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CN109244107B - Oled背板及其制作方法 - Google Patents

Oled背板及其制作方法 Download PDF

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CN109244107B
CN109244107B CN201810806094.XA CN201810806094A CN109244107B CN 109244107 B CN109244107 B CN 109244107B CN 201810806094 A CN201810806094 A CN 201810806094A CN 109244107 B CN109244107 B CN 109244107B
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Abstract

本发明提供一种OLED背板及其制作方法。该OLED背板中的透明导体层与像素电极形成透明电容结构，同时OLED发光区也位于透明电容结构的上方，即本发明的OLED背板的电容区和发光区为同一区域，由于透明电容结构不会影响OLED背板的开口率，因此本发明的OLED背板的发光面积较大，增加OLED背板的开口率，可以应用于高分辨率OLED显示面板，并且钝化层作为该透明电容结构的介电层，其厚度相对于层间绝缘层的厚度更薄，使透明导体层与像素电极之间的距离更近，可以进一步增加透明电容结构的电容值，因此透明电容结构整体面积可以制作的更小，以进一步增大OLED背板的开口率。

Description

OLED背板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED背板及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED器件通常采用氧化铟锡(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
AMOLED显示装置通常包括OLED背板与设于OLED背板上的有机材料层，现有的OLED背板中的电容区由于有金属电极板的存在，所以发光区面积就会比较少，限制了高分辨率AMOLED显示装置的制作。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED背板，发光面积较大，开口率高，可以应用于高分辨率OLED显示面板。
本发明的目的还在于提供一种OLED背板的制作方法，能增加OLED背板的发光面积以及OLED背板的开口率。
为实现上述目的，本发明提供了一种OLED背板，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的缓冲层、设于所述缓冲层上并间隔设置的有源层和透明导体层、设于所述有源层上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的栅极、覆盖所述缓冲层、有源层、透明导体层及栅极的层间绝缘层、设于所述层间绝缘层上的源极和漏极、设于所述层间绝缘层、源极及漏极上的钝化层、设于所述钝化层上的平坦层、设于所述平坦层上的像素电极以及设于所述平坦层及像素电极上的像素定义层；
所述透明导体层与像素电极形成透明电容结构；所述像素定义层在该透明电容结构上方限定出OLED发光区。
所述有源层包括位于所述栅极绝缘层下方的沟道区以及位于所述沟道区两侧的源极接触区及漏极接触区；所述源极通过贯穿所述层间绝缘层的第一过孔与源极接触区接触，所述漏极通过贯穿所述层间绝缘层的第二过孔与漏极接触区接触。
所述钝化层通过贯穿所述层间绝缘层的第一开口与透明导体层接触；所述像素电极通过贯穿所述钝化层及平坦层的第三过孔与漏极接触，并通过贯穿所述平坦层的第二开口与钝化层接触。
所述钝化层作为透明电容结构的介电层。
所述像素定义层设有暴露出位于所述透明导体层上方的像素电极的第三开口，该第三开口在所述透明电容结构上方限定出OLED发光区。
所述OLED背板还包括设于所述衬底基板与缓冲层之间并位于有源层下方的遮光层。
所述遮光层的厚度为
Figure BDA0001738204040000021
所述遮光层的材料为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金。
所述缓冲层的厚度为
Figure BDA0001738204040000022
所述缓冲层为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述有源层与透明导体层的厚度均为
Figure BDA0001738204040000031
所述有源层与透明导体层的材料均为含有锡元素的氧化物半导体材料；所述栅极绝缘层的厚度为
Figure BDA0001738204040000032
所述栅极绝缘层为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述栅极的材料为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金；所述栅极的厚度为
Figure BDA0001738204040000033
所述层间绝缘层的厚度为
Figure BDA0001738204040000034
所述层间绝缘层为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述源极和漏极的材料均为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金；所述源极和漏极的厚度均为
Figure BDA0001738204040000035
所述钝化层的厚度为
Figure BDA0001738204040000036
所述钝化层为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合。
本发明还提供一种OLED背板的制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成遮光层以及覆盖所述衬底基板及遮光层的缓冲层；
步骤S2、在所述缓冲层上形成间隔设置的第一半导体层与第二半导体层；所述第一半导体层位于遮光层的上方；
步骤S3、形成覆盖所述缓冲层、第一半导体层及第二半导体层的第一绝缘层，在所述第一绝缘层上沉积一层第一金属层，对该第一金属层进行图案化处理形成位于所述第一半导体层上方的栅极；
步骤S4、以所述栅极为遮挡对第一绝缘层进行蚀刻，得到位于所述栅极下方的栅极绝缘层；
步骤S5、以所述栅极及栅极绝缘层为遮挡，对所述第一半导体层与第二半导体层进行等离子处理，得到有源层以及与所述有源层间隔设置的透明导体层；所述有源层包括位于所述栅极绝缘层下方的沟道区以及位于所述沟道区两侧的源极接触区及漏极接触区；
步骤S6、形成覆盖所述缓冲层、有源层、透明导体层及栅极的层间绝缘层，并对所述层间绝缘层进行蚀刻，形成暴露出所述源极接触区的第一过孔、暴露出所述漏极接触区的第二过孔以及暴露出所述透明导体层的第一开口，在所述层间绝缘层上沉积一层第二金属层，对该第二金属层图案化处理形成源极和漏极；所述源极通过第一过孔与源极接触区接触，所述漏极通过第二过孔与漏极接触区接触；
步骤S7、形成覆盖所述层间绝缘层、源极及漏极的钝化层，在所述钝化层上形成平坦层，对所述钝化层及平坦层进行蚀刻，形成暴露出所述漏极的第三过孔以及暴露出位于所述透明导体层上方的钝化层的第二开口；在所述平坦层上形成像素电极；所述像素电极通过第三过孔与漏极接触并通过第二开口与钝化层接触；
所述透明导体层与像素电极形成透明电容结构，所述钝化层作为该透明电容结构的介电层；
步骤S8、在所述平坦层及像素电极上形成像素定义层，并对所述像素定义层进行蚀刻，形成暴露出位于所述透明导体层上方的像素电极的第三开口，该第三开口在所述透明电容结构上方限定出OLED发光区。
所述遮光层的厚度为
Figure BDA0001738204040000041
所述遮光层的材料为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金；所述缓冲层的厚度为
Figure BDA0001738204040000042
所述缓冲层为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述有源层与透明导体层的厚度均为
Figure BDA0001738204040000043
所述有源层与透明导体层的材料均为含有锡元素的氧化物半导体材料；所述栅极绝缘层的厚度为
Figure BDA0001738204040000044
所述栅极绝缘层为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述栅极的材料为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金；所述栅极的厚度为
Figure BDA0001738204040000045
所述层间绝缘层的厚度为
Figure BDA0001738204040000046
所述层间绝缘层为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述源极和漏极的材料均为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金；所述源极和漏极的厚度均为
Figure BDA0001738204040000047
所述钝化层的厚度为
Figure BDA0001738204040000048
所述钝化层为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合。
本发明的有益效果：本发明的OLED背板中的透明导体层与像素电极形成透明电容结构，同时OLED发光区也位于透明电容结构的上方，即本发明的OLED背板的电容区和发光区为同一区域，由于透明电容结构不会影响OLED背板的开口率，因此本发明的OLED背板的发光面积较大，增加OLED背板的开口率，可以应用于高分辨率OLED显示面板，并且钝化层作为该透明电容结构的介电层，其厚度相对于层间绝缘层的厚度更薄，使透明导体层与像素电极之间的距离更近，可以进一步增加透明电容结构的电容值，因此透明电容结构整体面积可以制作的更小，以进一步增大OLED背板的开口率。本发明的OLED背板的制作方法，通过将透明导体层与像素电极形成透明电容结构，同时OLED发光区也位于透明电容结构的上方，增加OLED背板的发光面积以及OLED背板的开口率。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为本发明的OELD背板的结构示意图；
图2为本发明的OELD背板的制作方法的流程图；
图3为本发明的OELD背板的制作方法步骤S1的示意图；
图4为本发明的OELD背板的制作方法步骤S2的示意图；
图5为本发明的OELD背板的制作方法步骤S3的示意图；
图6为本发明的OELD背板的制作方法步骤S4的示意图；
图7为本发明的OELD背板的制作方法步骤S5的示意图；
图8为本发明的OELD背板的制作方法步骤S6的示意图；
图9为本发明的OELD背板的制作方法步骤S7的示意图；
图10为本发明的OELD背板的制作方法步骤S8的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，本发明提供一种OLED背板，包括：衬底基板10、设于所述衬底基板10上的缓冲层30、设于所述缓冲层30上并间隔设置的有源层43和透明导体层44、设于所述有源层43上的栅极绝缘层52、设于所述栅极绝缘层52上的栅极60、覆盖所述缓冲层30、有源层43、透明导体层44及栅极60的层间绝缘层70、设于所述层间绝缘层70上的源极81和漏极82、设于所述层间绝缘层70、源极81及漏极82上的钝化层90、设于所述钝化层90上的平坦层100、设于所述平坦层100上的像素电极110以及设于所述平坦层100及像素电极110上的像素定义层120；
所述透明导体层44与像素电极110形成透明电容结构；所述像素定义层120在该透明电容结构上方限定出OLED发光区。
需要说明的是，本发明的透明导体层44与像素电极110形成透明电容结构，同时OLED发光区也位于透明电容结构的上方，即本发明的OLED背板的电容区和发光区为同一区域，由于透明电容结构不会影响OLED背板的开口率，因此本发明的OLED背板的发光面积较大，增加OLED背板的开口率，可以应用于高分辨率OLED显示面板。
具体的，所述有源层43包括位于所述栅极绝缘层52下方的沟道区431以及位于所述沟道区431两侧的源极接触区432及漏极接触区433；所述源极81通过贯穿所述层间绝缘层70的第一过孔71与源极接触区432接触，所述漏极82通过贯穿所述层间绝缘层70的第二过孔72与漏极接触区433接触。
具体的，所述钝化层90通过贯穿所述层间绝缘层70的第一开口73与透明导体层44接触。
具体的，所述像素电极110通过贯穿所述钝化层90及平坦层100的第三过孔101与漏极82接触，并通过贯穿所述平坦层100的第二开口102与钝化层90接触。
具体的，所述钝化层90作为透明电容结构的介电层，即本发明将层间绝缘层70和平坦层100进行蚀刻后，仅有钝化层90一层膜层结构作为透明电容结构的介电层，以增加透明电容结构的储电能力，并且钝化层90的厚度相对于层间绝缘层70的厚度更薄，使透明导体层44与像素电极110之间的距离更近，可以进一步增加透明电容结构的电容值，因此透明电容结构整体面积可以制作的更小，以进一步增大OLED背板的开口率。
具体的，所述像素定义层120设有暴露出位于所述透明导体层44上方的像素电极110的第三开口121，该第三开口121在所述透明电容结构上方限定出OLED发光区。
具体的，所述有源层43、栅极绝缘层52、栅极60、层间绝缘层70、源极81、漏极82、钝化层90、平坦层100及像素电极110构成薄膜晶体管结构。同时该像素电极110可作为后续用于发光的OLED器件的阳极。
具体的，所述OLED背板还包括设于所述衬底基板10与缓冲层30之间并位于有源层43下方的遮光层20，防止有源层43受到光照使薄膜晶体管结构的阈值电压发生漂移。
具体的，所述遮光层20的厚度为
Figure BDA0001738204040000071
所述遮光层20的材料为钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)及钛(Ti)中的一种或多种组成的合金；
所述缓冲层30的厚度为
Figure BDA0001738204040000072
所述缓冲层30为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合，即缓冲层30可以为一层氧化硅层或一层氮化硅层，也可以为氧化硅层与氮化硅层层叠设置的多层结构；
所述有源层43与透明导体层44的厚度均为
Figure BDA0001738204040000073
所述有源层43与透明导体层44的材料均为含有锡(Sn)元素的氧化物半导体材料(例如铟锌锡氧化物(IZTO)及铟镓锌锡氧化物(IGZTO)等)，提高有源层43与透明导体层44的耐腐蚀性，防止形成源极81和漏极82时采用的蚀刻液损伤透明导体层44；
所述栅极绝缘层52的厚度为
Figure BDA0001738204040000074
所述栅极绝缘层52为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述栅极60的材料为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金；所述栅极60的厚度为
Figure BDA0001738204040000075
所述层间绝缘层70的厚度为
Figure BDA0001738204040000076
所述层间绝缘层70为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述源极81和漏极82的材料均为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金；所述源极81和漏极82的厚度均为
Figure BDA0001738204040000077
所述钝化层90的厚度为
Figure BDA0001738204040000078
所述钝化层90为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合。
请参阅图2，基于上述的OELD背板，本发明还提供一种OLED背板的制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、请参阅图3，提供衬底基板10，在所述衬底基板10上形成遮光层20以及覆盖所述衬底基板10及遮光层20的缓冲层30。
具体的，所述遮光层20的厚度为
Figure BDA0001738204040000079
所述遮光层20的材料为钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)及钛(Ti)中的一种或多种组成的合金。
具体的，所述缓冲层30的厚度为
Figure BDA00017382040400000710
所述缓冲层30为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合，即缓冲层30可以为一层氧化硅层或一层氮化硅层，也可以为氧化硅层与氮化硅层层叠设置的多层结构。
步骤S2、请参阅图4，在所述缓冲层30上形成间隔设置的第一半导体层41与第二半导体层42；所述第一半导体层41位于遮光层20的上方。
步骤S3、请参阅图5，形成覆盖所述缓冲层30、第一半导体层41及第二半导体层42的第一绝缘层51，在所述第一绝缘层51上沉积一层第一金属层，对该第一金属层进行图案化处理形成位于所述第一半导体层41上方的栅极60。
步骤S4、请参阅图6，以所述栅极60为遮挡对第一绝缘层51进行蚀刻，得到位于所述栅极60下方的栅极绝缘层52。
具体的，所述栅极绝缘层52的厚度为
Figure BDA0001738204040000081
所述栅极绝缘层52为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述栅极60的材料为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金；所述栅极60的厚度为
Figure BDA0001738204040000082
步骤S5、请参阅图7，以所述栅极60及栅极绝缘层52为遮挡，对所述第一半导体层41与第二半导体层42进行等离子处理，没有被栅极60及栅极绝缘层52遮挡住的部分第一半导体层41和第二半导体层42的电阻降低，从而被导体化处理，使部分第一半导体层41和第二半导体层42的性质接近导体，得到有源层43以及与所述有源层43间隔设置的透明导体层44；所述有源层43包括位于所述栅极绝缘层52下方的沟道区431以及位于所述沟道区431两侧的源极接触区432及漏极接触区433。
步骤S6、请参阅图8，形成覆盖所述缓冲层30、有源层43、透明导体层44及栅极60的层间绝缘层70，并对所述层间绝缘层70进行蚀刻，形成暴露出所述源极接触区432的第一过孔71、暴露出所述漏极接触区433的第二过孔72以及暴露出所述透明导体层44的第一开口73，在所述层间绝缘层70上沉积一层第二金属层，对该第二金属层图案化处理形成源极81和漏极82；所述源极81通过第一过孔71与源极接触区432接触，所述漏极82通过第二过孔72与漏极接触区433接触。
具体的，所述有源层43与透明导体层44的厚度均为
Figure BDA0001738204040000083
所述有源层43与透明导体层44的材料均为含有锡(Sn)元素的氧化物半导体材料(例如铟锌锡氧化物(IZTO)及铟镓锌锡氧化物(IGZTO)等)，提高有源层43与透明导体层44的耐腐蚀性，防止形成源极81和漏极82时采用的蚀刻液损伤透明导体层44。
具体的，所述层间绝缘层70的厚度为
Figure BDA0001738204040000084
所述层间绝缘层70为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述源极81和漏极82的材料均为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金；所述源极81和漏极82的厚度均为
Figure BDA0001738204040000091
步骤S7、请参阅图9，形成覆盖所述层间绝缘层70、源极81及漏极82的钝化层90，在所述钝化层90上形成平坦层100，对所述钝化层90及平坦层100进行蚀刻，形成暴露出所述漏极82的第三过孔101以及暴露出位于所述透明导体层44上方的钝化层90的第二开口102；在所述平坦层100上形成像素电极110；所述像素电极110通过第三过孔101与漏极82接触并通过第二开口102与钝化层90接触；
所述透明导体层44与像素电极110形成透明电容结构，所述钝化层90作为该透明电容结构的介电层，即本发明将层间绝缘层70和平坦层100进行蚀刻后，仅有钝化层90一层膜层结构作为透明电容结构的介电层，以增加透明电容结构的储电能力。
具体的，所述有源层43、栅极绝缘层52、栅极60、层间绝缘层70、源极81、漏极82、钝化层90、平坦层100及像素电极110构成薄膜晶体管结构。同时该像素电极110可作为后续用于发光的OLED器件的阳极。
具体的，所述钝化层90的厚度为
Figure BDA0001738204040000092
所述钝化层90为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合。
步骤S8、请参阅图10，在所述平坦层100及像素电极110上形成像素定义层120，并对所述像素定义层120进行蚀刻，形成暴露出位于所述透明导体层44上方的像素电极110的第三开口121，该第三开口121在所述透明电容结构上方限定出OLED发光区。
需要说明的是，本发明的透明导体层44与像素电极110形成透明电容结构，同时OLED发光区也位于透明电容结构的上方，即本发明的OLED背板的电容区和发光区为同一区域，由于透明电容结构不会影响OLED背板的开口率，因此本发明的OLED背板的发光面积较大，增加OLED背板的开口率，可以应用于高分辨率OLED显示面板，并且钝化层90的厚度相对于层间绝缘层70的厚度更薄，使透明导体层44与像素电极110之间的距离更近，可以进一步增加透明电容结构的电容值，因此透明电容结构整体面积可以制作的更小，以进一步增大OLED背板的开口率。
综上所述，本发明的OLED背板中的透明导体层与像素电极形成透明电容结构，同时OLED发光区也位于透明电容结构的上方，即本发明的OLED背板的电容区和发光区为同一区域，由于透明电容结构不会影响OLED背板的开口率，因此本发明的OLED背板的发光面积较大，增加OLED背板的开口率，可以应用于高分辨率OLED显示面板，并且钝化层作为该透明电容结构的介电层，其厚度相对于层间绝缘层的厚度更薄，使透明导体层与像素电极之间的距离更近，可以进一步增加透明电容结构的电容值，因此透明电容结构整体面积可以制作的更小，以进一步增大OLED背板的开口率。本发明的OLED背板的制作方法，通过将透明导体层与像素电极形成透明电容结构，同时OLED发光区也位于透明电容结构的上方，增加OLED背板的发光面积以及OLED背板的开口率。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (7)

1.一种OLED背板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的缓冲层(30)、设于所述缓冲层(30)上并间隔设置的有源层(43)和透明导体层(44)、设于所述有源层(43)上的栅极绝缘层(52)、设于所述栅极绝缘层(52)上的栅极(60)、覆盖所述缓冲层(30)、有源层(43)、透明导体层(44)及栅极(60)的层间绝缘层(70)、设于所述层间绝缘层(70)上的源极(81)和漏极(82)、设于所述层间绝缘层(70)、源极(81)及漏极(82)上的钝化层(90)、设于所述钝化层(90)上的平坦层(100)、设于所述平坦层(100)上的像素电极(110)以及设于所述平坦层(100)及像素电极(110)上的像素定义层(120)；
所述透明导体层(44)与像素电极(110)形成透明电容结构；所述像素定义层(120)在该透明电容结构上方限定出OLED发光区；
所述钝化层(90)通过贯穿所述层间绝缘层(70)的第一开口(73)与透明导体层(44)接触；所述像素电极(110)通过贯穿所述钝化层(90)及平坦层(100)的第三过孔(101)与漏极(82)接触，并通过贯穿所述平坦层(100)的第二开口(102)与钝化层(90)接触；
所述钝化层(90)作为透明电容结构的介电层；
所述像素定义层(120)设有暴露出位于所述透明导体层(44)上方的像素电极(110)的第三开口(121)，该第三开口(121)在所述透明电容结构上方限定出OLED发光区。
2.如权利要求1所述的OLED背板，其特征在于，所述有源层(43)包括位于所述栅极绝缘层(52)下方的沟道区(431)以及位于所述沟道区(431)两侧的源极接触区(432)及漏极接触区(433)；所述源极(81)通过贯穿所述层间绝缘层(70)的第一过孔(71)与源极接触区(432)接触，所述漏极(82)通过贯穿所述层间绝缘层(70)的第二过孔(72)与漏极接触区(433)接触。
3.如权利要求1所述的OLED背板，其特征在于，还包括设于所述衬底基板(10)与缓冲层(30)之间并位于有源层(43)下方的遮光层(20)。
4.如权利要求3所述的OLED背板，其特征在于，所述遮光层(20)的厚度为
Figure FDF0000010197900000021
所述遮光层(20)的材料为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金。
5.如权利要求1所述的OLED背板，其特征在于，所述缓冲层(30)的厚度为
Figure FDF0000010197900000022
所述缓冲层(30)为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述有源层(43)与透明导体层(44)的厚度均为
Figure FDF0000010197900000023
所述有源层(43)与透明导体层(44)的材料均为含有锡元素的氧化物半导体材料；所述栅极绝缘层(52)的厚度为
Figure FDF0000010197900000024
所述栅极绝缘层(52)为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述栅极(60)的材料为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金；所述栅极(60)的厚度为
Figure FDF0000010197900000025
所述层间绝缘层(70)的厚度为
Figure FDF0000010197900000026
所述层间绝缘层(70)为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述源极(81)和漏极(82)的材料均为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金；所述源极(81)和漏极(82)的厚度均为
Figure FDF0000010197900000027
所述钝化层(90)的厚度为
Figure FDF0000010197900000028
所述钝化层(90)为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合。
6.一种OLED背板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成遮光层(20)以及覆盖所述衬底基板(10)及遮光层(20)的缓冲层(30)；
步骤S2、在所述缓冲层(30)上形成间隔设置的第一半导体层(41)与第二半导体层(42)；所述第一半导体层(41)位于遮光层(20)的上方；
步骤S3、形成覆盖所述缓冲层(30)、第一半导体层(41)及第二半导体层(42)的第一绝缘层(51)，在所述第一绝缘层(51)上沉积一层第一金属层，对该第一金属层进行图案化处理形成位于所述第一半导体层(41)上方的栅极(60)；
步骤S4、以所述栅极(60)为遮挡对第一绝缘层(51)进行蚀刻，得到位于所述栅极(60)下方的栅极绝缘层(52)；
步骤S5、以所述栅极(60)及栅极绝缘层(52)为遮挡，对所述第一半导体层(41)与第二半导体层(42)进行等离子处理，得到有源层(43)以及与所述有源层(43)间隔设置的透明导体层(44)；所述有源层(43)包括位于所述栅极绝缘层(52)下方的沟道区(431)以及位于所述沟道区(431)两侧的源极接触区(432)及漏极接触区(433)；
步骤S6、形成覆盖所述缓冲层(30)、有源层(43)、透明导体层(44)及栅极(60)的层间绝缘层(70)，并对所述层间绝缘层(70)进行蚀刻，形成暴露出所述源极接触区(432)的第一过孔(71)、暴露出所述漏极接触区(433)的第二过孔(72)以及暴露出所述透明导体层(44)的第一开口(73)，在所述层间绝缘层(70)上沉积一层第二金属层，对该第二金属层图案化处理形成源极(81)和漏极(82)；所述源极(81)通过第一过孔(71)与源极接触区(432)接触，所述漏极(82)通过第二过孔(72)与漏极接触区(433)接触；
步骤S7、形成覆盖所述层间绝缘层(70)、源极(81)及漏极(82)的钝化层(90)，在所述钝化层(90)上形成平坦层(100)，对所述钝化层(90)及平坦层(100)进行蚀刻，形成暴露出所述漏极(82)的第三过孔(101)以及暴露出位于所述透明导体层(44)上方的钝化层(90)的第二开口(102)；在所述平坦层(100)上形成像素电极(110)；所述像素电极(110)通过第三过孔(101)与漏极(82)接触并通过第二开口(102)与钝化层(90)接触；
所述透明导体层(44)与像素电极(110)形成透明电容结构，所述钝化层(90)作为该透明电容结构的介电层；
步骤S8、在所述平坦层(100)及像素电极(110)上形成像素定义层(120)，并对所述像素定义层(120)进行蚀刻，形成暴露出位于所述透明导体层(44)上方的像素电极(110)的第三开口(121)，该第三开口(121)在所述透明电容结构上方限定出OLED发光区。
7.如权利要求6所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，所述遮光层(20)的厚度为
Figure FDF0000010197900000031
所述遮光层(20)的材料为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金；所述缓冲层(30)的厚度为
Figure FDF0000010197900000032
所述缓冲层(30)为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述有源层(43)与透明导体层(44)的厚度均为
Figure FDF0000010197900000033
所述有源层(43)与透明导体层(44)的材料均为含有锡元素的氧化物半导体材料；所述栅极绝缘层(52)的厚度为
Figure FDF0000010197900000034
所述栅极绝缘层(52)为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述栅极(60)的材料为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金；所述栅极(60)的厚度为
Figure FDF0000010197900000035
所述层间绝缘层(70)的厚度为
Figure FDF0000010197900000036
所述层间绝缘层(70)为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述源极(81)和漏极(82)的材料均为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金；所述源极(81)和漏极(82)的厚度均为
Figure FDF0000010197900000041
所述钝化层(90)的厚度为
Figure FDF0000010197900000042
所述钝化层(90)为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合。
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