CN109326505B - 一种提高硅片最终清洗金属程度的方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种提高硅片最终清洗金属程度的方法，包括：步骤一，在氢氟酸药液槽加入纯水进行充分的循环20分钟；步骤二，将颗粒过滤器的颗粒过滤芯和金属过滤器的金属过滤芯都充分浸润在异丙醇中；步骤三，先安装颗粒过滤芯，然后在氢氟酸药液槽加满纯水，循环至少三次，每次循环20分钟；步骤四，再安装金属过滤芯，然后在氢氟酸药液槽加满纯水，循环至少三次，每次循环20分钟；步骤五，洗净机正常添加药液后，清洗模拟片3小时后重新更换药液，再清洗模拟片，使用电感耦合等离子质谱仪测试模拟片的金属污染情况。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域，具体涉及一种提高硅片最终清洗金属程度的方法及装置。
背景技术
最终出货硅片的MCL(金属污染水平)通过最终洗净的氢氟酸药液槽来控制；
氢氟酸去除金属的基本原理:用氢氟酸清洗去除表面的自然氧化膜，因此附着在自然氧化膜上的金属再次溶解到清洗液中，同时氢氟酸清洗可抑制自然氧化膜的形成，故可容易去除表面的金属。
氢氟酸药液槽原有技术是将药液槽内的液体通过循环泵进入颗粒过滤器去除液体中的颗粒后再次进入药液槽内使用，其中安装的颗粒过滤芯仅对颗粒有拦截效果，对于金属并没有过滤效果，尤其是现在的硅片表面上金属铝的含量是重点监控对象。
目前氢氟酸药液槽仅安装有专门针对去除颗粒的过滤器，并没有专门针对清洗液中去除金属的过滤器，所以一部分金属会附着在硅片表面，使得清洗过的硅片重新被污染。
发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明提供一种提高硅片最终清洗金属程度的装置，以解决现有氢氟酸药液槽不能去除金属的问题。
针对现有技术存在的问题，本发明提供一种提高硅片最终清洗金属程度的方法，以解决现有氢氟酸药液槽不能去除金属的问题。
本发明的技术方案是：一种提高硅片最终清洗金属程度的方法，包括：
步骤一，在氢氟酸药液槽加入纯水进行充分的循环20分钟；
步骤二，将颗粒过滤器的颗粒过滤芯和金属过滤器的金属过滤芯都充分浸润在异丙醇中；
步骤三，先安装颗粒过滤芯，然后在氢氟酸药液槽加满纯水，循环至少三次，每次循环20分钟；
步骤四，再安装金属过滤芯，然后在氢氟酸药液槽加满纯水，循环至少三次，每次循环20分钟；
步骤五，洗净机正常添加药液后，清洗模拟片3小时后重新更换药液，再清洗模拟片，使用电感耦合等离子质谱仪测试模拟片的金属污染情况。
本发明通过步骤二使氢氟酸药液槽相关系统内的颗粒被颗粒过滤器拦截，步骤三使氢氟酸药液槽相关系统内的金属被金属过滤器拦截。
所述金属过滤器的材质是高密度的聚乙烯纤维。不同于普通的球状树脂材料，有效增大了比表面积且适用于氢氟酸溶液。
所述金属过滤芯采用阴离子交换型过滤芯。阴离子交换型过滤芯对金属铝的去除效果好。
所述步骤五中药液的流动顺序依次为循环泵、金属过滤器、颗粒过滤器、药液槽。
一种提高硅片最终清洗金属程度的装置，其特征在于，包括放置有药液的氢氟酸药液槽，所述氢氟酸药液槽连接一循环泵，所述循环泵连接金属过滤器，所述金属过滤器连接颗粒过滤器，所述颗粒过滤器连接所述氢氟酸药液槽，所述金属过滤器的外壳是由聚乙烯纤维制成，所述金属过滤器的滤芯是阴离子交换型过滤芯。
附图说明
图1为本发明的安装完金属过滤器后收集安装前后的金属铝数据；
图2为本发明I-MR分析金属铝控制图；
图3为本发明装置的结构示意图。
图中：1.氢氟酸药液槽，2.循环泵，3.金属过滤器，4.颗粒过滤器。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的说明。
一种提高硅片最终清洗金属程度的方法，包括：
步骤一，在氢氟酸药液槽加入纯水进行充分的循环20分钟；步骤二，将颗粒过滤器的颗粒过滤芯和金属过滤器的金属过滤芯都充分浸润在异丙醇中；步骤三，先安装颗粒过滤芯，然后在氢氟酸药液槽加满纯水，循环至少三次，每次循环20分钟；步骤四，再安装金属过滤芯，然后在氢氟酸药液槽加满纯水，循环至少三次，每次循环20分钟；步骤五，洗净机正常添加药液后，清洗模拟片3小时后重新更换药液，再清洗模拟片，使用电感耦合等离子质谱仪测试模拟片的金属污染情况。本发明通过步骤二使氢氟酸药液槽相关系统内的颗粒被颗粒过滤器拦截，步骤三使氢氟酸药液槽相关系统内的金属被金属过滤器拦截。步骤五中药液的流动顺序依次为循环泵、金属过滤器、颗粒过滤器、药液槽。
金属过滤器的材质是高密度的聚乙烯纤维。不同于普通的球状树脂材料，有效增大了比表面积且适用于氢氟酸溶液。金属过滤芯采用阴离子交换型过滤芯。阴离子交换型过滤芯对金属铝的去除效果好。
选用的阴离子交换型过滤芯，能够有效去除金属铝，室温下，当把5wt％浓度的氢氟酸中浸泡去金属过滤芯24小时后，氢氟酸溶液中的金属含量如下表：
可以看出金属铝的去除效果非常好，检出值是零；
参照图1，得到结论：
1、安装后的平均值0.66E10atom/cm2＜安装前的0.94E10atom/cm2；
2、安装后的异常偏高值数量明显少于安装前，数据集中度变高；
参照图2，得出结论：
安装金属过滤器后，铝的控制上限值有下降趋势，且整体数据与之前相比较稳定，异常值出现的频率相对减少。
参照图3所示，一种提高硅片最终清洗金属程度的装置，包括放置有药液的氢氟酸药液槽1，氢氟酸药液槽连接一循环泵2，循环泵连接金属过滤器3，金属过滤器连接颗粒过滤器4，颗粒过滤器连接氢氟酸药液槽，金属过滤器的外壳是由聚乙烯纤维制成，金属过滤器的滤芯是阴离子交换型过滤芯。
以上仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (3)
1.一种提高硅片最终清洗金属程度的方法，其特征在于，包括：
步骤一，在氢氟酸药液槽加入纯水进行充分的循环20分钟；
步骤二，将颗粒过滤器的颗粒过滤芯和金属过滤器的金属过滤芯都充分浸润在异丙醇中；
步骤三，先安装颗粒过滤芯，然后在氢氟酸药液槽加满纯水，循环至少三次，每次循环20分钟；
步骤四，再安装金属过滤芯，然后在氢氟酸药液槽加满纯水，循环至少三次，每次循环20分钟；
步骤五，洗净机正常添加药液后，清洗模拟片3小时后重新更换药液，再清洗模拟片，使用电感耦合等离子质谱仪测试模拟片的金属污染情况；
所述金属过滤芯采用阴离子交换型过滤芯；
所述步骤五中药液的流动顺序依次为循环泵、金属过滤器、颗粒过滤器、药液槽。
2.根据权利要求1所述的一种提高硅片最终清洗金属程度的方法，其特征在于，所述金属过滤器的材质是高密度的聚乙烯纤维。
3.一种提高硅片最终清洗金属程度的装置，其特征在于，包括放置有药液的氢氟酸药液槽，所述氢氟酸药液槽连接一循环泵，所述循环泵连接金属过滤器，所述金属过滤器连接颗粒过滤器，所述颗粒过滤器连接所述氢氟酸药液槽，所述金属过滤器的外壳是由聚乙烯纤维制成，所述金属过滤器的滤芯是阴离子交换型过滤芯。
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Address after: 200444 Building 1, 181 Shanlian Road, Baoshan District, Shanghai Applicant after: Shanghai Zhongxin wafer semiconductor technology Co.,Ltd. Applicant after: Hangzhou Zhongxin wafer semiconductor Co.,Ltd. Address before: 200444 Building 1, 181 Shanlian Road, Baoshan District, Shanghai Applicant before: Shanghai Zhongxin wafer semiconductor technology Co.,Ltd. Applicant before: HANGZHOU ZHONGXIN WAFER SEMICONDUCTOR Co.,Ltd. |
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |