CN109445246B - 一种用于制作双畴电极的掩膜板、双畴电极及显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于制作双畴电极的掩膜板、双畴电极及显示面板，该掩膜板，包括：多个遮光条和位于各遮光条之间的透光条；每一遮光条包括沿第一方向延伸的第一主体部，沿第二方向延伸的第二主体部，沿第三方向延伸的第一连接部，以及沿第四方向延伸的第二连接部；第一主体部与第一连接部相连，第二主体部与第二连接部相连，第一连接部与第二连接部相连；第一连接部与第二连接部的夹角内侧具有内凹图案，和/或夹角外侧具有第一外凸图案。通过内凹图案增大在夹角内侧的曝光量，和/或通过第一外凸图案减小在夹角外侧的曝光量，从而使得采用该掩膜板制作的双畴电极的拐角较尖锐，因此，在保证透过率的同时，有效避免了Trace mura现象。

Description

一种用于制作双畴电极的掩膜板、双畴电极及显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种用于制作双畴电极的掩膜板、双畴电极及显示面板。

背景技术

边缘场开关(Fringe Field Switching，FFS)显示技术是当前LCD广视角显示中的主流显示技术。其主要原理是利用水平方向的电场控制液晶偏转，使得视角最大可接近90°。具体地，控制液晶偏转的电场由像素电极与公共电极之间的压差形成。同时，为改善色偏，业内将像素电极和/或公共电极设计为狭缝(slit)双畴电极结构。且在双畴电极结构中，两个方向的畴与液晶配向形成一个较小的夹角(一般在±5到±10度)，这是为了形成液晶分子相对于施加电场方向的预倾角，可以提高液晶偏转的响应速度。

然而，在畴的两端及交汇处，由于电场方向发生突变，该处的液晶分子若受到外力的挤压发生偏转，则很难回复到初始的配向状态，从而发生漏光，即发生Trace mura(用手指划屏幕的时候留下一道无法恢复或恢复很慢的痕迹)。现有的解决Trace mura的方法为在slit两端及两畴交界处设计拐角，如图1至图3所示，使得拐角处的电场可以与液晶分子配向Y的夹角达到45°左右，从而可以提升对液晶分子的扭转力矩进而有效解决Tracemura。但是，因为畴末拐角α和畴间拐角β设置在45°左右，对于液晶分子的扭转角度最大为45°；而正常畴与液晶配向的夹角一般设置在0～10°左右，对液晶分子的扭转角度可达80～90°，在LCD常黑显示模式下，液晶偏转角度越小，则透过率越低，所以畴末拐角α处和畴间拐角β处会损失透过率。

为了提升透过率，现有技术通过减小上述拐角的尺寸来降低拐角带来的透过率损失。但是若仍采用图4所示的掩膜板来制作双畴电极，则会因用于制作较小拐角的掩膜板图案较小导致曝光量不足，致使最终制作出的双畴电极中的拐角呈如图5所示的圆形拐角，而不能形成如图3所示的尖锐拐角，导致对Trace mura的控制能力减弱，降低显示品质。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种用于制作双畴电极的掩膜板、双畴电极及显示面板，用以在提升透过率的同时避免发生Trace mura现象。

因此，本发明实施例提供的一种用于制作双畴电极的掩膜板，包括：多个遮光条和位于各所述遮光条之间的透光条；

每一所述遮光条包括沿第一方向延伸的第一主体部，沿第二方向延伸的第二主体部，沿第三方向延伸的第一连接部，以及沿第四方向延伸的第二连接部；

所述第一主体部与所述第一连接部相连，所述第二主体部与所述第二连接部相连，所述第一连接部与所述第二连接部相连；

所述第一连接部与所述第二连接部的夹角的内侧具有内凹图案，和/或所述夹角的外侧具有第一外凸图案。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，还包括：位于所述第一连接部边缘处和所述第二连接部边缘处的第二外凸图案。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，所述第一连接部和所述第二连接部的单侧设置有至少一个所述第二外凸图案。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，所述第一连接部和所述第二连接部的双侧分别设置有至少一个所述第二外凸图案。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，所述内凹图案的面积，所述第一外凸图案的面积，以及所述第二外凸图案的面积，均大于所述掩膜板最小格点的面积且小于曝光机的分辨率。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，所述内凹图案的外接矩形的长和宽，所述第一外凸图案的外接矩形的长和宽，以及所述第二外凸图案的外接矩形的长和宽，均大于0.5μm且小于2μm。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，所述内凹图案的图形与所述第一外凸图案的图形相似。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种双畴电极，所述双畴电极采用上述掩膜板制作；

所述双畴电极包括：多个条状电极，以及位于各所述条状电极之间的狭缝；

每一所述条状电极包括沿第一方向延伸的第一畴部，沿第二方向延伸的第二畴部，沿第三方向延伸的第一衔接部，沿第四方向延伸的第二衔接部；

所述第一畴部与所述第一衔接部相连，所述第二畴部与所述第二衔接的部相连，所述第一衔接部与所述第二衔接部相连；

所述第一衔接部与所述第二衔接部的夹角的内侧呈尖角，和/或所述夹角的外侧呈尖角。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述双畴电极中，所述第一衔接部沿所述第三方向延伸的两侧边为曲线；所述第二衔接部沿所述第四方向延伸的两侧边为曲线。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括上述双畴电极。

本发明有益效果如下：

本发明实施例提供的用于制作双畴电极的掩膜板、双畴电极及显示面板中，该掩膜板，包括：多个遮光条和位于各遮光条之间的透光条；每一遮光条包括沿第一方向延伸的第一主体部，沿第二方向延伸的第二主体部，沿第三方向延伸的第一连接部，以及沿第四方向延伸的第二连接部；第一主体部与第一连接部相连，第二主体部与第二连接部相连，第一连接部与第二连接部相连；第一连接部与第二连接部的夹角的内侧具有内凹图案，和/或夹角的外侧具有第一外凸图案。通过在第一连接部与第二连接部的夹角的内侧设置内凹图案，可增大在夹角的内侧的曝光量；在夹角的外侧设置第一外凸图案，可减小在夹角的外侧的曝光量，从而使得采用该掩膜板制作的双畴电极的拐角较尖锐，因此，在保证透过率的同时，有效避免了Trace mura现象。

附图说明

图1为现有技术中像素的结构示意图；

图2为图1中虚线框A处的放大结构示意图；

图3为图1中虚线框B处的放大结构示意图；

图4为现有技术中用于制作双畴电极的掩膜板的结构示意图；

图5为采用图4所示的掩膜板制作的双畴电极的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的用于制作双畴电极的掩膜板的结构示意图之一；

图7为本发明实施例提供的用于制作双畴电极的掩膜板的结构示意图之二；

图8为本发明实施例提供的采用图7所示的掩膜板制作的双畴电极的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明实施例提供的用于制作双畴电极的掩膜板、双畴电极及显示面板的具体实施方式进行详细的说明。需要说明的是本说明书所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例；并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合；此外，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

附图中各膜层的形状和大小不反映其在掩膜板中的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

本发明实施例提供的一种用于制作双畴电极的掩膜板，如图6和图7所示，包括：多个遮光条061和位于各遮光条061之间的透光条062；

每一遮光条061包括沿第一方向延伸的第一主体部601，沿第二方向延伸的第二主体部602，沿第三方向延伸的第一连接部603，以及沿第四方向延伸的第二连接部604；

第一主体部601与第一连接部603相连，第二主体部602与第二连接部604相连，第一连接部603与第二连接部604相连；

第一连接部603与第二连接部604的夹角的内侧具有内凹图案605，和/或夹角的外侧具有第一外凸图案606。

在本发明实施例提供的上述掩膜板中，通过在第一连接部603与第二连接部604的夹角的内侧设置内凹图案605，可增大在夹角的内侧的曝光量；在夹角的外侧设置第一外凸图案606，可减小在夹角的外侧的曝光量，从而使得采用该掩膜板制作的双畴电极的拐角较尖锐，因此，在保证透过率的同时，有效避免了Trace mura现象。

需要说明的是，本发明实施例提供的上述掩膜板适用于对正性光刻胶曝光；若对负性光刻胶曝光，则需将上述掩膜板的遮光条与透光条的互换，即负性光刻胶曝光所需的掩膜板的遮光条与正性光刻胶曝光所需的掩膜板的透光条相对应，负性光刻胶曝光所需的掩膜板的透光条与正性光刻胶曝光所需的掩膜板的遮光条相对应。

在具体实施时，为了进一步提高透过率，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，可将遮光条061的线宽减小，并将透光条062的线宽减小，以此来增加所形成的双畴电极中与透光条062对应狭缝的数量，进而可提高透过率。然而，这样势必会导致所形成的双畴电极中条状电极的衔接部的线宽较小而发生断线。

基于此，为避免断线，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，如图7所示，还可以包括：位于第一连接部603边缘处和第二连接部604边缘处的第二外凸图案607。通过在第一连接部603边缘处和第二连接部604边缘处设置第二外凸图案607，可减小曝光量，从而避免所形成的双畴电极中条状电极的衔接部的线宽过细而发生断线。

值得注意的是，本发明实施例提供的上述在第一连接部603边缘处和第二连接部604边缘处设置第二外凸图案607来防止第一连接部603和第二连接部604发生断线的技术方案，如图6所示，不仅适用于掩膜板中第一连接部603和第二连接部604的纵向长度之和L较小(例如L＜5μm)，对应形成的双畴电极中第一衔接部803和第二衔接部804构成的拐角较小的情况；还适用于第一连接部603和第二连接部604的纵向长度之和L较大(例如L＞5μm)的情况，对应形成的双畴电极中第一衔接部803和第二衔接部804构成的拐角较大的情况，在此不做具体限定。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，可以在第一连接部603和第二连接部604的单侧设置至少一个第二外凸图案607；或者还可以在第一连接部603和第二连接部604的双侧分别设置至少一个第二外凸图案607，如图7所示。

在具体实施时，内凹图案605、第一外凸图案606和第二外凸图案607的图形可以是正方形、长方形、圆形或三角形等任意图形，且为了避免不同形状的内凹图案605、第一外凸图案606和第二外凸图案607对最终所形成双畴电极的形状有较大影响，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，内凹图案605的面积，第一外凸图案606的面积，以及第二外凸图案607的面积，均大于掩膜板最小格点的面积且小于曝光机的分辨率。

这样以来，则因内凹图案605的面积、第一外凸图案606的面积和第二外凸图案607的面积小于曝光机的解像力，使得曝光机无法识别内凹图案605、第一外凸图案606和第二外凸图案607的具体形状，而只能根据内凹图案605的面积、第一外凸图案606的面积和第二外凸图案607的面积来实现曝光量的增大或减小，从而保证了不同形状的内凹图案605、第一外凸图案606和第二外凸图案607对最终所形成双畴电极的形状的影响较小。

需要说明的是，不同形状的内凹图案605、第一外凸图案606和第二外凸图案607对最终所形成双畴电极的形状的影响较小，如图8所示，具体表现为不同形状的内凹图案605对最终所形成双畴电极中第一衔接部803与第二衔接部804的夹角的内侧的形状的影响较小；不同形状的第一外凸图案606对最终所形成双畴电极中第一衔接部803与第二衔接部804的夹角的外侧的形状的影响较小；第二外凸图案607对最终所形成双畴电极中第一衔接部801沿第三方向延伸的两侧边的形状，以及第二衔接部802沿第四方向延伸的两侧边的形状的影响较小。

具体地，为保证不同形状的内凹图案605、第一外凸图案606和第二外凸图案607对最终所形成双畴电极的形状的影响较小，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，如图7所示，内凹图案605的外接矩形的长a和宽b，第一外凸图案606的外接矩形的长c和宽d，以及第二外凸图案607的外接矩形的长e和宽f，可以均大于0.5μm且小于2μm。

可以理解的是，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，内凹图案605的面积越大，夹角的内侧的曝光量增大越多；且第一外凸图案606的面积越大，夹角的外侧曝光量减小的越多，从而可使得尖角效果越好。然而，内凹图案605的面积越大，则会使得夹角所在区域的线宽越窄，断线的风险较大，于是，为了避免尖角所在区域发生断线，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，可设置内凹图案605的图形与第一外凸图案606的图形相似，以通过第一外凸图案606弥补夹角区域的宽度，使得夹角区域的宽度不至于过窄而断线。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种双畴电极，具体地，该双畴电极为公共电极或像素电极，且该双畴电极采用上述掩膜板制作；

如图8所示，该双畴电极包括：多个条状电极081，以及位于各条状电极081之间的狭缝082；

每一条状电极081包括沿第一方向延伸的第一畴部801，沿第二方向延伸的第二畴部802，沿第三方向延伸的第一衔接部803，沿第四方向延伸的第二衔接部804；

第一畴部801与第一衔接部803相连，第二畴部802与第二衔接的部相连，第一衔接部803与第二衔接部804相连；

第一衔接部803与第二衔接部804的夹角的内侧因掩膜板中内凹图案605的作用呈尖角，和/或夹角的外侧因掩膜板中第一外凸图案606的作用呈尖角。

将图8所示采用本发明实施例提供的上述掩膜板制作的双畴电极，与图5所示现有技术中的双畴电极相比，可以看出，采用本发明实施例提供的上述掩膜板制作的双畴电极的拐角的尖锐程度较大，因此，有效防止了Trace mura现象。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述双畴电极中，因掩膜板中第二外凸图案607的作用，如图8所示，第一衔接部803沿第三方向延伸的两侧边为曲线；第二衔接部804沿第四方向延伸的两侧边为曲线。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括本发明实施例提供的上述双畴电极，该显示面板可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相机、导航仪、智能手表、健身腕带、个人数字助理、自助存/取款机等任何具有显示功能的产品或部件。对于显示面板的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。该显示面板的实施可以参见上述双畴电极的实施例，重复之处不再赘述。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二之类的关系术语仅仅用来将一个实体或操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种用于制作双畴电极的掩膜板，其特征在于，包括：多个遮光条和位于各所述遮光条之间的透光条；

每一所述遮光条包括沿第一方向延伸的第一主体部，沿第二方向延伸的第二主体部，沿第三方向延伸的第一连接部，以及沿第四方向延伸的第二连接部；

所述第一主体部与所述第一连接部相连，所述第二主体部与所述第二连接部相连，所述第一连接部与所述第二连接部相连；

所述第一连接部与所述第二连接部的夹角的内侧具有内凹图案，和/或所述夹角的外侧具有第一外凸图案；

所述内凹图案的图形与所述第一外凸图案的图形相似。

2.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，还包括：位于所述第一连接部边缘处和所述第二连接部边缘处的第二外凸图案。

3.如权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述第一连接部和所述第二连接部的单侧设置有至少一个所述第二外凸图案。

4.如权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述第一连接部和所述第二连接部的双侧分别设置有至少一个所述第二外凸图案。

5.如权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述内凹图案的面积，所述第一外凸图案的面积，以及所述第二外凸图案的面积，均大于所述掩膜板最小格点的面积且小于曝光机的分辨率。

6.如权利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述内凹图案的外接矩形的长和宽，所述第一外凸图案的外接矩形的长和宽，以及所述第二外凸图案的外接矩形的长和宽，均大于0.5μm且小于2μm。

7.一种双畴电极，其特征在于，所述双畴电极采用权利要求1-6任一项所述的掩膜板制作；

所述双畴电极包括：多个条状电极，以及位于各所述条状电极之间的狭缝；

每一所述条状电极包括沿第一方向延伸的第一畴部，沿第二方向延伸的第二畴部，沿第三方向延伸的第一衔接部，沿第四方向延伸的第二衔接部；

所述第一畴部与所述第一衔接部相连，所述第二畴部与所述第二衔接的部相连，所述第一衔接部与所述第二衔接部相连；

所述第一衔接部与所述第二衔接部的夹角的内侧呈尖角，和/或所述夹角的外侧呈尖角。

8.如权利要求7所述的双畴电极，其特征在于，所述第一衔接部沿所述第三方向延伸的两侧边为曲线；所述第二衔接部沿所述第四方向延伸的两侧边为曲线。

9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求7或8所述的双畴电极。

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