CN109148293B - 横向rc-igbt器件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种横向RC‑IGBT器件及其制造方法，其集电极结构包括第二导电类型集电极短路区、第二导电类型电场阻止层以及第一导电类型集电区；连接金属与第二导电类型集电极短路区欧姆接触；所述集电极金属与第一导电类型集电区欧姆接触，多晶电阻区通过电阻区氧化层与第二导电类型集电极短路区、第一导电类型集电区间隔，电阻区氧化层支撑在第二导电类型集电极短路区、第一导电类型集电区上；多晶电阻区位于连接金属与集电极金属之间，且多晶电阻与连接金属、集电极金属接触，连接金属通过绝缘介质层与发射极结构、栅极结构绝缘隔离。本发明与现有工艺兼容，能有效抑制横向RC‑IGBT器件的负阻现象，提高IGBT器件的可靠性。

Description

横向RC-IGBT器件及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种IGBT器件及其制造方法，尤其是一种横向RC-IGBT器件及其制造方法，属于IGBT器件的技术领域。

背景技术

IGBT是功率半导体器件中具有代表性的一类器件，因其同时具有高耐压、低导通压降、易驱动、开关速度快等优点，在开关电源、变频调速、逆变器等许多功率领域有重要的应用。IGBT产品是电力电子领域非常理的开关器件，它集合了高频、高压、大电流三大技术优势，同时又能够实现节能减排，具有很好的环境保护效益。

但是IGBT只是一个单向导通器件，在应用的时候需要一个反并联的二极管来承受反向电压，这就增加了IGBT的制造成本，以及带来封装、焊接等难题。2002年E.Napoli等人提出了一种能够反向导通的IGBT称为RC-IGBT，相比于传统无续流能力的IGBT，以N型IGBT器件为例，其特性在于其背部制作了与集电极连接的N+集电极短路区，该区域同器件中P型基区和N-漂移区形成了寄生二极管结构，在续流模式下该寄生二极管导通电流，但是这种传统RC-IGBT在正向导通的时候会出现一个负阻(snapback)效应。器件结构中N+源区、P型基区、漂移区、N型场截止层及N+区形成了寄生VDMOS结构。当器件正向导通时，在小电流条件下，背部P型集电区与N型电场阻止层形成的PN结由于压降不足无法开启，此时器件呈现出VDMOS特性。只有当电流增大到一定程度，使得集电极PN结由于压降高于该PN结开启电压后，P+型集电区才会向N-漂移区中注入空穴，进入IGBT模式形成电导调制效应，器件的正向压降会迅速下降，使得器件电流-电压曲线呈现出折回(Snapback)现象。在低温条件下Snapback现象更加明显，这会导致器件无法正常开启，严重影响电力电子系统的稳定性。

横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)是功率集成电路中的新型部件，它既有传统横向易于集成、驱动简单，易于控制的优点，又有功率晶体管导通压降低，通态电流大，损耗小的优点，已成为现代功率半导体集成电路的核心部件之一。由于横向RC-IGBT更有利于集成化的应用，进而可以实现功率集成电路与智能功率芯片。对于横向RC-IGBT器件，由表面N-漂移区承受阻断电压，集电极与N+短路区和P+集电区相接，其工作原理与纵向RC-IGBT类似。

综上，现有RC-IGBT具有snapback现象，不利于维持IGBT工作的稳定性，进而电力电子系统的稳定性。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种横向RC-IGBT器件及其制造方法，其结构紧凑，与现有工艺兼容，能有效抑制横向RC-IGBT器件的负阻现象，提高IGBT器件的可靠性。

按照本发明提供的技术方案，所述横向RC-IGBT器件，包括第一导电类型衬底以及设置于所述第一导电类型衬底上部内的第二导电类型阱区；在所述第二导电类型阱区的一侧设置发射极结构以及栅极结构，在第二导电类型阱区的另一侧设置集电极结构；

所述集电极结构包括设置于第二导电类型阱区内的第二导电类型集电极短路区、第二导电类型电场阻止层以及位于所述第二导电类型电场阻止层内的第一导电类型集电区；所述第二导电类型集电极短路区位于栅极结构与第二导电类型电场阻止层之间，第一导电类型集电区、第二导电类型电场阻止层与第二导电类型集电极短路区接触；

在所述第二导电类型集电极短路区的正上方设置连接金属，所述连接金属与第二导电类型集电极短路区欧姆接触；在所述第一导电类型集电区的上方设置多晶电阻区以及集电极金属，所述集电极金属与第一导电类型集电区欧姆接触，多晶电阻区通过电阻区氧化层与第二导电类型集电极短路区、第一导电类型集电区间隔，电阻区氧化层支撑在第二导电类型集电极短路区、第一导电类型集电区上；

多晶电阻区位于连接金属与集电极金属之间，且多晶电阻与连接金属、集电极金属接触，连接金属通过绝缘介质层与发射极结构、栅极结构绝缘隔离。

所述发射极结构包括设置于第二导电类型阱区内的第一导电类型基区以及设置于所述第一导电类型基区内的第二导电类型发射区，所述第一导电类型基区、第二导电类型发射区均与第一导电类型基区上方的发射极金属欧姆接触。

所述第一导电类型基区包括第一导电类型第一基区以及第一导电类型第二基区，第一导电类型第一基区的掺杂浓度大于第一导电类型第二基区的掺杂浓度，第一导电类型第一基区的深度大于第一导电类型第二基区的深度，第一导电类型第一基区与第一导电类型第二基区接触；第二导电类型发射区同时位于第一导电类型第一基区以及第一导电类型第二基区内。

所述栅极结构包括位于第二导电类型阱区上方的栅极多晶硅以及位于所述栅极多晶硅正下方的栅氧化层，所述栅氧化层与第二导电类型发射区、第一导电类型第二基区以及第二导电类型阱区接触；所述绝缘介质层还压盖包裹所述栅极多晶硅以及栅氧化层，栅极多晶硅通过绝缘介质层与发射极金属绝缘隔离。

一种横向RC-IGBT器件的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：

步骤1、提供第一导电类型衬底，并在所述第一导电类型衬底内的上部设置第二导电类型阱区；

步骤2、在所述第二导电类型阱区内设置所需的第一导电类型第一基区、第二导电类型集电极短路区以及第二导电类型电场阻止层，所述第二导电类型电场阻止层与第二导电类型集电极短路区接触；

步骤3、在上述第二导电类型阱区内设置第一导电类型第二基区，所述第一导电类型第二基区邻接第一导电类型第一基区，第一导电类型第二基区的掺杂浓度小于第一导电类型第一基区的掺杂浓度，第一导电类型第二基区的深度小于第一导电类型第一基区的深度；

步骤4、制备所需的第二导电类型发射区以及第一导电类型集电区，所述第二导电类型发射区位于第一导电类型第一基区以及第一导电类型第二基区内，第一导电类型集电区位于第二导电类型电场阻止层内；

步骤5、在上述第一导电类型衬底的上表面设置氧化层，并在所述氧化层上淀积多晶硅层；

步骤6、选择性地掩蔽和刻蚀所述多晶硅层，以得到栅极多晶硅、位于所述栅极多晶硅正下方的栅氧化层、多晶电阻区以及位于所述多晶电阻区正下方的电阻区氧化层，所述栅氧化层与第二导电类型发射区、第一导电类型第二基区以及第二导电类型阱区接触，电阻区氧化层与第二导电类型集电极短路区以及第一导电类型集电区接触；

步骤7、在上述第一导电类型衬底上表面的上方淀积绝缘介质层，所述绝缘介质层压盖在第一导电类型衬底、第二导电类型阱区、栅极多晶硅以及多晶电阻区上；

步骤8、对上述绝缘介质层进行刻蚀，以得到贯通绝缘介质层的接触孔，所述接触孔包括位于第一导电类型第一基区正上方的发射极接触孔、位于第二导电类型集电极短路区正上方的连接接触孔以及位于第一导电类型集电区上方的集电极接触孔；

步骤9、在上述第一导电类型衬底上方进行金属淀积，以得到填充在发射极接触孔内的发射极金属、填充在连接接触孔内的连接金属以及填充在集电极接触孔内的集电极金属，所述发射极金属与第一导电类型第一基区以及第二导电类型发射区欧姆接触，连接金属与第二导电类型集电极短路区欧姆接触，集电极金属与第一导电类型集电区欧姆接触。

所述绝缘介质层的厚度为1μm～2μm。

所述“第一导电类型”和“第二导电类型”两者中，对于N型功率IGBT器件，第一导电类型指N型，第二导电类型为P型；对于P型功率IGBT器件，第一导电类型与第二导电类型所指的类型与N型半导体器件正好相反。

本发明的优点：具体制备过程与现有工艺兼容，第二导电类型集电极短路区与连接金属欧姆接触，第一导电类型集电区与集电极金属欧姆接触，多晶电阻区位于连接金属、集电极金属之间，多晶电阻区与连接金属、集电极金属接触。在小电流的情况下，第二导电类型集电极短路区、第一导电类型集电区上的结上能形成足够电压而使IGBT器件提前进入工作模式，从而消除模式转换情况下带来的负阻现象，提高了IGBT器件的工作稳定性。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

图2～图9为本发明具体实施工艺步骤剖视图，其中

图2为本发明得到N阱后的剖视图。

图3为本发明得到P型第一基区、N+集电极短路区以及N型电场阻止层后的剖视图。

图4为本发明P型第二基区后的剖视图。

图5为本发明得到N+发射区、P+集电区后的剖视图。

图6为本发明多晶硅层后的剖视图。

图7为本发明得到栅极多晶硅以及多晶电阻区后的剖视图。

图8为本发明得到接触孔后的剖视图。

图9为本发明发射极金属、连接金属以及栅极金属后的剖视图。

附图标记说明：1-P型衬底、2-N阱区、3-P型第一基区、4-P型第二基区、5-N+发射区、6-N+集电极短路区、7-N型电场阻止层、8-P+集电区、9-栅氧化层、10-栅极多晶硅、11-多晶电阻区、12-发射极金属、13-连接金属、14-集电极金属、15-绝缘介质层、16-电阻区氧化层、17-氧化层、18-多晶硅层、19-集电极接触孔、20-连接接触孔以及21-发射极接触孔。

具体实施方式

下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。

如图1和图9所示：为了能有效抑制横向RC-IGBT器件的负阻现象，提高IGBT器件的可靠性，以N型IGBT器件为例，本发明包括P型衬底1以及设置于所述P型衬底1上部内的N阱区2；在所述N阱区2的一侧设置发射极结构以及栅极结构，在N阱区2的另一侧设置集电极结构；

所述集电极结构包括设置于N阱区2内的N+集电极短路区6、N型电场阻止层7以及位于所述N型电场阻止层7内的P+集电区8；所述N+集电极短路区6位于栅极结构与N型电场阻止层7之间，P+集电区8、N型电场阻止层7与N+集电极短路区6接触；

在所述N+集电极短路区6的正上方设置连接金属13，所述连接金属13与N+集电极短路区6欧姆接触；在所述P+集电区8的上方设置多晶电阻区11以及集电极金属14，所述集电极金属14与P+集电区8欧姆接触，多晶电阻区11通过电阻区氧化层16与第N+集电极短路区6、P+集电区8间隔，电阻区氧化层16支撑在N+集电极短路区6、P+集电区8上；

多晶电阻区11位于连接金属13与集电极金属14之间，且多晶电阻区11与连接金属13、集电极金属14接触，连接金属13通过绝缘介质层15与发射极结构、栅极结构绝缘隔离。

具体地，N阱区2位于P型衬底1内的上部，N阱区2的深度小于P型衬底1的厚度。所述发射极结构、栅极结构位于N阱区2的同一侧，集电极结构位于N阱区2的另一侧，发射极结构、栅极结构、集电极结构均形成N阱区2的上表面。

对于集电极结构，N+集电极短路区6、N型电场阻止层7以及P+集电区8均设置在N阱区2，N+集电极短路区6的深度大于N型电场阻止层7的深度，N+集电极短路区6的掺杂浓度大于N型电场阻止层7的掺杂浓度。N+集电极短路区6位于栅极结构与N型电场阻止层7之间，N型电场阻止层7、P+集电区8均与N+集电极短路区6连接。

连接金属13与N+集电极短路区6欧姆接触，集电极金属14与P+集电区8欧姆接触，多晶电阻区11位于连接金属13、集电极金属14之间，多晶电阻区11与连接金属13、集电极金属14均接触，多晶电阻区11通过电阻区氧化层16与正下方的N+集电极短路区6、P+集电区8间隔。连接金属13靠近栅极结构，连接金属13通过绝缘介质层15与发射极结构、栅极结构绝缘隔离，绝缘介质层15还覆盖在多晶电阻区11上，在集电极金属14的外侧还有绝缘介质层15，位于集电极金属14外侧的绝缘介质层15支撑在P+集电区8、N+电场阻止层7、N阱区2以及P衬底1上。

进一步地，所述发射极结构包括设置于N阱区2内的P型基区以及设置于所述P型基区内的N+发射区5，所述P型基区、N+发射区5均与P型基区上方的发射极金属12欧姆接触。

本发明实施例中，所述P型基区包括P型第一基区3以及P型第二基区4，P型第一基区3的掺杂浓度大于P型第二基区4的掺杂浓度，P型第一基区3的深度大于P型第二基区4的深度，P型第一基区3与P型第二基区4接触；N+发射区5同时位于P型第一基区3以及P型第二基区4内。通过发射极金属12与N+发射区5、P型第一基区3的欧姆接触，能形成IGBT器件的发射极。

进一步地，所述栅极结构包括位于N阱区2上方的栅极多晶硅10以及位于所述栅极多晶硅10正下方的栅氧化层9，所述栅氧化层9与N+发射区5、P型第二基区4以及N阱区2接触；所述绝缘介质层15还压盖包裹所述栅极多晶硅10以及栅氧化层9，栅极多晶硅10通过绝缘介质层15与发射极金属12绝缘隔离。

本发明实施例中，栅氧化层9与电阻区氧化层16为同一工艺步骤层，栅极导电多晶硅10与多晶电阻区11为同一工艺步骤层，栅极多晶硅10、栅氧化层9均被绝缘介质层15包裹，栅氧化层9与N+发射区5、P型第二基区4以及N阱区2接触，P型第二基区4通过N阱区2与N+集电极短路区6隔离。当然，在具体实施时，栅极多晶硅还需要与栅极金属欧姆接触，以形成IGBT器件的栅电极，具体形成栅电极的过程等均与现有方式相一致，具体为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。

如图2～图9所示，上述结构的横向RC-IGBT器件，可以通过下述的工艺步骤制备得到，具体地，所述制造方法包括如下步骤：

步骤1、提供P型衬底1，并在所述P型衬底1内的上部设置N阱区2；

如图2所示，P型衬底1可以采用现有常用的半导体材料，具体可以根据需要进行选择。通过在P型衬底1内注入N型杂质离子并推阱后形成N阱区2，具体制备得到N阱区2的过程为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。

步骤2、在所述N阱区2内设置所需的P型第一基区3、N+集电极短路区6以及N型电场阻止层7，所述N型电场阻止层7与N+集电极短路区6接触；

如图3所示，具体实施时，可以先制备得到P型第一基区3、在制备N+集电极短路区6以及N型电场阻止层7，具体制备工艺过程可以根据需要进行选择，此处不再赘述。P型第一基区3与N+集电极短路区6之间通过N阱区2间隔，N型电场阻止层7与N+集电极短路区6接触。

步骤3、在上述N阱区2内设置P型第二基区4，所述P型第二基区4邻接P型第一基区3，P型第二基区4的掺杂浓度小于P型第一基区3的掺杂浓度，P型第二基区2的深度小于P型第一基区3的深度；

如图4所示，采用本技术领域常用的技术手段制备得到P型第二基区4，P型第二基区4与P型第一基区3接触。

步骤4、制备所需的N+发射区5以及P+集电区8，所述N+发射区5位于P型第一基区3以及P型第二基区4内，P+集电区8位于N型电场阻止层7内；

如图5所示，采用本技术领域常用的技术手段制备得到N+发射区5以及P+集电区8，N+发射区5一部分位于P型第一基区3内，另一部分位于P型第二基区4内，P+集电区8位于N型电场阻止层7内，P+集电区8与N+集电极短路区6接触。

步骤5、在上述P型衬底1的上表面设置氧化层17，并在所述氧化层17上淀积多晶硅层18；

如图6所示，采用本技术领域常用的技术手段制备得到氧化层17，所述氧化层17覆盖在N阱区2以及P型衬底1上，在氧化层17上淀积得到多晶硅层18，所述多晶硅层18覆盖在氧化层17上。

步骤6、选择性地掩蔽和刻蚀所述多晶硅层18，以得到栅极多晶硅10、位于所述栅极多晶硅10正下方的栅氧化层9、多晶电阻区11以及位于所述多晶电阻区11正下方的电阻区氧化层16，所述栅氧化层9与N+发射区5、P型第二基区4以及N阱区2接触，电阻区氧化层16与N+集电极短路区6以及P+集电区8接触；

如图7所示，选择性地掩蔽和刻蚀多晶硅层18后，也能对多晶硅层18下方的氧化层17进行相应的刻蚀，即采用本技术领域常用的技术手段对多晶硅层18刻蚀后，能得到栅极多晶硅10、栅氧化层9、多晶电阻区11以及电阻区氧化层16。

步骤7、在上述P型衬底1上表面的上方淀积绝缘介质层15，所述绝缘介质层15压盖在P型衬底1、N阱区2、栅极多晶硅10以及多晶电阻区11上；

具体地，所述绝缘介质层15的厚度为1μm～2μm。采用本技术领域常用的技术手段淀积绝缘介质层15。

步骤8、对上述绝缘介质层15进行刻蚀，以得到贯通绝缘介质层15的接触孔，所述接触孔包括位于P型第一基区3正上方的发射极接触孔21、位于N+集电极短路区6正上方的连接接触孔20以及位于P+集电区8上方的集电极接触孔19；

如图8所示，采用本技术领域常用的技术手段对绝缘介质层15刻蚀，得到接触孔，接触孔贯通绝缘介质层15，利用接触孔露出下方的区域，以便于进行后续的金属填充。

步骤9、在上述P型衬底1上方进行金属淀积，以得到填充在发射极接触孔21内的发射极金属12、填充在连接接触孔20内的连接金属13以及填充在集电极接触孔19内的集电极金属14，所述发射极金属12与P型第一基区3以及N+发射区5欧姆接触，连接金属13底部与N+集电极短路区6欧姆接触，集电极金属14与P+集电区8欧姆接触。

如图9所示，采用本技术领域常用的技术手段进行金属淀积，进行金属淀积后，得到发射极金属12、连接金属13以及集电极金属14。多晶电阻区11通过连接金属13与N+集电极短路区6电连接，连接金属13不与外部的电压连接。

由上述具体制备工艺可知，本发明的具体制备过程与现有工艺兼容，N+集电极短路区6与连接金属13欧姆接触，P+集电区8与集电极金属14欧姆接触，多晶电阻区11位于连接金属13、集电极金属14之间，多晶电阻区11与连接金属13、集电极金属14接触。在小电流的情况下，N+集电极短路区6、P+集电区8上的结上能形成足够电压而使IGBT器件提前进入工作模式，从而消除模式转换情况下带来的负阻现象，提高了IGBT器件的工作稳定性。

Claims (5)

1.一种横向RC-IGBT器件，包括第一导电类型衬底以及设置于所述第一导电类型衬底上部内的第二导电类型阱区；在所述第二导电类型阱区的一侧设置发射极结构以及栅极结构，在第二导电类型阱区的另一侧设置集电极结构；其特征是：

所述集电极结构包括设置于第二导电类型阱区内的第二导电类型集电极短路区、第二导电类型电场阻止层以及位于所述第二导电类型电场阻止层内的第一导电类型集电区；所述第二导电类型集电极短路区位于栅极结构与第二导电类型电场阻止层之间，第一导电类型集电区、第二导电类型电场阻止层与第二导电类型集电极短路区接触；

在所述第二导电类型集电极短路区的正上方设置连接金属，所述连接金属与第二导电类型集电极短路区欧姆接触；在所述第一导电类型集电区的上方设置多晶电阻区以及集电极金属，所述集电极金属与第一导电类型集电区欧姆接触，多晶电阻区通过电阻区氧化层与第二导电类型集电极短路区、第一导电类型集电区间隔，电阻区氧化层支撑在第二导电类型集电极短路区、第一导电类型集电区上；

多晶电阻区位于连接金属与集电极金属之间，且多晶电阻与连接金属、集电极金属接触，连接金属通过绝缘介质层与发射极结构、栅极结构绝缘隔离；

第二导电类型集电极短路区的掺杂浓度大于第二导电类型电场阻止层的掺杂浓度；

所述发射极结构包括设置于第二导电类型阱区内的第一导电类型基区以及设置于所述第一导电类型基区内的第二导电类型发射区，所述第一导电类型基区、第二导电类型发射区均与第一导电类型基区上方的发射极金属欧姆接触。

2.根据权利要求1述的横向RC-IGBT器件，其特征是：所述第一导电类型基区包括第一导电类型第一基区以及第一导电类型第二基区，第一导电类型第一基区的掺杂浓度大于第一导电类型第二基区的掺杂浓度，第一导电类型第一基区的深度大于第一导电类型第二基区的深度，第一导电类型第一基区与第一导电类型第二基区接触；第二导电类型发射区同时位于第一导电类型第一基区以及第一导电类型第二基区内。

3.根据权利要求2述的横向RC-IGBT器件，其特征是：所述栅极结构包括位于第二导电类型阱区上方的栅极多晶硅以及位于所述栅极多晶硅正下方的栅氧化层，所述栅氧化层与第二导电类型发射区、第一导电类型第二基区以及第二导电类型阱区接触；所述绝缘介质层还压盖包裹所述栅极多晶硅以及栅氧化层，栅极多晶硅通过绝缘介质层与发射极金属绝缘隔离。

4.一种横向RC-IGBT器件的制造方法，其特征是，用于制备如 权利要求1所述 的横向RC-IGBT器件，所述制造方法包括如下步骤：

步骤1、提供第一导电类型衬底，并在所述第一导电类型衬底内的上部设置第二导电类型阱区；

步骤2、在所述第二导电类型阱区内设置所需的第一导电类型第一基区、第二导电类型集电极短路区以及第二导电类型电场阻止层，所述第二导电类型电场阻止层与第二导电类型集电极短路区接触；

步骤3、在上述第二导电类型阱区内设置第一导电类型第二基区，所述第一导电类型第二基区邻接第一导电类型第一基区，第一导电类型第二基区的掺杂浓度小于第一导电类型第一基区的掺杂浓度，第一导电类型第二基区的深度小于第一导电类型第一基区的深度；

步骤4、制备所需的第二导电类型发射区以及第一导电类型集电区，所述第二导电类型发射区位于第一导电类型第一基区以及第一导电类型第二基区内，第一导电类型集电区位于第二导电类型电场阻止层内；

步骤5、在上述第一导电类型衬底的上表面设置氧化层，并在所述氧化层上淀积多晶硅层；

步骤6、选择性地掩蔽和刻蚀所述多晶硅层，以得到栅极多晶硅、位于所述栅极多晶硅正下方的栅氧化层、多晶电阻区以及位于所述多晶电阻区正下方的电阻区氧化层，所述栅氧化层与第二导电类型发射区、第一导电类型第二基区以及第二导电类型阱区接触，电阻区氧化层与第二导电类型集电极短路区以及第一导电类型集电区接触；

步骤7、在上述第一导电类型衬底上表面的上方淀积绝缘介质层，所述绝缘介质层压盖在第一导电类型衬底、第二导电类型阱区、栅极多晶硅以及多晶电阻区上；

步骤8、对上述绝缘介质层进行刻蚀，以得到贯通绝缘介质层的接触孔，所述接触孔包括位于第一导电类型第一基区正上方的发射极接触孔、位于第二导电类型集电极短路区正上方的连接接触孔以及位于第一导电类型集电区上方的集电极接触孔；

步骤9、在上述第一导电类型衬底上方进行金属淀积，以得到填充在发射极接触孔内的发射极金属、填充在连接接触孔内的连接金属以及填充在集电极接触孔内的集电极金属，所述发射极金属与第一导电类型第一基区以及第二导电类型发射区欧姆接触，连接金属与第二导电类型集电极短路区欧姆接触，集电极金属与第一导电类型集电区欧姆接触。

5.根据权利要求4所述横向RC-IGBT器件的制造方法，其特征是，所述绝缘介质层的厚度为1μm~2μm。

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