CN109103234A - 一种显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
一种显示基板及其制作方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109103234A CN109103234A CN201811013239.7A CN201811013239A CN109103234A CN 109103234 A CN109103234 A CN 109103234A CN 201811013239 A CN201811013239 A CN 201811013239A CN 109103234 A CN109103234 A CN 109103234A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- groove
- insulating layer
- display area
- display
- filler
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 118
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 72
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 144
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 13
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 12
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 10
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 9
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 9
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 7
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 13
- 229940058401 polytetrafluoroethylene Drugs 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 6
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 2
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明实施例公开了一种显示基板及其制作方法、显示装置,其中,显示基板包括:显示区域和非显示区域,显示基板包括:衬底基板以及依次设置在衬底基板上的第一绝缘层和第二绝缘层;位于非显示区域的第一绝缘层开设有第一凹槽,第一凹槽中设置有第一填充物,位于非显示区域的第二绝缘层开设有第二凹槽。本发明实施例提供的技术方案通过在位于非显示区域的第一绝缘层开设凹槽并在其中设置填充物以及在位于非显示区域的第二绝缘层开设凹槽,能够阻挡显示基板中裂纹的扩展,不仅提高了OLED显示基板的质量和性能,还延长了OLED显示基板的使用寿命。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,具体涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)由于具有重量轻,厚度薄以及低功耗等优点,被广泛应用于电视、手机等电子产品中。
在现有的OLED显示基板制作工艺中,在对电致发光结构完成封装后,需要将OLED显示基板进行切割或搬运。经发明人研究发现,在进行切割或者搬运的过程中,OLED显示基板受到外力的作用会产生裂纹,而产生的裂纹会向OLED显示基板内部延伸扩展,不仅影响了OLED显示基板的质量和性能,还降低了OLED显示基板的使用寿命。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置,能够有效预防裂纹在OLED显示基板中的扩展,不仅提高了OLED显示基板的质量和性能,还延长了OLED显示基板的使用寿命。
第一方面,本发明实施例提供一种显示基板,包括:显示区域和非显示区域,包括:衬底基板以及依次设置在所述衬底基板上的第一绝缘层和第二绝缘层;
位于非显示区域的所述第一绝缘层开设有第一凹槽,所述第一凹槽中设置有第一填充物,位于非显示区域的所述第二绝缘层开设有第二凹槽。
可选地,所述第二凹槽中设置有第二填充物。
可选地,所述第一凹槽在衬底基板上的正投影与所述第二凹槽在衬底基板上的正投影不存在重叠区域。
可选地,第一凹槽和第二凹槽的数量为多个,多个所述第一凹槽在衬底基板上的正投影与多个所述第二凹槽在衬底基板上的正投影交错设置。
可选地,所述第一凹槽在衬底基板上的正投影与所述第二凹槽在衬底基板上的正投影重合。
可选地,所述第一凹槽为通孔,所述第二凹槽为通孔。
可选地,第一填充物和第二填充物相同。
可选地,所述第一填充物包括:聚偏氟乙烯、聚氨酯或聚四氟乙烯;
所述第二填充物包括:聚偏氟乙烯、聚氨酯或聚四氟乙烯。
可选地,所述第一绝缘层包括:阻挡层和缓冲层;
所述缓冲层设置在所述阻挡层远离所述衬底基板的一侧;
所述第二绝缘层包括:栅绝缘层和层间绝缘层;
所述层间绝缘层设置在所述栅绝缘层远离衬底基板的一侧。
第二方面,本发明实施例还提供一种显示装置,包括:上述显示基板。
第三方面,本发明实施例还提供一种显示基板的制作方法,所述显示基板包括:显示区域和非显示区域,所述方法包括:
提供一衬底基板;
在衬底基板上依次形成包括位于非显示区域的第一凹槽的第一绝缘层和包括位于非显示区域的第二凹槽的第二绝缘层;
在第一凹槽中形成第一填充物。
可选地,所述在衬底基板上依次形成包括位于非显示区域的第一凹槽的第一绝缘层和包括位于非显示区域的第二凹槽的第二绝缘层包括:
在衬底基板上形成第一绝缘层;
在位于非显示区域的第一绝缘层上形成第一凹槽;
在第一绝缘层上形成第二绝缘层;
在位于非显示区域的第二绝缘层上形成第二凹槽;
所述方法还包括:在第二凹槽中形成第二填充物。
可选地,所述在衬底基板上依次形成包括位于非显示区域的第一凹槽的第一绝缘层和包括位于非显示区域的第二凹槽的第二绝缘层包括:
在衬底基板上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层;
在位于非显示区域的第一绝缘层和第二绝缘层上同时形成第一凹槽和第二凹槽;
所述方法还包括:在第一凹槽和第二凹槽中同时形成第一填充物。
本发明实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,其中,显示基板包括:显示区域和非显示区域,显示基板包括:衬底基板以及依次设置在衬底基板上的第一绝缘层和第二绝缘层;位于非显示区域的第一绝缘层开设有第一凹槽,第一凹槽中设置有第一填充物,位于非显示区域的第二绝缘层开设有第二凹槽。本发明实施例提供的技术方案通过在位于非显示区域的第一绝缘层开设凹槽并在其中设置填充物以及在位于非显示区域的第二绝缘层开设凹槽,能够阻挡显示基板中裂纹的扩展,不仅提高了OLED显示基板的质量和性能,还延长了OLED显示基板的使用寿命。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案,并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图一;
图2为本发明实施例提供的显示基板的俯视图;
图3为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图二;
图4为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图三;
图5为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图四;
图6为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图五;
图7为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图六;
图8为本发明实施例提供的显示基板的制作方法的流程图;
图9A为本发明实施例提供的显示基板的制作方法一的示意图一;
图9B为本发明实施例提供的显示基板的制作方法一的示意图二;
图9C为本发明实施例提供的显示基板的制作方法一的示意图三;
图9D为本发明实施例提供的显示基板的制作方法一的示意图四;
图10A为本发明实施例提供的显示基板的制作方法二的示意图一;
图10B为本发明实施例提供的显示基板的制作方法二的示意图二。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且,虽然在流程图中示出了逻辑顺序,但是在某些情况下,可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
除非另外定义,本发明实施例公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述的对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
实施例一
图1为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图一,如图1所示,本发明实施例提供的显示基板,包括:显示区域AA和非显示区域AA’,本发明实施例提供的显示基板包括衬底基板10以及依次设置在衬底基板10上的第一绝缘层20和第二绝缘层30。
具体的,位于非显示区域AA’的第一绝缘层20开设有第一凹槽40,第一凹槽40中设置有第一填充物41,位于非显示区域的第二绝缘层30开设有第二凹槽50。
可选地,衬底基板10可以为玻璃基板、塑料基板等,或者还可以由聚酰亚胺制成,本发明实施例对此不作任何限定。进一步地,在形成第一绝缘层20之前,可对衬底基板进行预清洗操作。需要说明的是,显示区域AA上用于设置电致发光结构以显示图像,非显示区域AA’用于设置显示区域AA的外围电路。
可选地,第一凹槽40的数量为至少一个,第二凹槽50的数量为至少一个,第一凹槽40和第二凹槽50的数量可以相同,也可以不同,本发明实施例对此不作任何限定,相邻第一凹槽之间的间距可以相等,也可以不等,相邻第二凹槽之间的间距可以相等,也可以不等,本发明并不以此为限,具体根据实际需求确定。
可选地,第一填充物41为柔性的疏水性物质,包括:聚偏氟乙烯、聚氨酯或聚四氟乙烯,或者第一填充物还可以通过将柔性的物质进行疏水处理制成。
具体的,第一填充物41中的柔性特性可以分散裂纹尖端的横向拉应力,有效地防止裂纹的扩展,柔性的疏水性物质中的疏水特性还能够有效地阻碍水汽的渗透,防止显示基板中各器件性能的恶化。
在本发明实施例中,图2为本发明实施例提供的显示基板的俯视图,如图2所示,本发明实施例中的第一凹槽40的竖截面形状为矩形。
另外,为了避免裂纹扩散至显示区域内,如图2所示,第一凹槽40的俯视形状为“П”,也就是说,第一凹槽40并未包围整个显示区域,由于显示基板的一侧会设置有一些电路,为了不影响显示基板的性能,设置有电路的一侧并未被第一凹槽包围。同样的,第二凹槽50(图中未示出)的竖截面形状为矩形,第二凹槽50的俯视形状为“П”。
其中,第一绝缘层20的制作材料包括:无机材料,例如可以为:氧化硅、氮化硅或氧化硅和氮化硅的复合物,主要用于使显示基板平坦化以及避免衬底基板上的物质进入到电致发光结构中。
可选地,第二绝缘层30的制作材料包括:无机材料,例如可以为:氧化硅、氮化硅或氧化硅和氮化硅的复合物,本发明实施例对此不作任何限定。
本发明实施例提供的显示基板包括:显示区域和非显示区域,显示基板包括:衬底基板以及依次设置在衬底基板上的第一绝缘层、栅绝缘层和层间绝缘层;位于非显示区域的第一绝缘层开设有第一凹槽,第一凹槽中设置有第一填充物,位于非显示区域的第二绝缘层开设有第二凹槽。本发明实施例提供的技术方案通过在位于非显示区域的第一绝缘层开设凹槽并在其中设置填充物以及在位于非显示区域的第二绝缘层开设凹槽,能够阻挡显示基板中裂纹的扩展,不仅提高了OLED显示基板的质量和性能,还延长了OLED显示基板的使用寿命。
可选地,图3为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图二,如图3所示,第一绝缘层包括:阻挡层21和缓冲层22。
具体的,缓冲层22设置在阻挡层21远离衬底基板10的一侧。
可选地,阻挡层21不仅能够阻挡衬底基板上的有机物质等进入到电致发光结构,而且还能够避免显示基板在气相沉积腔室中发生弧光放电现象中。
可选地,阻挡层21的制作材料可以为二氧化钛,氧化硅、氮化硅或者氧化硅和氮化硅的复合物等高阻率的材料,本发明实施例对此不作任何限定。可选地,阻挡层21的厚度为50~500纳米。
可选地,缓冲层22能够用于进一步地防止衬底基板10内的物质在后续工艺中扩散而影响有源层的品质,还能够提高该缓冲层与上下层结构之间的连接强度,另外,还可以避免在对形成有源层时,对衬底基板的影响。
可选地,缓冲层22的制作材料可以为氧化硅、氮化硅或者氧化硅和氮化硅,本发明实施例对此不作任何限定。可选地,缓冲层22的厚度为50~500纳米。
可选地,如图3所示,第二绝缘层包括:栅绝缘层31和层间绝缘层32。
具体的,层间绝缘层32设置在栅绝缘层31远离衬底基板10的一侧。
可选地,第一凹槽40为通孔,第一凹槽40的深度可以小于第一绝缘层20的厚度,还可以等于第一绝缘层20的厚度,即第一凹槽40贯穿至衬底基板10。
可选地,第二凹槽50为通孔,第二凹槽50的深度可以小于第二绝缘层30的厚度,还可以等于第二绝缘层30的厚度,即第二凹槽50贯穿至第一绝缘层20。
优选地,为了更加彻底地实现显示基板的防裂纹,第一凹槽40贯穿至衬底基板10,第二凹槽50贯穿至第一绝缘层20。需要说明的是,图1和图3是以第一凹槽40贯穿至衬底基板10,和第二凹槽50贯穿至第一绝缘层20为例进行说明的,本发明实施例并不以此为例。
具体的,如图3所示,第二凹槽50中设置有第二填充物51。
具体的,第二填充物51为柔性的疏水性物质,包括:聚偏氟乙烯、聚氨酯或聚四氟乙烯,或者第二填充物51还可以将柔性的物质进行疏水处理使其具有疏水性。
具体的,第二填充物51中的柔性特性可以分散裂纹尖端的横向拉应力,有效地防止裂纹的扩展,柔性的疏水性物质中的疏水特性还能够有效地阻碍水汽的渗透,防止显示基板中各器件性能的恶化。
需要说明的是,第一填充物41和第二填充物51的制作材料可以相同,也可以不同,本发明实施例对此不作任何限定。需要说明的是,图3是以第一填充物41和第二填充物51的制作材料不同为例进行说明的。
具体的,当第一填充物41和第二填充物51的制作材料不同时,例如,第一填充物41的制作材料为聚偏氟乙烯,第二填充物42的制作材料为聚氨酯或聚四氟乙烯,或者,第一填充物41的制作材料为聚氨酯,第二填充物42的制作材料为聚偏氟乙烯或聚四氟乙烯,或者,第一填充物41的制作材料为聚四氟乙烯,第二填充物42的制作材料为聚偏氟乙烯或聚氨酯等,只要第一填充物和第二填充物的制作材料不同即可,本发明实施例对此不做任何限定。
可选地,作为第一凹槽和第二凹槽设置的一种实施方式,第一凹槽40在衬底基板10上的正投影与第二凹槽50在衬底基板10上的正投影不存在重叠区域。
具体的,第一凹槽40与第二凹槽50的设置方式可以如下:距离显示区域最远的第一凹槽40与显示区域之间的距离小于距离显示区域最近的第二凹槽50与显示区域之间的距离,或者,距离显示区域最近的第一凹槽40与显示区域之间的距离大于距离显示区域最远的第二凹槽50与显示区域之间的距离,或者,当第一凹槽40与第二凹槽50的数量为多个时,第一凹槽40在衬底基板10上的正投影与第二凹槽50在衬底基板10上的正投影交错设置。
具体的,当第一凹槽40与第二凹槽50的数量为多个时,多个第一凹槽40在衬底基板10上的正投影与多个第二凹槽50在衬底基板10上的正投影交错设置表示第一凹槽40在衬底基板10上的正投影位于相邻两个第二凹槽50在衬底基板上的正投影之间,或者第二凹槽50在衬底基板10上的正投影位于相邻两个第一凹槽40在衬底基板上的正投影之间。
具体的,图4为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图三,图5为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图四,图3是以距离显示区域最远的第一凹槽40与显示区域之间的距离l1小于距离显示区域最近的第二凹槽与显示区域之间的距离l2设置为例进行说明的;图4是以距离显示区域最近的第一凹槽40与显示区域之间的距离l3大于距离显示区域最远的第二凹槽与显示区域之间的距离l4为例进行说明的,图5是以多个第一凹槽40在衬底基板上的正投影与多个第二凹槽50在衬底基板上的正投影交错设置为例进行说明的。另外,需要说明的是,图3-图5均是以包括第二填充物51为例进行说明,本实施例中,第二凹槽中可以不包括第二填充物。
在本实施方式中,当第二凹槽50中包括:第二填充物时,第一填充物41可以与第二填充物51的制作材料相同,也可以不同,具体根据实际需求确定,本发明实施例对此不作任何限定。
当第一填充物41和第二填充物51的制作材料不同时,可以在第一绝缘层上采用成本较低的疏水性物质,第二绝缘层上采用成本较高的疏水性物质,使得显示基板的成本可控。当第一填充物41和第二填充物51的制作材料相同时,可以简化制作工艺。
可选地,作为第一凹槽和第二凹槽设置的另一种实施方式,图6为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图五,图7为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图六,如图6和7所示,第一凹槽40在衬底基板10上的正投影与第二凹槽50在衬底基板10上的正投影重合。
需要说明的是,图6是以包括第二填充物51为例进行说明,图7是以第二凹槽中可以不包括第二填充物。
如图6所示,当第二凹槽50中包括:第二填充物51时,为了简化制作工艺,第一填充物41和第二填充物51的制作材料相同,且一体成型。
实施例二
基于上述实施例的发明构思,本发明实施例还提供一种显示基板的制作方法,显示基板包括:显示区域和非显示区域,图8为本发明实施例提供的显示基板的制作方法的流程图,如图8所示,本发明实施例提供的显示基板的制作方法具体包括以下步骤:
步骤100、提供一衬底基板。
可选地,衬底基板可以为玻璃基板、塑料基板等,或者还可以由聚酰亚胺制成,本发明实施例对此不作任何限定。进一步地,在形成第一绝缘层之前,可对衬底基板进行预清洗操作。
步骤200、在衬底基板上依次形成包括位于非显示区域的第一凹槽的第一绝缘层和包括位于非显示区域的第二凹槽的第二绝缘层。
具体的,作为一种实施方式,步骤200具体包括:在第一绝缘层的非显示区域上形成第一凹槽,在第一绝缘层上形成第二绝缘层;在位于非显示区域的第二绝缘层上形成第二凹槽。
具体的,作为另一种实施方式,步骤200具体包括:在衬底基板上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层;在位于非显示区域的第一绝缘层和第二绝缘层上同时形成第一凹槽和第二凹槽。
可选地,第一凹槽的数量为至少一个,相邻第一凹槽之间的间距可以相等,也可以不等,本发明实施例对此不作任何限定。
可选地,第二凹槽的数量为至少一个,第一凹槽和第二凹槽的数量可以相同,也可以不同,本发明实施例对此不作任何限定,相邻第二凹槽之间的间距可以相等,也可以不等,本发明并不以此为限,具体根据实际需求确定。
步骤300、在第一凹槽中形成第一填充物。
具体的,当步骤200包括第一种实施方式时,步骤300发生在第一绝缘层的非显示区域上形成第一凹槽之后,当步骤200采用第二种实施方式时,步骤300发生在位于非显示区域的第一绝缘层和第二绝缘层上形成凹槽之后。
本发明实施例提供的显示基板的制作方法,其中,显示基板包括:显示区域和非显示区域,其中,显示基板的制作方法具体包括:提供一衬底基板;在衬底基板上依次形成包括位于非显示区域的第一凹槽的第一绝缘层和包括位于非显示区域的第二凹槽的第二绝缘层;在第一凹槽中形成第一填充物。本发明实施例提供的技术方案通过在位于非显示区域的第一绝缘层开设凹槽并在其中设置填充物以及在位于非显示区域的第二绝缘层开设凹槽,能够阻挡显示基板中裂纹的扩展,不仅提高了OLED显示基板的质量和性能,还延长了OLED显示基板的使用寿命。
具体的,通过激光工艺或光刻工艺在位于非显示区域的第一绝缘层上形成第一凹槽,在第一凹槽中通过溅射工艺、蒸镀工艺或沉积工艺形成第一填充物,通过激光工艺或光刻工艺在位于非显示区域的第二绝缘层上形成第二凹槽。
可选地,当步骤200采用第一种实施方式时,在位于非显示区域的第二绝缘层上形成第二凹槽之后,本发明实施例提供的显示基板的制作方法还包括:在第二凹槽中形成第二填充物。
具体的,在第二凹槽中通过溅射工艺、蒸镀工艺或沉积工艺形成第二填充物。
可选地,当步骤200采用第二种实施方式时,本发明实施例提供的显示基板的制作方法还包括:在第一凹槽和第二凹槽中同时形成第一填充物。
具体的,在第一凹槽和第二凹槽中通过溅射工艺、蒸镀工艺或沉积工艺形成第一填充物。
可选地,步骤200包括:在衬底基板上依次形成阻挡层和缓冲层,以形成第一绝缘层,在第一绝缘层上依次形成栅绝缘层和层间绝缘层,以形成第二绝缘层。
下面以第一凹槽在衬底基板上的正投影与第二凹槽在衬底基板上的正投影不存在重叠区域,第二凹槽中设置有第二填充物为例,结合图9A~9D、图3进一步说明本发明实施例提供的显示基板的制作方法一的具体工作过程。
步骤310、在衬底基板10上形成包括阻挡层21和缓冲层22的第一绝缘层,具体如图9A所示。
步骤320、在位于非显示区域的第一绝缘层上通过激光刻蚀或者光刻工艺形成第一凹槽40,具体如图9B所示。
步骤330、在第一凹槽40中形成第一填充物41,具体如图9C所示。
步骤340、在第一绝缘层上形成包括栅绝缘层31和层间绝缘层32的第二绝缘层,具体如图9D所示。
步骤350、在第二绝缘层上形成第二凹槽50,在第二凹槽50中形成第二填充物51,具体如图3所示。
下面以第一凹槽在衬底基板上的正投影与第二凹槽在衬底基板上的正投影重合,第二凹槽中设置有第二填充物为例,结合图10A~10B和图6进一步说明本发明实施例提供的显示基板的制作方法二的具体工作过程。
步骤410、在衬底基板10上形成包括阻挡层21和缓冲层22的第一绝缘层以及包括栅绝缘层31和层间绝缘层32的第二绝缘层,具体如图10A所示。
步骤420、在位于非显示区域的第一绝缘层和第二绝缘层通过激光刻蚀或者光刻工艺形成包括第一凹槽40和第二凹槽50的凹槽,具体如图10B所示。
步骤430、在凹槽中形成包括:第一填充物41和第二填充物51的填充物,具体如图6所示。
实施例三
基于上述实施例的发明构思,本发明实施例还提供一种显示装置,包括:显示基板。
其中,显示基板为实施例一提供的显示基板,其实现原理和实现效果类似,在此不再赘述。
具体的,显示装置可以为:OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明实施例附图只涉及本发明实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
为了清晰起见,在用于描述本发明的实施例的附图中,层或微结构的厚度和尺寸被放大。可以理解,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”,或者可以存在中间元件。
在不冲突的情况下,本发明的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
虽然本发明所揭露的实施方式如上,但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式,并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员,在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下,可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化,但本发明的专利保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (13)
1.一种显示基板,包括:显示区域和非显示区域,其特征在于,包括:衬底基板以及依次设置在所述衬底基板上的第一绝缘层和第二绝缘层;
位于非显示区域的所述第一绝缘层开设有第一凹槽,所述第一凹槽中设置有第一填充物,位于非显示区域的所述第二绝缘层开设有第二凹槽。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二凹槽中设置有第二填充物。
3.根据权利要求1或2所述的显示基板,其特征在于,所述第一凹槽在衬底基板上的正投影与所述第二凹槽在衬底基板上的正投影不存在重叠区域。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,第一凹槽和第二凹槽的数量为多个,多个第一凹槽在衬底基板上的正投影与多个第二凹槽在衬底基板上的正投影交错设置。
5.根据权利要求1或2所述的显示基板,其特征在于,所述第一凹槽在衬底基板上的正投影与所述第二凹槽在衬底基板上的正投影重合。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一凹槽为通孔,所述第二凹槽为通孔。
7.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,第一填充物和第二填充物相同。
8.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第一填充物包括:聚偏氟乙烯、聚氨酯或聚四氟乙烯;
所述第二填充物包括:聚偏氟乙烯、聚氨酯或聚四氟乙烯。
9.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一绝缘层包括:阻挡层和缓冲层;
所述缓冲层设置在所述阻挡层远离所述衬底基板的一侧;
所述第二绝缘层包括:栅绝缘层和层间绝缘层;
所述层间绝缘层设置在所述栅绝缘层远离衬底基板的一侧。
10.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1~9任一项所述的显示基板。
11.一种显示基板的制作方法,所述显示基板包括:显示区域和非显示区域,其特征在于,所述方法包括:
提供一衬底基板;
在衬底基板上依次形成包括位于非显示区域的第一凹槽的第一绝缘层和包括位于非显示区域的第二凹槽的第二绝缘层;
在第一凹槽中形成第一填充物。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述在衬底基板上依次形成包括位于非显示区域的第一凹槽的第一绝缘层和包括位于非显示区域的第二凹槽的第二绝缘层包括:
在衬底基板上形成第一绝缘层;
在位于非显示区域的第一绝缘层上形成第一凹槽;
在第一绝缘层上形成第二绝缘层;
在位于非显示区域的第二绝缘层上形成第二凹槽;
所述方法还包括:在第二凹槽中形成第二填充物。
13.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述在衬底基板上依次形成包括位于非显示区域的第一凹槽的第一绝缘层和包括位于非显示区域的第二凹槽的第二绝缘层包括:
在衬底基板上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层;
在位于非显示区域的第一绝缘层和第二绝缘层上同时形成第一凹槽和第二凹槽;
所述方法还包括:在第一凹槽和第二凹槽中同时形成第一填充物。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811013239.7A CN109103234A (zh) | 2018-08-31 | 2018-08-31 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
PCT/CN2019/100189 WO2020042894A1 (zh) | 2018-08-31 | 2019-08-12 | 显示基板及其制作方法以及显示装置 |
US16/623,329 US11362290B2 (en) | 2018-08-31 | 2019-08-12 | Display substrate, method of manufacturing display substrate, and display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811013239.7A CN109103234A (zh) | 2018-08-31 | 2018-08-31 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109103234A true CN109103234A (zh) | 2018-12-28 |
Family
ID=64864664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811013239.7A Pending CN109103234A (zh) | 2018-08-31 | 2018-08-31 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11362290B2 (zh) |
CN (1) | CN109103234A (zh) |
WO (1) | WO2020042894A1 (zh) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109752421A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-14 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
WO2020042894A1 (zh) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法以及显示装置 |
CN111415587A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法和显示面板 |
CN111627930A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-09-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法与显示面板 |
WO2020248246A1 (zh) * | 2019-06-14 | 2020-12-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
CN112435581A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-03-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示结构、柔性显示屏及电子设备 |
CN115620626A (zh) * | 2022-08-12 | 2023-01-17 | 荣耀终端有限公司 | 电子设备、显示屏、显示模组及其错动量测试方法 |
US11695015B2 (en) | 2020-05-27 | 2023-07-04 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Array substrate, method of manufacturing the same, and display panel |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106997930A (zh) * | 2017-03-03 | 2017-08-01 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 柔性显示面板及显示装置 |
CN107195794A (zh) * | 2017-06-06 | 2017-09-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置 |
KR20170128683A (ko) * | 2016-05-12 | 2017-11-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 패널, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 플렉서블 디스플레이 장치 |
CN108364987A (zh) * | 2018-02-24 | 2018-08-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6468686B2 (ja) | 2014-04-25 | 2019-02-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入出力装置 |
KR102651056B1 (ko) * | 2016-08-18 | 2024-03-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN107068715B (zh) * | 2017-03-28 | 2019-12-20 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板、有机发光显示装置以及有机发光显示面板的制备方法 |
KR102370406B1 (ko) * | 2017-07-10 | 2022-03-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102562900B1 (ko) * | 2018-02-02 | 2023-08-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시장치 및 터치감지 표시장치 |
TWI666492B (zh) * | 2018-07-09 | 2019-07-21 | 友達光電股份有限公司 | 主動元件基板 |
CN109103234A (zh) * | 2018-08-31 | 2018-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
-
2018
- 2018-08-31 CN CN201811013239.7A patent/CN109103234A/zh active Pending
-
2019
- 2019-08-12 US US16/623,329 patent/US11362290B2/en active Active
- 2019-08-12 WO PCT/CN2019/100189 patent/WO2020042894A1/zh active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170128683A (ko) * | 2016-05-12 | 2017-11-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 패널, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 플렉서블 디스플레이 장치 |
CN106997930A (zh) * | 2017-03-03 | 2017-08-01 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 柔性显示面板及显示装置 |
CN107195794A (zh) * | 2017-06-06 | 2017-09-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置 |
CN108364987A (zh) * | 2018-02-24 | 2018-08-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11362290B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-06-14 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display substrate, method of manufacturing display substrate, and display apparatus |
WO2020042894A1 (zh) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法以及显示装置 |
CN109752421A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-14 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
US11956988B2 (en) | 2019-06-14 | 2024-04-09 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co. Ltd. | Display substrate and method for manufacturing same, and display device |
WO2020248246A1 (zh) * | 2019-06-14 | 2020-12-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
US11495772B2 (en) | 2019-06-14 | 2022-11-08 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display substrate and method for manufacturing same, and display device |
CN111415587A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法和显示面板 |
WO2021237856A1 (zh) * | 2020-05-27 | 2021-12-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法与显示面板 |
US11695015B2 (en) | 2020-05-27 | 2023-07-04 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Array substrate, method of manufacturing the same, and display panel |
CN111627930A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-09-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法与显示面板 |
CN112435581A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-03-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示结构、柔性显示屏及电子设备 |
CN115620626A (zh) * | 2022-08-12 | 2023-01-17 | 荣耀终端有限公司 | 电子设备、显示屏、显示模组及其错动量测试方法 |
CN115620626B (zh) * | 2022-08-12 | 2023-10-20 | 荣耀终端有限公司 | 电子设备、显示屏、显示模组及其错动量测试方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210367170A1 (en) | 2021-11-25 |
WO2020042894A1 (zh) | 2020-03-05 |
US11362290B2 (en) | 2022-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109103234A (zh) | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 | |
CN109148525B (zh) | 有机发光二极管显示面板及其制作方法 | |
US20190024469A1 (en) | Flexible display apparatus and an encapsulation method thereof | |
WO2022012220A1 (zh) | 一种显示面板、显示装置和制作方法 | |
CN104576700B (zh) | Coa型woled结构及制作方法 | |
WO2018192277A1 (zh) | 无机封装膜及其制作方法、oled封装膜的制作方法及相应的显示面板和显示装置 | |
JP2020529047A (ja) | フレキシブルディスプレイパネルの製造方法及びフレキシブルディスプレイパネル | |
CN108666347A (zh) | 显示面板及其制造方法、显示装置 | |
TW201801369A (zh) | 顯示裝置 | |
US20220271258A1 (en) | Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate | |
CN109004104A (zh) | 一种oled显示面板及其制备方法 | |
WO2020258870A1 (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
TW201717384A (zh) | 有機發光顯示裝置及其製造方法 | |
CN107591498A (zh) | Oled显示面板及其制作方法、oled显示装置 | |
CN108962946A (zh) | 显示面板及其制造方法 | |
CN111900260A (zh) | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 | |
KR20160097449A (ko) | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 | |
WO2016141698A1 (zh) | 顶发射型有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 | |
CN100461444C (zh) | 发光显示器及其制造方法 | |
CN107579088A (zh) | 一种柔性oled显示面板及其制备方法 | |
CN110212005A (zh) | 显示基板及其制作方法和显示面板 | |
CN109545998A (zh) | 显示面板及制作方法 | |
WO2020172945A1 (zh) | 底发射白光有机发光二极管(woled)及其制作方法、显示装置 | |
WO2021035950A1 (zh) | 一种柔性衬底基板、柔性显示面板及其制备方法 | |
CN108470854A (zh) | Woled显示面板及其制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20181228 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |