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CN109195342A - 一种防膜碎产生及提高效率的方法 - Google Patents

一种防膜碎产生及提高效率的方法 Download PDF

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CN109195342A
CN109195342A CN201811076461.1A CN201811076461A CN109195342A CN 109195342 A CN109195342 A CN 109195342A CN 201811076461 A CN201811076461 A CN 201811076461A CN 109195342 A CN109195342 A CN 109195342A
Authority
CN
China
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film
generating
improving efficiency
ring
broken
Prior art date
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Pending
Application number
CN201811076461.1A
Other languages
English (en)
Inventor
张先鹏
贺波
蒋善刚
文国堂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Aoshikang Precision Circuit Huizhou Co Ltd
Original Assignee
Aoshikang Precision Circuit Huizhou Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Aoshikang Precision Circuit Huizhou Co Ltd filed Critical Aoshikang Precision Circuit Huizhou Co Ltd
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Publication of CN109195342A publication Critical patent/CN109195342A/zh
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)

Abstract

一种防膜碎产生及提高效率的方法,包括以下步骤:S1、对外层菲林靶标进行优化设计;S2、在显影槽上增加过滤棉,显影过程中,控制干膜输送速度、碳酸钠PH值、显影槽温度和显影压力,以此控制显影范围,降低换槽频率;S3、显影过程完成后再将板面进行水洗;在步骤S1中,所述外层菲林靶标设计为GTL面中心是一个外径2.2mm,内径1.6mm,环宽0.3mm的环,环中间设计为开口,成十字架形状,环开口处宽度为0.3mm;GBL面中心是一个1.0mm直径的圆。本发明的有益效果在于:通过对外层菲林靶标进行优化设计,在显影槽上增加过滤棉,同时,对显影参数进行控制,避免了靶标孔产生膜碎,减少报废,提高了生产效率。

Description

一种防膜碎产生及提高效率的方法
技术领域
本发明涉及PCB生产领域,特别涉及一种防膜碎产生及提高效率的方法。
背景技术
随着电子产品的多功能性发展,PCB的应用越来越广泛,印刷电路板趋向于体积小,薄型化,高精密。
当前PCB外层干膜生产过程中容易产生膜碎,膜碎返沾板面造成正片流程膜碎开路、负片流程残铜短路的现象。正片流程干膜造成的线路开路有时会残留很薄的一层底铜并导通,ET测试无法筛选出不良;负片流程膜碎返沾造成的残铜短路也影响了产品的良率。不仅如此,当前的生产效率比较低,膜碎造成的报废率更加使得生产产量达不到较高的水平。
发明内容
本发明旨在克服膜碎产生且生产效率不高的不足,提供一种防膜碎产生及提高效率的方法。
为克服上述问题,本发明采取的技术如下:
一种防膜碎产生及提高效率的方法,包括以下步骤:
S1、对外层菲林靶标进行优化设计;
S2、在显影槽上增加滤棉,显影过程中,控制干膜输送速度、碳酸钠PH值、显影槽温度和显影压力,以此控制显影范围,降低换槽频率;
S3、显影过程完成后再将板面进行水洗。
进一步的,在所述步骤S1中,所述外层菲林靶标设计为一个GTL面中心是一个外径2.2mm,内径1.6mm,环宽0.3mm的环,环中间设计为开口,成十字架形状,环开口处宽度为0.3mm;GBL面中心是一个1.0mm直径的圆。
具体的,GTL面环中间设计开口,成十字架形状,干膜曝光后,环开口处与中间1.6mm圆处的干膜发生交联聚合反应,显影后膜碎不被喷淋脱落,向十字架方向产生拉力,将中间圆膜碎拉扯住。同时,在显影槽上增加过滤棉,减少膜碎返沾板面。
进一步的,所述干膜输送速度设置为4.8 -5.2m/min。
进一步的,所述碳酸钠的PH值控制在10.5-11.5mol/l。
进一步的,所述显影压力包括上显影压力和下显影压力;所述上显影压力控制在0.8-1.5kg/cm;所述下显影压力控制在0.7-1.4kg/cm。
进一步的,所述显影范围为50-60%。
进一步的,所述换槽频率包括正片流程和负片流程;在所述正片流程中,每生产600-800㎡换一次显影槽,在负片流程中,每生产800-1000㎡换一次显影槽。
进一步的,在步骤S3中,所述水洗压力控制在0.6-1.6kg/cm。
本发明的有益效果在于:通过对外层菲林靶标进行优化设计,在显影槽上增加过滤棉,同时,对显影参数进行控制,避免了靶标孔产生膜碎,减少报废,提高了生产效率。
附图说明
图1为本发明中外层菲林靶标的GTL面设计图。
附图仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制;为了更好说明本实施例,附图某些部件会有省略、放大或缩小,并不代表实际产品的尺寸;对于本领域技术人员来说,附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的;相同或相似的标号对应相同或相似的部件;附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对发明的技术方案做进一步的说明。
实施例1
一种防膜碎产生及提高效率的方法,其中,对外层菲林靶标进行优化设计,在GTL面中心的环中间设计成一个十字架形状的开口,GTL面中心的环的外径为2.2mm,内径1.6mm,环宽0.3mm。而GBL面中心是一个直径为1.0mm的圆。
本实施例通过将GTL面环中间设计成十字架形状的开口,使得干膜曝光后,环开口处与中间1.6mm圆处的干膜发生交联聚合反应,显影后膜碎不被喷淋脱落,且产生能将中间圆膜碎拉扯住的拉力,拉力的方向为往十字架方向。在显影槽里面增加过滤棉,也避免了一些膜碎掉入显影槽内。
实施例2
一种防膜碎产生及提高效率的方法,显影过程中,对一些参数进行控制,以此保证干膜在显影段长度为50-60%的区域内反应完全,减少换槽的频率。其中,干膜输送速度设置为4.8 -5.2m/min,碳酸钠PH值控制在10.5-11.5mol/l,显影槽温度控制在28-32℃,上显影压力控制在0.6-1.6kg/cm,下显影压力控制在0.5-1.5kg/cm。显影完成后,对板面进行水洗。
本实施例中,干膜输送速度优选为5.0m/min,碳酸钠的PH值优选为11 mol/l,显影槽温度优选为30℃,上显影压力优选为1.1kg/cm,下显影压力优选为1.0kg/cm。
实施例3
结合实施例1和实施例2的一种防膜碎产生及提高效率的方法,半测膜碎开路、残铜短路扫描不良率 ,从1.9%下降至目前0.8%,大幅度提高检修效率,降低半测修补人员的工作量,半测每天产量提高3%,每月提高产量2600㎡,每年提高利润约为187万元。
膜碎开路报废率,从0.23%下降至0.08%,每月产出105000㎡,每月减少报废157.5㎡ ,一年约节省94.5万元。
显然,本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种防膜碎产生及提高效率的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、对外层菲林靶标进行优化设计;
S2、在显影槽上增加过滤棉,显影过程中,控制干膜输送速度、碳酸钠PH值、显影槽温度和显影压力,以此控制显影范围,降低换槽频率;
S3、显影过程完成后再将板面进行水洗。
2.根据权利要求1所述的一种防膜碎产生及提高效率的方法,其特征在于,在所述步骤S1中,所述外层菲林靶标设计为一个GTL面中心是一个外径2.2mm,内径1.6mm,环宽0.3mm的环,环中间设计为开口,成十字架形状,环开口处宽度为0.3mm;GBL面中心是一个1.0mm直径的圆。
3.根据权利要求1所述的一种防膜碎产生及提高效率的方法,其特征在于,所述干膜输送速度设置为4.8 -5.2m/min。
4.根据权利要求1所述的一种防膜碎产生及提高效率的方法,其特征在于,所述碳酸钠的PH值控制在10.5-11.5mol/l。
5.根据权利要求1所述的一种防膜碎产生及提高效率的方法,其特征在于,所述显影压力包括上显影压力和下显影压力;所述上显影压力控制在0.8-1.5kg/cm;所述下显影压力控制在0.7-1.4kg/cm。
6.根据权利要求1所述的一种防膜碎产生及提高效率的方法,其特征在于,所述显影范围为50-60%。
7.根据权利要求1所述的一种防膜碎产生及提高效率的方法,其特征在于,所述换槽频率包括正片流程和负片流程;在所述正片流程中,每生产600-800㎡换一次显影槽,在负片流程中,每生产800-1000㎡换一次显影槽。
8.根据权利要求1所述的一种防膜碎产生及提高效率的方法,其特征在于,在步骤S3中,所述水洗压力控制在0.6-1.6kg/cm。
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