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CN108666412A - 一种mems麦克风和气压传感器集成结构及其制作方法 - Google Patents

一种mems麦克风和气压传感器集成结构及其制作方法 Download PDF

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CN108666412A
CN108666412A CN201810549621.3A CN201810549621A CN108666412A CN 108666412 A CN108666412 A CN 108666412A CN 201810549621 A CN201810549621 A CN 201810549621A CN 108666412 A CN108666412 A CN 108666412A
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metal layer
electrode
extraction electrode
integrated circuit
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王德信
方华斌
宋青林
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Weifang Goertek Microelectronics Co Ltd
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Goertek Inc
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Priority to US17/043,349 priority patent/US11516595B2/en
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Abstract

本发明公开了一种MEMS麦克风和气压传感器集成结构，包括衬底基板；形成在所述衬底基板上的振膜、背极、上电极、下电极以及形成在所述振膜和所述背极之间和所述上电极和所述下电极之间的牺牲层；与所述振膜和所述背极分别电连接的第一集成电路；以及与所述下电极和所述上电极分别电连接的第二集成电路；其中，所述衬底基板对应于所述振膜的区域设有背腔，所述振膜与所述背极间的牺牲层镂空形成与集成结构外部连通的振动空间，所述上电极和所述下电极间的牺牲层镂空形成封闭空间，本发明还公开了一种该集成结构的制作方法，将集成电路形成在芯片上，减少连接线对麦克风性能的干扰，减少噪音引入，且减小产品尺寸，降低功耗。

Description

一种MEMS麦克风和气压传感器集成结构及其制作方法
技术领域
本发明涉及麦克风领域。更具体地，涉及一种MEMS麦克风和气压传感 器集成结构及其制作方法。
背景技术
近年来，随着科学技术的发展，手机、手表/手环等电子产品的体积在不 断减小，而且人们对这些便携电子产品的性能要求也越来越高，这就要求与之 配套的电子零部件的体积也必须随之减小。
微机电系统(Micro Electro-Mechanical Systems，MEMS)在电子产品中 得到越来越广泛地应用，目前，MEMS麦克风和MEMS气压传感器已经广泛 应用在手机、手表/手环等消费类电子产品中。随着用户对消费类终端产品的 轻薄短小的要求越来越高，传感器也朝着高性能、小尺寸、集成化和低功耗的 方向发展。目前的MEMS麦克风和MEMS气压传感器采用系统级封装，通 过连接线与外部连接，连接线路多，线路长，麦克风性能容易受到外部信号和 连接线的干扰，引入噪声，很难提升MEMS麦克风的信噪比。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种MEMS麦克风和气压传感器集成结构， 通过将MEMS麦克风和MEMS气压传感器的层结构中集成第一集成电路和 第二集成电路，减少连接线对麦克风性能的干扰，减少噪音引入，减小产品尺 寸，降低功耗。本发明的另一个目的在于提供一种MEMS麦克风和MEMS气 压传感器的制作方法。
为达到上述目的，本发明采用下述技术方案：
本发明一方面公开了一种MEMS麦克风和气压传感器集成结构，包括
衬底基板；
形成在所述衬底基板上的振膜、背极、上电极、下电极以及形成在所述振 膜和所述背极之间和所述上电极和所述下电极之间的牺牲层；
与所述振膜和所述背极分别电连接的第一集成电路；以及
与所述下电极和所述上电极分别电连接的第二集成电路；
其中，所述衬底基板对应于所述振膜的区域设有背腔，所述振膜与所述背 极间的牺牲层镂空形成与集成结构外部连通的振动空间，所述上电极和所述 下电极间的牺牲层镂空形成封闭空间。
优选地，所述第一集成电路和第二集成电路设于所述衬底基板上，
所述第一集成电路上形成有第一金属层，所述第二集成电路上形成有第 二金属层；
所述牺牲层上进一步形成有通过第一过孔与第一金属层电连接的第一引 出电极和通过第二过孔与第二金属层电连接的第二引出电极；
所述第一引出电极进一步与所述背极连接，所述第二引出电极进一步与 所述上电极连接。
优选地，
所述振膜上形成有第三金属层，所述下电极上形成有第四金属层，
所述第三金属层通过形成在所述衬底基板上的第一金属走线与所述第一 金属层连接，所述第四金属层通过形成在所述衬底基板上的第二金属走线与 所述第二金属层连接；或者
所述牺牲层上进一步形成有通过第三过孔与所述第三金属层电连接的第 三引出电极和通过第四过孔与所述第四金属层电连接的第四引出电极，所述 第三引出电极与所述第一引出电极电连接，所述第四引出电极与所述第二引 出电极电连接。
优选地于，所述第一引出电极和第二引出电极上进一步形成有钝化层；
所述第一引出电极和第二引出电极的至少部分暴露于所述钝化层外部。
优选地，所述牺牲层与所述上电极和所述背极间进一步设有绝缘层，所述 绝缘层对应所述振动空间的区域形成有用于所述振动空间与集成结构外部连 通的第三通孔。
本发明另一方面还公开了一种MEMS麦克风和气压传感器集成结构的制 作方法，包括：
在衬底基板上通过构图工艺形成振膜、下电极、第一集成电路和第二集成 电路；
形成牺牲层；
在所述牺牲层上通过构图工艺形成上电极和背极；
其中，所述第一集成电路与所述振膜和所述背极分别电连接，所述第二集 成电路与所述下电极和所述上电极分别电连接；
将所述上电极与所述下电极间的牺牲层腐蚀掉并封闭形成封闭空间；
将所述振膜与所述背极间的牺牲层腐蚀掉形成与集成结构外部连通的振 动空间；
将所述衬底基板对应所述振膜的区域腐蚀掉形成背腔。
优选地，所述方法进一步包括：
在沉积牺牲层之前，在所述第一集成电路和第二集成电路上沉积金属并 图案化形成第一金属层和第二金属层；
在沉积牺牲层之后，在牺牲层上进一步形成与所述第一金属层连接的第 一过孔和与所述第二金属层连接的第二过孔并分别金属化所述第一过孔和所 述第二过孔；
在牺牲层的上表面沉积金属并图案化形成与所述第一过孔连接的第一引 出电极和与所述第二过孔连接的第二引出电极，同时通过图案化使第一引出 电极和背极连接和使第二引出电极和上电极连接。
优选地，所述方法进一步包括：
在沉积牺牲层之前，在所述振膜上沉积金属并图案化形成第三金属层，在 所述下电极上沉积金属并图案化形成第四金属层，
在所述衬底基板上形成连接所述第三金属层和所述第一金属层的第一金 属走线以及在所述衬底基板上形成连接所述第四金属层和所述第二金属层的 第二金属走线；或者
在所述牺牲上形成与所述第三金属层电连接的第三过孔和与所述第四金 属层电连接的第四过孔并分别金属化，并进一步在所述牺牲层上表面形成与 所述第三过孔连接的第三引出电极和与所述第四过孔连接的第四引出电极。
优选地，所述方法进一步包括
在所述第一引出电极和第二引出电极上形成钝化层；
对所述钝化层进行刻蚀以使所述第一引出电极和第二引出电极的至少部 分暴露于所述钝化层外部。
优选地，所述将所述上电极与所述下电极间的牺牲层腐蚀掉并封闭形成 封闭空间具体包括
在所述上电极上刻蚀形成至少一个与所述牺牲层连通的第二通孔，刻蚀 所述牺牲层后密封所述第二通孔形成所述封闭空间。
本发明的有益效果如下：
本申请的MEMS麦克风和气压传感器集成结构将与MEMS麦克风连接 的第一集成电路和与MEMS气压传感器连接的第二集成电路集成在MEMS 麦克风和气压传感器的芯片上，实现MEMS麦克风和气压传感器产品的高度 集成，使产品尺寸变小，麦克风和气压传感器与外部电路的连接线变小且变 短，使麦克风不易受到外部信号的干扰，在提升麦克风和气压传感器性能的同 时也降低了功耗。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
图1示出本发明一种MEMS麦克风和气压传感器集成结构一个具体实施 例的俯视图；
图2示出本发明一种MEMS麦克风和气压传感器集成结构一个具体实施 例中麦克风和第一集成电路的剖面图；
图3示出本发明一种MEMS麦克风和气压传感器集成结构一个具体实施 例中气压传感器和第二集成电路的剖面图；
图4示出本发明一种MEMS麦克风和气压传感器集成结构另一个具体实 施例中麦克风和第一集成电路的剖面图；
图5示出本发明一种MEMS麦克风和气压传感器集成结构另一个具体实 施例中气压传感器和第二集成电路的剖面图；
图6-15示出图2中麦克风和第一集成电路的制作流程图；
图16-26示出图3中气压传感器和第二集成电路的制作流程图；
附图标记：
100、衬底基板，101、背腔，200、振膜，201、振膜通孔，202、下电极， 300、第一集成电路，301、第二集成电路，401、第一金属层，402、第二金属 层，403、第三金属层，404、第四金属层，405、第一金属走线，406、第二金 属走线，500、牺牲层，501、第一过孔，502、第二过孔，503、第三过孔，504、 第四过孔，505、振动空间，506、封闭空间，600、绝缘层，601、第三通孔， 700、上电极，800、背极，801、第一引出电极，802、第二引出电极，803、 第三引出电极，804、第四引出电极，805、第一通孔，900、钝化层，901、第 二通孔。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明，下面结合优选实施例和附图对本发明做进一 步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应 当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本发 明的保护范围。
图1示出本发明一种MEMS麦克风和气压传感器集成结构一个具体实施 例的俯视图。如图1所示，本发明的集成结构划分为MEMS区域和ASIC区 域，MEMS区域用于设置MEMS麦克风和MEMS气压传感器，ASIC区域用 于设置MEMS麦克风和MEMS气压传感器的集成电路。ASIC区域包括用于 分别设置第一集成电路300和第二集成电路301的第一集成电路300区域和 第二集成电路301区域。MEMS麦克风和MEMS气压传感器与第一集成电路 300和第二集成电路301可在集成结构中实现电连接。其中，MEMS麦克风、 MEMS气压传感器、第一集成电路300和第二集成电路301的设置区域也可 以采用其他形式，并不限于本实施例中的布局形式。
本发明将麦克风和气压传感器的连接电路与麦克风和气压传感器一起集 成在芯片上，在芯片中实现电连接，从而减小了连接线的长度和数量，降低了 外部信号对麦克风和气压传感器的影响，减少了噪音引入，降低了功耗，且本 发明将连接电路与麦克风和传感器集成在一块芯片上，减小了产品的尺寸，适 应产品的小型化发展。同时，麦克风、气压传感器、第一集成电路300和第二 集成电路301分区域设置，便于隔离和屏蔽，可在各集成电路使用模拟地进 行包围屏蔽，形成相互分离的第一集成电路300和第二集成电路301，从而减 少气压传感器对麦克风的电磁干扰，减少噪音引入。设置位置可以互换
图2示出本发明一种MEMS麦克风和气压传感器集成结构一个具体实施 例中麦克风和第一集成电路300的剖面图；图3示出本发明一种MEMS麦克 风和气压传感器集成结构一个具体实施例中气压传感器和第二集成电路301 的剖面图。如图2和图3所示，本实施例中，MEMS麦克风和气压传感器的 集成结构包括衬底基板100以及形成在所述衬底基板100上的麦克风和气压 传感器。集成结构上进一步还形成有与麦克风电连接的第一集成电路300以 及与气压传感器电连接的第二集成电路301，具体的，振膜200和背极800分 别与第一集成电路300电连接，下电极202和上电极700与第二集成电路301 分别电连接。
本实施例中，麦克风为电容式麦克风，包括形成在所述衬底基板100上 的振膜200、背极800以及形成在所述振膜200和所述背极800之间的牺牲 层500，通过设置牺牲层500使得振膜200和背电板之间具有一定距离。所述 衬底基板100对应于所述振膜200的区域进一步形成有背腔101，所述振膜 200与所述背极800间的牺牲层500镂空形成与集成结构外部连通的振动空 间505，振动空间505与麦克风外部连通，从而外部气流可进入振动空间505 内，使振膜200振动。振膜200和背极800间有一定距离，在通电条件下可 形成电容，振膜200和背极800分别与第一集成电路300电连接，振膜200 振动导致电容的电容值发生变化，进而使振膜200和背电板的电压发生变化， 从而形成声信号输出。
在可选地实施方式中，可在背极800上形成多个连通所述振动空间505 与集成结构外部的第一通孔805，以使外部气流可通过第一通孔805进入振动 空间505中以策动振膜200振动。进一步还可在背极800上形成钝化层900， 所述钝化层900覆盖所述背电极，为了保证振动空间505与外部的连通，可 在钝化层900上进形成多个第二通孔901，该第二通孔901可形成在背极800 的第一通孔805中。
在可选地实施方式中，为了更好地绝缘，可在所述牺牲层500与背极800 和上电极700之间形成绝缘层600，绝缘层600对应所述钝化层900的第二 通孔901的位置形成贯穿绝缘层600、连通第二通孔901和振动空间505的 第三通孔601，以实现振动空间505与麦克风外部的连通。该绝缘层600优选 地可采用二氧化硅形成。
在可选地实施方式中，所述振膜200上可形成多个贯穿振膜200的振膜 通孔201，以均衡麦克风振动空间505和背腔101的气流。
对于本领域的技术人员来说，本发明的麦克风的电容结构可以采用如本 实施例的振膜200在下、背极800在上的方式，也可以采用振摸在上、背极 800在下的方式，本发明对此并不作限制。
气压传感器包括形成在所述衬底基板100上的上电极700、下电极202以 及形成在所述上电极700和所述下电极202之间的牺牲层500，通过设置牺 牲层500使得上电极700和下电极202之间具有一定距离。其中，所述上电 极700和所述下电极202间的牺牲层500镂空形成封闭空间506。上电极700 和下电极202分别与第二集成电路301电连接，当气压传感器受到外界的压 力时，上电极700发生变形，改变了上电极700与下电极202之间的距离， 最终将变化的电信号输出。
作为优选地实施方式，本实施例中，第一集成电路300和第二集成电路301设于衬底基板100上，可在第一集成电路300上形成第一金属层401，在 第二集成电路301上形成第二金属层402，并进一步在牺牲层500和绝缘层 600中形成金属化的第一过孔501和第二过孔502，然后在牺牲层500上形成 通过第一过孔501与第一金属层401电连接的第一引出电极801和通过第二 过孔502与第二金属层402电连接的第二引出电极802，可进一步将第一引 出电极801与背极800电连接，将第二引出电极802与上电极700连接，从 而实现背极800与第一集成电路300的电连接以及上电极700与第二集成电 路301的电连接。其中，所述第二引出电极802和所述上电极700直接接触 连接，所述第一引出电极801与背极800的电连接可通过形成在绝缘层600 上的金属走线电连接，该金属走线在剖面图中未示出。
进一步地，本实施例中，可在振膜200上形成第三金属层403，在下电极 202上形成第四金属层404，在牺牲层500中进一步形成金属化的第三过孔 503和第四过孔504。然后在牺牲层500和绝缘层600上形成通过第三过孔 503与第三金属层403电连接的第三引出电极803和通过第四过孔504与第 四金属层404电连接的第四引出电极804，可进一步将第三引出电极803与 第一引出电极801电连接，将第四引出电极804与第二引出电极802连接， 从而实现振膜200与第一集成电路300的电连接以及下电极202与第二集成 电路301的电连接。
在其他实施方式中，如图4和图5所示，也可在衬底基板100上形成电 连接第三金属层403和第一金属层401的第一金属走线405以及电连接第四 金属层404和第二金属层402的第二金属走线406，同样可实现振膜200与 第一集成电路300的电连接以及下电极202与第二集成电路301的电连接。
本实施方式中，振膜200和下电极202可同层设置，背极800、上电极 700、第一引出电极801、第二引出电极802、第三引出电极803和第四引出 电极804可同层设置，第一金属层401、第二金属层402、第三金属层403和 第四金属层404可同层设置，可通过一次构图工艺形成，从而节省工艺步骤， 降低成本，提高生产效率。
本实施例还提供了一种MEMS麦克风和气压传感器集成结构的制作方法， 该方法包括如下步骤：
S101：在衬底基板100上通过构图工艺形成振膜200和下电极202。其 中，衬底基板100可以采用单晶硅材料制成，振膜200和下电极202可以采 用多晶硅材料制成。
如图6和图16所示，在衬底基板100上沉积第一多晶硅层并图案化形成 振膜200和下电极202，振膜200和下电极202同层设置，可通过一次构图工 艺形成，节省了工艺步骤。
具体的，可通过低压力化学气相沉积法(Low Pressure Chemical VaporDeposition，LPCVD)在衬底基板100上沉积多晶硅，曝光、显影、刻蚀及剥 离制程形成振膜200和下电极202，在图案化形成振膜200的同时可在所述 振膜200上形成贯穿振膜200的通孔。刻蚀工艺可采用深反应离子刻蚀(Deep Reactive Ion Etching，DRIE)或离子束辅助自由基刻蚀(ICP)等刻蚀方法。
其中，本实施例中，沉积方法可采用如本实施例所用的化学气相沉积法， 也可以采用物理气相沉积法或激光脉冲沉积法，本发明对此并不作限定。
S102：在衬底基板100上形成第一集成电路300和第二集成电路301，如 图7和图17所示。
可在集成电路ASIC区域，通过标准CMOS工艺形成第一集成电路300 和第二集成电路301。形成第一集成电路300和第二集成电路301的CMOS 工艺及流程属于现有技术，本实施例在此不再赘述。
S103：在所述第一集成电路300和第二集成电路301上沉积金属并图案 化形成第一金属层401、第二金属层402、第三金属层403和第四金属层404， 如图8和图18所示。
可在衬底基板100上沉积金属，并经过曝光、显影、刻蚀及剥离制程形 成第一金属层401、第二金属层402、第三金属层403和第四金属层404。第 一金属层401和第二金属层402分别与第一集成电路300和第二集成电路301 电连接，作为第一集成电路300和第二集成电路301的引出电极，第一集成 电路300和第二集成电路301可通过第一金属层401和第二金属层402与麦 克风和气压传感器电连接。第三金属层403和第四金属层404分别作为振膜 200和下电极202的引出电极，用于与外部的集成电路电连接。
S104：沉积牺牲层500，如图9和图19所示。在所述振膜200、下电极 202、第一集成电路300、第二集成电路301、第一金属层401和第二金属层 402上沉积牺牲层500。该牺牲层500优选地采用二氧化硅(SiO2)形成。
S105：在所述牺牲层500上沉积绝缘层600，如图10和图20所示。该绝 缘层600优选地采用氮化硅(SiN)形成。
S106：在所述绝缘层600上沉积第二多晶硅层，图案化形成上电极700， 如图21所示。
S107：在所述牺牲层500和绝缘层600上形成第一过孔501和第三过孔 503，在所述牺牲层500、绝缘层600和所述上电极700上形成第二过孔502 和第四过孔504，分别金属化第一～第四过孔504，如图11和图22所示。第 一～第四过孔504分别与第一～第四金属层404接触实现电连接。
S108：在所述牺牲层500上形成背极800、第一引出电极801、第二引出 电极802、第三引出电极803和第四引出电极804，如图12和图23所示。背 极800与振膜200对应，与振膜200形成电容结构。第一～第四引出电极804 分别与第一～第四过孔504接触电连接，且将第一引出电极801与第三引出电 极803和背极800通过金属走线连接，第二引出电极802与第四引出电极804 和上电极700通过金属走线连接，金属走线在本步骤中同时形成，在图中未 示出。同时，所述背极800上形成至少一个第一通孔805，用于实现麦克风振 动系统与麦克风外部连通，使外部气流可以进入振动空间505中。
S109：在步骤S108形成的层结构上形成钝化层900，刻蚀背极800至少 一个第一通孔805中的钝化层900至绝缘层600以及上电极700区域的钝化 层900至绝缘层600，形成位于钝化层900上的多个第二通孔901，如图13 和24所示。优选地，可采用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)沉积SiN形成钝化层900。
S110：深刻蚀钝化层900的第二通孔901直至牺牲层500，如图14和图 25。可采用ICP深刻蚀第二通孔901对应的绝缘层600和上电极700，直到使 牺牲层从第二通孔901中暴露出来，以便于进一步刻蚀牺牲层500形成振动 空间505的封闭空间506。
S111：将所述上电极700与所述下电极202间的牺牲层500腐蚀掉并封 闭形成封闭空间506，如图26所示。可向第二通孔901中注入刻蚀液刻蚀牺 牲层500，在上电极700和下电极202间形成中空区域，进而在所述第二通孔 901中沉积SiN等钝化材料以密封形成气压传感器的封闭空间506，最终形成 如图3所示的气压传感器和第二集成电路301。
S112：将所述振膜200与所述背极800间的牺牲层500腐蚀掉形成与集 成结构外部连通的振动空间505，如图15所示。可在背极800对应的第二通 孔901中注入刻蚀液刻蚀牺牲层500，形成背极800和振膜200间的中空区 域，使振膜200和背极800形成电容。
S113：将所述衬底基板100对应所述振膜200的区域腐蚀掉形成背腔101， 最终形成如图2所示的麦克风和第一集成电路300结构。将振膜200对应的 衬底基板100腐蚀形成背腔101，使振膜200悬置于衬底基板100上，使振膜 200可以在气流的作用下振动。
需要说明的是，制作工艺和材料的选用并不限于本实施例所列，可实现本 发明的其他常规替换工艺和材料也在本发明的保护范围内。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并 非是对本发明的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述 说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实 施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或 变动仍处于本发明的保护范围之列。

Claims (10)

1.一种MEMS麦克风和气压传感器集成结构，其特征在于，包括
衬底基板；
形成在所述衬底基板上的振膜、背极、上电极、下电极以及形成在所述振膜和所述背极之间和所述上电极和所述下电极之间的牺牲层；
与所述振膜和所述背极分别电连接的第一集成电路；以及
与所述下电极和所述上电极分别电连接的第二集成电路；
其中，所述衬底基板对应于所述振膜的区域设有背腔，所述振膜与所述背极间的牺牲层镂空形成与集成结构外部连通的振动空间，所述上电极和所述下电极间的牺牲层镂空形成封闭空间。
2.根据权利要求1所述的集成结构，其特征在于，所述第一集成电路和第二集成电路设于所述衬底基板上，
所述第一集成电路上形成有第一金属层，所述第二集成电路上形成有第二金属层；
所述牺牲层上进一步形成有通过第一过孔与第一金属层电连接的第一引出电极和通过第二过孔与第二金属层电连接的第二引出电极；
所述第一引出电极进一步与所述背极连接，所述第二引出电极进一步与所述上电极连接。
3.根据权利要求2所述的集成结构，其特征在于，
所述振膜上形成有第三金属层，所述下电极上形成有第四金属层，
所述第三金属层通过形成在所述衬底基板上的第一金属走线与所述第一金属层连接，所述第四金属层通过形成在所述衬底基板上的第二金属走线与所述第二金属层连接；或者
所述牺牲层上进一步形成有通过第三过孔与所述第三金属层电连接的第三引出电极和通过第四过孔与所述第四金属层电连接的第四引出电极，所述第三引出电极与所述第一引出电极电连接，所述第四引出电极与所述第二引出电极电连接。
4.根据权利要求2所述的集成结构，其特征在于，所述第一引出电极和第二引出电极上进一步形成有钝化层；
所述第一引出电极和第二引出电极的至少部分暴露于所述钝化层外部。
5.根据权利要求1所述的集成结构，其特征在于，所述牺牲层与所述上电极和所述背极间进一步设有绝缘层，所述绝缘层对应所述振动空间的区域形成有用于所述振动空间与集成结构外部连通的第三通孔。
6.一种MEMS麦克风和气压传感器集成结构的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上通过构图工艺形成振膜、下电极、第一集成电路和第二集成电路；
形成牺牲层；
在所述牺牲层上通过构图工艺形成上电极和背极；
其中，所述第一集成电路与所述振膜和所述背极分别电连接，所述第二集成电路与所述下电极和所述上电极分别电连接；
将所述上电极与所述下电极间的牺牲层腐蚀掉并封闭形成封闭空间；
将所述振膜与所述背极间的牺牲层腐蚀掉形成与集成结构外部连通的振动空间；
将所述衬底基板对应所述振膜的区域腐蚀掉形成背腔。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述方法进一步包括：
在沉积牺牲层之前，在所述第一集成电路和第二集成电路上沉积金属并图案化形成第一金属层和第二金属层；
在沉积牺牲层之后，在牺牲层上进一步形成与所述第一金属层连接的第一过孔和与所述第二金属层连接的第二过孔并分别金属化所述第一过孔和所述第二过孔；
在牺牲层的上表面沉积金属并图案化形成与所述第一过孔连接的第一引出电极和与所述第二过孔连接的第二引出电极，同时通过图案化使第一引出电极和背极连接和使第二引出电极和上电极连接。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述方法进一步包括：
在沉积牺牲层之前，在所述振膜上沉积金属并图案化形成第三金属层，在所述下电极上沉积金属并图案化形成第四金属层，
在所述衬底基板上形成连接所述第三金属层和所述第一金属层的第一金属走线以及在所述衬底基板上形成连接所述第四金属层和所述第二金属层的第二金属走线；或者
在所述牺牲上形成与所述第三金属层电连接的第三过孔和与所述第四金属层电连接的第四过孔并分别金属化，并进一步在所述牺牲层上表面形成与所述第三过孔连接的第三引出电极和与所述第四过孔连接的第四引出电极。
9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述方法进一步包括
在所述第一引出电极和第二引出电极上形成钝化层；
对所述钝化层进行刻蚀以使所述第一引出电极和第二引出电极的至少部分暴露于所述钝化层外部。
10.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述将所述上电极与所述下电极间的牺牲层腐蚀掉并封闭形成封闭空间具体包括
在所述上电极上刻蚀形成至少一个与所述牺牲层连通的第二通孔，刻蚀所述牺牲层后密封所述第二通孔形成所述封闭空间。
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