[go: up one dir, main page]

CN108712154B - 一种宽带f类功率放大器及设计方法 - Google Patents

一种宽带f类功率放大器及设计方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108712154B
CN108712154B CN201810494881.5A CN201810494881A CN108712154B CN 108712154 B CN108712154 B CN 108712154B CN 201810494881 A CN201810494881 A CN 201810494881A CN 108712154 B CN108712154 B CN 108712154B
Authority
CN
China
Prior art keywords
microstrip line
harmonic
output
input
power amplifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810494881.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108712154A (zh
Inventor
程知群
冯瀚
徐雷
田健廷
张振东
李晨
熊国萍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qingdao Chuangyunhui Technology Industry Co.,Ltd.
Original Assignee
Hangzhou Dianzi University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hangzhou Dianzi University filed Critical Hangzhou Dianzi University
Priority to CN201810494881.5A priority Critical patent/CN108712154B/zh
Publication of CN108712154A publication Critical patent/CN108712154A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108712154B publication Critical patent/CN108712154B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217—Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/20—Design optimisation, verification or simulation
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30—Circuit design
    • G06F30/36—Circuit design at the analogue level
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种宽带F类功率放大器及设计方法。由于传统的F类功率放大器是利用微带线进行谐波控制，而微带线的高Q值特性往往极大的限制了功率放大器的工作带宽。本发明一种宽带F类功率放大器包括带通输入匹配电路、栅极偏置电路、晶体管、漏极偏置电路、π型谐波控制网络和低通输出匹配电路。晶体管的输入端接栅极偏置电路的电压输出端，输出端接漏极偏置电路的电压输出端。带通输入匹配电路包括第一输入微带线、第二输入微带线、第三输入微带线和第四输入微带线。π型谐波控制网络包括第一谐波微带线、第二谐波微带线、第三谐波微带线和第四谐波微带线。本发明使得F类功率放大器在保持高效率的同时，带宽增大。

Description

一种宽带F类功率放大器及设计方法
技术领域
本发明属于功率放大器技术领域，具体涉及一种宽带F类功率放大器及设计方法。
背景技术
半个多世纪以来，射频微波技术得到了迅猛的发展，在手机、卫星通信、WLAN等通信领域被广泛应用。射频功放模块是无线通信系统中的重要组成部分，为了满足信号的远距离传输并且保障信号可靠接收，在无线收发系统中必须使用功放模块来进行信号的放大。因此，功率放大器模块的性能直接决定了整个收发机系统的工作情况。毫无疑问，功放模块是射频前端的核心部分。
伴随着通信技术的不断发展，人们对于通信技术的要求越来越高，而功率放大器作为通信收发系统中重要组成部分也越来越受到人们重视。因此，宽带高效率射频功率放大器是如今人们研究射频功率放大器的重中之重。而F类功率放大器具备了高效率的特点，使其能够有效地被利用于基站建设。F类功率放大器是一种特殊的开关型功率放大器，它充分利用对各次谐波的控制，使其效率能够达到理论值100％。同时，F类功率放大器使用无源负载网络来控制各次谐波，从而来控制输出的电压波形和电流波形，这使得F类功率放大器对于晶体管的要求比较低。但现有技术中F类功率放大器存在以下问题：由于传统的F类功率放大器是利用微带线进行谐波控制，而微带线的高Q值特性往往极大的限制了功率放大器的工作带宽。在之前设计的电路中，已经在一定程度上解决了F类功率放大器的带宽和谐波控制之间的问题。但单一的微带调谐线，存在一个问题：在设计带宽内，在靠近最高频率点和最低频率点时，效率存在一个明显下降的问题，从而导致带内平坦度偏低的问题。因此，就如何解决带内高频率和低频率偏低的问题变成一个难点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种宽带F类功率放大器及设计方法。
本发明一种宽带F类功率放大器，包括带通输入匹配电路、栅极偏置电路、晶体管、漏极偏置电路、π型谐波控制网络和低通输出匹配电路。所述晶体管的输入端接栅极偏置电路的电压输出端，输出端接漏极偏置电路的电压输出端。
所述的带通输入匹配电路包括第一输入微带线、第二输入微带线、第三输入微带线和第四输入微带线。第二输入微带线的一端接第一输入微带线的一端，另一端接第三输入微带线、第四输入微带线的一端及接晶体管的输入端。第一输入微带线、第二输入微带线及第四输入微带线的另一端均悬空。
第一输入微带线的特征阻抗值Z1＝ω0·L1；第二输入微带线的特征阻抗值
Figure BDA0001668726810000021
第三输入微带线的特征阻抗值Z3＝ω0·L2；第四输入微带线的特征阻抗值
Figure BDA0001668726810000022
其中，
Figure BDA0001668726810000023
g1、g2的取值在0.5dB等波纹契比雪夫归一化低通滤波电路参数表中查取。g1为0.5dB等波纹契比雪夫归一化低通滤波电路参数表第一行的第二个参数；g2为0.5dB等波纹契比雪夫归一化低通滤波电路参数表第一行的第三个参数。
FBW＝(ω2-ω1)/ω0；
Figure BDA0001668726810000024
ω1＝2πf1；ω2＝2πf2；f1为设计带宽的下极限值；f2为设计带宽的上极限值；R0＝(VDS-VGS)/I；VDS为漏极偏置电路输出的电压值；VGS为栅极偏置电路输出的电压值；I为晶体管的电流值。
所述的π型谐波控制网络包括第一谐波微带线、第二谐波微带线、第三谐波微带线和第四谐波微带线。第二谐波微带线的一端接第一谐波微带线的一端，另一端接第三谐波微带线的一端。第三谐波微带线的另一端接第四谐波微带线的一端。第一谐波微带线及第四谐波微带线的另一端均悬空。第二谐波微带线靠近第一谐波微带线的那端接晶体管的输出端。
所述的低通输出匹配模块包括第1输出微带线、第2输出微带线、……、第n输出微带线Tn。n为三的倍数，且小于36。第1输出微带线的一端接π型谐波控制网络内第三谐波微带线靠近第四谐波微带线的那端，另一端接第2输出微带线及第3输出微带线的一端。第2输出微带线及第3输出微带线的另一端均悬空。
第3i+1输出微带线靠近π型谐波控制网络的那端接第3i-2输出微带线远离π型谐波控制网络的那端。第3i+1输出微带线远离π型谐波控制网络的那端接第3i+2输出微带线及第3i+3输出微带线的一端。第3i+2输出微带线及第3i+3输出微带线的另一端均悬空，i＝1,2,…,n/3-1。
在i＝1,2,…,n/3的情况下，第3i-2输出微带线的特征阻抗值
Figure BDA0001668726810000031
第3i-1输出微带线Z3i-1′＝第3i输出微带线的特征阻抗值Z3i′＝ω0′·Li′。
其中，
Figure BDA0001668726810000032
Figure BDA0001668726810000033
为设计带宽的中心频率；Ci′的取值与Li′的取值在0.5dB等波纹契比雪夫归一化低通滤波电路参数表中查取。查取方法为：在0.5dB等波纹契比雪夫归一化低通滤波电路参数表中找到目标行，即
Figure BDA0001668726810000034
阶对应的那行。目标行的第2i-1个参数为Ci′的取值，第2i个参数为Li′的取值。
进一步地，所述第一输入微带线、第二输入微带线、第三输入微带线和第四输入微带线的电长度均为λ/8。
进一步地，所述第一谐波微带线的电长度为λ/8，第四谐波微带线的电长度为λ/12。
进一步地，所述第1输出微带线、第2输出微带线、……、第n输出微带线Tn的电长度均为λ/8。
该宽带F类功率放大器的设计方法具体如下：
步骤一：在ADS软件中设计栅极偏置电路及漏极偏置电路，得到一个偏置在B类或者AB类功率放大器。
步骤二、在ADS软件中设计带通输入匹配电路和低通输出匹配电路。
步骤三：在ADS软件中设计π型谐波控制网络。
步骤四：在ADS软件中将调试好的带通输入匹配电路、低通输出匹配电路、栅极偏置电路、漏极偏置电路、π型谐波控制网络和晶体管组合起来构成宽带F类功率放大器。得到原理图。进入步骤五。
步骤五：在ADS软件中将步骤四所得原理图导出形成版图。再进行版图、原理图联合仿真。若版图、原理图联合仿真所得F类功率放大器的效率值在设计带宽内均大于70％，则直接进入步骤六。若版图、原理图联合仿真所得的F类功率放大器的效率值在设计带宽内出现小于或等于70％的情况，则调整F类功率放大器π型谐波控制网络中第二谐波微带线和第三谐波微带线的电长度，并重复步骤四。
步骤六：根据步骤五所得的版图加工出F类功率放大器。
本发明具有的有益效果是：
1、本发明的技术方案通过改进现有设计的F类功率放大器的输入匹配网络、输出匹配网络和谐波控制网络，输入匹配网络使用带通滤波匹配方法，输出匹配网络使用低通滤波匹配方法，谐波控制网络使用π型网络，使得F类功率放大器在保持高效率的同时，带宽增大。
2、本发明在达到1GHz(2GHz～3GHz范围内)的带宽内效率均达到70％以上，明显优于现有F类功率放大器的仅在0.2GHz(2.4GHz～2.6GHz范围内)的带宽内效率达到70％以上。
3、本发明在带宽内的效率都超过了70％，高于基站所用的功率放大器效率(现有技术中基站功率放大器在带宽内的效率一般在50％左右)。为今后的基站功放建设提供了一种新的方法。
附图说明
图1为本发明的工作原理图；
图2为本发明中低通输出匹配电路的工作原理图；
图3为对本发明进行ADS阻抗值仿真得到的史密斯圆图；
图4为在ADS软件中对本发明、基站功率放大器、现有F类功率放大器分别进行效率模拟仿真所得的效率折线图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明作进一步说明。
如图1所示，一种宽带F类功率放大器，包括带通输入匹配电路1、栅极偏置电路2、晶体管3、漏极偏置电路4、π型谐波控制网络5和低通输出匹配电路6。晶体管3的输入端(栅极)接栅极偏置电路2的电压输出端，输出端(漏极)接漏极偏置电路的电压输出端。
带通输入匹配电路1包括电长度均为λ/8的第一输入微带线TL5、第二输入微带线TL6、第三输入微带线TL7和第四输入微带线TL8。第二输入微带线TL6的一端接第一输入微带线TL5的一端，另一端接第三输入微带线TL7及第四输入微带线TL8的一端。第一输入微带线TL5、第二输入微带线TL6及第四输入微带线TL8的另一端均悬空。第二输入微带线TL6靠近第一输入微带线TL5的那端为带通输入匹配电路1的输入端，靠近第三输入微带线TL7、第四输入微带线TL8的那端为带通输入匹配电路1的输出端，接晶体管3的输入端(栅极)。
第一输入微带线TL5的特征阻抗值Z1＝ω0·L1；第二输入微带线TL6的特征阻抗值
Figure BDA0001668726810000051
第三输入微带线TL7的特征阻抗值Z3＝ω0·L2；第四输入微带线TL8的特征阻抗值
Figure BDA0001668726810000052
其中，
Figure BDA0001668726810000053
g1、g2的取值在0.5dB等波纹契比雪夫归一化低通滤波电路参数表(科学出版社2010年出版的《射频通信电路设计》第152页)查取。g1为0.5dB等波纹契比雪夫归一化低通滤波电路参数表第一行的第二个参数，其值为0.6986；g2为0.5dB等波纹契比雪夫归一化低通滤波电路参数表第一行的第三个参数，其值为1。
FBW＝(ω2-ω1)/ω0；
Figure BDA0001668726810000054
ω1＝2πf1；ω2＝2πf2；f1为设计带宽(应用场景中所需要的频率范围)的下极限值，取值为2GHz；f2为设计带宽的上极限值，取值为3GHz；R0＝(VDS-VGS)/I；VDS为漏极偏置电路输出的电压值；VGS为栅极偏置电路输出的电压值；I为晶体管在仅与漏极偏置电路、栅极偏置电路连接状态下，流经晶体管的电流值。
π型谐波控制网络5包括第一谐波微带线TL1、第二谐波微带线TL2、第三谐波微带线TL3和第四谐波微带线TL4。第二谐波微带线TL2的一端接第一谐波微带线TL1的一端，另一端接第三谐波微带线TL3的一端。第三谐波微带线TL3的另一端接第四谐波微带线TL4的一端。第一谐波微带线TL1及第四谐波微带线TL4的另一端均悬空。第二谐波微带线TL2靠近第一谐波微带线TL1的那端为π型谐波控制网络5的输入端，接晶体管的输出端(漏极)。第三谐波微带线TL3靠近第四谐波微带线TL4的那端为π型谐波控制网络5的输出端。第一谐波微带线TL1的电长度为λ/8，第四谐波微带线TL4的电长度为λ/12。
低通输出匹配模块6包括电长度均为λ/8的第1输出微带线T1、第2输出微带线T2、……、第n输出微带线Tn，n＝9。第1输出微带线T1的一端接π型谐波控制网络5的输出端，另一端接第2输出微带线T2及第3输出微带线T3的一端。第2输出微带线T2及第3输出微带线T3的另一端均悬空
第3i+1输出微带线T3i+1靠近π型谐波控制网络5的那端接第3i-2输出微带线T3i-2远离π型谐波控制网络5的那端。第3i+1输出微带线T3i+1远离π型谐波控制网络5的那端接第3i+2输出微带线T3i+2及第3i+3输出微带线T3i+3的一端。第3i+2输出微带线T3i+2及第3i+3输出微带线T3i+3的另一端均悬空，i＝1,2,…,n/3-1。第n-2输出微带线Tn-2作为本发明的输出端。
在i＝1,2,…,n/3的情况下，第3i-2输出微带线的特征阻抗值
Figure BDA0001668726810000061
第3i-1输出微带线Z3i-1′＝第3i输出微带线的特征阻抗值Z3i′＝ω0′·Li′。
其中，
Figure BDA0001668726810000062
Figure BDA0001668726810000063
为需要使用该F类功率放大器放大的信号的中心频率，取值为2.5GHz；Ci′的取值与Li′的取值在0.5dB等波纹契比雪夫归一化低通滤波电路参数表(科学出版社2010年出版的《射频通信电路设计》第152页)查取。查取方法为：在0.5dB等波纹契比雪夫归一化低通滤波电路参数表中找到目标行。目标行为
Figure BDA0001668726810000064
阶对应的那行(第
Figure BDA0001668726810000065
行)。目标行的第2i-1个参数为Ci′的取值，第2i个参数为Li′的取值。即C1′＝1.7038，C2′＝2.5048，C3′＝1.7038，L1′＝1.2296，L2′＝1.2296，L3′＝1。
低通输出匹配电路6和带通输入匹配电路1能够对信号进行滤波，使得功率放大器的输入反射系数(S11)减小，正向传输系数(S21)增大，进而使得F类功率放大器的带宽增大，效率提高。对本发明进行ADS阻抗值仿真，得到史密斯圆图如图3所示；从图3中的二次谐波、三次谐波阻抗值曲线可以看出，二次谐波阻抗值曲线和三次谐波阻抗值曲线均被匹配到史密斯圆图的边缘。这说明二次谐波和三次谐波在设计带宽内得到了有效地控制。可见，π型谐波控制网络5有效地拓展了带宽。
在输入信号为2～3GHz的连续波、输入功率为28dBm的条件下，用ADS软件对本发明、基站功率放大器、现有F类功率放大器分别进行效率模拟仿真。仿真结果如图4所示，可以看出，基站功率放大器的下落只能达到50％左右。现有F类功率放大器设计带宽只有200MHz，效率仅在2.4-2.6GHz的频段内才能达到70％以上，无法满足现代基站对于功率放大器指标的需求。采用本发明的F类功率放大器的效率在2-3GHz的频段内均能达到70％以上，可见本发明能够的保证功率放大器高效率的同时大大提高视频带宽。
该宽带F类功率放大器的设计方法具体如下：
步骤一：在ADS软件中设计栅极偏置电路及漏极偏置电路，得到一个偏置在B类或者AB类功率放大器。
步骤二、在ADS软件中设计带通输入匹配电路和低通输出匹配电路。
步骤三：在ADS软件中设计π型谐波控制网络。
步骤四：在ADS软件中将调试好的带通输入匹配电路、低通输出匹配电路、栅极偏置电路、漏极偏置电路、π型谐波控制网络和晶体管组合起来构成宽带F类功率放大器。得到原理图。进入步骤五。
步骤五：在ADS软件中将步骤四所得原理图导出形成版图。再进行版图、原理图联合仿真。若版图、原理图联合仿真所得F类功率放大器的效率值在设计带宽内均大于70％，则直接进入步骤六。若版图、原理图联合仿真所得的F类功率放大器的效率值在设计带宽内出现小于或等于70％的情况，则调整F类功率放大器π型谐波控制网络中第二谐波微带线TL2和第三谐波微带线TL3的电长度，并重复步骤四。
步骤六：根据步骤五所得的版图加工出F类功率放大器。

Claims (5)

1.一种宽带F类功率放大器，包括栅极偏置电路、晶体管和漏极偏置电路；其特征在于：还包括带通输入匹配电路、π型谐波控制网络和低通输出匹配电路；所述晶体管的输入端接栅极偏置电路的电压输出端，输出端接漏极偏置电路的电压输出端；
所述的带通输入匹配电路包括第一输入微带线、第二输入微带线、第三输入微带线和第四输入微带线；第二输入微带线的一端接第一输入微带线的一端，另一端接第三输入微带线、第四输入微带线的一端及接晶体管的输入端；第一输入微带线、第二输入微带线及第四输入微带线的另一端均悬空；
第一输入微带线的特征阻抗值Z1＝ω0·L1；第二输入微带线的特征阻抗值
Figure FDA0003244116000000011
第三输入微带线的特征阻抗值Z3＝ω0·L2；第四输入微带线的特征阻抗值
Figure FDA0003244116000000012
其中，
Figure FDA0003244116000000013
g1、g2的取值在0.5dB等波纹契比雪夫归一化低通滤波电路参数表中查取；g1为0.5dB等波纹契比雪夫归一化低通滤波电路参数表第一行的第二个参数；g2为0.5dB等波纹契比雪夫归一化低通滤波电路参数表第一行的第三个参数；
FBW＝(ω2-ω1)/ω0；
Figure FDA0003244116000000014
ω1＝2πf1；ω2＝2πf2；f1为设计带宽的下极限值；f2为设计带宽的上极限值；R0＝(VDS-VGS)/I；VDS为漏极偏置电路输出的电压值；VGS为栅极偏置电路输出的电压值；I为晶体管的电流值；
所述的π型谐波控制网络包括第一谐波微带线、第二谐波微带线、第三谐波微带线和第四谐波微带线；第二谐波微带线的一端接第一谐波微带线的一端，另一端接第三谐波微带线的一端；第三谐波微带线的另一端接第四谐波微带线的一端；第一谐波微带线及第四谐波微带线的另一端均悬空；第二谐波微带线靠近第一谐波微带线的那端接晶体管的输出端；
低通输出匹配模块包括第1输出微带线、第2输出微带线、……、第n输出微带线；n为三的倍数，且小于36；第1输出微带线的一端接π型谐波控制网络内第三谐波微带线靠近第四谐波微带线的那端，另一端接第2输出微带线及第3输出微带线的一端；第2输出微带线及第3输出微带线的另一端均悬空；
第3j+1输出微带线靠近π型谐波控制网络的那端接第3j-2输出微带线远离π型谐波控制网络的那端；第3j+1输出微带线远离π型谐波控制网络的那端接第3j+2输出微带线及第3j+3输出微带线的一端；第3j+2输出微带线及第3j+3输出微带线的另一端均悬空，j＝1,2,…,n/3-1；
在i＝1,2,…,n/3的情况下，第3i-2输出微带线的特征阻抗值
Figure FDA0003244116000000021
第3i-1输出微带线的特征阻抗值Z3i-1′＝第3i输出微带线的特征阻抗值Z3i′＝ω0′·Li′；
其中，
Figure FDA0003244116000000022
Figure FDA0003244116000000023
为设计带宽的中心频率；Ci′的取值与Li′的取值在0.5dB等波纹契比雪夫归一化低通滤波电路参数表中查取；查取方法为：在0.5dB等波纹契比雪夫归一化低通滤波电路参数表中找到目标行，即
Figure FDA0003244116000000024
阶对应的那行；目标行的第2i-1个参数为Ci′的取值，第2i个参数为Li′的取值。
2.根据权利要求1所述的一种宽带F类功率放大器，其特征在于：所述第一输入微带线、第二输入微带线、第三输入微带线和第四输入微带线的电长度均为λ/8。
3.根据权利要求1所述的一种宽带F类功率放大器，其特征在于：所述第一谐波微带线的电长度为λ/8，第四谐波微带线的电长度为λ/12。
4.根据权利要求1所述的一种宽带F类功率放大器，其特征在于：所述第1输出微带线、第2输出微带线、……、第n输出微带线的电长度均为λ/8。
5.如权利要求1所述的一种宽带F类功率放大器的设计方法，其特征在于：步骤一：在ADS软件中设计栅极偏置电路及漏极偏置电路，得到一个偏置在B类或者AB类功率放大器；
步骤二、在ADS软件中设计带通输入匹配电路和低通输出匹配电路；
步骤三：在ADS软件中设计π型谐波控制网络；
步骤四：在ADS软件中将调试好的带通输入匹配电路、低通输出匹配电路、栅极偏置电路、漏极偏置电路、π型谐波控制网络和晶体管组合起来构成宽带F类功率放大器；得到原理图；进入步骤五；
步骤五：在ADS软件中将步骤四所得原理图导出形成版图；再进行版图、原理图联合仿真；若版图、原理图联合仿真所得F类功率放大器的效率值在设计带宽内均大于70％，则直接进入步骤六；若版图、原理图联合仿真所得的F类功率放大器的效率值在设计带宽内出现小于或等于70％的情况，则调整F类功率放大器π型谐波控制网络中第二谐波微带线和第三谐波微带线的电长度，并重复步骤四；
步骤六：根据步骤五所得的版图加工出F类功率放大器。
CN201810494881.5A 2018-05-22 2018-05-22 一种宽带f类功率放大器及设计方法 Active CN108712154B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810494881.5A CN108712154B (zh) 2018-05-22 2018-05-22 一种宽带f类功率放大器及设计方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810494881.5A CN108712154B (zh) 2018-05-22 2018-05-22 一种宽带f类功率放大器及设计方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108712154A CN108712154A (zh) 2018-10-26
CN108712154B true CN108712154B (zh) 2021-12-21

Family

ID=63868607

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810494881.5A Active CN108712154B (zh) 2018-05-22 2018-05-22 一种宽带f类功率放大器及设计方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108712154B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108988806A (zh) * 2018-10-29 2018-12-11 辽宁工程技术大学 一种宽带可重构射频功率放大器
CN109600118B (zh) * 2018-11-16 2023-01-13 天津大学 适用于f类高效功率放大器的谐波注入理论
CN109639243B (zh) * 2019-01-10 2024-06-11 杭州电子科技大学 一种基于耦合环路谐振网络的f类功率放大器
CN110048682A (zh) * 2019-04-17 2019-07-23 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 一种基于多级二次谐波控制的宽带连续型功率放大器及设计方法
CN110620558B (zh) * 2019-09-16 2023-03-28 厦门市三安集成电路有限公司 微波生成系统、方法及无线通信设备
CN113258889B (zh) * 2021-03-29 2022-09-02 电子科技大学 一种宽带功率放大器
CN117997289A (zh) * 2024-04-07 2024-05-07 河南师范大学 具有高效率及谐波抑制的无线电功率放大器及设计方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1192711A1 (en) * 1999-07-09 2002-04-03 Nokia Corporation Biasing circuit for v gs? drift and thermal compensation of a power device
CN106208972A (zh) * 2016-08-22 2016-12-07 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 一种高效率高宽带的谐波功率放大电路及射频功率放大器
CN106982031A (zh) * 2017-04-24 2017-07-25 华南理工大学 一种基于介质谐振器的滤波f类功率放大器
CN107483025A (zh) * 2017-07-12 2017-12-15 杭州电子科技大学 一种基于新型谐波控制网络的f类功率放大器
CN107547057A (zh) * 2017-07-21 2018-01-05 深圳市景程信息科技有限公司 基于双线结构的逆f类功率放大器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1192711A1 (en) * 1999-07-09 2002-04-03 Nokia Corporation Biasing circuit for v gs? drift and thermal compensation of a power device
CN106208972A (zh) * 2016-08-22 2016-12-07 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 一种高效率高宽带的谐波功率放大电路及射频功率放大器
CN106982031A (zh) * 2017-04-24 2017-07-25 华南理工大学 一种基于介质谐振器的滤波f类功率放大器
CN107483025A (zh) * 2017-07-12 2017-12-15 杭州电子科技大学 一种基于新型谐波控制网络的f类功率放大器
CN107547057A (zh) * 2017-07-21 2018-01-05 深圳市景程信息科技有限公司 基于双线结构的逆f类功率放大器

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Analysis and Experiments for High-Efficiency Class-F and Inverse Class-F Power Amplifiers";Young Yun Woo等;《IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES》;20060531;第54卷(第5期);1969-1974 *
"宽带F类功率放大器的设计";程知群等;《微波学报》;20170831;第33卷(第4期);55-58 *
"高效率F类功率放大器设计";王程等;《现代电子技术》;20140501;第37卷(第9期);77-79,82 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN108712154A (zh) 2018-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108712154B (zh) 一种宽带f类功率放大器及设计方法
CN110708701B (zh) 一种宽带射频功放设计方法及5g低频段射频功放
CN106411268B (zh) 一种考虑密勒效应的分布式二堆叠结构的功率放大器
CN104617896B (zh) 一种宽带高效率的连续逆f类功率放大器及其设计方法
CN210120538U (zh) 一种Ka波段高性能低噪声放大器
CN109639243B (zh) 一种基于耦合环路谐振网络的f类功率放大器
CN112838833B (zh) 基于发夹式微带带通滤波器的f类功率放大器及设计方法
CN110324014B (zh) 一种基于谐波控制网络的超宽带高效率功率放大器
CN112332787B (zh) 一种基于端接耦合线结构的宽带高效率功率放大器及其设计方法
CN107483025A (zh) 一种基于新型谐波控制网络的f类功率放大器
CN105375886B (zh) 基于传输线耦合效应电压反馈中性化的毫米波频段放大器
CN113098403A (zh) 基于GaAs pHEMT工艺的超宽带低电流驱动放大器
CN107634729A (zh) 一种多倍频程超宽带放大器电路
CN114884472B (zh) 基于谐波调控的j类分布式功率放大器及其优化方法
CN205945658U (zh) 一种高效宽带有序的谐波匹配结构
CN113395043B (zh) 一种基于精确谐波控制的高效率双频功率放大器及其设计方法
CN111934632B (zh) 一种超宽带高功率放大器
CN113114132A (zh) 一种适用于5g基站的功率放大器及通信设备
CN111262535A (zh) 宽带混合结构j类功率放大器及设计方法
CN214315212U (zh) 基于发夹式微带带通滤波器的f类功率放大器
CN210123970U (zh) 一种高性能的平衡式宽带低噪声放大器
WO2023197673A1 (zh) 一种doherty功率放大器、电路板组件和电子设备
CN213585715U (zh) 一种并发双波段功率放大器
CN209692710U (zh) 一种基于多级二次谐波控制的宽带连续型功率放大器
CN204290894U (zh) 一种高效率双频带f类功率放大器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20181026

Assignee: Zhejiang fushiyun Intelligent Technology Co.,Ltd.

Assignor: HANGZHOU DIANZI University

Contract record no.: X2022330000718

Denomination of invention: A Broadband Class F Power Amplifier and Its Design Method

Granted publication date: 20211221

License type: Common License

Record date: 20221204

EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20240327

Address after: 073000 West 200m northbound at the intersection of Dingzhou commercial street and Xingding Road, Baoding City, Hebei Province (No. 1910, 19th floor, building 3, jueshishan community)

Patentee after: Hebei Kaitong Information Technology Service Co.,Ltd.

Country or region after: China

Address before: 310018 No. 2 street, Xiasha Higher Education Zone, Hangzhou, Zhejiang

Patentee before: HANGZHOU DIANZI University

Country or region before: China

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20240402

Address after: Room 2501, Block C, Qingkong Innovation Base, No. 529, Nanzhonghuan Street, Taiyuan Xuefu Park, Taiyuan Comprehensive Reform Demonstration Zone, Taiyuan City, Shanxi Province, 030000

Patentee after: Bohao Technology Co.,Ltd.

Country or region after: China

Address before: 073000 West 200m northbound at the intersection of Dingzhou commercial street and Xingding Road, Baoding City, Hebei Province (No. 1910, 19th floor, building 3, jueshishan community)

Patentee before: Hebei Kaitong Information Technology Service Co.,Ltd.

Country or region before: China

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20250418

Address after: Room 802, Building B, International Innovation Park, No.1 Keyuan Weiyi Road, Laoshan District, Qingdao City, Shandong Province, China 266000

Patentee after: Qingdao Chuangyunhui Technology Industry Co.,Ltd.

Country or region after: China

Address before: Room 2501, Block C, Qingkong Innovation Base, No. 529, Nanzhonghuan Street, Taiyuan Xuefu Park, Taiyuan Comprehensive Reform Demonstration Zone, Taiyuan City, Shanxi Province, 030000

Patentee before: Bohao Technology Co.,Ltd.

Country or region before: China

TR01 Transfer of patent right
EC01 Cancellation of recordation of patent licensing contract

Assignee: Zhejiang fushiyun Intelligent Technology Co.,Ltd.

Assignor: HANGZHOU DIANZI University

Contract record no.: X2022330000718

Date of cancellation: 20250425

EC01 Cancellation of recordation of patent licensing contract