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CN109326698A - 一种发光二极管外延片的制造方法 - Google Patents

一种发光二极管外延片的制造方法 Download PDF

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CN109326698A CN201811146348.6A CN201811146348A CN109326698A CN 109326698 A CN109326698 A CN 109326698A CN 201811146348 A CN201811146348 A CN 201811146348A CN 109326698 A CN109326698 A CN 109326698A
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舒辉
郭炳磊
肖云飞
胡加辉
李鹏
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Abstract

本发明公开了一种发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。制造方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长3D成核层，生长所述3D成核层时，向反应室内持续通入氨气，间断性地通入三甲基镓；在所述3D成核层上依次生长未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层。其中3D成核层采用分段生长的方式，即每生长一段时间的3D成核层后，由氨气对生长出的3D成核层的表面进行处理，可以减少3D成核层表面的单质Ga的存在，从而提高3D成核层的晶体质量，提高LED在大电流密度下的抗静电能力，最终提高LED的发光效率。

Description

一种发光二极管外延片的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管外延片的制造方法。
背景技术
LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等。
外延片是LED中的主要构成部分，现有的GaN基LED外延片包括衬底和依次层叠在衬底上的缓冲层、3D(three-dimensional，三维)成核层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层。其中3D成核层为GaN层，在生长3D成核层时，通常是采用氨气作为N源，采用三甲基镓作为Ga源，向反应室中持续通入氨气和三甲基镓10～20min，以生长出3D成核层。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
采用上述方法生长出的3D成核层表面会有过量未反应的Ga源残留，残留的Ga源会与部分区域(表面吸附能大的地方)反应，导致3D成核层表面形貌改变，从而导致生长出的3D成核层的晶体质量较差，影响LED的发光效率。
发明内容
本发明实施例提供了一种发光二极管外延片的制造方法，可以提高3D成核层的晶体质量，提高LED的发光效率。所述技术方案如下：
本发明实施例提供了一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长缓冲层；
在所述缓冲层上生长3D成核层，生长所述3D成核层时，向反应室内持续通入氨气，间断性地通入三甲基镓；
在所述3D成核层上依次生长未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层。
进一步地，所述间断性地通入三甲基镓，包括：
每间隔8～15s通入一次三甲基镓。
进一步地，每次通入所述三甲基镓的时间为4～14s。
进一步地，通入所述三甲基镓的次数为30～90次。
进一步地，所述3D成核层的厚度为300～500nm。
进一步地，所述3D成核层的生长温度为1000～1200℃。
进一步地，所述3D成核层的生长压力为100～500torr。
进一步地，所述3D成核层的生长转速为800～1200r/min。
进一步地，生长所述3D成核层时，五族元素与三族元素的摩尔流量比为200～3000。
进一步地，在所述缓冲层上生长3D成核层之前，所述制造方法还包括：
将反应室温度升高至900～1100℃，将所述反应室压力控制在50～200torr，对所述缓冲层进行退火处理3～10min；
向所述反应室中通入氨气2s～30s。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
在生长3D成核层时，向反应室内持续通入氨气，每间隔一段时间通入一次三甲基镓。相当于将3D成核层分段生长，每生长一段时间的3D成核层后，即由氨气对生长出的3D成核层的表面进行处理，可以减少3D成核层表面Ga源的残留，从而提高3D成核层的晶体质量，提高LED在大电流密度下的抗静电能力，最终提高LED的发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片制造方法的方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明实施例提供了一种发光二极管外延片的制造方法，图1是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的制造方法的方法流程图，如图1所示，该制造方法包括：
步骤101、提供一衬底。
在本实施例中，衬底为蓝宝石。
步骤101还包括：
控制反应室温度为1050℃，压力为200～500Torr，在纯氢气氛围对蓝宝石衬底进行退火处理5～6min，然后将蓝宝石衬底进行氮化处理。
在本实施例中，可以采用Veeco K465i or C4MOCVD(Metal Organic ChemicalVapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备实现LED的生长方法。采用高纯H2(氢气)或高纯N2(氮气)或高纯H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为N源，三甲基镓(TMGa)及三乙基镓(TEGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，硅烷(SiH4)作为N型掺杂剂，三甲基铝(TMAl)作为铝源，二茂镁(CP2Mg)作为P型掺杂剂。
步骤102、在衬底上生长缓冲层。
具体地，将反应室温度控制在500～900℃，压力控制在50～200Torr，生长厚度为10～50nm的GaN缓冲层。
可选地，在执行完步骤102后，该制造方法还可以包括：
将反应室温度升高至900～1100℃，将反应室压力控制在50～200torr，对缓冲层进行退火处理3～10min，然后向反应室中通入氨气2s～30s，以去除缓冲层中的多晶和非晶杂质。
步骤103、在缓冲层上生长3D成核层。
其中，3D成核层为GaN层。在生长3D成核层时，向反应室内持续通入氨气，间断性地通入三甲基镓。
本实施例中，步骤103可以包括：
将反应室温度控制在1000～1200℃，压力控制在100～500torr，向反应室中持续通入氨气，每间隔8～15s通入一次三甲基镓，每次通入三甲基镓的时间为4～12s，通入三甲基镓的次数为30～90次，生长厚度为300～500nm的3D成核层。
若3D成核层的厚度过薄，会导致生长出的3D成核层的抗静电能力下降。若3D成核层的厚度过厚，不仅会影响LED的发光效率，还会导致材料的浪费。
若每次通入三甲基镓的间隔时间小于8s，则无法完全去除3D成核层表面的单质Ga。若每次通入三甲基镓的间隔时间大于15s，则氨气在500℃以上会分解成氢气，对3D成核层的表面进行刻蚀。
若每次通入三甲基镓的时间过短，则会导致生长出的3D成核层的厚度过薄。若每次通入三甲基镓的时间过长，则会导致生长出的3D成核层的厚度过厚。
进一步地，3D成核层时的生长转速为800～1200r/min。若生长转速低于800r/min，或生长转速高于1200r/min，会影响生长出的3D成核层的均匀性和一致性。
进一步地，生长所述3D成核层时，五族元素与三族元素的摩尔流量比(以下简称V/III比)为200～3000。
在本实施例中，生长所述3D成核层时的V/III比即为氨气与三甲基镓的摩尔流量比。
步骤104、在3D成核层上生长未掺杂的GaN层。
具体地，将反应室温度控制在1000～1200℃，压力控制在100～500torr，生长厚度为0.5～1.5um的未掺杂的GaN层。生长未掺杂的GaN层时，V/III比为200～3000，生长转速为800～1200r/min。
步骤105、在未掺杂的GaN层上生长N型层。
具体地，将反应室温度控制在950～1150℃，压力控制在300～500Torr，生长厚度为1.5～3.5um的N型GaN层。生长未掺杂的GaN层时，生长时间为5～15min，V/III比为400-3000，生长转速为1000～1200r/min。
进一步向，在执行完步骤105后，该制造方法还可以包括：
步骤106、在N型层上生长浅阱层。
在本实施例中，浅阱层为n个周期的超晶格结构，5≤n≤20。每个超晶格结构均包括依次生长的InGaN层和GaN层。
具体地，步骤106可以包括：
将反应室温度控制在750～850℃，压力控制在100～500Torr，生长厚度为1～4nm的InGaN层。生长InGaN层时，生长时间10～20min，V/III比为500～10000，生长转速为800～1000r/min。
将反应室温度控制在850～950℃，压力控制在100～500Torr，生长厚度为10～30nm的GaN层。生长GaN层时，生长时间为10min～20min，V/III比为500～10000，生长转速为800～1000r/min。
步骤107、在浅阱层上生长多量子阱层。
在本实施例中，多量子阱层为m个周期的超晶格结构，6≤n≤15。每个超晶格结构均包括InGaN量子阱层和生长在InGaN量子阱层上的GaN量子垒层。
具体地，步骤107可以包括：
将反应室温度控制在700-850℃，压力控制在100～500Torr，生长厚度为2～5nm的InGaN量子阱层。生长InGaN量子阱层时，V/III比为2000～20000。
将反应室温度控制在850～950℃，压力控制在100～500Torr，生长厚度为5～15nm的GaN量子垒层。生长GaN量子垒层时，V/III比为2000～20000。
在本实施例中，P型层可以包括低温P型层、电子阻挡层、高温P型层和P型接触层，因此，该制造方法还包括：
步骤108、在多量子阱层上生长低温P型层。
在本实施例中，低温P型层为掺Mg的GaN层。
具体地，将反应室温度控制在700℃～800℃，压力控制在100～600torr，生长厚度为30nm～120nm的低温P型层。生长低温P型层时，生长时间为3～15min，V/III比为1000～4000。
步骤109、在低温P型层上生长电子阻挡层。
在本实施例中，电子阻挡层为掺Mg的AlGaN层。
具体地，将反应室温度控制在900℃～1000℃，压力控制在50～300torr，生长厚度为50nm～150nm的电子阻挡层。生长电子阻挡层时，生长时间为4～15min，V/III比为1000～10000。
步骤110、在电子阻挡层上生长高温P型层。
在本实施例中，高温P型层为掺Mg的GaN层。
具体地，将反应室温度控制在900℃～1050℃，压力控制在100～500torr，生长厚度为50nm～150nm的高温P型层。生长高温P型层时，生长时间为10～20min，V/III比为500～4000。
步骤111、在高温P型层上生长P型接触层。
在本实施例中，P型接触层为重掺Mg的GaN层。
具体地，将反应室温度控制在700℃～850℃，压力控制在100～500torr，生长厚度为3nm～10nm的P型接触层。生长P型接触层时，生长时间为0.5～5min，V/III比为10000～20000。
在上述步骤完成之后，将反应室的温度降至600～900℃，在氮气气氛进行退火处理10min，而后逐渐降至室温，结束发光二极管的外延生长。
在结束外延片的生长之后，对外延片进行清洗、沉积、光刻和刻蚀等半导体工艺制作成单颗尺寸大小为10*34mil的LED芯片。经过XRD测试后发现，采用本实施例提供的制造方法制造出的第一LED芯片与采用现有的制造方法制造出的第二LED芯片相比，第一LED芯片的XRD-002面半宽降低17，102面半宽降低13。经LED芯片测试后发现，第一LED芯片与第二LED芯片相比，抗静电能力提升了2％～5％。
在生长3D成核层时，向反应室内持续通入氨气，每间隔一段时间通入一次三甲基镓。相当于将3D成核层分段生长，每生长一段时间的3D成核层后，即由氨气对生长出的3D成核层的表面进行处理，可以减少3D成核层表面Ga源的残留，从而提高3D成核层的晶体质量，提高LED在大电流密度下的抗静电能力，最终提高LED的发光效率。
本发明实施例提供了另一种发光二极管外延片的制造方法，该制造方法与上述实施例中的制造方法基本相同，不同之处仅在于：
在本实施例中，将反应室温度控制在1000～1200℃，压力控制在100～500torr，向反应室中持续通入氨气，每间隔8～15s通入一次三甲基镓，每次通入三甲基镓的时间为6～14s，通入三甲基镓的次数为30～90次，生长厚度为300～500nm的3D成核层。生长3D成核层时，生长转速为800～1200r/min，V/III比为200～3000。
在结束外延片的生长之后，对外延片进行清洗、沉积、光刻和刻蚀等半导体工艺制作成单颗尺寸大小为10*34mil的LED芯片。经过XRD测试后发现，采用本实施例提供的制造方法制造出的第三LED芯片与采用现有的制造方法制造出的第二LED芯片相比，第三LED芯片的XRD-002面半宽降低12，102面半宽降低11。经LED芯片测试后发现，第三LED芯片与第二LED芯片相比，抗静电能力提升2％～4％。
在生长3D成核层时，向反应室内持续通入氨气，每间隔一段时间通入一次三甲基镓。相当于将3D成核层分段生长，每生长一段时间的3D成核层后，即由氨气对生长出的3D成核层的表面进行处理，可以减少3D成核层表面Ga源的残留，从而提高3D成核层的晶体质量，提高LED在大电流密度下的抗静电能力，最终提高LED的发光效率。
以上仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长缓冲层；
在所述缓冲层上生长3D成核层，生长所述3D成核层时，向反应室内持续通入氨气，间断性地通入三甲基镓；
在所述3D成核层上依次生长未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述间断性地通入三甲基镓，包括：
每间隔8～15s通入一次三甲基镓。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，每次通入所述三甲基镓的时间为4～14s。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，通入所述三甲基镓的次数为30～90次。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述3D成核层的厚度为300～500nm。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述3D成核层的生长温度为1000～1200℃。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述3D成核层的生长压力为100～500torr。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述3D成核层的生长转速为800～1200r/min。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，生长所述3D成核层时，五族元素与三族元素的摩尔流量比为200～3000。
10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述缓冲层上生长3D成核层之前，所述制造方法还包括：
将所述反应室温度升高至900～1100℃，将所述反应室压力控制在50～200torr，对所述缓冲层进行退火处理3～10min；
向所述反应室中通入氨气2s～30s。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110148652A (zh) * 2019-03-26 2019-08-20 华灿光电股份有限公司 发光二极管的外延片的制备方法及外延片
CN111933762A (zh) * 2020-07-23 2020-11-13 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 外延结构及其制造方法
CN112466999A (zh) * 2020-10-29 2021-03-09 华灿光电（浙江）有限公司 发光二极管的外延片及其制造方法
CN113193087A (zh) * 2021-03-09 2021-07-30 华灿光电(苏州）有限公司 发光二极管外延片制备方法
WO2021253234A1 (zh) * 2020-06-16 2021-12-23 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种去除金属镓的装置、方法及激光剥离系统

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1500919A (zh) * 2002-11-13 2004-06-02 中国科学院物理研究所 制备氮化镓单晶薄膜的方法
CN101445956A (zh) * 2007-11-28 2009-06-03 中国科学院半导体研究所 一种氮化物薄膜外延生长的方法
CN103378237A (zh) * 2012-04-25 2013-10-30 清华大学 外延结构
CN103579425A (zh) * 2013-11-14 2014-02-12 中国科学院半导体研究所 氮化镓系发光二极管及制备方法
CN104241463A (zh) * 2014-08-28 2014-12-24 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管外延片生长方法
CN104952990A (zh) * 2015-04-29 2015-09-30 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管外延片及其制作方法
CN105220131A (zh) * 2015-10-10 2016-01-06 无锡盈芯半导体科技有限公司 脉冲气流法制备薄膜晶体管igzo半导体薄膜层的方法
CN106252211A (zh) * 2016-09-21 2016-12-21 中山大学 一种AlN外延层的制备方法
CN107808912A (zh) * 2017-10-27 2018-03-16 安徽三安光电有限公司 一种氮化物发光二极管及其制备方法
CN107833945A (zh) * 2017-11-24 2018-03-23 中国科学院半导体研究所 GaN基垂直LED结构及其制备方法
CN108493310A (zh) * 2018-05-29 2018-09-04 华灿光电（浙江）有限公司 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1500919A (zh) * 2002-11-13 2004-06-02 中国科学院物理研究所 制备氮化镓单晶薄膜的方法
CN101445956A (zh) * 2007-11-28 2009-06-03 中国科学院半导体研究所 一种氮化物薄膜外延生长的方法
CN103378237A (zh) * 2012-04-25 2013-10-30 清华大学 外延结构
CN103579425A (zh) * 2013-11-14 2014-02-12 中国科学院半导体研究所 氮化镓系发光二极管及制备方法
CN104241463A (zh) * 2014-08-28 2014-12-24 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管外延片生长方法
CN104952990A (zh) * 2015-04-29 2015-09-30 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管外延片及其制作方法
CN105220131A (zh) * 2015-10-10 2016-01-06 无锡盈芯半导体科技有限公司 脉冲气流法制备薄膜晶体管igzo半导体薄膜层的方法
CN106252211A (zh) * 2016-09-21 2016-12-21 中山大学 一种AlN外延层的制备方法
CN107808912A (zh) * 2017-10-27 2018-03-16 安徽三安光电有限公司 一种氮化物发光二极管及其制备方法
CN107833945A (zh) * 2017-11-24 2018-03-23 中国科学院半导体研究所 GaN基垂直LED结构及其制备方法
CN108493310A (zh) * 2018-05-29 2018-09-04 华灿光电（浙江）有限公司 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHEN ZHEN等: "" Effect of TMGa Molar Flow Rate of GaN Buffer on Subsequent GaN Epilayers and the Buffer Growth Model"", 《发光学报》 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110148652A (zh) * 2019-03-26 2019-08-20 华灿光电股份有限公司 发光二极管的外延片的制备方法及外延片
WO2021253234A1 (zh) * 2020-06-16 2021-12-23 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种去除金属镓的装置、方法及激光剥离系统
US12183846B2 (en) 2020-06-16 2024-12-31 Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co., Ltd. Device and method for removing metal gallium, and laser lift-off system
CN111933762A (zh) * 2020-07-23 2020-11-13 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 外延结构及其制造方法
CN112466999A (zh) * 2020-10-29 2021-03-09 华灿光电（浙江）有限公司 发光二极管的外延片及其制造方法
CN112466999B (zh) * 2020-10-29 2022-04-15 华灿光电（浙江）有限公司 发光二极管的外延片及其制造方法
CN113193087A (zh) * 2021-03-09 2021-07-30 华灿光电(苏州）有限公司 发光二极管外延片制备方法
CN113193087B (zh) * 2021-03-09 2022-05-13 华灿光电(苏州）有限公司 发光二极管外延片制备方法

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