CN109346120B - 测试、调节存储器参考电流的方法、装置及系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种测试、调节存储器参考电流的方法、装置及系统，包括外部电流源装置，存储单元及其驱动电路单元装置，电流比较模块和编程/擦除操作选择控制单元装置；外部电流源装置与电流比较模块连接，电流比较模块的第一端与存储单元及其驱动电路单元装置连接，存储单元及其驱动电路单元装置与编程/擦除操作选择控制单元装置的第一端连接，编程/擦除操作选择控制单元装置的第二端与电流比较模块的第二端连接。本发明不需要在测试设备上测试参考电流，实现芯片内部自动将参考电流与目标电流比较，极大地减小测试时间，降低了芯片测试成本。
Description
技术领域
本发明涉及存储器测试技术领域，更为具体地，涉及一种测试、调节存储器参考电流的方法、装置及系统。
背景技术
闪存的运作原理：闪存将数据存储在浮闸晶体管组成的记忆单元数组里，闪存的晶体管有两个栅极，在顶部的是控制栅(Control Gate,CG)，在控制栅CG下方有一个以氧化物层与周遭绝缘的浮栅(Floating Gate,FG)。这个浮栅FG在控制栅CG与MOSFET沟道之间，由于浮栅FG在电气上是受绝缘层独立的，所以进入的电子会被困在里面，在一般的条件下电荷经过多年都不会逸散。当浮栅FG抓到电荷时，能部分屏蔽来自控制栅CG的电场，并改变这个单元的阈值电压VT。在读出期间，利用向控制栅CG的电压，MOSFET沟道会变成导电或保持绝缘，这股电流流过MOSFET沟道，并以二进制码的方式读出、再现存储的数据。。如图1，2所示在逻辑上，单层NOR Flash单元在默认状态代表二进制码中的“1”值，因为在以特定的电压值控制栅极时，电流会流经沟道。经由以下流程，NOR Flash单元可以被设置为二进制码中的“0”值：
1.对CG施加高电压(通常大于5V)；
2.沟道打开，电子从源极流入漏极；
3.源-漏电流升高，足以导致某些高能电子越过绝缘层，并进入绝缘层上的浮栅FG，这种过程称为热电子注入。
由于漏极与控制栅CG间有一个大的、相反的极性电压，借由量子穿隧效应可以将电子拉出浮栅FG，所以能够用这个特性抹除NOR Flash单元(将其重置为“1”状态)。。如图1，2所示，图1为借由热电子注入写入一个NOR Flash记忆单元(将其在逻辑上设为0)的示意图，图2为借由量子穿隧抹除一个NOR Flash记忆单元(将其在逻辑上设为1)的示意图。
NOR FLASH存储器数据编程擦除操作是这样的，通过编程操作将存储单元的阈值电压提高到一定值，将该存储单元写成“0”。编程操作是在存储单元的栅极加正高压，漏极施加中压，源极接地，衬底接地。通过擦除操作将存储单元的阈值降低到一定值，将该存储单元写成“1”。
NOR FLASH的读操作，擦除校验操作以及编程校验操作是这样的，擦除操作是在存储单元栅极施加负高压，衬底施加正高压，源极以及漏极为悬浮状态。读操作，擦除校验操作以及编程校验操作，都是存储单元的栅极施加一定正压，漏端施加大约1v的小正压，检测流过存储单元的电流。如果是编程校验操作，是将流过存储单元的电流与编程操作参考电流比较，如果存储单元的电流大于编程操作参考电流，芯片会继续对该存储单元做编程操作，如果存储单元电路小于编程操作参考电流，芯片会结束对该存储单元操作。如果是读操作，如果存储单元电流大于读操作参考电流，就判定该存储单元是“1”，如果存储单元电流小于读操作参考电流，就判定该存储单元是“0”。所以，参考电流在NOR FLASH存储器的工作中起到非常关键的作用，在芯片出厂前，会对每一颗芯片的所有参考电流做调整测量。在现有技术中，公开号为CN106601291A的中国专利申请公开了一种闪存的参考电流产生电路，以及公开了一种闪存的参考电流产生方法，能提高灵敏放大器的速度和精度，提高整个闪存的良率和性能。公开号为CN101859606B的中国授权专利公开了一种调整参考单元阈值参数的方法，用在多个存储器芯片的并行测试过程中，能真正实现并测，因此机台的整体测试时间被大大缩短，大大降低了测试成本。公开号为CN101178937B的中国授权专利公开了一种提供闪存装置及用以控制其擦除操作的方法，能够减少未被选择用于擦除操作存储器单元的漏电流等。
然而，目前采用的是对存储单元依次做编程或者擦除操作，再通过测试设备测试参考电流，如果电路没有达到目标值，再次编程或擦除，这样逐渐逼近目标电流，这种方式将内部电流输出到测试设备来测试电流值，这样会消耗很多测试时间。测试时间直接影响芯片成本，所以减少测试时间，是业内研究人员、工程师急需解决的问题之一。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种测试、调节存储器参考电流的方法、装置及系统，不需要在测试设备上测试参考电流，简化了测试装置结构，简化了测试流程，实现芯片内部自动将参考电流与目标电流比较，这样极大地减小测试时间，降低了芯片测试成本和调试成本。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：一种测试存储器参考电流的方法，包括：
测试存储器的存储单元参考电流步骤，在该步骤中，
提供至少一外部电流，并将所述一外部电流输入到存储器内部；将输入到存储器内部的所述一外部电流作为存储器的存储单元的一目标电流；
在所述存储器的存储单元的栅极施加电压，使其产生一内部参考电流；
比较所述一目标电流与所述一内部参考电流，得到比较结果，至此完成对存储器参考电流的测试。
一种调节存储器参考电流的方法，包括：
测试存储器的存储单元参考电流步骤A1和调节步骤A2；在步骤A1中，
提供至少一外部电流，并将所述一外部电流输入到存储器内部；将输入到存储器内部的所述一外部电流作为存储器的存储单元的一目标电流；
在所述存储器的存储单元的栅极施加电压，使其产生一内部参考电流；
比较所述一目标电流与所述一内部参考电流，得到比较结果；以及
在步骤A2中，
根据所述比较结果，对存储单元施加编程操作的电压或施加擦除操作的电压，至此完成对存储器参考电流的调节。
进一步地，包括：
控制施加编程操作的单步操作时间或控制施加擦除操作的单步操作时间；
在该步骤中根据一参考电流值与一目标电流值的差别大小，控制施加的编程操作的单步操作时间或控制施加的擦除操作的单步操作时间。
进一步地，所述目标电流为恒定电流。
一种测试存储器参考电流的装置，包括：
外部电流源装置，存储单元及其驱动电路单元装置，电流比较模块，编程/擦除操作选择控制单元装置；所述外部电流源装置与电流比较模块连接，所述电流比较模块的第一端与存储单元及其驱动电路单元装置连接，所述存储单元及其驱动电路单元装置与编程/擦除操作选择控制单元装置的第一端连接，所述编程/擦除操作选择控制单元装置的第二端与电流比较模块的第二端连接；
所述外部电流源装置从存储器的芯片信号PIN脚灌入外部电流，该外部电流作为目标电流；当编程/擦除控制器发出编程操作信号时，驱动电路单元装置对存储单元施加编程的操作电压，当编程/擦除控制器发出擦除操作信号时，驱动电路单元装置对存储单元施加擦除的操作电压；通过对存储单元做编程或擦除操作，使其阈值电压达到一定值，使其在栅极施加一定电压时呈现出一定的电流；电流比较模块将外部电流与参考电流比较，得到比较结果，至此完成对存储器参考电流的测试。
一种调节存储器参考电流的装置，包括：
外部电流源装置，存储单元及其驱动电路单元装置，电流比较模块，编程/擦除操作选择控制单元装置；所述外部电流源装置与电流比较模块连接，所述电流比较模块的第一端与存储单元及其驱动电路单元装置连接，所述存储单元及其驱动电路单元装置与编程/擦除操作选择控制单元装置的第一端连接，所述编程/擦除操作选择控制单元装置的第二端与电流比较模块的第二端连接；
所述外部电流源装置从存储器的芯片信号PIN脚灌入外部电流，该外部电流作为目标电流；当编程/擦除操作选择控制单元装置发出编程操作信号时，驱动电路单元装置对存储单元施加编程的操作电压，当编程/擦除操作选择控制单元装置发出擦除操作信号时，驱动电路单元装置对存储单元施加擦除的操作电压；通过对存储单元做编程或擦除操作，使其阈值电压达到一定值，使其在栅极施加一定电压时呈现出一定的电流；电流比较模块将外部电流与参考电流比较，得到比较结果；
根据所述比较结果，如果参考电流小于外部电流，编程/擦除操作选择控制单元装置发出擦除操作信号，如果参考电流大于外部电流，编程/擦除操作选择控制单元装置发出编程操作信号。
进一步地，包括编程/擦除操作时间控制单元装置，用于控制施加编程操作的单步操作时间或用于控制施加擦除操作的单步操作时间；编程/擦除操作时间控制单元装置根据参考电流值与目标电流值的差别大小，控制施加的编程操作的单步操作时间或控制施加的擦除操作的单步操作时间。
一种存储器参考电流调试系统，基于如上技术方案中任一种装置。
本发明的有益效果是：
(1)本发明相比现有的将参考电流输出到专门的测试设备测试的方案，而不需要在测试设备上测试参考电流，简化了测试装置结构，简化了测试流程，实现芯片内部自动将参考电流与目标电流比较，这样极大地减小测试时间，降低了芯片调试成本。
(2)本发明设置有单步操控时间控制步骤(相应控制单元)等，避免一次擦除操作将电流置得过大或者一次编程操作将电流置的过小，偏离目标电流过多，需要控制单步操作时间，可以根据当前参考电流值与恒定电流值的差别大小来判定操作时间，当差距越小，操作时间就越短。
(3)本发明将通过提供至少一外部电流，输入到存储器内部作为目标电流，利用参考电流与目标电流比较，得到比较结果，相比常规直接输出参考电流进行测试，提出了一种在存储芯片内部测试参考电流的新方案。同时，利用比较结果进行反馈调节，提升参考电流调节精度，提升了调试效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中借由热电子注入写入一个NOR Flash记忆单元(将其在逻辑上设为0)的示意图。
图2为现有技术中借由量子穿隧抹除一个NOR Flash记忆单元(将其在逻辑上设为1)的示意图。
图3为本发明的结构示意图。
图4为本发明的实施例的测试步骤流程示意图。
图5为本发明的实施例的调节步骤流示意图。
具体实施方式
下面结合附图进一步详细描述本发明的技术方案，但本发明的保护范围不局限于以下所述。本说明书中公开的所有特征，或隐含公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。
本说明书(包括任何附加权利要求、摘要和附图)中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。
下面将详细描述本发明的具体实施例，应当注意，这里描述的实施例只用于举例说明，并不用于限制本发明。在以下描述中，为了提供对本发明的透彻理解，阐述了大量特定细节。然而，对于本领域普通技术人员显而易见的是：不必采用这些特定细节来实行本发明。在其他实例中，为了避免混淆本发明，未具体描述公知的电路，软件或方法。
在对实施例进行描述之前，需要对一些必要的术语进行解释。例如：
若本申请中出现使用“第一”、“第二”等术语来描述各种元件，但是这些元件不应当由这些术语所限制。这些术语仅用来区分一个元件和另一个元件。因此，下文所讨论的“第一”元件也可以被称为“第二”元件而不偏离本发明的教导。应当理解的是，若提及一元件“连接”或者“联接”到另一元件时，其可以直接地连接或直接地联接到另一元件或者也可以存在中间元件。相反地，当提及一元件“直接地连接”或“直接地联接”到另一元件时，则不存在中间元件。
在本申请中出现的各种术语仅仅用于描述具体的实施方式的目的而无意作为对本发明的限定，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式意图也包括复数形式。
当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包括有”时，这些术语指明了所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是也不排除一个以上其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其群组的存在和/或附加。
如图1所示，一种测试存储器参考电流的方法，包括：
测试存储器的存储单元参考电流步骤，在该步骤中，
提供至少一外部电流，并将所述一外部电流输入到存储器内部；将输入到存储器内部的所述一外部电流作为存储器的存储单元的一目标电流；
在所述存储器的存储单元的栅极施加电压，使其产生一内部参考电流；
比较所述一目标电流与所述一内部参考电流，得到比较结果，至此完成对存储器参考电流的测试。
一种调节存储器参考电流的方法，包括：
测试存储器的存储单元参考电流步骤A1和调节步骤A2；在步骤A1中，
提供至少一外部电流，并将所述一外部电流输入到存储器内部；将输入到存储器内部的所述一外部电流作为存储器的存储单元的一目标电流；
在所述存储器的存储单元的栅极施加电压，使其产生一内部参考电流；
比较所述一目标电流与所述一内部参考电流，得到比较结果；以及
在步骤A2中，
根据所述比较结果，对存储单元施加编程操作的电压或施加擦除操作的电压，至此完成对存储器参考电流的调节。
进一步地，包括：
控制施加编程操作的单步操作时间或控制施加擦除操作的单步操作时间；
在该步骤中根据一参考电流值与一目标电流值的差别大小，控制施加的编程操作的单步操作时间或控制施加的擦除操作的单步操作时间。
进一步地，所述目标电流为恒定电流。
一种测试存储器参考电流的装置，包括：
外部电流源装置，存储单元及其驱动电路单元装置，电流比较模块，编程/擦除操作选择控制单元装置；所述外部电流源装置与电流比较模块连接，所述电流比较模块的第一端与存储单元及其驱动电路单元装置连接，所述存储单元及其驱动电路单元装置与编程/擦除操作选择控制单元装置的第一端连接，所述编程/擦除操作选择控制单元装置的第二端与电流比较模块的第二端连接；
所述外部电流源装置从存储器的芯片信号PIN脚灌入外部电流，该外部电流作为目标电流；当编程/擦除控制器发出编程操作信号时，驱动电路单元装置对存储单元施加编程的操作电压，当编程/擦除控制器发出擦除操作信号时，驱动电路单元装置对存储单元施加擦除的操作电压；通过对存储单元做编程或擦除操作，使其阈值电压达到一定值，使其在栅极施加一定电压时呈现出一定的电流；电流比较模块将外部电流与参考电流比较，得到比较结果，至此完成对存储器参考电流的测试。
一种调节存储器参考电流的装置，包括：
外部电流源装置，存储单元及其驱动电路单元装置，电流比较模块，编程/擦除操作选择控制单元装置；所述外部电流源装置与电流比较模块连接，所述电流比较模块的第一端与存储单元及其驱动电路单元装置连接，所述存储单元及其驱动电路单元装置与编程/擦除操作选择控制单元装置的第一端连接，所述编程/擦除操作选择控制单元装置的第二端与电流比较模块的第二端连接；
所述外部电流源装置从存储器的芯片信号PIN脚灌入外部电流，该外部电流作为目标电流；当编程/擦除操作选择控制单元装置发出编程操作信号时，驱动电路单元装置对存储单元施加编程的操作电压，当编程/擦除操作选择控制单元装置发出擦除操作信号时，驱动电路单元装置对存储单元施加擦除的操作电压；通过对存储单元做编程或擦除操作，使其阈值电压达到一定值，使其在栅极施加一定电压时呈现出一定的电流；电流比较模块将外部电流与参考电流比较，得到比较结果；
根据所述比较结果，如果参考电流小于外部电流，编程/擦除操作选择控制单元装置发出擦除操作信号，如果参考电流大于外部电流，编程/擦除操作选择控制单元装置发出编程操作信号。
进一步地，包括编程/擦除操作时间控制单元装置，用于控制施加编程操作的单步操作时间或用于控制施加擦除操作的单步操作时间；编程/擦除操作时间控制单元装置根据参考电流值与目标电流值的差别大小，控制施加的编程操作的单步操作时间或控制施加的擦除操作的单步操作时间。
一种存储器参考电流调试系统，基于如上技术方案中任一种装置。
实施例一
如图1所示，一种调节存储器参考电流的装置，该装置包括四部分，分别是(1)外部恒定电流源，(2)提供参考的存储单元以及驱动电路，(3)电流比较模块，(4)编程擦除操作控制器。
外部恒定电流源是从芯片的某一个信号PIN灌入恒定的电流，比如10uA的电流，这个恒定电流源作为目标电流。提供参考的存储单元是NOR FLASH存储器件，一颗芯片上需要多少个参考电流就需要有多少个这样的存储单元，通过对该存储单元做编程擦除操作，使其阈值电压达到一定值，使其在栅极施加一定电压时呈现出一定的电流。例如对编程操作参考电流的存储单元，当栅极施加Vpgmv时，该存储单元具有大概10uA的电流，对擦除操作参考电流的存储单元，当栅极施加Verv时，该存储单元具有大概10uA的电流。对读操作参考电流的存储单元，当栅极施加Vrd时，该存储单元具有大概10uA的电流。相应的驱动电路是指当编程擦除控制器发出编程操作信号时，驱动电路对存储单元施加编程的操作电压，当编程擦除控制器发出擦除操作信号时，驱动电路对存储单元施加擦除的操作电压。电流比较模块用于将外部恒定电流与参考电流比较。编程擦除操作控制器，是根据电流比较模块的输出，决定接下来对存储单元做什么操作。如果参考电流小于恒定电流，控制器会发出擦除操作信号，如果参考电流大于恒定电流，控制器发出编程操作信号。
在本实施例中的其余技术特征，本领域技术人员均可以根据实际情况进行灵活选用和以满足不同的具体实际需求。然而，对于本领域普通技术人员显而易见的是：不必采用这些特定细节来实现本发明。在其他实例中，为了避免混淆本发明，未具体描述公知的算法，方法或系统等，均在本发明的权利要求书请求保护的技术方案限定技术保护范围之内。
实施例二
如图1所示，在实施例一的基础上，为了避免一次擦除操作将电流置得过大或者一次编程操作将电流置的过小，偏离目标电流过多，需要控制单步操作时间，可以根据当前参考电流值与恒定电流值的差别大小来判定操作时间，当差距越小，操作时间就越短。
在本实施例中的其余技术特征，本领域技术人员均可以根据实际情况进行灵活选用和以满足不同的具体实际需求。然而，对于本领域普通技术人员显而易见的是：不必采用这些特定细节来实现本发明。在其他实例中，为了避免混淆本发明，未具体描述公知的算法，方法或系统等，均在本发明的权利要求书请求保护的技术方案限定技术保护范围之内。
实施例三
如图4所示，一种测试存储器参考电流的方法，
S11、提供至少一外部电流，并将所述一外部电流输入到存储器内部；
S12、将输入到存储器内部的所述一外部电流作为存储器的存储单元的一目标电流；
S13、在所述存储器的存储单元的栅极施加电压，使其产生一内部参考电流；
S14、比较所述一目标电流与所述一内部参考电流，得到比较结果，至此完成对存储器参考电流的测试。
实施例四
如图5所示，一种调节存储器参考电流的方法，在实施例三的基础上，
S11、提供至少一外部电流，并将所述一外部电流输入到存储器内部；
S12、将输入到存储器内部的所述一外部电流作为存储器的存储单元的一目标电流；
S13、在所述存储器的存储单元的栅极施加电压，使其产生一内部参考电流；
S14、比较所述一目标电流与所述一内部参考电流，得到比较结果，至此完成对存储器参考电流的测试；
S15、根据所述比较结果，对存储单元施加编程操作的电压或施加擦除操作的电压，至此完成对存储器参考电流的调节。
在本实施例中的其余技术特征，本领域技术人员均可以根据实际情况进行灵活选用和以满足不同的具体实际需求。然而，对于本领域普通技术人员显而易见的是：不必采用这些特定细节来实现本发明。在其他实例中，为了避免混淆本发明，未具体描述公知的算法，方法或系统等，均在本发明的权利要求书请求保护的技术方案限定技术保护范围之内。
在本实施例中的其余技术特征，本领域技术人员均可以根据实际情况进行灵活选用和以满足不同的具体实际需求。然而，对于本领域普通技术人员显而易见的是：不必采用这些特定细节来实现本发明。在其他实例中，为了避免混淆本发明，未具体描述公知的算法，方法或系统等，均在本发明的权利要求书请求保护的技术方案限定技术保护范围之内。
对于前述的方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本申请并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本申请，某一些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和单元并不一定是本申请所必须的。
本领域技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法实现所描述的功能，但是这种实现不应超出本发明的范围。
所揭露的系统、模块和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例，仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，可以仅仅是一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以说通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述分立部件说明的单元可以是或者也可以不收物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者可以不收物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例的方案的目的。
所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，所述的存储介质可为磁碟、光盘、ROM、RAM等。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。
Claims (6)
1.一种测试存储器参考电流的方法，其特征在于，包括：
测试存储器的存储单元参考电流步骤，在该步骤中，
提供至少一外部电流，并将所述一外部电流输入到存储器内部；将输入到存储器内部的所述一外部电流作为存储器的存储单元的一目标电流；
在所述存储器的存储单元的栅极施加电压，使其产生一内部参考电流；
比较所述一目标电流与所述一内部参考电流，得到所述一目标电流与所述一内部参考电流的差别大小，并根据所述差别大小确定控制施加的编程操作的单步操作时间或控制施加的擦除操作的单步操作时间，至此完成对存储器参考电流的测试。
2.一种调节存储器参考电流的方法，其特征在于，包括：
测试存储器的存储单元参考电流步骤A1和调节步骤A2；在步骤A1中，
提供至少一外部电流，并将所述一外部电流输入到存储器内部；将输入到存储器内部的所述一外部电流作为存储器的存储单元的一目标电流；
在所述存储器的存储单元的栅极施加电压，使其产生一内部参考电流；
比较所述一目标电流与所述一内部参考电流，得到所述一目标电流与所述一内部参考电流的差别大小，并根据所述差别大小确定控制施加的编程操作的单步操作时间或控制施加的擦除操作的单步操作时间；以及
在步骤A2中，
根据确定的所述编程操作的单步操作时间对存储单元施加编程操作的电压，或者，根据确定的所述擦除操作的单步操作时间施加擦除操作的电压，至此完成对存储器参考电流的调节。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述目标电流为恒定电流。
4.一种测试存储器参考电流的装置，其特征在于，包括：
外部电流源装置，存储单元及其驱动电路单元装置，电流比较模块，编程/擦除操作选择控制单元装置和编程/擦除操作时间控制单元装置；所述外部电流源装置与电流比较模块连接，所述电流比较模块的第一端与存储单元及其驱动电路单元装置连接，所述存储单元及其驱动电路单元装置与编程/擦除操作选择控制单元装置的第一端连接，所述编程/擦除操作选择控制单元装置的第二端与电流比较模块的第二端连接；
所述外部电流源装置从存储器的芯片信号PIN脚灌入外部电流，该外部电流作为目标电流；当编程/擦除控制器发出编程操作信号时，驱动电路单元装置对存储单元施加编程的操作电压，当编程/擦除控制器发出擦除操作信号时，驱动电路单元装置对存储单元施加擦除的操作电压；通过对存储单元做编程或擦除操作，使其阈值电压达到一定值，使其在栅极施加一定电压时呈现出一定的电流；电流比较模块将外部电流与参考电流比较，得到所述外部电流与所述参考电流的差别大小；所述编程/擦除操作时间控制单元装置根据所述差别大小控制施加的编程操作的单步操作时间或控制施加的擦除操作的单步操作时间。
5.一种调节存储器参考电流的装置，其特征在于，包括：
外部电流源装置，存储单元及其驱动电路单元装置，电流比较模块，编程/擦除操作选择控制单元装置和编程/擦除操作时间控制单元装置；所述外部电流源装置与电流比较模块连接，所述电流比较模块的第一端与存储单元及其驱动电路单元装置连接，所述存储单元及其驱动电路单元装置与编程/擦除操作选择控制单元装置的第一端连接，所述编程/擦除操作选择控制单元装置的第二端与电流比较模块的第二端连接；
所述外部电流源装置从存储器的芯片信号PIN脚灌入外部电流，该外部电流作为目标电流；当编程/擦除操作选择控制单元装置发出编程操作信号时，驱动电路单元装置对存储单元施加编程的操作电压，当编程/擦除操作选择控制单元装置发出擦除操作信号时，驱动电路单元装置对存储单元施加擦除的操作电压；通过对存储单元做编程或擦除操作，使其阈值电压达到一定值，使其在栅极施加一定电压时呈现出一定的电流；电流比较模块将外部电流与参考电流比较，得到所述外部电流与所述参考电流的差别大小；所述编程/擦除操作时间控制单元装置根据所述差别大小控制施加的编程操作的单步操作时间或控制施加的擦除操作的单步操作时间；
根据所述比较结果，如果参考电流小于外部电流，编程/擦除操作选择控制单元装置发出擦除操作信号，如果参考电流大于外部电流，编程/擦除操作选择控制单元装置发出编程操作信号。
6.一种存储器参考电流调试系统，其特征在于，基于如权利要求4或5中所述的调节存储器参考电流的装置。
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