；
所述的单色荧光粉为在LED芯片的激发下可发射光谱峰值分别为440~480nm的蓝粉、490~510nm的青粉、520~540nm的绿粉、550~585nm的黄粉、590~610nm的橙粉、620~670nm的红粉；
所述的440~480nm的蓝粉组成为(Ba,Sr,Ca,Y,Li)10(PO4)6Cl2:Eu,Mn,Ce或者(Ba,Sr,Ca,Na,Li)10(PO4)6O2:Eu或者(Ba,Sr,Ca,Yb,Y)10(PO4)6Cl2:Eu, Mn或者(Ba,Sr,Ca,Y,Na)10(PO4)6F2:Eu 。
所述的LED芯片的发射光谱峰值为385~420nm。
所述的单色荧光薄膜的厚度范围为0.1~1.2mm。
所述的电流范围为20~2000mA。
所述的单色荧光粉与模塑硅胶的质量配比分别为440~480nm的蓝粉：模塑硅胶=1:1~4:1、490~510nm的青粉：模塑硅胶=0.75:1~2:1、520~540nm的绿粉：模塑硅胶=1:1~1.5:1、550~585nm的黄粉：模塑硅胶=0.5:1~1.5:1、590~610nm的橙粉：模塑硅胶=0.2:1~1:1、620~670nm的红粉：模塑硅胶=0.1:1~0.8:1。
所述的490~510nm的青粉组成为(Ca,Sr,Ba)Si2N2O2:Eu，520~540nm的绿粉组成为(Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu或者(Ca,Sr,Ba)2Si2O5:Eu或者(Ba, Ca,Y,Na)10(SiO4)2(PO4)4O2:Eu，550~585nm的黄粉组成为(Ca,Sr,Ba)4Si2O8:Eu，590~610nm的橙粉组成为(Ca,Sr,Ba)SiO5:Eu或者(Ba,Ca,Sr,Na)10(SiO4)2(PO4)4O2:Eu,Mn，620~670nm的红粉组成为(Ca,Sr,Ba)AlSiN3:Eu。
所述的支架为SMD或者COB或者仿流明。
有益效果：
（1）通过电流或者单色荧光薄膜中单色荧光粉和模塑硅胶质量配比的调整，来获得任意光谱形状、任意光色参数的白光LED，提高白光LED光谱设计的效率；
（2）缓解单色荧光粉间交叉吸收的影响，提高能量利用的效率。
附图说明
图1是本发明实施例1的白光LED结构截面示意图；
1—铝基板，2—支架，3—LED芯片，4—蓝粉，5—绿粉，6—红粉，7—模塑硅胶，8—透明硅胶
图2是本发明实施例1的白光LED光谱图。
具体实施方式
结合实施案例对本发明做进一步详细说明，但本发明保护范围不限于所述内容。
实施例1
（1）将发射光谱峰值为420nm的LED芯片通过固晶、焊线工艺固定在SMD支架中；
（2）将SMD支架中注入透明硅胶，保持透明硅胶表面与SMD支架顶部保持高度一致；
（3）将组成为(Ba,Sr,Ca,Na,Li)10(PO4)6O2:Eu发射光谱峰值为450nm的蓝粉与模塑硅胶，按照质量配比=2:1，通过模具压膜工艺制备出厚度为0.2mm且发射光谱峰值为450nm的蓝色荧光薄膜，将450nm的蓝色荧光薄膜通过透明硅胶粘合在SMD支架顶部，在140℃下烘烤2h，完成透明硅胶固化，制备出发射光谱峰值为450nm的蓝色LED；
将组成为(Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu发射光谱峰值为520nm的绿粉与模塑硅胶，按照质量配比=1:1，通过模具压膜工艺制备出厚度为0.2mm且发射光谱峰值为520nm的绿色荧光薄膜，将520nm的绿色荧光薄膜通过透明硅胶粘合在SMD支架顶部，在140℃下烘烤2h，完成透明硅胶固化，制备出发射光谱峰值为520nm的绿色LED；
将组成为(Ca,Sr,Ba)AlSiN3:Eu发射光谱峰值为630nm的蓝粉与模塑硅胶，按照质量配比=0.55:1，通过模具压膜工艺制备出厚度为0.2mm且发射光谱峰值为630nm的红色荧光薄膜，将630nm的红色荧光薄膜通过透明硅胶粘合在SMD支架顶部，在1400℃下烘烤2h，完成透明硅胶固化，制备出发射光谱峰值为630nm的红色LED；
（4）将步骤（3）中的蓝色LED、绿色LED、红色LED焊接在同一铝基板上，通过电流激发，产生发射光谱峰值为450nm、520nm、630nm的蓝光、绿光、红光，基于光谱的叠加，实现白光LED；
（5）蓝色LED输入60mA电流，绿色LED输入120mA电流，红色LED输入120mA电流，来获得白光LED。
实施例2
（1）将发射光谱峰值为420nm的LED芯片通过固晶、焊线工艺固定在SMD支架中；
（2）将SMD支架中注入透明硅胶，保持透明硅胶表面与SMD支架顶部保持高度一致；
（3）将组成为(Ba,Sr,Ca,Na,Li)10(PO4)6O2:Eu发射光谱峰值为450nm的蓝粉与模塑硅胶，按照质量配比=1:1，通过模具压膜工艺制备出厚度为0.4mm且发射光谱峰值为450nm的蓝色荧光薄膜，将450nm的蓝色荧光薄膜通过透明硅胶粘合在SMD支架顶部，在150℃下烘烤1h，完成透明硅胶固化，制备出发射光谱峰值为450nm的蓝色LED；
将组成为(Ca,Sr,Ba)Si2N2O2:Eu发射光谱峰值为495nm的青粉与模塑硅胶，按照质量配比=0.9:1，通过模具压膜工艺制备出厚度为0.2mm且发射光谱峰值为495nm的青色荧光薄膜，将495nm的青色荧光薄膜通过透明硅胶粘合在SMD支架顶部，在150℃下烘烤1h，完成透明硅胶固化，制备出发射光谱峰值为495nm的青色LED；
将组成为(Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu发射光谱峰值为530nm的绿粉与模塑硅胶，按照质量配比=1.3:1，通过模具压膜工艺制备出厚度为0.4mm且发射光谱峰值为530nm的绿色荧光薄膜，将530nm的绿色荧光薄膜通过透明硅胶粘合在SMD支架顶部，在150℃下烘烤1h，完成透明硅胶固化，制备出发射光谱峰值为530nm的绿色LED；
将组成为(Ca,Sr,Ba)SiO5:Eu发射光谱峰值为595nm的橙粉与模塑硅胶，按照质量配比=0.75:1，通过模具压膜工艺制备出厚度为0.2mm且发射光谱峰值为595nm的橙色荧光薄膜，将595nm的橙色荧光薄膜通过透明硅胶粘合在SMD支架顶部，在150℃下烘烤1h，完成透明硅胶固化，制备出发射光谱峰值为595nm的橙色LED；
将组成为(Ca,Sr,Ba)AlSiN3:Eu发射光谱峰值为650nm的蓝粉与模塑硅胶，按照质量配比=0.35:1，通过模具压膜工艺制备出厚度为0.2mm且发射光谱峰值为650nm的红色荧光薄膜，将650nm的红色荧光薄膜通过透明硅胶粘合在SMD支架顶部，在150℃下烘烤1h，完成透明硅胶固化，制备出发射光谱峰值为650nm的红色LED；
（4）将步骤（3）中的蓝色LED、青色LED、绿色LED、橙色LED、红色LED焊接在同一铝基板上，通过电流激发，产生发射光谱峰值为450nm、495nm、530nm、595nm、650nm的蓝光、绿光、红光，基于光谱的叠加，实现白光LED；
（5）蓝色LED输入60mA电流，青色LED输入60mA，绿色LED输入60mA电流，橙色LED输入60mA电流，红色LED输入120mA电流，来获得白光LED。
实施例3
（1）将发射光谱峰值为405nm的LED芯片通过固晶、焊线工艺固定在SMD支架中；
（2）将SMD支架中注入透明硅胶，保持透明硅胶表面与SMD支架顶部保持高度一致；
（3）将组成为(Ba,Sr,Ca,Yb,Y)10(PO4)6Cl2:Eu, Mn发射光谱峰值为445nm的蓝粉与模塑硅胶，按照质量配比=3:1，通过模具压膜工艺制备出厚度为1.0mm且发射光谱峰值为445nm的蓝色荧光薄膜，将445nm的蓝色荧光薄膜通过透明硅胶粘合在SMD支架顶部，在150℃下烘烤1.5h，完成透明硅胶固化，制备出发射光谱峰值为445nm的蓝色LED；
将组成为(Ca,Sr,Ba)Si2N2O2:Eu发射光谱峰值为505nm的青粉与模塑硅胶，按照质量配比=1:1，通过模具压膜工艺制备出厚度为0.8mm且发射光谱峰值为505nm的青色荧光薄膜，将505nm的青色荧光薄膜通过透明硅胶粘合在SMD支架顶部，在150℃下烘烤1.5h，完成透明硅胶固化，制备出发射光谱峰值为505nm的青色LED；
将组成为(Ba,Ca,Y,Na)10(SiO4)2(PO4)4O2:Eu发射光谱峰值为540nm的绿粉与模塑硅胶，按照质量配比=1.2:1，通过模具压膜工艺制备出厚度为1.0mm且发射光谱峰值为540nm的绿色荧光薄膜，将540nm的绿色荧光薄膜通过透明硅胶粘合在SMD支架顶部，在150℃下烘烤1.5h，完成透明硅胶固化，制备出发射光谱峰值为540nm的绿色LED；
将组成为(Ca,Sr,Ba)AlSiN3:Eu发射光谱峰值为640nm的蓝粉与模塑硅胶，按照质量配比=0.75:1，通过模具压膜工艺制备出厚度为0.8mm且发射光谱峰值为640nm的红色荧光薄膜，将640nm的红色荧光薄膜通过透明硅胶粘合在SMD支架顶部，在150℃下烘烤1.5h，完成透明硅胶固化，制备出发射光谱峰值为640nm的红色LED；
（4）将步骤（3）中的蓝色LED、青色LED、绿色LED、红色LED焊接在同一铝基板上，通过电流激发，产生发射光谱峰值为445nm、505nm、540nm、640nm的蓝光、青光、绿光、红光，基于光谱的叠加，实现白光LED；
（5）蓝色LED输入60mA电流，青光输入60mA，绿色LED输入120mA电流，红色LED输入120mA电流，来获得白光LED。

Claims (7)

1.一种通过分区激发单色荧光薄膜实现白光LED的方法，其特征在于，包含以下步骤：
（1）将LED芯片通过固晶、焊线工艺固定在支架中；
（2）支架中注入透明硅胶，透明硅胶表面与支架顶部保持高度一致；
（3）将不同发射光谱峰值的单色荧光薄膜通过透明硅胶分别粘合在支架顶部，在80~150℃下烘烤2h，完成透明硅胶固化，制备出具有不同发射光谱峰值的单色LED；
（4）将单色LED焊接在同一铝基板上，通过电流激发所述的单色LED，产生不同发射光谱峰值的单色光，基于光谱的叠加，实现白光LED；
（5）通过电流或者单色荧光薄膜中单色荧光粉和模塑硅胶质量配比的调整，来获得任意光谱形状、任意光色参数的白光LED；
所述的单色荧光薄膜由单色荧光粉和模塑硅胶在不同质量配比下，通过丝网印刷或者模具压膜或者旋转涂覆工艺制备而成；
所述的单色荧光粉为在LED芯片的激发下可发射光谱峰值分别为440~480nm的蓝粉、490~510nm的青粉、520~540nm的绿粉、550~585nm的黄粉、590~610nm的橙粉、620~670nm的红粉；
所述的440~480nm的蓝粉组成为(Ba,Sr,Ca,Y,Li)10(PO4)6Cl2:Eu,Mn,Ce或者(Ba,Sr,Ca,Na,Li)10(PO4)6O2:Eu或者(Ba,Sr,Ca,Yb,Y)10(PO4)6Cl2:Eu, Mn或者(Ba,Sr,Ca,Y,Na)10(PO4)6F2:Eu 。
2.根据权利要求1所述的一种通过分区激发单色荧光薄膜实现白光LED的方法，其特征在于，所述的LED芯片的发射光谱峰值为385~420nm。
3.根据权利要求1所述的一种通过分区激发单色荧光薄膜实现白光LED的方法，其特征在于，所述的单色荧光薄膜的厚度范围为0.1~1.2mm。
4.根据权利要求1所述的一种通过分区激发单色荧光薄膜实现白光LED的方法，其特征在于，所述的电流范围为20~2000mA。
5.根据权利要求1所述的一种通过分区激发单色荧光薄膜实现白光LED的方法，其特征在于，所述的单色荧光粉与模塑硅胶的质量配比分别为440~480nm的蓝粉：模塑硅胶=1:1~4:1、490~510nm的青粉：模塑硅胶=0.75:1~2:1、520~540nm的绿粉：模塑硅胶=1:1~1.5:1、550~585nm的黄粉：模塑硅胶=0.5:1~1.5:1、590~610nm的橙粉：模塑硅胶=0.2:1~1:1、620~670nm的红粉：模塑硅胶=0.1:1~0.8:1。
6.根据权利要求1所述的一种通过分区激发单色荧光薄膜实现白光LED的方法，其特征在于，所述的490~510nm的青粉组成为(Ca,Sr,Ba)Si2N2O2:Eu，520~540nm的绿粉组成为(Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu或者(Ca,Sr,Ba)2Si2O5:Eu或者(Ba, Ca,Y,Na)10(SiO4)2(PO4)4O2:Eu，550~585nm的黄粉组成为(Ca,Sr,Ba)4Si2O8:Eu，590~610nm的橙粉组成为(Ca,Sr,Ba)SiO5:Eu或者(Ba,Ca,Sr,Na)10(SiO4)2(PO4)4O2:Eu,Mn，620~670nm的红粉组成为(Ca,Sr,Ba)AlSiN3:Eu。
7.根据权利要求1所述的一种通过分区激发单色荧光薄膜实现白光LED的方法，其特征在于，所述的支架为SMD或者COB或者仿流明。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103187512A (zh) * 2012-01-03 2013-07-03 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN106960899A (zh) * 2017-03-24 2017-07-18 北京宇极芯光光电技术有限公司 一种白光led混光方式及制成的发光装置
CN108417697A (zh) * 2018-02-28 2018-08-17 易美芯光（北京）科技有限公司 一种可调光谱光源实现白光的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103187512A (zh) * 2012-01-03 2013-07-03 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN106960899A (zh) * 2017-03-24 2017-07-18 北京宇极芯光光电技术有限公司 一种白光led混光方式及制成的发光装置
CN108417697A (zh) * 2018-02-28 2018-08-17 易美芯光（北京）科技有限公司 一种可调光谱光源实现白光的方法

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