[go: up one dir, main page]

CN109343304B - 一种用于制作主动开关的光罩和显示面板的制作方法 - Google Patents

一种用于制作主动开关的光罩和显示面板的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109343304B
CN109343304B CN201811389226.XA CN201811389226A CN109343304B CN 109343304 B CN109343304 B CN 109343304B CN 201811389226 A CN201811389226 A CN 201811389226A CN 109343304 B CN109343304 B CN 109343304B
Authority
CN
China
Prior art keywords
area
semi
region
light
transparent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811389226.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN109343304A (zh
Inventor
吴川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HKC Co Ltd
Original Assignee
HKC Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HKC Co Ltd filed Critical HKC Co Ltd
Priority to CN201811389226.XA priority Critical patent/CN109343304B/zh
Priority to PCT/CN2018/119061 priority patent/WO2020103187A1/zh
Priority to US16/349,986 priority patent/US11353787B2/en
Publication of CN109343304A publication Critical patent/CN109343304A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109343304B publication Critical patent/CN109343304B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/01—Manufacture or treatment
    • H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
    • H10D86/0231—Manufacture or treatment of multiple TFTs using masks, e.g. half-tone masks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明公开了一种用于制作主动开关的光罩和显示面板的制作方法，所述光罩包括遮光区，对应所述主动开关的金属层，被配置为不透光；半透光区，对应所述主动开关的沟道区，被配置为部分透光；透光区，为除所述遮光区和所述半透光区外的其它的光罩区域，被配置为完全透光；镂空区，位于所述半透光区内，被配置为完全透光；所述半透光区包括半圆环形的区域和直线形的区域，所述镂空区位于所述半透光区的半圆环形的区域内。本申请在半透光区上设置镂空区，镂空区可以增加半透光区的透光量，从而可以减轻曝光时候的失焦现象，提升工艺良率。

Description

一种用于制作主动开关的光罩和显示面板的制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种用于制作主动开关的光罩和显示面板的制作方法。
背景技术
四道制程工艺，常用在显示面板生产中，其作用是将非晶硅层和数据线或者源漏极金属层合成一张光罩，相比传统五道制程工艺，其减少一道光刻工艺，能提升生产效率。四道制程工艺中的每一道光罩制程，都会经过曝光、显影、刻蚀、光阻胶剥离步骤；在实际生产过程中，因为光线具有一定的散射作用，会影响主动开关的曝光质量。
主动开关的圆弧形的沟道区在曝光时会失焦。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种能减轻沟道处曝光时发生失焦的问题的一种用于制作主动开关的光罩和显示面板的制作方法。
为实现上述目的，本发明提供了一种用于制作主动开关的光罩，包括遮光区，对应所述主动开关的金属层，被配置为不透光；半透光区，对应所述主动开关的沟道区，被配置为部分透光；透光区，为除所述遮光区和所述半透光区外的其它的光罩区域，被配置为完全透光；镂空区，位于所述半透光区内，被配置为完全透光；所述半透光区包括半圆环形的区域和直线形的区域，所述镂空区位于所述半透光区的半圆环形的区域内。
可选的，所述镂空区包括镂空结构，所述镂空结构设为狭缝。
可选的，所述狭缝为直线形。
可选的，所述狭缝有多条，多条所述狭缝的延长线相交于同一交点。
可选的，所述狭缝宽度大于或等于0.1微米，且小于或等于2微米。
可选的，所述金属层包括源极金属层和漏极金属层；所述遮光区包括第一遮光区和第二遮光区，所述第一遮光区对应所述漏极金属层；所述第二遮光区对应所述源极金属层；所述镂空区连接所述第一遮光区和第二遮光区。
可选的，所述半透光区的宽度大于或等于2.8微米，且小于或等于5微米。
本发明还公开了一种用于制作主动开关的光罩，包括：遮光区，对应所述主动开关的金属层，被配置为不透光；半透光区，对应所述主动开关的沟道区，被配置为部分透光；透光区，为除所述遮光区和所述半透光区外的其它的光罩区域，被配置为完全透光；镂空区，位于所述半透光区内，被配置为完全透光；
所述镂空区包括镂空结构，所述镂空结构设为狭缝，所述狭缝为直线形；所述狭缝宽度大于或等于0.1微米，且小于或等于2微米；
所述金属层包括源极金属层和漏极金属层；所述遮光区包括第一遮光区和第二遮光区，所述第一遮光区对应所述漏极金属层；所述第二遮光区对应所述源极金属层；所述镂空区连接所述第一遮光区和第二遮光区；
所述狭缝有多条，多条所述狭缝的延长线相交于同一交点；所述第一遮光区包括半圆环形的区域，所述交点为所述第一遮光区的半圆环形的区域的圆心；
所述半透光区包括半圆环形的区域和直线形的区域，所述镂空区位于所述半透光区的半圆环形的区域内；
多条所述狭缝均匀分布在所述半透光区的所述半圆环形的区域内；
所述半透光区的宽度大于或等于2.8微米，且小于或等于5微米。
本发明还公开了一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括衬底和主动开关，所述主动开关形成于所述衬底上；
所述显示面板的制作方法包括采用如上任意所述的用于制作主动开关的光罩制作所述主动开关。
相对于用于制作主动开关的光罩的半透光区内不设镂空区的方案来说，本申请在半透光区上设置镂空区，相比范例性技术，由于半圆环形的区域周围都是遮光区和半透光区，而直线形的区域与透光区相邻，这样因为光线具有一定的散射作用，在制程中，保证直线形的区域能完成曝光时，半圆环形的区域会存在一定几率的失焦，因此，本方案在半圆环形的区域内设置镂空区，可以增加半圆环形的区域的透光量，从而可以减轻曝光时候的失焦现象，提升工艺良率。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1是范例性技术的一种用于制作主动开关的光罩的示意图；
图2是本发明的其中一个实施例的用于制作主动开关的光罩的示意图；
图3是本发明的另一实施例的用于制作主动开关的光罩的示意图；
图4是本发明的图1中用于制作主动开关的光罩的截面A-A1的曝光原理示意图；
图5是本发明的曝光显影后的示意图；
图6是本发明的第一次湿蚀刻后的示意图；
图7是本发明的第一次干蚀刻的示意图；
图8是本发明的光刻胶灰化的示意图；
图9是本发明的第二次湿蚀刻的示意图；
图10是本发明的第二次干蚀刻的示意图；
图11是本发明的光阻胶剥离后形成完整的沟道的示意图；
图12是本发明的图11中光阻胶剥离后形成完整的沟道的主动开关俯视图；
图13是本发明的显示面板制作方法流程的示意图。
其中，100、光罩；110、遮光区；111、第一遮光区；112、第二遮光区；120、半透光区；121、半圆环形的区域；122、直线形的区域；130、透光区；140、镂空区；141、狭缝；142、镂空结构；200、阵列基板；210、衬底；220、主动开光；221、金属层；222、源极金属层；223、漏极金属层；224、沟道区；225、半圆环形的区域的圆心；230、第一金属层；240、栅绝缘层；250、有源层；260、欧姆接触层；270、第二金属层；280、光阻胶层；300、显示面板。
具体实施方式
需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。
在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形，意为不排他的包含，可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
另外，“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语，是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的，仅是为了便于描述本申请的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下面参考附图和可选的实施例对本发明作进一步说明。
如图2至图12所示，本发明实施例公布了一种用于制作主动开关220的光罩100，包括：遮光区110，对应主动开关220的金属层221，被配置为不透光；半透光区120，对应主动开关220的沟道区224，被配置为部分透光；透光区130，为除遮光区110和半透光区120外的其它的光罩100区域，被配置为完全透光；镂空区140，位于半透光区120内，被配置为完全透光；所述半透光区120包括半圆环形的区域121和直线形的区域122，所述镂空区140位于所述半透光区的半圆环形的区域121内。
本方案中,在半透光区120上设置镂空区140，相比范例性技术，由于半圆环形的区域121周围都是遮光区110和半透光区120，而直线形的区域122与透光区130相邻，这样因为光线具有一定的散射作用，在制程中，保证直线形的区域122能完成曝光时，半圆环形的区域121会存在一定几率的失焦，因此，本方案在半圆环形的区域121内设置镂空区140，可以增加半圆环形的区域121的透光量，从而可以减轻曝光时候的失焦现象，提升工艺良率。
相对于如图1中所示的方案来说，在用于制作主动开关220的光罩100的半透光区120上，无镂空区140和其它增加透光量的设置，相对比该方案，本发明在半透光区120上设置镂空区140，镂空区140可以增加半透光区120的透光量，从而可以减轻曝光时候的失焦现象，提升工艺良率。
其中，制作主动开关220的阵列基板200包括衬底210、第一金属层230、栅绝缘层240、有源层250、欧姆接触层260、第二金属层270以及光阻胶层280，第一金属层230形成于衬底210上，栅绝缘层240形成于第一金属层230上，有源层250形成于栅绝缘层240上，欧姆接触层260形成于有源层250上，第二金属层270形成于欧姆接触层260上，光阻胶层280形成于第二金属层270上。
在一实施例中，镂空区140包括镂空结构142，镂空结构142设为狭缝141。
本方案中,本方案将镂空区140内的镂空结构142设置为狭缝141，狭缝141可以增加半透光区120的透光量，同时又可以不被曝光，从而可以减轻曝光时候的失焦现象，提升工艺良率。
在一实施例中，狭缝141为直线形。
本方案中,本方案将狭缝141设为直线形状，可以透过直线形的光，从而可以减轻对应曝光时候的失焦现象，提升工艺良率。
其中，狭缝141也可以是其它形状，适用减轻对应曝光时候的失焦现象，提升工艺良率。
在一实施例中，狭缝141有多条，多条狭缝141的延长线相交于同一交点。
本方案中,狭缝141有多条，这样可以增加半透光区120的透光量，更好的减轻曝光时候的失焦现象；使多条狭缝141的延长线相交于同一交点，可以规范狭缝141，方便制作，从而更好的提升工艺良率。
在一实施例中，狭缝141宽度L1大于或等于0.1微米，且小于或等于2微米。
本方案中,由于曝光机精度在2微米左右，因此，狭缝141宽度L1设置大于或等于0.1微米，且小于或等于2微米时，通常不会被曝光，这样半透光区120的透光量增加，可以减轻曝光时候的失焦现象，提升工艺良率。
在一实施例中，金属层221包括源极金属层222和漏极金属层223；遮光区110包括第一遮光区111和第二遮光区112，第一遮光区111对应漏极金属层223；第二遮光区112对应源极金属层222；镂空区140连接第一遮光区111和第二遮光区112。
本方案中,将镂空区140设置为连接第一遮光区111和第二遮光区112，与半透光区120的宽度一致，这样可以使半透光区120的透光范围更好的照顾到宽度方向，可以更好的减轻曝光时候的失焦现象，提升工艺良率。
在一实施例中，半透光区120的宽度L2大于或等于2.8微米，且小于或等于5微米。
本方案中,半透光区120的宽度L2设为大于或等于2.8微米，同时小于或等于5微米，这样制作出来的主动开光，其导通电流会非常满足工作区间。
在一实施例中，多条狭缝141均匀分布在半透光区120内。
本方案中,多条狭缝141均匀分布在半透光区120内，可以均匀的增加半透光区120的透光量，从而可以稳定均匀的减轻曝光时候的失焦现象，提升工艺良率。
如图2至图4以及图11、图12所示，作为本发明的另一实施例，公开了一种用于制作主动开关220的光罩100，包括遮光区110，对应主动开关220的金属层221，被配置为不透光；半透光区120，对应主动开关220的沟道区224，被配置为部分透光；透光区130，为除遮光区110和半透光区120外的其它的光罩100区域，被配置为完全透光；镂空区140，位于半透光区120内，被配置为完全透光；
镂空区140包括镂空结构142，镂空结构142设为狭缝141，狭缝141为直线形；狭缝141宽度L1大于或等于0.1微米，且小于或等于2微米；
金属层221包括源极金属层222和漏极金属层223；遮光区110包括第一遮光区111和第二遮光区112，第一遮光区111对应漏极金属层223；第二遮光区112对应源极金属层222；镂空区140连接第一遮光区111和第二遮光区112；
狭缝141有多条，多条狭缝141的延长线相交于同一交点；所述第一遮光区111包括半圆环形的区域，交点为第一遮光区的半圆环形的区域的圆心225；
半透光区120包括半圆环形的区域121和直线形的区域122，镂空区140位于半透光区的半圆环形的区域121内；
多条狭缝141均匀分布在半透光区的所述半圆环形的区域121内；
半透光区120的宽度L2大于或等于2.8微米，且小于或等于5微米。
本方案中，在半透光区120上设置镂空区140，相比范例性技术，镂空区140可以增加半透光区120的透光量，从而可以减轻曝光时候的失焦现象，提升工艺良率；将镂空区140内的镂空结构142设置为狭缝141，狭缝141可以增加半透光区120的透光量，同时又可以不被曝光，狭缝141设为直线形状，可以透过直线形的光，曝光机精度在2微米左右，因此，狭缝141宽度L1设置大于或等于0.1微米，且小于或等于2微米时，通常不会被曝光，这样半透光区120的透光量增加，可以减轻曝光时候的失焦现象，提升工艺良率；将镂空区140设置为连接第一遮光区111和第二遮光区112，与半透光区120的宽度一致，这样可以使半透光区120的透光范围更好的照顾到宽度方向，可以更好的减轻曝光时候的失焦现象，提升工艺良率；狭缝141有多条，这样可以增加半透光区120的透光量，更好的减轻曝光时候的失焦现象；使多条狭缝141的延长线相交于同一交点，可以规范狭缝141，方便制作，从而更好的提升工艺良率；由于半透光区的半圆环形的区域121周围都是遮光区110和半透光区120，而直线形的区域122与透光区130相邻，这样因为光线具有一定的散射作用，在制程中，保证直线形的区域122能完成半透膜曝光时，半透光区的半圆环形的区域121会存在一定几率的失焦，因此，本方案在半透光区的半圆环形的区域121内设置镂空区140，可以增加半透光区的半圆环形的区域121的透光量，从而可以减轻曝光时候的失焦现象，提升工艺良率；多条狭缝141均匀分布在半透光区120内，可以均匀的增加半透光区120的透光量，从而可以稳定均匀的减轻曝光时候的失焦现象，提升工艺良率；半透光区120的宽度L2设为大于或等于2.8微米，同时小于或等于5微米，这样制作出来的主动开光，其导通电流会非常满足工作区间。
如图2至图4以及图11至图13所示，作为本发明的另一实施例，公开了一种显示面板300的制作方法，显示面板300包括衬底210和主动开关220，主动开关220形成于衬底210上；
显示面板300的制作方法包括采用如上任意所述的用于制作主动开关220的光罩100制作形成主动开关220。
更具体的，包括：
S41：采用遮光区110形成主动开关220的金属层221；
S42：采用半透光区120形成主动开关220的沟道区224；
S43：采用透光区形成除主动开关220的金属层221和沟道区224外的其它的区域；
S44：采用镂空区140增加半透光区120的透光量，从而帮助形成主动开关220的沟道区224。
需要说明的是，本方案中涉及到的各步骤的限定，在不影响具体方案实施的前提下，并不认定为对步骤先后顺序做出限定，写在前面的步骤可以是在先执行的，也可以是在后执行的，甚至也可以是同时执行的，只要能实施本方案，都应当视为属于本发明的保护范围。
本发明的技术方案可以广泛用于多种显示面板，如扭曲向列型(TwistedNematic，TN)显示面板、垂直配向型(Vertical Alignment，VA)显示面板等，当然，也可以是其他类型的显示面板，如有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板，均可适用上述方案。
以上内容是结合具体的可选的实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种用于制作主动开关的光罩，其特征在于，包括：
遮光区，对应所述主动开关的金属层，被配置为不透光；
半透光区，对应所述主动开关的沟道区，被配置为部分透光；
透光区，为除所述遮光区和所述半透光区外的其它的光罩区域，被配置为完全透光；
以及镂空区，位于所述半透光区内，被配置为完全透光；
所述半透光区包括半圆环形的区域和直线形的区域，所述镂空区位于所述半透光区的半圆环形的区域内。
2.如权利要求1所述的一种用于制作主动开关的光罩，其特征在于，所述镂空区包括镂空结构，所述镂空结构设为狭缝。
3.如权利要求2所述的一种用于制作主动开关的光罩，其特征在于，所述狭缝为直线形。
4.如权利要求3所述的一种用于制作主动开关的光罩，其特征在于，所述狭缝有多条，多条所述狭缝的延长线相交于同一交点。
5.如权利要求2所述的一种用于制作主动开关的光罩，其特征在于，所述狭缝宽度大于或等于0.1微米，且小于或等于2微米。
6.如权利要求1所述的一种用于制作主动开关的光罩，其特征在于，所述金属层包括源极金属层和漏极金属层；所述遮光区包括第一遮光区和第二遮光区，所述第一遮光区对应所述漏极金属层；所述第二遮光区对应所述源极金属层；所述镂空区连接所述第一遮光区和第二遮光区。
7.如权利要求1所述的一种用于制作主动开关的光罩，其特征在于，所述半透光区的宽度大于或等于2.8微米，且小于或等于5微米。
8.一种用于制作主动开关的光罩，其特征在于，包括：
遮光区，对应所述主动开关的金属层，被配置为不透光；
半透光区，对应所述主动开关的沟道区，被配置为部分透光；
透光区，为除所述遮光区和所述半透光区外的其它的光罩区域，被配置为完全透光；
以及镂空区，位于所述半透光区内，被配置为完全透光；
所述镂空区包括镂空结构，所述镂空结构设为狭缝，所述狭缝为直线形；所述狭缝宽度大于或等于0.1微米，且小于或等于2微米；
所述金属层包括源极金属层和漏极金属层；所述遮光区包括第一遮光区和第二遮光区，所述第一遮光区对应所述漏极金属层；所述第二遮光区对应所述源极金属层；所述镂空区连接所述第一遮光区和第二遮光区；
所述狭缝有多条，多条所述狭缝的延长线相交于同一交点；所述第一遮光区包括半圆环形的区域，所述交点为所述第一遮光区的半圆环形的区域的圆心；
所述半透光区包括半圆环形的区域和直线形的区域，所述镂空区位于所述半透光区的半圆环形的区域内；
多条所述狭缝均匀分布在所述半透光区的所述半圆环形的区域内；
所述半透光区的宽度大于或等于2.8微米，且小于或等于5微米。
9.一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括：
衬底；
主动开关，形成于所述衬底上；
所述显示面板的制作方法包括步骤：采用如权利要求1-8任意一项所述的用于制作主动开关的光罩制作所述主动开关。
CN201811389226.XA 2018-11-21 2018-11-21 一种用于制作主动开关的光罩和显示面板的制作方法 Active CN109343304B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811389226.XA CN109343304B (zh) 2018-11-21 2018-11-21 一种用于制作主动开关的光罩和显示面板的制作方法
PCT/CN2018/119061 WO2020103187A1 (zh) 2018-11-21 2018-12-04 制作主动开关的光罩和显示面板的制作方法
US16/349,986 US11353787B2 (en) 2018-11-21 2018-12-04 Photomask for manufacturing active switch and method for manufacturing display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811389226.XA CN109343304B (zh) 2018-11-21 2018-11-21 一种用于制作主动开关的光罩和显示面板的制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109343304A CN109343304A (zh) 2019-02-15
CN109343304B true CN109343304B (zh) 2020-04-14

Family

ID=65316901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811389226.XA Active CN109343304B (zh) 2018-11-21 2018-11-21 一种用于制作主动开关的光罩和显示面板的制作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11353787B2 (zh)
CN (1) CN109343304B (zh)
WO (1) WO2020103187A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109541829B (zh) * 2018-12-19 2021-08-24 惠科股份有限公司 掩膜版、液晶面板和液晶显示装置
CN114895522B (zh) * 2022-07-13 2023-06-09 上海传芯半导体有限公司 用于duv光刻的光掩模版结构及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080032290A (ko) * 2006-10-09 2008-04-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 노광 마스크
CN101231458A (zh) * 2007-01-24 2008-07-30 Hoya株式会社 灰色调掩模及图案转印方法
CN101598894A (zh) * 2009-07-07 2009-12-09 友达光电股份有限公司 光掩膜、薄膜晶体管元件及制作薄膜晶体管元件的方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101943854B (zh) * 2009-07-03 2012-07-04 深圳清溢光电股份有限公司 半灰阶掩模板半曝光区的设计方法及其制造方法
CN203658725U (zh) * 2014-01-10 2014-06-18 北京京东方光电科技有限公司 一种掩膜板
CN107132724B (zh) * 2017-05-10 2019-11-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种掩膜版以及阵列基板的制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080032290A (ko) * 2006-10-09 2008-04-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 노광 마스크
CN101231458A (zh) * 2007-01-24 2008-07-30 Hoya株式会社 灰色调掩模及图案转印方法
CN101598894A (zh) * 2009-07-07 2009-12-09 友达光电股份有限公司 光掩膜、薄膜晶体管元件及制作薄膜晶体管元件的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20220004095A1 (en) 2022-01-06
WO2020103187A1 (zh) 2020-05-28
US11353787B2 (en) 2022-06-07
CN109343304A (zh) 2019-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101393897B (zh) 制造液晶显示装置的方法
US9006744B2 (en) Array substrate of liquid crystal display device
KR100917654B1 (ko) 박막트랜지스터 액정 디스플레이 화소 구조 및 그 제조방법
CN102236227B (zh) 液晶显示设备及其制造方法
CN101598876B (zh) 用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
KR20080028640A (ko) 박막 트랜지스터 제조용 마스크, 이에 의해 제조된 박막트랜지스터 기판 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의제조방법
CN103035652B (zh) 边缘电场切换型液晶显示板的阵列基底以及其制造方法
JP2007208237A (ja) 薄膜トランジスタ基板とその製造方法、及び、薄膜トランジスタ基板製造用のマスク
CN109494257B (zh) 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置
CN109343304B (zh) 一种用于制作主动开关的光罩和显示面板的制作方法
CN102087449A (zh) 液晶显示设备的阵列基板和制造该阵列基板的方法
US8361846B2 (en) Array substrate for display device and method of fabricating the same
EP3640976A1 (en) Mask and method for preparing array substrate
CN100395598C (zh) 液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
CN109541829B (zh) 掩膜版、液晶面板和液晶显示装置
CN104409350B (zh) 薄膜晶体管的制造方法
CN101650529B (zh) 用于制造tft的掩膜及制造tft的源极/漏极的方法
KR20090075400A (ko) 표시 기판 및 이를 구비한 표시 패널
KR20160020664A (ko) 표시장치와 그 제조 방법
WO2020113667A1 (zh) 光罩及光罩的制作方法
CN112526818B (zh) 半色调掩膜版和薄膜晶体管阵列基板制造方法
US20090224259A1 (en) Display substrate and method for manufacturing the same
CN101231460A (zh) 灰度光罩及其制造方法
KR20070115235A (ko) 개구율이 향상된 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102195580B1 (ko) 위상 반전 마스크, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 표시 패널의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant