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CN108962788A - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基板处理装置，具备：基板保持单元，将基板保持为水平；处理液供给单元，具有喷出处理液的处理液喷嘴，向基板的上表面供给处理液；移动单元，使处理液供给单元在处理液喷嘴与基板的上表面相对的处理位置和处理液喷嘴从与基板的上表面相对的位置退避的退避位置之间移动，处理液供给单元具有：第一流路，形成于处理液喷嘴，在处理液供给单元位于处理位置的状态下，一端部与基板的中央区域相对且另一端部与基板的外周区域相对；第二流路，从第一流路的一端部折返延伸，向第一流路的一端部供给处理液；多个喷出口，形成于处理液喷嘴，沿着第一流路延伸的方向排列，向基板的上表面喷出第一流路内的处理液。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及处理基板的基板处理装置。在成为处理对象的基板中，例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、有机EL(Electroluminescence：场致发光)显示装置等FED(Field Emission Display；场致发射显示装置)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等基板。
背景技术
在日本特开2015-115492号公报中，公开了能够执行用药液处理基板的上表面的基板处理的基板处理装置。该基板处理装置具有形成有多个喷出药液的喷出口的药液喷头。药液喷头安装于臂，臂结合于支撑轴。通过摆动驱动机构使支撑轴以铅垂轴线为中心转动，使药液喷头在基板的旋转中心的正上方的位置(日本特开2015-115492号公报的图7所示的第一位置)和基板的周缘的一部分的正上方的位置(日本特开2015-115492号公报的图8所示的第二位置)之间移动。从臂的内部向药液喷头供给药液。
如日本特开2015-115492号公报的图2所示的药液喷头那样，在流路延伸的方向上排列有多个喷出口的喷嘴中，有从位于流路的顶端附近(离臂远的位置)的喷出口喷出的液体的流量比从位于流路的基端附近(离臂近的位置)的喷出口喷出的液体的流量变多的倾向。
此处，与基板的周缘区域相对的喷出口沿着基板的旋转方向相对于基板的上表面在每单位时间内移动的距离，比与基板的中央区域相对的喷出口沿着基板的旋转方向相对于基板的上表面在每单位时间内移动的距离大。因此，若不将向基板的周缘区域供给的药液的流量设为比向基板的中央区域供给的药液的流量大，则基板的中央区域处理比基板的周缘区域迅速地进行。结果，有基板的上表面不被均匀地处理的担忧。
如日本特开2015-115492号公报的图7所示的那样，在使药液喷头的中心位于基板的旋转中心的正上方并从药液喷头向基板的上表面喷出药液的情况下，不能将向基板的周缘区域供给的药液的流量设为比向基板的中央区域供给的药液的流量大。因此，在使用日本特开2015-115492号公报的药液喷头的情况下，有不能均匀地处理基板的上表面的担忧。
此外，在没有设置加热药液喷头的结构的一般的药液喷头中，由于臂和药液喷头的温度是与周围的空间相同程度的温度(常温左右)，因此药液在臂内和药液喷头内被冷却。因此，即使向药液喷头供给充分地加热的药液，也有到药液从喷出口喷出为止药液的温度降低的担忧。
发明内容
因此，本发明的一个目的在于，提供一种能够用期望的高温的处理液处理基板的上表面且能够减少基板的上表面的处理不均匀的基板处理装置。
本发明的一实施方式提供一种基板处理装置，具备：基板保持单元，将基板保持为水平；处理液供给单元，具有喷出处理液的处理液喷嘴，向所述基板的上表面供给处理液；以及移动单元，使所述处理液供给单元在处理位置和退避位置之间移动，所述处理位置是所述处理液喷嘴与所述基板的上表面相对的位置，所述退避位置是所述处理液喷嘴从与所述基板的上表面相对的位置退避的位置。而且，所述处理液供给单元还具有：第一流路，形成于所述处理液喷嘴，在所述处理液供给单元位于所述处理位置的状态下，该第一流路的一端部与所述基板的中央区域相对且该第一流路的另一端部与所述基板的外周区域相对；第二流路，从所述第一流路的所述一端部折返延伸，向所述第一流路的所述一端部供给处理液；以及多个喷出口，形成于所述处理液喷嘴，沿着所述第一流路延伸的方向排列，向所述基板的上表面喷出所述第一流路内的处理液。
根据该结构，从第二流路向第一流路的一端部供给处理液。此外，在第一流路延伸的方向上排列有多个喷出口。因此，在处理液喷嘴中，从位于第一流路的顶端附近(另一端部附近)的喷出口喷出的处理液的流量变得比从位于第一流路的基端附近(一端部附近)的喷出口喷出的处理液的流量大。因此，在处理液喷嘴中，从第一流路的另一端部侧的喷出口喷出的流量比从第一流路的一端部侧的喷出口喷出的流量大。另一方面，在处理液供给单元位于处理位置的状态下，第一流路的一端部与基板的中央区域相对，第一流路的另一端部与基板的外周区域相对。因此，能够使向基板的上表面的外周区域供给的处理液的流量比向基板的上表面的中央区域供给的处理液的流量增大。因此，能够减少基板的上表面的处理不均匀。
而且，由于向第一流路的一端部供给处理液的第二流路从第一流路的一端部折返并延伸，因此能够将第一流路和第二流路配置于彼此接的位置。而且，由于整个处理液供给单元通过移动单元移动，因此即使在处理液供给单元的移动中也能够维持第一流路和第二流路彼此接近的状态。因此，能够通过第二流路内的处理液来保温第一流路内的处理液。因此，能够抑制朝向喷出口的处理液的温度降低。结果，由于能够将从喷出口喷出并着落到基板的上表面的处理液的温度维持为高温，因此能够用期望的高温的处理液处理基板的上表面。
如上所述，能够用期望的高温的处理液处理基板的上表面且减少基板的上表面的处理不均匀。
在本发明的一实施方式中，所述第一流路与所述基板的上表面平行地延伸。因此，能够减少喷出口和基板的上表面之间的距离的、在多个喷出口之间的差。因此，能够在多个喷出口之间减少处理液从喷出口喷出后到着落至基板的上表面为止处理液失去的热量的差。由此，能够减少基板的上表面的处理不均匀。
在本发明的一实施方式中，所述第二流路与所述第一流路平行地延伸。因此，能够在第一流路延伸的方向的整个区域使第一流路和第二流路接近。由此，能够通过第二流路内的处理液高效地保温第一流路内的处理液。而且，通过使第一流路和第二流路平行地延伸，在第一流路延伸的方向的整个区域均匀地保温第一流路内的处理液。换言之，能够防止产生局部地没有保温第一流路内的处理液的状況。因此，能够减少从喷出口喷出的处理液的、在多个喷出口之间的温度差。因此，能够减少基板的上表面的处理不均匀。
在本发明的一实施方式中，所述处理液供给单元还包括流路形成配管，所述流路形成配管形成有所述第二流路。所述流路形成配管与所述处理液喷嘴固定在一起。即，形成有第二流路的流路形成配管兼作支撑处理液喷嘴的构件。因此，能够实现处理液供给单元的小型化。
在本发明的一实施方式中，所述第二流路形成于所述处理液喷嘴。因此，能够使第二流路位于进一步接近第一流路的位置。由此，能够通过第二流路内的处理液进一步高效地保温第一流路内的处理液。
所述处理液喷嘴具有双重管结构，所述双重管结构由内管和外管构成。此外，由所述内管划分出所述第一流路，由所述内管和所述外管划分出所述第二流路。因此，能够使第二流路位于进一步靠近第一流路的位置。由此，通过第二流路内的处理液进一步高效地保温第一流路内的处理液。
在本发明的一实施方式中，所述移动单元包括转动单元，所述转动单元使所述处理液供给单元以沿着铅垂方向的转动轴线为中心转动。因此，通过以转动轴线为中心转动的简单的动作，能够使处理液供给单元在处理位置和退避位置之间移动。
在本发明的一实施方式中，多个所述喷出口设置为，向所述基板的上表面中与所述第一流路的所述另一端部附近相对的区域供给的处理液的流量比向所述基板的上表面中与所述第一流路的所述一端部附近相对的区域供给的处理液的流量大。此处，如上所述，在处理液供给单元位于处理位置的状态下，第一流路的一端部与基板的中央区域相对，第一流路的另一端部与基板的外周区域相对。因此，能够使向基板的上表面的外周区域供给的处理液的流量比向基板的上表面的中央区域供给的处理液的流量进一步增大。由此，由于能够抑制基板的上表面的外周区域的处理液的温度降低，因此能够防止基板的上表面的外周区域的蚀刻速率降低。
在本发明的一实施方式中，所述基板处理装置还具备吸引单元，吸引单元吸引所述第一流路内的处理液。
此处，在停止从第二流路向第一流路供给处理液时，有时在形成有多个喷出口的第一流路内残留处理液。在第一流路内残留有处理液的状态下移动单元使处理液供给单元移动时，有时残留在第一流路内的处理液成为液滴，下落到基板的上表面。由于这种不期望的处理液的下落，有在基板的上表面产生颗粒的担忧。因此，通过吸引单元吸引第一流路内的处理液，能够防止在停止供给处理液时在第一流路内残留处理液。因此，能够抑制停止供给处理液时处理液下落到基板上。
在本发明的一实施方式中，所述吸引单元包括：吸引流路，连接于所述第一流路的所述一端部的附近；以及吸引装置，经由所述吸引流路对所述第一流路的内部进行吸引。因此，吸引装置能够高效地吸引第一流路内的处理液。另一方面，能够防止过多地吸引第二流路中的处理液。因此，能够抑制过多地吸引处理液而浪费处理液，且能够高效地去除第一流路内的处理液。
在本发明的一实施方式中，所述第一流路包括：积液部，蓄积从所述第二流路供给的处理液；以及喷出流路，从所述积液部向侧方延伸，将各所述喷出口和所述积液部连接。
根据该结构，在停止从第二流路向第一流路供给处理液时，有时在积液部和喷出流路中残留处理液。由于喷出流路从积液部向侧方延伸，因此喷出流路内的处理液很难受到积液部内的处理液的重量。因此，在停止供给处理液时，能够抑制处理液经由喷出流路从喷出口下落到基板上。
在本发明的一实施方式中，所述喷出流路包括：铅垂流路，从所述喷出口向上方延伸；以及倾斜流路，将所述铅垂流路和所述积液部连接，并以随着从所述积液部朝向所述铅垂流路而朝向上方的方式相对水平方向倾斜。因此，即使在喷出流路内残留有处理液，该处理液也经由倾斜流路容易返回到积液部。因此，能够进一步减小喷出流路内的处理液受到的重量。
在本发明的一实施方式中，所述喷出口位于比所述积液部的底部更靠上方的位置。因此，与喷出口位于积液部的下方的结构比较，能够缩短喷出流路。因此，能够进一步减小喷出流路内的处理液受到的重量。
在本发明的一实施方式中，所述喷出流路的流路截面积比所述积液部的流路截面积小。因此，由于能够使作用于喷出流路内的处理液的表面张力增大，因此处理液容易残留在喷出流路内。因此，能够抑制停止供给处理液时处理液下落到基板上。
在本发明的一实施方式中，所述处理液供给单元包括隔热构件，所述隔热构件包围所述处理液喷嘴，将所述处理液喷嘴从所述处理液喷嘴的周围的环境气体隔热。因此，能够进一步保温第一流路内的处理液。
以下，通过参照附图进行下述的实施方式的说明，明确本发明中的上述或进一步的其它目的、特征和效果。
附图说明
图1是用于说明本发明的第一实施方式的基板处理装置的内部的布局的示意性俯视图。
图2是所述基板处理装置所具备的处理单元的示意图。
图3是所述处理单元所具备的处理液供给单元和处理液供给单元的周边的侧视图。
图4是所述处理液供给单元的俯视图。
图5是沿着图4的V-V线切开的剖视图。
图6是所述处理液供给单元所具备的处理液喷嘴和处理液喷嘴的周边的仰视图。
图7是沿着图5的VII-VII线切开的剖视图。
图8是用于说明所述基板处理装置的主要部分的电气结构的框图。
图9是用于说明所述基板处理装置的基板处理的一例的流程图。
图10A是用于说明所述基板处理的预先分配(pre-dispense)(图9的S2)的图解性侧视图。
图10B是用于说明所述基板处理的预先分配(图9的S2)的图解性侧视图。
图10C是用于说明所述基板处理的药液处理(图9的S3)的图解性侧视图。
图11是表示在图9所示的基板处理中向处理液喷嘴供给的处理液的温度随时间变化的一例的图表。
图12是表示在图9所示的基板处理中向处理液喷嘴供给的处理液的温度随时间变化的另一例的图表。
图13是本发明的第二实施方式的处理液喷嘴的剖视图。
图14是本发明的第三实施方式的处理液喷嘴的仰视图。
图15是本发明的第四实施方式的处理液供给单元和处理液供给单元的周边的侧视图。
图16是沿着图15的XVI-XVI线切开的剖视图。
图17是本发明的第五实施方式的处理液喷嘴的剖视图。
具体实施方式
＜第一实施方式＞
图1是用于说明本发明的第一实施方式的基板处理装置1的内部的布局的图解性俯视图。
基板处理装置1是对硅晶片等的基板W一张一张地进行处理的单张式装置。在本实施方式中，基板W是圆板状的基板。基板处理装置1包括：多个处理单元2，用药液和冲洗液等处理液处理基板W；装载埠LP，载置容纳在处理单元2中进行处理的多张基板W的容纳器C；搬运机械手IR和CR，在装载埠LP和处理单元2之间搬运基板W；以及控制器3，控制基板处理装置1。搬运机械手IR在容纳器C和搬运机械手CR之间搬运基板W。搬运机械手CR在搬运机械手IR和处理单元2之间搬运基板W。多个处理单元2例如具有相同的结构。
图2是用于说明处理单元2的结构例的示意图。
处理单元2包括旋转卡盘5、筒状的杯6、药液供给单元7、移动单元8、冲洗液供给单元9和待机容器10。旋转卡盘5一边将一张基板W保持为水平的姿势一边使基板W以通过基板W的中央部的铅垂的旋转轴线A1为中心旋转。杯6包围旋转卡盘5。药液供给单元7向基板W的上表面(表面)供给药液。移动单元8使药液供给单元7至少在水平方向上移动。冲洗液供给单元9向基板W的上表面供给去离子水(Deionized Water：DIW)等冲洗液。俯视时待机容器10配置于杯6的周围。
处理单元2还包括容纳杯6的腔室14(参照图1)。在腔室14形成有出入口(未图示)，出入口用于向腔室14内搬入基板W或从腔室14内搬出基板W。在腔室14具备开闭该出入口的闸门单元(未图示)。
旋转卡盘5包括卡盘销20、旋转基座21、结合于旋转基座21的下表面中央的旋转轴22、向旋转轴22提供旋转力的电动马达23。旋转轴22沿着旋转轴线A1在铅垂方向上延伸。旋转基座21结合于旋转轴22的上端。
旋转基座21具有沿着水平方向的圆板形状。在旋转基座21的上表面的周缘部隔开间隔在周向上配置有多个卡盘销20。旋转基座21和卡盘销20包括于将基板W保持为水平的基板保持单元。基板保持单元也称为基板保持件。
通过电动马达23将旋转轴22旋转，使基板W以旋转轴线A1为中心旋转。电动马达23包括于使基板W以旋转轴线A1为中心旋转的基板旋转单元。
药液供给单元7包括喷出药液的第一药液喷嘴30、支撑第一药液喷嘴30的第一药液配管31、喷出药液的第二药液喷嘴40和支撑第二药液喷嘴40的第二药液配管41。第一药液喷嘴30具有向基板W的上表面喷出药液的多个第一喷出口30a。第二药液喷嘴40具有向基板W的上表面喷出药液的第二喷出口40a。药液供给单元7是向基板W的上表面供给处理液的处理液供给单元的一例。第一药液喷嘴30是处理液供给单元所具备的处理液喷嘴的一例。
药液例如是作为蚀刻液的一例的磷酸。药液可以是磷酸以外的液体。即，药液例如可以是含有硫酸、乙酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、磷酸、氨水、双氧水、有机酸(例如，柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如，TMAH：四甲基氢氧化铵等)、表面活性剂和防腐剂中的至少一种的液体。
第一药液喷嘴30通过第一药液配管31连接有第一药液供给管35。在第一药液供给管35上安装有第一电动阀32、第一流量计33和第一温度传感器34。从药液供给源向第一药液供给管35供给磷酸等药液。第一电动阀32对是否向第一药液喷嘴30供给药液进行切换和对向第一药液喷嘴30供给的药液的流量进行变更。第一流量计33检测流经第一药液供给管35的药液的流量。第一温度传感器34检测第一药液供给管35内的药液的温度。
第二药液喷嘴40通过第二药液配管41连接有第二药液供给管45。在第二药液供给管45上安装有第二电动阀42、第二流量计43和第二温度传感器44。从药液供给源向第二药液供给管45供给磷酸等药液。第二电动阀42对是否向第二药液喷嘴40供给药液进行切换和对向第二药液喷嘴40供给的药液的流量进行变更。第二流量计43检测流经第二药液供给管45的药液的流量。第二温度传感器44检测第二药液供给管45内的药液的温度。
药液供给单元7通过移动单元8在处理位置和退避位置之间移动。在药液供给单元7位于处理位置时，第一药液喷嘴30与基板W相对。在药液供给单元7位于退避位置时，第一药液喷嘴30从与基板W相对的位置退避。在药液供给单元7位于处理位置的状态下，与第一药液喷嘴30相同地第二药液喷嘴40也与基板W相对。在药液供给单元7位于退避位置的状态下，第二药液喷嘴40也从与基板W相对的位置退避。
移动单元8包括沿着铅垂方向延伸的转动轴25、连接于转动轴25的保持件26和向转动轴25提供以转动轴线A2中心转动的驱动力的转动单元27。保持件26包括：臂26a，沿着与转动轴线A2正交的方向延伸；以及支撑部26b，支撑第一药液配管31和第二药液配管41。通过转动单元27转动转动轴25，使保持件26、第一药液配管31和第二药液配管41以转动轴线A2为中心转动。由此，使第一药液喷嘴30和第二药液喷嘴40以转动轴线A2为中心转动。转动单元27例如是电动马达。
移动单元8可以包括：滚珠螺杆(未图示)，使转动轴25升降；以及电动马达(未图示)，向该滚珠螺杆提供驱动力。通过移动单元8使转动轴25升降，从而使保持件26、第一药液配管31和第二药液配管41升降。由此，第一药液喷嘴30和第二药液喷嘴40升降。
冲洗液供给单元9包括向基板W的上表面供给冲洗液的冲洗液喷嘴50。在冲洗液喷嘴50连接有冲洗液配管51。在冲洗液配管51上安装有冲洗液阀52。从冲洗液供给源向冲洗液配管51供给DIW等冲洗液。冲洗液阀52开闭冲洗液的流路。冲洗液喷嘴50是固定喷嘴。与本实施方式不同，冲洗液喷嘴50可以是能够沿着水平方向和铅垂方向移动的移动喷嘴。
冲洗液并不局限于DIW，可以是碳酸水、电解离子水、臭氧水、稀释浓度(例如，10ppm～100ppm左右)的盐酸水、含有氨等的碱离子水、还原水(含氢水)。
待机容器10是用于接收从基板W的上表面退避的第一药液喷嘴30和第二药液喷嘴40喷出的药液的容器。待机容器10具有有底筒状的形式。在药液供给单元7位于退避位置的状态下，第一药液喷嘴30和第二药液喷嘴40位于待机容器10的上方。在待机容器10的底部连接有用于排出待机容器10内的药液的排液管55。在排液管55上安装有开闭排液管55内的药液的流路的排液阀56。
接着，使用图3～图6，详细地说明药液供给单元7的结构。
图3是药液供给单元7和药液供给单元7的周边的侧视图。图4是药液供给单元7的俯视图。图5是沿着图4的V-V线切开的剖视图。图6是第一药液喷嘴30和第一药液喷嘴30的周边的仰视图。
参照图3，第二药液配管41包括水平部41a和垂下部41b。水平部41a向从转动轴线A2离开的方向水平地延伸。垂下部41b连接于水平部41a。垂下部41b随着从转动轴线A2离开以朝向下方的方式相对水平方向倾斜地延伸。第二药液喷嘴40连接于垂下部41b。第二药液喷嘴40随着从转动轴线A2离开以朝向下方的方式相对水平方向倾斜地延伸。在第二药液喷嘴40的顶端具有形成有第二喷出口40a的喷出部40b。
第一药液喷嘴30沿着水平方向延伸。第一药液喷嘴30具有与朝向转动轴线A2侧相反的一侧的一端部30b和朝向转动轴线A2侧的另一端部30c。第一药液配管31从第一药液喷嘴30的一端部30b折返并水平地延伸。第一药液配管31包括上水平部31a、垂下部31b和下水平部31c。上水平部31a向从转动轴线A2离开的方向水平地延伸。垂下部31b从上水平部31a向下方延伸。下水平部31c从垂下部31b的下端向接近转动轴线A2的方向水平地延伸。上水平部31a和下水平部31c与第一药液喷嘴30平行地延伸。垂下部31b在铅垂方向上延伸。下水平部31c连接于第一药液喷嘴30的一端部30b。
第一药液喷嘴30通过从第一药液配管31的上水平部31a向下方延伸的托架28固定于第一药液配管31。
参照图4，处理单元2还包括吸引第一药液喷嘴30内的药液的吸引单元11。吸引单元11包括吸引配管65和吸引装置60。吸引配管65分支连接于第一药液配管31。吸引装置60通过形成在吸引配管65内的吸引流路65a，对设置于第一药液喷嘴30的第一流路70的内部进行吸引。吸引装置60是真空泵等。在吸引配管65上安装有开闭吸引流路65a的吸引阀66。吸引配管65连接于第一药液配管31的上水平部31a和垂下部31b的连接部分31d。吸引配管65与第一药液配管31和第二药液配管41一同由保持件26的支撑部26b支撑。
参照图5，在第一药液喷嘴30内形成有沿着水平方向延伸的第一流路70。第一流路70延伸的方向是与第一药液喷嘴30延伸的方向相同的方向。第一流路70与基板W的上表面平行地延伸。将第一流路70延伸的方向称为长度方向L。第一流路70具有与朝向转动轴线A2侧相反的一侧的一端部70a和朝向转动轴线A2侧的另一端部70b。
在第一药液配管31内形成有从第一流路70的一端部70a折返并延伸的第二流路80。详细地，在第一药液配管31的上水平部31a形成有第二流路80，在第一药液配管31的垂下部31b和下水平部31c形成有将第一流路70的一端部70a和第二流路80连接的折返流路85。第一药液配管31是形成有第二流路80的流路形成配管的一例。在第一流路70中处理液从一端部70a侧向另一端部70b侧流动。在处理液流动的方向上，一端部70a位于比另一端部70b更靠上游侧的位置。
第二流路80水平地延伸。第二流路80与第一流路70平行地延伸且通过折返流路85连接于第一流路70。因此，俯视下第二流路80与第一流路70重叠。吸引流路65a连接于第二流路80和折返流路85交叉的部分(第一流路70的一端部70a的附近80a)。
在药液供给单元7位于处理位置的状态(图3和图4所示的状态)下，第一药液喷嘴30与基板W的上表面相对。详细地，参照图3，第一药液喷嘴30的一端部30b与基板W的上表面的中央区域相对，第一药液喷嘴30的另一端部30c与基板W的上表面的外周区域相对。因此，在药液供给单元7位于处理位置的状态下，第一流路70配置于基板W的上方。此外，第一流路70的一端部70a与基板W的上表面的中央区域相对，第一流路70的另一端部70b与基板W的上表面的外周区域相对。
基板W的上表面的中央区域是指包括基板W的上表面的旋转中心的区域。基板W的上表面的旋转中心是指基板W的上表面中与旋转轴线A1交叉的位置。基板W的上表面的外周区域是指基板W的上表面的周缘附近的区域。
如图6所示，多个第一喷出口30a形成于第一药液喷嘴30的下表面30d。多个第一喷出口30a沿着长度方向L排列。详细地，多个第一喷出口30a彼此隔开等间隔。在药液供给单元7配置于处理位置时，一端部70a附近的第一喷出口30a向基板W的上表面的中央区域喷出第一流路70内的药液，另一端部70b附近的第一喷出口30a向基板W的上表面的外周区域喷出第一流路70内的药液。
第一流路70的另一端部70b附近的第一喷出口30a彼此之间的距离(第二间隔P2)比第一流路70的一端部70a附近的第一喷出口30a彼此之间的距离(第一间隔P1)小。即，多个第一喷出口30a以向基板W的上表面中与第一流路70的另一端部70b附近相对的区域(基板W的上表面的外周区域)供给的药液的流量比向基板W的上表面中与第一流路70的一端部70a附近相对的区域(基板W的上表面的中央区域)供给的药液的流量大的方式构成。另外，间隔P1、P2是相邻的第一喷出口30a彼此的中心间距离。在本实施方式中，总计在十二部位设置第一喷出口30a。只有从最靠近另一端部70b侧开始数到第四个为止的第一喷出口30a的总计四个第一喷出口30a之间的间隔P2，比其他第一喷出口30a之间的间隔P1小。
也可以与该实施方式不同，在第一流路70的一端部70a附近仅设置一个第一喷出口30a。此外，也可以在第一流路70的另一端部70b附近仅设置一个第一喷出口30a。
接着，使用图7，详细地说明第一流路70的结构。图7是沿着图5的VII-VII线切开的剖视图。
参照图7，第一流路70包括：积液部71，蓄积从第二流路80供给的药液；以及多个喷出流路72，将多个第一喷出口30a和积液部71连接。积液部71具有在多个第一喷出口30a的侧方沿第一流路70的长度方向L延伸的圆筒状的形状。各喷出流路72从积液部71向侧方延伸。在各第一喷出口30a分别连接有一个喷出流路72。
各喷出流路72包括：圆筒状的铅垂流路72a，从对应的第一喷出口30a向上方延伸；以及倾斜流路72b，将对应的铅垂流路72a和积液部71连接。倾斜流路72b以随着从积液部71朝向对应的铅垂流路72a朝向上方的方式相对于水平方向倾斜。倾斜流路72b是圆筒状。铅垂流路72a的直径D1和倾斜流路72b的直径D2比积液部71的直径D3小。因此，喷出流路72的流路截面积比积液部71的流路截面积小。
第一药液喷嘴30的下表面30d包括：第一面30e，位于积液部71的下方；以及第二面30f，通过台阶30g连接于第一面30e。第二面30f位于比积液部71的底部71a(下端)更靠上方的位置。第二面30f是平坦面。第一喷出口30a形成于第二面30f。因此，第一喷出口30a位于比积液部71的底部71a(下端)更靠上方的位置。
在第一药液喷嘴30贯穿有沿着长度方向L延伸的加强构件36。加强构件36例如是由不锈钢材料形成的中空的棒。
图8是用于说明基板处理装置1的主要部分的电气结构的框图。控制器3具备微型计算机，根据规定的程序控制基板处理装置1所具有的控制对象。更具体来说，控制器3包括处理器(CPU)3A和存储有程序的存储器3B，并且以通过处理器3A执行程序来执行用于进行基板处理的各种控制的方式构成。特别地，控制器3控制搬运机械手IR、CR、电动马达23、移动单元8、吸引装置60和阀类32、42、52、56、66等的动作。
图9是用于说明基板处理装置1的基板处理的一例的流程图。图9表示通过控制器3执行程序来执行的基板处理。在基板处理中，一张一张连续地处理基板W。在各基板W的基板处理中，例如，如图9所示，依次执行搬入基板(S1)、预先分配(pre-dispense)(S2)、药液处理(S3)、冲洗处理(S4)、干燥处理(S5)和搬出基板(S6)。
在基板处理中，首先，通过搬运机械手IR、CR将未处理的基板W从容纳器C搬入处理单元2，并交至旋转卡盘5(S1)。然后，直到通过搬运机械手CR搬出基板W为止的期间，通过卡盘销20使基板W从旋转基座21的上表面向上方隔开间隔并保持为水平(基板保持工序)。
在搬入基板W后，用药液处理基板W的上表面之前，开始从第一药液喷嘴30和第二药液喷嘴40喷出药液的预先分配(S2)。在处理单元2一张一张连续地处理基板W的基板处理中，通过执行预先分配(S2)，能够降低在药液处理(S3)中向基板W供给的药液的温度的、在同一处理单元2处理的基板W之间的差。因此，能够降低基板W之间的品质差异。第二药液喷嘴40的第二喷出口40a只设置有一个，但是第一药液喷嘴30的第一喷出口30a设置有多个。因此，通常，从第二药液喷嘴40喷出的(在第二药液喷嘴40内流动)处理液的流量比从第一药液喷嘴30喷出的(在第一药液喷嘴30内流动)处理液的流量小。因此，在第二药液喷嘴40内流动的处理液的温度比在第一药液喷嘴30内流动的处理液容易受到周围环境影响而变化。因此，通过预先分配(S2)的温度控制对于第二药液喷嘴40比第一药液喷嘴30变得重要。
图10A和图10B是用于说明基板处理的预先分配(图9的S2)的图解性侧视图。图10C是用于说明基板处理的药液处理(图9的S3)的图解性侧视图。
在预先分配(S2)中，如图10A所示，移动单元8使药液供给单元7配置于退避位置。然后，打开第一电动阀32和第二电动阀42。由此，从第一药液喷嘴30的多个第一喷出口30a和第二药液喷嘴40的第二喷出口40a喷出药液。由待机容器10接收从第一喷出口30a和第二喷出口40a喷出的药液。通过打开排液阀56来从待机容器10排除待机容器10内的药液。
从第一药液喷嘴30的多个第一喷出口30a和第二药液喷嘴40的第二喷出口40a以规定时间喷出药液后，关闭第一电动阀32和第二电动阀42。由此，如图10B所示，停止从第一药液喷嘴30的多个第一喷出口30a和第二药液喷嘴40的第二喷出口40a喷出药液。
然后，在恒定时间的预先分配(S2)之后，开始药液处理(S3)。具体来说，如图10C所示，电动马达23使旋转基座21旋转。由此，由卡盘销20保持为水平的基板W旋转(基板旋转工序)。然后，移动单元8使药液供给单元7移动到处理位置。然后，打开第一电动阀32和第二电动阀42。由此，从第一药液喷嘴30的多个第一喷出口30a和第二药液喷嘴40的第二喷出口40a喷出药液。从第一喷出口30a和第二喷出口40a喷出的药液着落到基板W的上表面。供给的药液借助离心力遍布基板W的整个上表面。由此，用药液处理基板W的上表面。
接着，在恒定时间的药液处理(S3)之后，执行用于通过将基板W上的药液置换为DIW等冲洗液，来从基板W上排除药液的冲洗处理(S4)。
具体来说，关闭第一电动阀32和第二电动阀42，打开冲洗液阀52。由此，从冲洗液喷嘴50向基板W的上表面供给(喷出)冲洗液。从冲洗液喷嘴50喷出的冲洗液着落到基板W的上表面的中央区域。向基板W上供给的冲洗液借助离心力遍布基板W的整个上表面。通过该冲洗液来冲洗基板W上的药液。这期间，移动单元8使药液供给单元7退避到退避位置。在使药液供给单元7移动之前，吸引装置60吸引第一药液喷嘴30的第一流路70内的药液。
接着，进行使基板W干燥的干燥处理(S5)。具体来说，关闭冲洗液阀52。然后，电动马达23使基板W以高旋转速度(例如3000rpm)旋转。由此，大的离心力作用于基板W上的冲洗液，从而基板W上的冲洗液被甩向基板W的周围。这样，从基板W去除冲洗液，使基板W干燥。然后，若从基板W高速旋转开始经过规定时间，则电动马达23停止通过旋转基座21旋转基板W。
然后，搬运机械手CR进入处理单元2，从旋转卡盘5拾取已处理的基板W，并搬出到处理单元2外(S6)。将该基板W从搬运机械手CR交至搬运机械手IR，通过搬运机械手IR容纳到容纳器C。然后，开始下一个未处理的基板W的基板处理。
接着，使用图11，详细地说明预先分配(S2)的一例。图11是表示在图9所示的基板处理中从第一药液喷嘴30喷出的药液的温度随时间变化的一例的图表。在图11中，横轴是处理时间t，纵轴是从第一药液喷嘴30喷出的药液的温度即喷出温度T。喷出温度T是由第一温度传感器34检测的温度。因此，严格来说，喷出温度T是第一药液供给管35内的药液的温度。在图11中，针对在连续处理基板W的基板处理中处理的第一张～第三张基板W，分别示出了喷出温度T随时间的变化。此处，由于第二药液喷嘴40的喷出温度随时间的变化与第一药液喷嘴30的喷出温度T随时间的变化几乎相同，因此省略详细的说明。
在预先分配(S2)中，例如，将药液的喷出流量设置为与药液处理(S3)中的药液的喷出流量(处理流量)相同的喷出流量，开始从第一药液喷嘴30向待机容器10喷出药液。即，将药液的喷出流量设定为恒定。药液的喷出流量是指第一流量计33检测的流量。药液的喷出流量的设定通过变更第一电动阀32的开度来进行。将开始从第一药液喷嘴30向待机容器10喷出药液时的时刻设为t0(预先分配开始工序)。
向药液供给单元7持续地供给新的药液。因此，伴随处理时间t的流逝，药液供给单元7(特别地，第一药液喷嘴30和第一药液配管31的管壁)和药液供给单元7的周边的构件的温度上升。反过来说，药液供给单元7和药液供给单元7的周边的构件夺取在第一药液喷嘴30和第一药液配管31的内部流动的药液的热。因此，在开始预先分配时(时刻t0)的从第一药液喷嘴30喷出的药液的喷出温度T，比药液供给单元7和药液供给单元7的周边的构件的温度与在第一药液喷嘴30和第一药液配管31的内部流动的药液的温度达到平衡的温度(饱和温度T1)相当低。
药液供给单元7和药液供给单元7的周边的构件随着从第一药液喷嘴30继续地喷出药液而升温，由此，被药液供给单元7和药液供给单元7的周边的构件夺取的热量减少。通过进一步继续从第一药液喷嘴30喷出药液，从第一药液喷嘴30喷出饱和温度T1的药液。
将喷出温度T达到饱和温度T1的时刻设为t1。从开始预先分配(时刻t0)到从第一药液喷嘴30喷出饱和温度T1的药液为止(时刻t1)的期间(以下，称为“达到期间”)，取决于开始预先分配前的药液供给单元7和药液供给单元7的周边的构件的温度。开始预先分配前的药液供给单元7和药液供给单元7的周边的构件的温度与饱和温度T1的差越大，达到期间越长。开始预先分配前的药液供给单元7和药液供给单元7的周边的构件的温度与饱和温度T1的差越小，达到期间越短。
在处理单元2连续处理基板W的情况下，开始连续处理时(例如，对第一张基板W和第二张基板W的处理)，预先分配开始前的药液供给单元7和药液供给单元7的周边的构件的温度比较低。特别地，在对第一张基板W的处理中，有时预先分配开始前的药液供给单元7和药液供给单元7的周边的构件的温度下降至例如常温(例如约25℃)。
在图11所示的例子中，若从开始预先分配经过达到期间并且喷出温度T达到饱和温度T1，则停止从第一药液喷嘴30喷出药液(预先分配停止工序)。然后，移动单元8使药液供给单元7朝向处理位置开始移动(药液供给单元移动工序)。在药液供给单元7移动的期间，由于不向药液供给单元7供给新的药液，因此药液供给单元7的温度逐渐地降低，从而第一药液喷嘴30和第一药液配管31内的药液的温度降低。若药液供给单元7到达处理位置，则重新打开第一电动阀32。由此，开始从第一药液喷嘴30向基板W的上表面供给药液(药液供给工序)。将药液供给单元7到达处理位置的时刻设为t2。
如图11所示，越是处理的顺序在后的基板W，时刻t1和时刻t2越早。虽未图示，第四张以后的基板W的处理中的时刻t1和时刻t2分别与第三张基板W的处理的时刻t1和时刻t2几乎相等。
即，在图11所示的例子中，将第一张基板W的预先分配的期间设为比第二张基板W的预先分配的期间长，将第二张基板W的预先分配的期间设为比第三张基板W的预先分配的期间长。第四张以后的基板W的预先分配的期间与第三张基板的预先分配的期间几乎相同。
通过用该方法执行预先分配，能够可靠地降低药液处理开始时的喷出温度T的、在每次基板处理的差。
接着，使用图12详细地说明预先分配(S2)的另一例。图12是表示在图9所示的基板处理中从第一药液喷嘴30喷出的药液的温度随时间变化的另一例的图表。在图12中，将横轴设为处理时间t，将纵轴设为喷出温度T。在图12中，针对在连续地处理基板W的基板处理中处理的第一张～第三张基板W，分别示出了喷出温度T随时间的变化。此处，由于第二药液喷嘴40的喷出温度随时间的变化与第一药液喷嘴30的喷出温度T随时间的变化几乎相同，因此省略详细地说明。
将从第一药液喷嘴30开始向待机容器10喷出药液时的时刻，即开始预先分配时刻设为t0。然后，将在预先分配结束后药液供给单元7移动到处理位置后，从第一药液喷嘴30开始向基板W的上表面供给药液的时刻设为t3。与是对第几张基板W的处理无关，以从时刻t0到时刻t3的期间的时间成为恒定的方式设定开始药液供给的时间(药液供给时刻设定工序)。然后，在从开始预先分配经过恒定期间的时刻(成为时刻t3的时刻)，以从第一药液喷嘴30喷出的药液的喷出温度T成为比饱和温度T1低的目标温度T2的方式，调整第一电动阀32的开度来控制喷出流量。若喷出流量减少，则由于向药液供给单元7供给的整个药液的热量变小，因此喷出温度T降低。另一方面，若增大喷出流量，则由于向药液供给单元7供给的整个药液的热量变大，因此喷出温度T升高。
如上所述，在处理单元2连续地处理基板W的情况下，在开始连续处理时(例如，对第一张和第二张基板W的处理)，开始预先分配前的药液供给单元7和药液供给单元7的周边的构件的温度比较低。因此，将第一张基板W的预先分配中的喷出流量设为比第二张基板W的预先分配中的喷出流量大，将第二张基板W的预先分配中的喷出流量设为比第三张基板W的预先分配中的喷出流量大。第四张以后的基板W的预先分配中的喷出流量与第三张基板的预先分配中的喷出流量几乎相同。
在从第一药液喷嘴30向基板W的上表面开始供给药液后，例如，以使每次基板处理的喷出温度T的差减少的方式，控制器3调整第一电动阀32的开度(开度调整工序)。控制器3基于第一流量计33检测的流量执行反馈控制。在图12中，表示了随着药液处理(S3)中处理时间t的流逝，使开始供给药液后的目标温度T3变化的例子。即使在该情况下，通过由第一流量计33始终检测流量并始终调整第一电动阀32的开度，从而能够减少每次基板处理的喷出温度T的差。
根据该方法，由于目标温度T2和目标温度T3比饱和温度T1低，因此不仅能够缩短预先分配(S2)的时间，还能够减少药液的消耗量。而且，通过执行反馈控制，能够进一步减少每次基板处理的喷出温度T的差。
此处，一般地，在具有一端闭塞的流路的喷嘴中，流路的一端附近的处理液的压力与流路的其他部分比较变大。因此，有从位于流路的顶端附近的喷出口喷出的处理液的流量比从位于流路的基端附近的喷出口喷出的处理液的流量变多的倾向。
根据第一实施方式，从第二流路80向第一流路70的一端部70a供给药液。此外，在第一流路70延伸的方向(长度方向L)排列有多个第一喷出口30a。因此，在第一药液喷嘴30中，位于第一流路70的另一端部70b附近的第一喷出口30a的流量比位于第一流路70的一端部70a附近的第一喷出口30a的流量变大。
另一方面，在药液供给单元7位于处理位置的状态下，第一流路70的一端部70a与基板W的中央区域相对，第一流路70的另一端部70b与基板W的外周区域相对。因此，能够使向基板W的上表面的外周区域供给的药液的流量比向基板W的上表面的中心区域供给的药液的流量增大。因此，能够减少基板W的上表面的处理不均匀。
而且，由于向第一流路70的一端部70a供给药液的第二流路80从第一流路70的一端部70a折返并延伸，因此能够将第一流路70和第二流路80配置于彼此接近的位置。而且，由于整个药液供给单元7通过移动单元8移动，因此在药液供给单元7的移动中也维持第一流路70和第二流路80彼此接近的状态。因此，能够通过第二流路80内的处理液来保温第一流路70内的处理液。因此，能够抑制朝向第一喷出口30a的药液的温度降低。结果，由于能够将从第一喷出口30a喷出并着落到基板W的上表面的处理液的温度维持为高温，因此能够用期望的高温的处理液来处理基板W的上表面。
如上所述，能够用期望的高温的处理液处理基板W的上表面且减少基板W的上表面的处理不均匀。
此外，根据第一实施方式，第一流路70与基板W的上表面平行地延伸。因此，能够减少第一喷出口30a和基板W的上表面之间的距离的、在多个第一喷出口30a之间的差。因此，能够在多个第一喷出口30a之间减少处理液从第一喷出口30a喷出后着落到基板W的上表面为止处理液失去的热量的差。由此，能够减少基板W的上表面的处理不均匀。
此外，根据第一实施方式，第二流路80与第一流路70平行地延伸。因此，能够在第一流路70延伸的方向(长度方向L)的整个区域中使第一流路70和第二流路80接近。由此，通过第二流路80内的处理液高效地保温第一流路70内的处理液。而且，通过将第一流路70和第二流路80平行地延伸，在长度方向L的整个区域内均匀地保温第一流路70内的药液。换言之，能够防止产生第一流路70内的药液局部地未被保温的状況。因此，能够减少第一喷出口30a之间的喷出药液的温度差。因此，能够减少基板W的上表面的处理不均匀。
此外，通过使第一流路70和第二流路80接近，能够实现药液供给单元7的小型化。
此外，第二流路80从第一流路70的一端部70a折返且与第一流路70平行地延伸。因此，通过流经第二流路80的上游侧的部分的药液来保温流经第一流路70的另一端部70b的周边的药液。即，流经第一流路70的另一端部70b的周边的药液与流经第一流路70的一端部70a的周边的药液比较，被高温的药液保温。由此，能够减少在第一流路70内的药液的温度差。
此外，根据第一实施方式，药液供给单元7还包括形成有第二流路80的第一药液配管31(流路形成配管)。第一药液配管31支撑第一药液喷嘴30。即，形成有第二流路80的第一药液配管31兼作支撑第一药液喷嘴30的构件。因此，能够实现药液供给单元7的小型化。
此外，根据第一实施方式，移动单元8包括使药液供给单元7以沿着铅垂方向的转动轴线A2为中心转动的转动单元27。因此，通过以转动轴线A2为中心转动的简单的动作，能够使药液供给单元7在处理位置和退避位置之间移动。
此外，根据第一实施方式，多个第一喷出口30a设置为，向基板W的上表面中与第一流路70的另一端部70b附近相对的区域供给的处理液的流量比向基板W的上表面中与第一流路70的一端部70a附近相对的区域供给的处理液的流量大。因此，能够使向基板W的上表面的外周区域供给的药液的流量比向基板W的上表面的中央区域供给的药液的流量进一步增大。由此，由于能够抑制基板W的上表面的外周区域中的处理液的温度降低，因此能够防止基板W的上表面的外周区域中的蚀刻速率降低。
此外，根据第一实施方式，处理单元2包括吸引第一流路70内的药液的吸引单元11。此处，在从第二流路80向第一流路70供给药液的状态切换到停止从第二流路80向第一流路70供给药液的状态的情况等，在第一流路70内残留药液。若在该状态下移动单元8使药液供给单元7移动，则有时残留在第一流路70内的药液成为液滴，下落到基板W的上表面。有因这种不期望的药液的下落而在基板W的上表面产生颗粒的担忧。因此，通过使吸引单元11吸引第一流路70内的药液，能够防止停止供给药液时在第一流路70内残留药液。因此，能够防止停止供给药液时药液下落到基板W上。
此外，根据第一实施方式，吸引单元11包括：吸引流路65a，连接于第一流路70的一端部70a的附近80a；以及吸引装置60，通过吸引流路65a吸引第一流路70的内部。因此，吸引装置60能够高效地吸引第一流路70内的药液。另一方面，能够防止过多地吸引第二流路80中的药液。因此，能够抑制过多地吸引药液而浪费药液，并且能够高效地去除第一流路70内的药液。
此外，根据第一实施方式，第一流路70包括：积液部71，蓄积从第二流路80供给的药液；以及喷出流路72，从积液部71向侧方延伸。各喷出流路72将对应的第一喷出口30a和积液部71连接。
因此，从第二流路80向第一流路70供给的药液，依次经过积液部71和喷出流路72从第一喷出口30a喷出。若停止从第二流路80向第一流路70供给药液，则第一流路70内的药液残留在积液部71和喷出流路72内。由于喷出流路72从积液部71向侧方延伸，因此积液部71内的药液的重量很难施加于喷出流路72内的处理液。与喷出流路72从积液部71向下方延伸的结构比较，积液部71内的药液的重量很难施加于喷出流路72内的药液。因此，停止供给药液时，能够抑制药液通过喷出流路72从第一喷出口30a下落到基板W上。
此外，根据第一实施方式，喷出流路72包括：铅垂流路72a，从第一喷出口30a向上方延伸；以及倾斜流路72b，将铅垂流路72a和积液部71连接。倾斜流路72b随着从积液部71朝向铅垂流路72a以朝向上方的方式相对于水平方向倾斜。因此，即使在喷出流路72内残留有药液的情况下，该药液通过倾斜流路72b也容易返回到积液部71。因此，能够进一步减少施加于喷出流路72内的药液的重量。
此外，根据第一实施方式，第一喷出口30a位于比积液部71的底部71a更靠上方的位置。因此，与第一喷出口30a位于积液部71的下方的结构比较，能够缩短喷出流路72。因此，能够进一步减少施加于喷出流路72内的药液的重量。
此外，根据第一实施方式，喷出流路72的流路截面积比积液部71的流路截面积小。因此，由于能够增大作用于喷出流路72内的药液的表面张力，因此药液容易残留在喷出流路72内。因此，能够抑制停止供给药液时药液着落到基板W上。
＜第二实施方式＞
接着，说明本发明的第二实施方式。图13是第二实施方式的第一药液喷嘴30的剖视图。图13是沿着与长度方向L正交的平面切断第一药液喷嘴30时的剖视图。在图13中，对与至此说明的构件相同的构件标注相同的附图标记并省略说明。
在第二实施方式的第一药液喷嘴30中，与第一实施方式不同，在第一药液喷嘴30的下表面30d没有设置台阶30g，下表面30d是平坦面。而且，第一喷出口30a形成于下表面30d。因此，第一喷出口30a位于比积液部71的底部71a更靠下方的位置。由于第一药液喷嘴30的下表面30d是平坦面，因此能够简化第一药液喷嘴30的加工(制造)工序。
＜第三实施方式＞
接着，说明本发明的第三实施方式。图14是第三实施方式的第一药液喷嘴30的仰视图。在图14中，对与至此说明的构件相同的构件标注相同的附图标记并省略说明。
在第三实施方式的第一药液喷嘴30中，与第一实施方式不同，第一流路70的另一端部70b附近的第一喷出口30a比第一流路70的一端部70a附近的第一喷出口30a大。另一端部70b附近的第一喷出口30a的直径d2比第一流路70的一端部70a附近的第一喷出口30a的直径d1大。即，与第一实施方式相同地，多个第一喷出口30a设置为，向基板W的上表面的外周区域供给的药液的流量比向基板W的上表面的中央区域供给的药液的流量大。
在第三实施方式中，总计在十一个部位设置第一喷出口30a。从最另一端部70b侧数到第三个为止的第一喷出口30a的总计三个第一喷出口30a的直径d2比其他第一喷出口30a的直径d1大。
根据第三实施方式，能够使向基板W的上表面的外周区域供给的药液的流量比向基板W的上表面的中央区域供给的药液的流量进一步增大。由此，由于能够抑制基板W的上表面的外周区域的药液的温度降低，因此能够防止基板W的上表面的外周区域的蚀刻速率降低。
在第三实施方式中，第一喷出口30a彼此之间的距离彼此相等(P1＝P2)。在该实施方式中，与第一实施方式相同地，第一流路70的另一端部70b附近的第一喷出口30a彼此之间的距离(间隔P2)，可以比第一流路70的一端部70a附近的第一喷出口30a彼此之间的距离(间隔P1)小(P2＜P1)。若这样，能够使向基板W的上表面的外周区域供给的药液的流量比向基板W的上表面的中央区域供给的药液的流量进一步增大。
＜第四实施方式＞
接着，说明本发明的第四实施方式。图15是本发明的第四实施方式的药液供给单元7和药液供给单元7的周边的侧视图。图16是沿着图15的XVI-XVI线切开的剖视图。在图15和图16中，对于至此说明的构件相同的构件标注相同的附图标记并省略说明。在图15中，为了便于说明，省略第二药液喷嘴40和第二药液配管41的图示。
第四实施方式的药液供给单元7包括具有由内管91和外管92构成的双重管结构的第一药液喷嘴90，来代替第一实施方式的第一药液喷嘴30和第一药液配管31。在第一药液喷嘴90中，由内管91划分出第一流路70，由内管91和外管92划分出第二流路80。
外管92包括：筒管93，具有与朝向转动轴线A2侧相反的一侧的一端部93a和朝向转动轴线A2侧的另一端部93b；以及壁部94，堵塞筒管93的一端部93a。在筒管93的另一端部93b连接有第一药液供给管35。外管92由移动单元8的保持件26支撑。
内管91包括：筒管95，划分出积液部71；多个突出管96，从筒管95延伸到外管92的外侧；以及划分壁97，划分出第一流路70的另一端部70b。
突出管96划分出喷出流路72，以顶端朝向下方的方式弯曲。在各突出管96的顶端形成有向基板W的上表面喷出药液的多个第一喷出口90a。
在筒管95的上部和壁部94之间设置有间隙98。经由该间隙98，第二流路80从第一流路70的一端部70a折返。
在药液供给单元7配置于处理位置时，多个第一喷出口90a与基板W的上表面相对。详细地，一端部70a附近的第一喷出口90a与基板W的上表面的中央区域相对，另一端部70b附近的第一喷出口90a与基板W的上表面的外周区域相对。
在第四实施方式中，在外管92的下端和内管91的下端之间没有设置有间隙，但是也可以在外管92的下端和内管91的下端之间设置有间隙，由该间隙构成第二流路80的一部分。
根据第四实施方式，如上所述，第一药液喷嘴90具有由内管91和外管92构成的双重管结构。此外，由内管91划分出第一流路70，由内管91和外管92划分出第二流路80。因此，能够使第二流路80位于进一步接近第一流路70的位置。由此，能够通过第二流路80内的药液进一步高效地保温第一流路70内的药液。此外，与具有折返的配管的结构比较，能够实现药液供给单元7的小型化。
＜第五实施方式＞
接着，说明本发明的第五实施方式。图17是第五实施方式的第一药液喷嘴30的剖视图。在图17中，对于至此说明的构件相同的构件标注相同的附图标记并省略说明。
第五实施方式的药液供给单元7没有包括第一药液配管31，在药液供给单元7的第一药液喷嘴30除了第一流路70之外还形成有第二流路80和折返流路85。由于折返流路85实际上没有出现在图17所示的截面中，因此用双点划线表示。因此，能够使第二流路80位于进一步接近第一流路70的位置。由此，通过第二流路80内的药液进一步高效地保温第一流路70内的药液。此外，与具有折返的配管的结构(例如，第一实施方式的结构)比较，能够实现药液供给单元7的小型化。
此外，第五实施方式的药液供给单元7还包括隔热构件100，隔热构件100包围第一药液喷嘴30，将第一药液喷嘴30从第一药液喷嘴30的周围的环境气体中进行隔热。因此，能够进一步高效地保温第一流路70内的药液。优选第一药液喷嘴30由氟类树脂等热传导性比较高的材料形成。作为氟类树脂，例如可以列举出PTFE(聚四氟乙烯)等。若处理液的温度是100℃以下，则可以使用PE(聚乙烯)等。隔热构件100没必要一定覆盖第一药液喷嘴30的整个面。
本发明并不局限于上述说明的实施方式，还可以其他方式实施。
例如，上述的各个实施方式可以任意地组合。例如，第一实施方式～第四实施方式的药液供给单元7可以包括隔热构件100。
此外，药液供给单元7的结构也能够应用于供给药液以外的处理液(例如冲洗液)的单元。
此外，第二流路80没必要一定与第一流路70平行地设置，第二流路80可以相对第一流路70倾斜地延伸，也可以弯曲地延伸。此外，可以不用设置折返流路85，将第二流路80与第一流路70直接连接。此外，第一流路70没必要一定水平地延伸，可以另一端部70b位于比一端部70a更靠下方的位置的方式相对于水平方向倾斜。若这样，能够使从第一流路70的另一端部70b侧的第一喷出口30a喷出的药液的流量比从第一流路70的一端部70a侧的第一喷出口30a喷出的药液的流量进一步增大。
此外，移动单元8没必要一定包括转动单元27，移动单元8可以包括：滚珠螺杆机构，使药液供给单元7沿着水平方向在直线上移动；以及电动马达，向该滚珠螺杆机构提供驱动力。
此外，在基板处理中，可以在搬入基板(S1)之前，开始预先分配(S2)。由此，能够缩短从向处理单元2搬入基板W到向基板W的上表面供给药液为止的时间。
从该说明书和附图中除了权利要求书所记载的特征之外，还能够提取出以下的特征。这些特征能够与发明内容所记载的特征任意地组合。
A1.基板处理装置，还具备：基板保持单元，将基板保持为水平；
处理液供给单元，具有喷出处理液的处理液喷嘴，向所述基板的上表面供给处理液；以及
移动单元，使所述处理液供给单元在处理位置和退避位置之间移动，所述处理位置是所述处理液喷嘴与所述基板的上表面相对的位置，所述退避位置是所述处理液喷嘴从与所述基板的上表面相对的位置退避的位置，
所述处理液供给单元还具有：
多个喷出口，沿着所述处理液喷嘴延伸的方向排列；以及
第一流路，具有：积液部，蓄积处理液；以及喷出流路，从所述积液部向侧方延伸，将各所述喷出口和所述积液部连接。
根据A1所述的发明，向第一流路供给的处理液依次经过积液部和喷出流路并从喷出口喷出。因此，通过在使处理液供给单元移动到处理位置的状态下从喷出口喷出处理液，能够使处理液着落到基板的上表面。
此处，在没有向第一流路供给处理液时，第一流路内的处理液残留在积液部和喷出流路内。由于喷出流路从积液部向侧方延伸，因此积液部内的处理液的重量很难施加于喷出流路内的处理液。与喷出流路从积液部向下方延伸的结构比较，积液部内的处理液的重量很难施加于喷出流路内的处理液。因此，能够抑制在停止供给处理液后，不期望的处理液从处理液喷嘴下落到基板上。
A2.根据A1所述的基板处理装置，其中，所述第一流路构成为，在所述处理液供给单元位于所述处理位置的状态下，一端部与所述基板的中央区域相对且另一端部与所述基板的外周区域相对，
所述处理液供给单元还包括第二流路，所述第二流路从所述第一流路的所述一端部折返延伸，向所述第一流路的所述一端部供给处理液。
根据A2所述的发明，从第二流路向第一流路的一端部供给处理液。此外，在第一流路延伸的方向排列有多个喷出口。因此，在处理液喷嘴中，第一流路的另一端部附近的喷出口的流量比第一流路的一端部附近的喷出口的流量大。另一方面，在处理液供给单元位于处理位置的状态下，第一流路的一端部与基板的中央区域相对，第一流路的另一端部与基板的外周区域相对。因此，能够使向基板的上表面的外周区域供给的处理液的流量比向基板的上表面的中央区域供给的处理液的流量增大。因此，能够减少基板的上表面的处理不均匀。
而且，由于向第一流路的一端部供给处理液的第二流路从第一流路的一端部折返并延伸，因此能够将第一流路和第二流路配置于彼此接近的位置。而且，由于整个处理液供给单元通过移动单元移动，因此即使在处理液供给单元的移动中也能够维持第一流路和第二流路彼此接近的状态。因此，能够通过第二流路内的处理液来保温第一流路内的处理液。因此，能够抑制朝向喷出口的处理液的温度降低。结果，由于能够将从喷出口喷出并着落到基板的上表面的处理液的温度维持为高温，因此能够用期望的高温的处理液处理基板的上表面。
如上所述，能够用期望的高温的处理液处理基板的上表面，且减少基板的上表面的处理不均匀。
详细地说明了本发明的实施方式，但是这些只是用于明确本发明的技术的内容的具体例，本发明不应限定于这些具体例来解释，本发明的范围仅由附加的权利要求书来限定。
本申请与2017年5月18日向日本国专利厅提出的特愿2017-099269号对应，该申请的全部公开通过引用的方式引入到本申请。

Claims (15)

1.一种基板处理装置，其中，具备：
基板保持单元，将基板保持为水平；
处理液供给单元，具有喷出处理液的处理液喷嘴，向所述基板的上表面供给处理液；以及
移动单元，使所述处理液供给单元在处理位置和退避位置之间移动，所述处理位置是所述处理液喷嘴与所述基板的上表面相对的位置，所述退避位置是所述处理液喷嘴从与所述基板的上表面相对的位置退避的位置，
所述处理液供给单元还具有：
第一流路，形成于所述处理液喷嘴，在所述处理液供给单元位于所述处理位置的状态下，该第一流路的一端部与所述基板的中央区域相对且该第一流路的另一端部与所述基板的外周区域相对；
第二流路，从所述第一流路的所述一端部折返延伸，向所述第一流路的所述一端部供给处理液；以及
多个喷出口，形成于所述处理液喷嘴，沿着所述第一流路延伸的方向排列，向所述基板的上表面喷出所述第一流路内的处理液。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述第一流路与所述基板的上表面平行地延伸。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述第二流路与所述第一流路平行地延伸。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述处理液供给单元还包括流路形成配管，所述流路形成配管形成有所述第二流路，
所述流路形成配管与所述处理液喷嘴固定在一起。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述第二流路形成于所述处理液喷嘴。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述处理液喷嘴具有双重管结构，所述双重管结构由内管和外管构成，
由所述内管划分出所述第一流路，由所述内管和所述外管划分出所述第二流路。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述移动单元包括转动单元，所述转动单元使所述处理液供给单元以沿着铅垂方向的转动轴线为中心转动。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
多个所述喷出口设置为，向所述基板的上表面中与所述第一流路的所述另一端部附近相对的区域供给的处理液的流量，比向所述基板的上表面中与所述第一流路的所述一端部附近相对的区域供给的处理液的流量大。
9.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备吸引单元，该吸引单元吸引所述第一流路内的处理液。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，
所述吸引单元包括：吸引流路，连接于所述第一流路的所述一端部的附近；以及吸引装置，经由所述吸引流路对所述第一流路的内部进行吸引。
11.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述第一流路包括：积液部，蓄积从所述第二流路供给的处理液；以及喷出流路，从所述积液部向侧方延伸，将各所述喷出口和所述积液部连接。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，
所述喷出流路包括：铅垂流路，从所述喷出口向上方延伸；以及倾斜流路，将所述铅垂流路和所述积液部连接，并以随着从所述积液部朝向所述铅垂流路而朝向上方的方式相对水平方向倾斜。
13.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，
所述喷出口位于比所述积液部的底部更靠上方的位置。
14.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，
所述喷出流路的流路截面积比所述积液部的流路截面积小。
15.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述处理液供给单元包括隔热构件，所述隔热构件包围所述处理液喷嘴，将所述处理液喷嘴从所述处理液喷嘴的周围的环境气体隔热。
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