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CN108883605A - 阻气性层叠体、电子设备用构件以及电子设备 - Google Patents

阻气性层叠体、电子设备用构件以及电子设备 Download PDF

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CN108883605A
CN108883605A CN201780020428.4A CN201780020428A CN108883605A CN 108883605 A CN108883605 A CN 108883605A CN 201780020428 A CN201780020428 A CN 201780020428A CN 108883605 A CN108883605 A CN 108883605A
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CN
China
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gas barrier
layer
barrier layer
protective layer
atoms
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Application number
CN201780020428.4A
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永绳智史
岩屋涉
萩原佳明
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Original Assignee
Lintec Corp
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Abstract

本发明的阻气性层叠体是:一种阻气性层叠体,所述层叠体为将基材、阻气层和保护层按照此顺序直接或经由其他的层层叠后的阻气性层叠体,其特征在于,所述阻气层的保护层侧的表层部中的、相对于氧原子、氮原子和硅原子的存在量整体的、氧原子的存在比例为20~70%,氮原子的存在比例为0~30%,硅原子的存在比例为25~50%,所述保护层的25℃下的杨氏模量为5×109Pa以上、1×1012Pa以下。根据本发明,提供一种具有优越的阻气性而即使在贴合于具有阶梯差的设备的情况下遍及长期该优越的阻气性也不会降低的阻气性层叠体、由该阻气性层叠体构成的电子设备用构件和具备该电子设备用构件的电子设备。

Description

阻气性层叠体、电子设备用构件以及电子设备
技术领域
本发明涉及即使折弯也难以产生破裂而具有优越的阻气性的阻气性层叠体、由该阻气性层叠体构成的电子设备用构件、以及具备该电子设备用构件的电子设备。
背景技术
近年来,在液晶显示器或电致发光(EL)显示器等显示器中,为了实现薄型化、轻量化、柔软化等,作为具有电极的基板而使用在透明塑料膜上层叠阻气层而成的、所谓的阻气膜来代替玻璃板。
例如,在专利文献1中,提出了具有阻气层的成形体,所述阻气层由包含氧原子和硅原子的材料构成而成。
可是,在将该文献记载的具有阻气性的成形体贴合于具有阶梯差的设备的情况下,在阻气层中容易产生破裂,在该情况下,阻气性降低,存在设备容易劣化这样的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特许4921612号(US2012064321A1)。
发明内容
发明要解决的课题
本发明是鉴于上述的现有技术的实情而完成的,其目的在于提供即使折弯也难以产生破裂而具有优越的阻气性的阻气性层叠体、由该阻气性层叠体构成的电子设备用构件、以及具备该电子设备用构件的电子设备。
用于解决课题的方案
本发明者们为了解决上述课题而专心讨论出的结果是,发现了阻气性层叠体即使折弯也难以在阻气层中产生破裂而具有优越的阻气性,达到完成本发明,所述阻气性层叠体为将基材、阻气层和保护层按照此顺序层叠后的阻气性层叠体,在所述层叠体中,前述阻气层的保护层侧的表层部中的、相对于氧原子、氮原子和硅原子的存在量整体的、氧原子的存在比例、氮原子的存在比例和硅原子的存在比例为特定的值并且前述保护层的25℃下的杨氏模量为特定的值。
这样,根据本发明,提供下述〔1〕~〔8〕的阻气性层叠体、〔9〕的电子设备用构件和〔10〕的电子设备。
〔1〕一种阻气性层叠体,所述层叠体为将基材、阻气层和保护层按照此顺序直接或经由其他的层层叠后的阻气性层叠体,其特征在于,
所述阻气层的保护层侧的表层部中的、相对于氧原子、氮原子和硅原子的存在量整体的、氧原子的存在比例为20~70%,氮原子的存在比例为0~30%,硅原子的存在比例为25~50%,
所述保护层的25℃下的杨氏模量为5×109Pa以上、1×1012Pa以下。
〔2〕根据〔1〕所述的阻气性层叠体,其中,所述阻气层的保护层侧的表层部中的膜密度为2.4~4.0g/cm3
〔3〕根据〔1〕或〔2〕所述的阻气性层叠体,其中,所述阻气层的25℃下的杨氏模量为1×1010Pa以上、1×1012Pa以下。
〔4〕根据〔1〕~〔3〕的任一项所述的阻气性层叠体,其特征在于,所述阻气层的杨氏模量比所述保护层的杨氏模量高。
〔5〕根据〔1〕或〔2〕所述的阻气性层叠体,其特征在于,所述阻气层由阻气性单元构成,所述阻气性单元由在所述基材侧配置而成的阻气层(1)、以及在所述阻气层(1)的与基材侧反相侧的面侧配置而成的阻气层(2)构成。
〔6〕根据〔5〕所述的阻气性层叠体,其中,所述阻气层(2)的25℃下的杨氏模量为1×1010Pa以上、1×1012Pa以下。
〔7〕根据〔5〕或〔6〕所述的阻气性层叠体,其特征在于,所述阻气层(2)的杨氏模量比所述保护层的杨氏模量高。
〔8〕根据〔5〕~〔7〕的任一项所述的阻气性层叠体,其特征在于,所述阻气层(1)的膜密度比所述保护层的膜密度高。
〔9〕一种电子设备用构件,其中,由根据〔1〕~〔8〕的任一项所述的阻气性层叠体构成。
〔10〕一种电子设备,其中,具备根据〔9〕所述的电子设备用构件。
发明效果
本发明的阻气性层叠体即使折弯也难以产生破裂,具有优越的阻气性,即使在贴合于具有阶梯差的设备的情况下,遍及长期该优越的阻气性也不会降低。
在此,具有阶梯差的设备是指意味着在基板上层叠用于形成设备的各种构件而在基板与各种构件之间存在阶梯差的设备。
本发明的阻气性层叠体由于具有保护层,所有阻气性和冲击吸收性优越。即,即使将阻气性层叠体贴合于设备,也不会在阻气层中产生破裂或破碎,阻气性难以降低。
具体实施方式
本发明的阻气(gas barrier)性层叠体是,一种将基材、阻气层和保护层按照此顺序直接或经由其他的层层叠后的阻气性层叠体,其特征在于,前述阻气层的保护层侧的表层部中的、相对于氧原子、氮原子和硅原子的存在量整体的、氧原子的存在比例为20~70%,氮原子的存在比例为0~30%,硅原子的存在比例为25~50%,前述保护层的25℃下的杨氏模量为5×109Pa以上、1×1012Pa以下。
(阻气层)
构成本发明的阻气性层叠体的阻气层为具有对氧或水蒸气等气体的透过进行抑制的特性(阻气性)的层。
作为本发明的阻气性层叠体的阻气层,可举出无机蒸镀膜或对包含高分子化合物的层(以下,存在称为“高分子层”的情况)实施改性处理而得到的层等。其中,在本发明中,关于阻气层,优选的是对高分子层实施改性处理而得到的层,更优选的是对高分子层实施改性处理而得到的层即阻气性单元,所述阻气性单元包括:在基材侧配置而成的高分子层的未改性的部分(以下,存在称为“阻气层(1)”的情况。)、以及实施了改性处理的、在前述高分子层的阻气层(1)的与基材侧相反侧的面侧配置而成的层(以下,存在称为“阻气层(2)”的情况。)。
作为前述无机蒸镀膜,可举出无机化合物或金属的蒸镀膜。
作为无机化合物的蒸镀膜的原料,可举出:氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化钛等无机氧化物;氮化硅、氮化铝、氮化钛等无机氮化物;无机碳化物;无机硫化物;氧化氮化硅等无机氧化氮化物;无机氧化碳化物;无机氮化碳化物;无机氧化氮化碳化物等。
作为金属的蒸镀膜的原料,可举出铝、镁、锌和锡等。
关于它们,能够以1种单独使用或者组合2种以上使用。
在它们之中,从阻气性的观点出发,优选将无机氧化物、无机氮化物或金属作为原料的无机蒸镀膜,进而,从透明性的观点出发,更优选将无机氧化物或无机氮化物作为原料的无机蒸镀膜。
作为形成无机蒸镀膜的方法,可举出:真空蒸镀法、溅射(sputtering)法、离子镀(ion plating)法等PVD(物理蒸镀)法或热CVD(化学蒸镀)法、等离子体CVD法、光CVD法等CVD法。
无机蒸镀膜的厚度根据使用的无机化合物而不同,但是,从阻气性和操作性的观点出发,优选的是50~300nm的范围,更优选的是50~200nm的范围。
在对高分子层实施改性处理而得到的阻气层中,作为使用的高分子化合物,可举出:含有硅高分子化合物、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烃、聚酯、聚碳酸酯、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚芳酯、丙烯酸类树脂、环烯烃类聚合物、芳香族类聚合物等。
关于这些高分子化合物,能够以1种单独使用或者组合2种以上使用。
在它们之中,由于能够形成具有更优越的阻气性的阻气层,所以,作为高分子化合物,优选含有硅高分子化合物。
作为含有硅高分子化合物,可举出:聚硅氮烷(polysilazane)类化合物、聚碳硅烷类化合物、聚硅烷类化合物、以及聚硅氧烷类化合物等。其中,由于能够形成即使薄也具有优越的阻气性的阻气层,所以优选聚硅氮烷类化合物。
聚硅氮烷类化合物为在分子内具有包含-Si-N-键(硅氮烷键)的重复单位(repeating unit)的高分子化合物。具体地,优选具有由式(1)表示的重复单位的化合物。此外,使用的聚硅氮烷类化合物的数均分子量并不被特别限定,但是,优选的是100~50,000。
[化1]
在前述式(1)中,n表示任意的自然数。
Rx、Ry、Rz分别独立地表示氢原子、无取代或具有取代基的烷基(alkyl group)、无取代或具有取代基的环烷烃基(cycloalkyl group)、无取代或具有取代基的烯基(alkenylgroup)、无取代或具有取代基的芳基(aryl group)或烷硅基(alkylsilyl group)等非水解性基。
作为前述无取代或具有取代基的烷基的烷基,例如可举出:甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、第二丁基(sec-butyl group)、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基等碳数1~10的烷基。
作为无取代或具有取代基的环烷烃基的环烷烃基,可举出:环丁基、环戊基、环己基、环庚基等碳数3~10的环烷烃基。
作为无取代或具有取代基的烯基的烯基,例如可举出:乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基等碳数2~10的烯基。
作为前述烷基、环烷烃基和烯基的取代基,可举出:氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等卤素原子;羟基;硫醇基;环氧基;甲基丙氧基(glycidoxy group);(甲基)丙烯酰基;苯基;4-甲苯基、4-氯苯基等无取代或具有取代基的芳基;等。
作为无取代或具有取代基的芳基的芳基,例如可举出:苯基、1-萘基、2-萘基等碳数6~10的芳基。
作为前述芳基的取代基,可举出:氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等卤素原子;甲基、乙基等碳数1~6的烷基;甲氧基、乙氧基等碳数1~6的烷氧基;硝基;氰基;羟基;硫醇基;环氧基;甲基丙氧基;(甲基)丙烯酰基;苯基;4-甲苯基、4-氯苯基等无取代或具有取代基的芳基;等。
作为烷硅基,可举出:三甲基硅基、三乙基硅基、三异丙基硅基(triisopropylsilyl group)、三叔丁基硅基(Tri-t-butyl silyl group)、甲基二乙基硅基、二甲基硅基、二乙基硅基、甲基硅基、乙基硅基等。
在它们之中,作为Rx、Ry、Rz,优选氢原子、碳数1~6的烷基或苯基,特别优选氢原子。
作为具有由前述式(1)表示的重复单位的聚硅氮烷类化合物,为Rx、Ry、Rz全部为氢原子的无机聚硅氮烷、Rx、Ry、Rz的至少1个不为氢原子的有机聚硅氮烷的哪一个都可以。
此外,在本发明中,作为聚硅氮烷类化合物,也能够使用聚硅氮烷变性(denaturation)物。作为聚硅氮烷变性物,例如可举出日本特开昭62-195024号公报、日本特开平2-84437号公报、日本特开昭63-81122号公报、日本特开平1-138108号公报等、日本特开平2-175726号公报、日本特开平5-238827号公报、日本特开平5-238827号公报、日本特开平6-122852号公报、日本特开平6-306329号公报、日本特开平6-299118号公报、日本特开平9-31333号公报、日本特开平5-345826号公报、日本特开平4-63833号公报等所记载的变性物。
在这些之中,作为聚硅氮烷类化合物,从能够形成具有入手容易性和优越的阻气性的离子注入层的观点出发,优选Rx、Ry、Rz全部为氢原子的全氢聚硅氮烷。
此外,作为聚硅氮烷类化合物,也能够直接使用作为玻璃涂敷材料等市售的市售品。
关于聚硅氮烷类化合物,能够以1种单独使用或者组合2种以上使用。
高分子层除了上述的高分子化合物之外还可以在不阻碍本发明的目的的范围内含有其他的成分。作为其他的成分,可举出:固化剂、老化防止剂、光稳定剂、难燃剂等。
关于高分子层中的高分子化合物的含有量,由于得到具有更优越的阻气性的阻气层,所以优选50质量%以上,更优选70质量%以上。
关于高分子层的厚度,并不被特别限制,但是,优选的是50nm以上1μm以下,更优选的是50~300nm的范围,进而优选的是50~200nm的范围。
在本发明中,即使高分子层的厚度为纳米级,也能够得到具有充分的阻气性的阻气性层叠体。
形成高分子层的方法并不被特别限定。例如,对含有高分子化合物的至少一种、根据期望的其他的成分和溶剂等的、高分子层形成用溶液进行调制,接着,利用公知的方法涂敷该高分子层形成用溶液,对得到的涂膜进行干燥,由此,能够形成高分子层。
作为用于高分子层形成用溶液的溶剂,可举出:苯、甲苯等芳香族碳氢类溶剂;乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯类溶剂;丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮等酮类溶剂;正戊烷、正己烷 、正庚烷等脂肪族碳氢类溶剂;环戊烷、环己烷等脂环式碳氢类溶剂;等。
关于这些溶剂,能够以1种单独使用或者组合2种以上使用。
作为高分子层形成用溶液的涂敷方法,可举出:棒涂法、旋涂法、浸渍法、辊涂、凹面涂敷、刮涂、气刀刮涂、辊刀刮涂(roll knife coat)、模具涂敷(die coat)、丝网印刷法、喷涂、凹版胶印法(gravure offset method)等。
作为对形成的涂膜进行干燥的方法,能够采用热风干燥、热辊干燥、红外线照射等以往公知的干燥方法。加热温度通常为60~130℃的范围。加热时间通常为几秒至几十分。
作为高分子层的改性处理,可举出离子注入处理、等离子体处理、紫外线照射处理、热处理等。
离子注入处理为如后述那样向高分子层注入离子来对高分子层进行改性的方法。
等离子体处理为将高分子层暴露在等离子体中来对高分子层进行改性的方法。例如,能够按照日本特开2012-106421号公报所记载的方法来进行等离子体处理。
紫外线照射处理为对高分子层照射紫外线来对高分子层进行改性的方法。例如,能够按照日本特开2013-226757号公报所记载的方法来进行紫外线改性处理。
在它们之中,由于能够在不破坏高分子层的表面的情况下高效率地改性到其内部来形成阻气性更优越的阻气层,所以,优选离子注入处理。
作为向高分子层注入的离子,可举出:氩、氦、氖、氪、氙等稀有气体的离子;碳氟(fluorocarbon)、氢、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等离子;甲烷、乙烷等烷烃(alkane)类气体类的离子;乙烯、丙烯等烯烃(alkenes)类气体类的离子;戊二烯、丁二烯等二烯烃(alkadienes)类气体类的离子;乙炔等炔烃(alkyne)类气体类的离子;苯、甲苯等芳香族碳氢类气体类的离子;环丙烷等环烷(cycloalkane)类气体类的离子;环戊烯等环烷类气体类的离子;金属的离子;有机硅化合物的离子;等。
关于这些离子,能够以1种单独使用或者组合2种以上使用。
在它们之中,由于能够更简便地注入离子来得到具有更优越的阻气性的阻气层,所以优选氩、氦、氖、氪、氙等稀有气体的离子。
能够配合阻气性层叠体的使用目的(需要的阻气性、透明性等)等适当决定离子的注入量。
作为注入离子的方法,可举出照射由电场加速后的离子(离子束)的方法、注入等离子体中的离子的方法等。其中,在本发明中,由于简便地得到目的的阻隔(barrier)层,所以优选后者的注入等离子体离子的方法。
例如,在包含稀有气体等等离子体生成气体的环境下使等离子体产生,向高分子层施加负的电压脉冲,由此,能够将该等离子体中的离子(阳离子)注入到高分子层的表面部来进行等离子体离子注入。
利用离子注入注入了离子的区域的厚度能够由离子的种类或施加电压、处理时间等注入条件控制,只要根据高分子层的厚度、层叠体的使用目的等决定即可,但是,通常为10~300nm。
在本发明的阻气性层叠体中,前述阻气层的保护层侧的表层部中的、相对于氧原子、碳原子和硅原子的存在量整体的(即,将氧原子、氮原子和硅原子的存在量的合计设为100%的情况下的)、氧原子的存在比例为20~70%,氮原子的存在比例为0~30%,硅原子的存在比例为25~50%,从发挥更优越的阻气性的观点出发,优选氧原子的存在比例为15~65%,氮原子的存在比例为5~25%,硅原子的存在比例为30~45%。
在此,“阻气层的保护层侧的表层部”是指阻气层的保护层侧的表面和从该表面起沿深度方向10nm的部分。此外,在阻气层为前述阻气性单元的情况下,“阻气层(2)的保护层侧的表层部”相当于“阻气层的保护层侧的表层部”。
氧原子、氮原子和硅原子的存在比例的测定通过在实施例中说明的方法进行。
作为这样的阻气层,可举出对包含了含有硅高分子化合物的层优选的是包含聚硅氮烷化合物的层实施离子注入处理、等离子体处理、紫外线照射处理、热处理等改性处理而得到的层。
进而,在本发明的阻气性层叠体中,从得到本发明的更优越的效果的观点出发,优选的是,阻气层至少由包含氧原子、氮原子和硅原子的材料构成,并且,从层的保护层侧的表面起朝向深度方向,在层中的氧原子的存在比例逐渐减少,氮原子的存在比例逐渐增加。
“从表面起朝向深度方向氧原子的存在比例逐渐减少而氮原子的存在比例逐渐增加的区域”的厚度通常为5~100nm优选的是10~50nm。
此外,在本发明的阻气性层叠体中,前述阻气层的保护层侧的表层部中的膜密度优选的是2.4~4.0g/cm3,更优选的是2.5~4.0g/cm3,特别优选的是2.6~4.0g/cm3
能够使用X射线反射率法来计算膜密度。
X射线当对基板上的薄膜以非常浅的角度入射时被全反射。当入射X射线的角度为全反射临界角以上时,X射线侵入薄膜内部而在薄膜表面或界面被分成透射波和反射波,反射波进行干扰。通过解析全反射临界角,从而能够求取膜的密度。再有,一边改变入射角度一边进行测定,根据伴随着光路差的变化的、反射波的干涉信号的解析,也能够求取薄膜的膜厚。
能够使用以下的方法测定膜密度。
通常,已知物质对X射线的折射率n和折射率n的实部部分的δ满足下述式1和式2。
[数式1]
[数式2]
在此,re表示电子的经典半径(2.818×10-15m),N0表示阿伏加德罗数(Avogadro'snumber),λ表示X射线的波长,ρ表示密度(g/cm3),Zi、Mi、xi分别表示第i个原子的原子序数、原子量和原子数比(摩尔比)。fi’表示第i个原子的原子散射因子(异常色散项)。此外,当忽视与吸收有关系的β时,全反射临界角度θc由式3提供。
[数式3]
因此,根据式2和式3的关系,密度ρ能够由下述式4求取。
[数式4]
在此,θc为能够由X射线反射率求取的值,re、N0、λ为常数,Zi、Mi、fi’分别为在结构原子中固有的值。再有,关于xi:原子数比(摩尔比),使用从XPS测定得到的结果。
通过在实施例中说明的方法测定X射线的反射率,使用式4来计算阻气层的保护层侧的表层部中的膜密度。
此外,关于阻气层(在阻气层为前述阻气性单元的情况下为前述阻气层(2)),从更容易得到本发明的效果的观点出发,优选25℃下的杨氏模量为1×1010Pa以上、1×1012Pa以下。
此外,优选的是,阻气层(在阻气层为前述阻气性单元的情况下为前述阻气层(2))的杨氏模量比后述的保护层的杨氏模量高。
通过阻气层(在阻气层为前述阻气性单元的情况下为阻气层(2))的杨氏模量比保护层的杨氏模量高,从而在贴附于具有阶梯差的设备时,即使在阶梯差部分等处应力局部地集中也能够防止阻气层的破裂。
杨氏模量能够例如由实施例所记载的方法测定。
进而,在阻气层为前述阻气性单元的情况下,优选的是,阻气层(1)的膜密度比后述的保护层的膜密度高。
通过阻气层(1)的膜密度比后述的保护层的膜密度高,从而在贴附于具有阶梯差的设备时,即使在阶梯差部分等处力局部地集中也能够防止阻气层的破裂。
〔保护层〕
本发明的阻气性层叠体除了前述阻气层之外还具有保护层。保护层的杨氏模量为5×109Pa以上、1×1012Pa以下,优选的是,8×109Pa以上、8×1010Pa以下。
通过设置具有这样的杨氏模量的保护层,从而保护性能优越,即使受到冲击,也不会在阻气层中产生破裂或破碎,即,能够得到没有由阻气层的破裂或破碎造成的阻气性的降低的可能性的、阻气性层叠体。
作为形成保护层的素材,不被特别限定,但是,例如可举出:前述的含有硅高分子化合物、前述的无机化合物、前述的金属的蒸镀膜、丙烯酸类树脂、烯烃类树脂、尿烷类树脂、硅酮类树脂、橡胶类材料、聚氯乙烯等。
在它们之中,优选含有硅高分子化合物、丙烯酸类树脂、烯烃类树脂、硅酮类树脂、橡胶类材料,更优选含有硅高分子化合物、丙烯酸类树脂、烯烃类树脂,进而优选含有硅高分子化合物。
作为含有硅高分子化合物,可举出:聚硅氮烷(polysilazane)类化合物、聚碳硅烷类化合物、聚硅烷类化合物、以及聚硅氧烷类化合物等。其中,由于能够形成即使薄也具有优越的阻气性的阻气层,所以优选聚硅氮烷类化合物。
作为丙烯酸类树脂,可举出:(甲基)丙烯酸酯均聚物、包含2种以上的(甲基)丙烯酸酯单位的共聚物、以及含有从(甲基)丙烯酸酯和其他的官能单体(functional monomer)的共聚物之中选择的至少一种的树脂。
再有,“(甲基)丙烯酸”为丙烯酸或甲基丙烯酸的意思(以下同样。)。
作为(甲基)丙烯酸酯,由于使保护层的杨氏模量为前述特定的范围内是容易的,所以优选酯部分的碳数为1~20的(甲基)丙烯酸酯,更优选酯部分的碳数为4~10的(甲基)丙烯酸酯。
作为碳数为4~10的(甲基)丙烯酸酯,可举出:(甲基)丙烯酸丁酯 、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己基酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯等。
官能单体为具有羟基、羧基、氨基、酰胺基等官能团的单体。例如,可举出:(甲基)丙烯酸羟乙酯等含有羟乙基单体、(甲基)丙烯酰胺等含有酰胺基单体、(甲基)丙烯酸等含有羧酸基单体等。
(甲基)丙烯酸酯的均聚物或共聚物(以下,存在将它们总称为“(甲基)丙烯酸酯(共)聚合物”的情况。)例如能够由溶液聚合法、乳液聚合法、悬浮聚合法等公知的聚合方法得到。
关于(甲基)丙烯酸酯(共)聚合物,也能够与交联剂混合而在至少一部分形成交联体来使用。
作为交联剂,可举出:甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯等或者它们的加合物等异氰酸盐类交联剂;乙二醇缩水甘油醚等环氧类交联剂;六〔1-(2-甲基)-吖丙啶基〕三磷酸三嗪等氮丙啶类交联剂;铝螯合等螯合类交联剂;等。
关于交联剂的使用量,相对于(甲基)丙烯酸酯(共)聚合物的固体的量100质量份而通常为0.01~10质量份,优选的是0.05~5质量份。关于交联剂,能够以1种单独使用或者组合2种以上使用。
作为烯烃类树脂,可举出:低密度聚乙烯、线性低密度聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、乙烯醋酸乙烯酯共聚物、乙烯(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯(甲基)丙烯酸酯共聚物等。
作为硅酮类树脂,可举出将二甲基硅氧烷作为主成分的树脂。
此外,作为橡胶类材料,可举出将异戊橡胶、丁苯橡胶、聚异丁烯橡胶、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯橡胶等作为主成分的材料。
此外,保护层也可以由包括这些树脂的层的、层叠体构成。
进而,作为由这样的树脂构成的保护层,也可以为利用挤出成形将热塑性树脂片材化后的层,也可以为利用规定手段将固化性树脂薄膜化、固化而片材化后的层。
作为使用的固化性树脂,例如可举出:将能量线固化性的聚氨酯丙烯酸酯等低聚物(oligomer)作为主剂并且将具有丙烯酸异冰片酯等比较体积大的基的丙烯酸酯单体作为稀释剂而从根据需要混合了光聚合引发剂后的树脂组成物的树脂。
在保护层中包含各种添加剂例如氧化防止剂、增粘剂、塑化剂、紫外线吸收剂、着色剂、带电防止剂等其他的成分。
作为保护层的形成方法,没有特别限制,例如可举出如下方法:将包含形成前述保护层的素材(黏合剂等)和根据期望的溶剂等其他的成分的、保护层形成溶剂涂敷到应该层叠的层上,对得到的涂膜进行干燥,根据需要进行加热等来形成。
此外,另外,在剥离基材上制作保护层,将得到的膜转印到应该层叠的层上来进行层叠也可。
保护层的厚度通常为10nm至10μm,优选的是30nm至1μm,更优选的是40nm~600nm。
〔基材层〕
关于构成本发明的阻气性层叠体的基材层,只要能够担持阻气层,则不被特别限定。
作为基材层的例子,可举出板状体、各种容器和各种电子设备用构件。作为板状体,例如可举出树脂膜、片材和板。作为各种容器,可举出食品用容器、饮料用容器、化妆品用容器、衣服用容器、药品容器、食品用瓶、饮料用瓶、食用油瓶、调味料瓶等瓶等。
作为各种电子设备用构件,可举出有机EL元件、液晶元件、量子点元件、电子纸元件、有机太阳能电池元件、薄膜电池、有机薄膜晶体管元件、有机传感器元件和微机电传感器(MEMS)用元件等。在本实施方式中,不论单片的板状体还是长尺状的板状体都能够用作基材层。
在本发明中,“长尺”是指意味着其形状为与宽度方向相比长尺寸方向长(优选的是10倍以上的长度)的带状。此外,在以下的说明中,存在省略“长尺的”的情况。
在它们之中,作为基材层而优选树脂膜。树脂膜的长度(长尺寸方向的长度)不被特别限定,但是,通常为400~2000m。
树脂膜的宽度(宽度方向的长度)不被特别限定,但是,通常为450~1300mm,优选的是530~1280mm。
树脂膜的厚度不被特别限定,但是,通常为1~100μm,优选的是5~70μm,更优选的是10~60μm。
作为树脂膜的树脂成分,可举出:聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烃、聚酯、聚碳酸酯、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、丙烯酸类树脂、环烯烃类聚合物、芳香族类聚合物等。
关于这些树脂成分,能够以一种单独使用或者组合二种以上使用。
在它们之中,由于透明性优越且存在通用性,所以更优选聚酯、聚酰胺、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚或环烯烃类聚合物,进而优选聚酯或环烯烃类聚合物。
作为聚酯,可举出:聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚芳酯等。
作为环烯烃类聚合物,可举出:降冰片烯类聚合物、单环的环状烯烃类聚合物、环状共轭二烯烃类聚合物、乙烯基脂环式碳氢聚合物以及它们的氢化物。
在不妨碍本发明的效果的范围内,树脂膜也可以含有各种添加剂。作为添加剂,可举出:紫外线吸收剂、带电防止剂、稳定剂、氧化防止剂、塑化剂、润滑剂、填充剂、着色颜料等。只要配合目的适当决定这些添加剂的含有量即可。
树脂膜能够通过调制包含规定的成分的树脂组成物并且将其成形为薄膜状来得到。成形方法并不被特别限定,能够利用浇铸法或熔融挤出法等公知的方法。
本发明的阻气性层叠体为将前述基材、阻气层、保护层按照此顺序直接或经由其他的层层叠后的层叠体。
作为其他的层,可举出无机化合物层、导电体层、底漆层(primer layer)等。
〔底漆层〕
本发明的阻气性层叠体也可以具有底漆层。
底漆层通常被设置在基材层与阻气层之间。通过设置底漆层,从而将基材层表面的凹凸减少化,提高阻气性层叠体的层间紧贴性。此外,通过形成底漆层,从而能够高效率地调节阻气层的表面粗糙度。
作为底漆层,例如可举出由活性能量线固化型树脂组成物的固化物构成的层。
活性能量线(active energy line)固化型树脂组成物为含有聚合性化合物并且能够利用活性能量线的照射固化的组成物。
作为聚合性化合物,可举出聚合性预聚物或聚合性单体。
作为聚合性预聚物,可举出:利用在两个末端具有羟基的聚酯低聚物与(甲基)丙烯酸的反应得到的聚酯丙烯酸酯类预聚物、利用低分子量的双酚型环氧树脂或酚醛(novolak)型环氧树脂与(甲基)丙烯酸的反应得到的环氧丙烯酸酯类预聚物、利用聚氨酯低聚物与(甲基)丙烯酸的反应得到的聚氨酯丙烯酸酯类预聚物、利用聚醚多元醇与(甲基)丙烯酸的反应得到的多元醇丙烯酸酯类预聚物等。
作为聚合性单体,可举出:1, 4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1, 6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、羟丙基酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二环戊基二(甲基)丙烯酸酯、己内酯变性二环戊烯甲基(caprolactonemodified dicyclopentenyl)二(甲基)丙烯酸酯、环氧乙烷变性磷酸二(甲基)丙烯酸酯、烷基化环己基二(甲基)丙烯酸酯、异氰脲酸酯二(甲基)丙烯酸酯等2官能(甲基)丙烯酸酯;三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙酸变性双季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烷变性三甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三(丙烯氧乙基)异氰尿酸酯等3官能(甲基)丙烯酸酯;丙酸变性双季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、双季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己内酯变性双季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等4官能以上的(甲基)丙烯酸酯;乙二醇二乙烯醚、季戊四醇二乙烯基醚、1, 6-己二醇二乙烯醚、三羟甲基丙烷二乙烯基醚、氧化乙烯变性对苯二酚二乙烯基醚、氧化乙烯变性双酚A二乙烯醚、季戊四醇醚、双季戊四醇六醚、双丙烷聚乙烯醚等乙烯化合物;等,但是,未必被限定于它们。
关于这些聚合性化合物,能够以一种单独使用或者组合二种以上使用。
在此,成为(甲基)丙烯酰基的表述为包含丙烯酰基和甲基丙烯酰基双方的意思。
此外,在前述活性能量线固化性树脂组成物中,包含其自身不具有反应固化性那样的高分子树脂成分例如丙烯酸树脂也可。能够利用高分子树脂成分的添加来调整该组成物的粘度。
作为活性能量线,可举出紫外线、电子束、α射线、β射线、γ射线等。在它们之中,由于能够使用比较简便的装置来产生,所以,作为活性能量线,优选紫外线。
关于这些聚合性化合物,能够以一种单独使用或者组合二种以上使用。
在作为活性能量线而使用紫外线的情况下,活性能量线固化型树脂组成物(即,紫外线固化型树脂组成物)优选含有光聚合引发剂。
关于光聚合引发剂,只要利用紫外线的照射而使聚合反应开始,则不被特别限定,作为光聚合引发剂,可举出:安息香(benzoin)、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香异丙醚、安息香正丁醚、安息香异丁醚等安息香类聚合引发剂;苯乙酮、4’-二甲氨基苯乙酮、2, 2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2, 2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮(one)、1-羟基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉基-丙烷-1-酮、2-羟基-1-{4-[4-(2-羟基-2-甲基-丙酰)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮等苯乙酮类聚合引发剂;苯甲酮、4-苯基苯甲酮、4, 4’-二乙氨基苯甲酮、4, 4’-二氯苯甲酮等苯甲酮类聚合引发剂;2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、2-氨基蒽醌等蒽醌类聚合引发剂;2-甲基噻吨酮、2-乙基噻吨酮、2-氯噻吨酮、2, 4-二甲基噻吨酮、2, 4-二乙基噻吨酮等噻吨酮类聚合引发剂;等。
光聚合引发剂的含有量不被特别限定,但是,通常相对于前述聚合性化合物而为0.2~30质量%,优选的是0.5~20质量%。
活性能量线固化型树脂组成物也可以含有有机微粒子、无机微粒子等微粒子。通过使用含有微粒子的活性能量线固化型树脂组成物,从而能够使底漆层的表面适度地变粗,其结果是,容易形成表面适度地粗的阻气层。
作为有机微粒子,可举出微粒子,所述微粒子包括:聚苯乙烯类树脂、苯乙烯-丙烯酸类共聚物树脂、丙烯酸类树脂、氨基类树脂、二乙烯苯类树脂、硅酮类树脂、尿烷类树脂、三聚氰胺类树脂、尿素树脂、苯酚类树脂、苯代三聚氰胺类树脂、二甲苯类树脂、聚碳酸酯类树脂、聚乙烯类树脂、聚氯乙烯类树脂等。在它们之中,优选由硅酮树脂构成的硅酮微粒子。
作为无机微粒子,可举出二氧化硅粒子、金属氧化物粒子、烷基硅酸盐粒子(alkylsilicate particle)等。
作为二氧化硅粒子,可举出:硅胶、中空二氧化硅等。
作为金属氧化物粒子,可举出:氧化钛、氧化锌、氧化锆、氧化钽、氧化铟、氧化铪、氧化锡、氧化铌等粒子。
作为烷基硅酸盐粒子,可举出由式:(在式中,Ra和Rb表示碳数1~10的烷基,n表示1以上的整数。)示出的烷基硅酸盐的粒子。
在它们之中,优选二氧化硅粒子或烷基硅酸盐粒子。
关于这些微粒子,能够以1种单独使用或者组合2种以上使用。
微粒子的形状不被特别限制。例如,能够使用无定形状、正球状等各种形状的微粒子。
微粒子的平均粒径通常为1~100nm,优选的是1~20nm。微粒子的平均粒径能够由激光衍射/散射法测定。
在活性能量线固化型树脂组成物含有微粒子的情况下,微粒子的含有量在前述树脂组成物的固体的量中优选0.1~50质量%,更优选1~30质量%。
关于活性能量线固化型树脂组成物,优选含有匀染剂(leveling agent)的树脂组成物。通过使用含有匀染剂的活性能量线固化型树脂组成物,从而能够高效率地控制底漆层的表面粗糙度。
作为匀染剂,可举出硅氧烷类化合物。其中,优选聚二甲基硅氧烷和其衍生物等具有二烷基硅氧烷骨架的化合物。
在活性能量线固化型树脂组成物含有匀染剂的情况下,匀染剂的含有量在前述树脂组成物的固体的量中优选0.01~10质量%,更优选0.05~5质量%。
活性能量线固化型树脂组成物在不妨碍本发明的效果的范围内含有其他的成分也可。
作为其他的成分,可举出:带电防止剂、稳定剂、氧化防止剂、塑化剂、润滑剂、着色颜料等。只要配合目的适当决定它们的含有量即可。
形成底漆层的方法不被特别限定。例如,对含有活性能量线固化型树脂组成物和根据需要的溶剂的涂敷液进行调制,接着,在基材上利用公知的方法涂敷该涂敷液,使得到的涂膜固化,由此,能够形成由活性能量线固化型树脂组成物的固化物构成的硬涂敷层。此外,根据需要,在使涂膜固化之前实施干燥处理也可。
作为用于涂敷液的调制的溶剂,可举出:苯、甲苯等芳香族碳氢类溶剂;乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯类溶剂;丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮等酮类溶剂;正戊烷、正己烷 、正庚烷等脂肪族碳氢类溶剂;环戊烷、环己烷等脂环式碳氢类溶剂;等。
关于这些溶剂,能够以1种单独使用或者组合2种以上使用。
作为涂敷方法,可举出:棒涂法、旋涂法、浸渍法、辊涂、凹面涂敷、刮涂、气刀刮涂、辊刀刮涂、模具涂敷、丝网印刷法、喷涂、凹版胶印法等。
在使涂膜干燥的情况下,作为其干燥方法,能够采用热风干燥、热辊干燥、红外线照射等以往公知的干燥方法。干燥温度通常为60~130℃的范围。干燥时间通常为几秒至几十分。
涂膜的固化能够通过对涂膜照射活性能量线来进行。
作为活性能量线,可举出紫外线、电子束、α射线、β射线、γ射线等。在它们之中,由于能够使用比较简便的装置来产生,所以,作为活性能量线,优选电子束、紫外线,更优选紫外线。
在作为活性能量线而使用紫外线的情况下,作为紫外线源,能够使用超高压水银灯、高压水银灯、低压水银灯、碳弧、黑光灯、金属卤化物灯等光源。对于紫外线的光量,没有特别限制,但是,通常为100mJ/cm2~1, 000mJ/cm2。照射时间通常为几秒~几小时,照射温度通常为20~100℃。
底漆层的厚度通常为20μm以下,优选的是0.5~20μm,更优选的是1.0~10μm。
〔阻气性层叠体〕
作为本发明的阻气性层叠体,可举出具有下述的(A)、(B)的层构造的层叠体,但是,并不限定于它们:
(A):基材层/阻气层/保护层
(B):基材层/底漆层/阻气层/保护层。
本发明的阻气性层叠体的厚度并不被特别限定,但是,优选的是5~100μm,更优选的是10~50μm,进而优选的是20~40μm。
关于本发明的阻气性层叠体的、温度40℃、相对湿度90%下的、水蒸气透过率,优选的是0.1g/(m2·day)以下,更优选的是0.05g/(m2·day)以下,进而优选的是0.03g/(m2·day)以下。没有特别的下限制,越小越优选,但是,通常为0.001g/(m2·day)以上。
水蒸气透过率能够由实施例所记载的方法测定。
本发明的阻气性层叠体具有优越的阻气性,因此,被优选用作电子设备用构件。
对本发明的阻气性层叠体进行制造的方法并不被特别限定。
例如,在使阻气性层叠体为长尺状的阻气膜的情况下根据需要利用前述方法在长尺状的基材层用树脂膜上形成底漆层之后,利用前述方法形成阻气层,由此,能够制造本发明的阻气性层叠体。
长尺状是指相对于片材的宽度方向而具有至少5倍程度以上的长度,优选具有10倍或其以上的长度,具有例如卷绕成辊状而被保管或搬运的程度的长度。
在形成底漆层的情况下,在基材层用树脂膜上直接涂敷底漆层形成溶液也可,在工序基材上涂敷底漆层形成溶液并且在该涂膜叠加基材用树脂膜之后使涂膜固化来形成底漆层也可。
根据这样的制造方法,能够在使本发明的阻气性层叠体为长尺状的情况下高效率地进行制造。
2)电子设备用构件和电子设备
本发明的电子设备用构件的特征在于,由本发明的阻气性层叠体构成。因此,本发明的电子设备用构件即使折弯也难以在阻气层中产生破裂而具有优越的阻气性。
本发明的电子设备用构件由于无色透明性优越,所以优选为液晶显示器、EL显示器等显示器构件;等。
本发明的电子设备具备本发明的电子设备用构件。作为具体例,可举出液晶显示器、有机EL显示器、有机EL照明、无机EL显示器、无机EL照明、电子纸、太阳能电池等。
实施例
以下,举出实施例来更详细地说明本发明。但是,本发明丝毫不被以下的实施例限定。
各例子中的份和%只要没有特别预先通知则为质量基准。
〔实施例1〕
在厚度为50μm的单面底涂处理后的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜(东洋纺公司制、“コスモシャインA-4100”)的非底涂处理处涂敷全氢聚硅氮烷(AZ Electronic Materials公司制、“ZNL110A-20”),使其在120℃下加热固化2分钟,由此,形成了聚硅氮烷层。聚硅氮烷层的膜厚为200nm。
接着,使用等离子体离子注入装置,对上述的聚硅氮烷层以下述条件进行等离子体离子注入,对聚硅氮烷层的表面进行改性,得到了阻气层(阻气性单元)。
进而,在得到的阻气层上涂敷前述全氢聚硅氮烷,使其在120℃下加热固化2分钟,由此,形成了保护层。保护层的膜厚为300nm。
对得到的阻气性层叠体1进行了各种测定。在表1中示出测定结果。
使用的等离子体离子注入装置和等离子体离子注入条件如以下那样:
(等离子体离子注入装置)
RF电源:型号“RF”56000、日本电子公司制
高电压脉冲电源:“PV-3-HSHV-0835”、栗田制作所公司制
(等离子体离子注入条件)
·等离子体生成气体:Ar
·气体流量:100sccm
·占空比(Duty ratio):0.5%
·重复频率:1000Hz
·施加电压:-10kV
·RF电源:频 13.56MHz、施加功率 1000W
·腔内压:0.2Pa
·脉冲宽度:5μsec
·处理时间(离子注入时间):5分钟。
〔实施例2〕
在实施例1中除了使阻气层形成时的等离子体离子注入条件“施加电压”为-15kV以外与实施例1同样,得到了阻气性层叠体2。
〔实施例3〕
在实施例1中除了对于保护层而使用由溅射法制作的二氧化硅层300nm以外与实施例1同样,得到了阻气性层叠体3。
〔实施例4〕
在实施例1中除了作为阻气层而使用由溅射法制作的氮氧化硅层200nm以外与实施例1同样,得到了阻气性层叠体4。
〔比较例1〕
在实施例1中除了不设置保护层以外与实施例1同样,得到了阻气性层叠体1r。
〔比较例2〕
在实施例1中,除了使丙烯酸类树脂〔聚氨酯丙烯酸酯类紫外线固化型化合物(SHIKOHUT-4692、日本合成化学公司制)〕20质量份溶解到甲基异丁基酮100质量份中后将相对于溶液的固体的量100质量份添加了3质量份的光聚合引发剂(Irgacure127、BASF公司制)后的熔液涂敷到阻气层上、将其在70℃下加热干燥1分钟之后、使用UV光照射线进行UV光照射(高压水银灯、线速度、20m/分、累计光量100mJ/cm2、峰值强度1.466W、脉冲次数2次)来形成了保护层以外,与实施例1同样,得到了阻气性层叠体2r。保护层的膜厚为300nm。
〔比较例3〕
在实施例1中,除了使丙烯酸类树脂〔三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯(tricylodecanedimethanol diacrylate)(A-DCP、新中村化学公司制)〕20质量份溶解到甲基异丁基酮100质量份中后将相对于溶液的固体的量100质量份添加了3质量份的光聚合引发剂(Irgacure127、BASF公司制)后的熔液涂敷到阻气层上、将其在70℃下加热干燥1分钟之后、使用UV光照射线进行UV光照射(高压水银灯、线速度、20m/分、累计光量100mJ/cm2、峰值强度1.466W、脉冲次数2次)来形成了保护层以外,与实施例1同样,得到了阻气性层叠体3r。保护层的膜厚为300nm。
对在实施例和比较例中得到的阻气性层叠体进行了以下的测定。
(水蒸气透过率的测定)
使用mocon公司制、“AQUATRAN-1”测定了阻气性层叠体的水蒸气透过率。测定在40℃、相对湿度90%环境下进行。
(X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy)测定装置)
在下述所示的测定条件下,进行了阻气层(进行离子注入而得到的层)的表层部中的氧原子、氮原子和硅原子的存在比例的测定:
测定装置:“PHI Quantera SXM”ULVAC-PHI公司制
X射线源:AlKα
X射线光束直径:100μm
功率值:25W
电压:15kV
取出角度:45°
真空度:5.0×10-8Pa。
(膜厚的测定)
使用J. A. Woollam Japan公司制、“椭圆偏振光谱(spectroscopic ellipsometry)2000U”测定了阻气性层叠体的膜厚。使用波长为590nm的光在23℃下进行了测定。
(杨氏模量的测定)
使用微小表面硬度计(动态超微小硬度计W201S、岛津制作所公司制)测定了阻气层(1)、阻气层(2)和保护层的杨氏模量。在表1中示出结果。
(耐久性的评价方法1)
通过利用金属钙的退色来评价水分进入的方法,实施了设想有实际的电子设备的耐久性评价1。在具有阶梯差的玻璃基板上蒸镀金属钙,在阻气性层叠体的保护层上以使密封材料(橡胶类黏合剂、商品名“TN-286”、松村石油化学公司制)为膜厚20μm的方式进行制膜,以覆盖玻璃基板的阶梯差的方式进行贴合。玻璃基板为50×50mm的尺寸,在中央部具有15×15mm的大小的厚度200μm的阶梯差。在23℃50%RH的环境下静置100小时后,观察样品。将没有金属钙的退色的情况评价为“○(良好)”,将退色的情况评价为“×(不良)”。在表1中示出结果。
(耐久性的评价方法2)
与耐久性的评价方法1同样地通过利用金属钙的退色来评价水分进入的方法,实施了耐久性评价2。在阻气性层叠体的保护层上以使黏合材料(橡胶类黏合剂、商品名“TN-286”、松村石油化学公司制)为膜厚20μm的方式进行制膜并且与剥离膜(SP-PET382150、厚度38μm、LINTEC公司制)贴合,制作了黏合片材。在玻璃基板(品名:イーグルXG、尺寸:100×100mm、Corning公司制)上蒸镀金属钙,剥离胶带的剥离膜,以覆盖钙面的方式贴合、密封。在23℃50%RH的环境下静置100小时后,观察样品。将没有金属钙的退色的情况评价为“○(良好)”,将退色的情况评价为“×(不良)”。在表1中示出结果。
(膜密度的测定)
在下述所示的测定条件下测定X射线的反射率来求取全反射临界角度θc,根据其值使用前述式4来计算了阻气层的表层部中的膜密度。
测定装置和测定条件如以下那样:
测定装置:薄膜评价用样品水平型X射线衍射装置“SmartLab”、股份有限公司Rigaku制
测定条件:
X射线源;Cu-Kα1(波长:1.54059Å)
光学系统;平行光束光学系统
入射侧狭缝系统;Ge(220)2晶体、高度限制狭缝5mm、入射狭缝0.05mm
光接收侧狭缝系统;光接收狭缝 0.10mm、索勒狭缝 5°
检测器;闪烁计数器
管电压·管电流;45kV-200mA
扫描轴;2θ/θ
扫描模式;连续扫描
扫描范围;0.1-3.0deg.
扫描速度;1deg./min.
采样间隔;0.002°/step。
再有,关于原子数比(xi),使用了由X射线光电子能谱测定得到的阻气层的表层部中的氧原子、氮原子和硅原子的存在比例。
[表1]
根据第1表,已知以下的情况。
实施例1~4的阻气性层叠体1~4为保护层的弹性模量适度的层叠体,即使折弯也难以在阻气层中产生破裂,能够抑制阻气性的降低。
另一方面,关于比较例1的阻气性层叠体1r,由于未设置保护层,所以当折弯时在阻气层中有破裂,阻气性降低。
关于比较例2、3的阻气性层叠体2r、3r,由于保护层的弹性模量低,所以当折弯时在阻气层中有破裂,阻气性降低。

Claims (10)

1.一种阻气性层叠体,所述层叠体为将基材、阻气层和保护层按照此顺序直接或经由其他的层层叠后的阻气性层叠体,其特征在于,
所述阻气层的保护层侧的表层部中的、相对于氧原子、氮原子和硅原子的存在量整体的、氧原子的存在比例为20~70%,氮原子的存在比例为0~30%,硅原子的存在比例为25~50%,
所述保护层的25℃下的杨氏模量为5×109Pa以上、1×1012Pa以下。
2.根据权利要求1所述的阻气性层叠体,其中,所述阻气层的保护层侧的表层部中的膜密度为2.4~4.0g/cm3
3.根据权利要求1或2所述的阻气性层叠体,其中,所述阻气层的25℃下的杨氏模量为1×1010Pa以上、1×1012Pa以下。
4.根据权利要求1~3的任一项所述的阻气性层叠体,其特征在于,所述阻气层的杨氏模量比所述保护层的杨氏模量高。
5.根据权利要求1或2所述的阻气性层叠体,其特征在于,所述阻气层由阻气性单元构成,所述阻气性单元由在所述基材侧配置而成的阻气层(1)、以及在所述阻气层(1)的与基材侧反相侧的面侧配置而成的阻气层(2)构成。
6.根据权利要求5所述的阻气性层叠体,其中,所述阻气层(2)的25℃下的杨氏模量为1×1010Pa以上、1×1012Pa以下。
7.根据权利要求5或6所述的阻气性层叠体,其特征在于,所述阻气层(2)的杨氏模量比所述保护层的杨氏模量高。
8.根据权利要求5~7的任一项所述的阻气性层叠体,其特征在于,所述阻气层(1)的膜密度比所述保护层的膜密度高。
9.一种电子设备用构件,其中,由根据权利要求1~8的任一项所述的阻气性层叠体构成。
10.一种电子设备,其中,具备根据权利要求9所述的电子设备用构件。
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