CN108574462A - 保护电路、电路保护方法 - Google Patents
保护电路、电路保护方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108574462A CN108574462A CN201810094652.4A CN201810094652A CN108574462A CN 108574462 A CN108574462 A CN 108574462A CN 201810094652 A CN201810094652 A CN 201810094652A CN 108574462 A CN108574462 A CN 108574462A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- module
- circuit
- comparison module
- connect
- fpga
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 102
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 27
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 16
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
- H03F1/523—Circuit arrangements for protecting such amplifiers for amplifiers using field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/462—Indexing scheme relating to amplifiers the current being sensed
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/481—A resistor being used as sensor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
- H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
- H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
- H10D89/811—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs using FETs as protective elements
- H10D89/819—Bias arrangements for gate electrodes of FETs, e.g. RC networks or voltage partitioning circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本发明提供了一种保护电路、电路保护方法,其中,保护电路包括:检测模块,与功率放大器PA的漏极连接,用于检测所述PA漏极的动态电流,将所述动态电流输出至比较模块;所述比较模块,与所述检测模块连接,用于在所述动态电流大于采样门限时,第一响应时间后,向响应模块输出控制信号;响应模块,与所述比较模块连接,用于在第二响应时间后,根据所述控制信号控制所述PA漏极电压的关断或开启。通过本发明,解决了相关技术中的保护电路响应时间慢、功放烧毁造成整机电源拉偏等技术问题,增加系统可靠性、稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及电路保护领域,具体而言,涉及一种保护电路、电路保护方法。
背景技术
第五代移动通讯(5G:5th-Generation)技术受到移动互联网和物联网的驱动,拥有广阔的应用前景。大规模天线技术作为5G无线关键技术之一,MIMO(Multiple-InputMultiple-Out-put:多输入多输出)技术已经在4G(4th-Generation)系统中得以广泛的应用。面对5G在传输速率和系统容量等方面的性能挑战,天线数目的进一步增加仍将是MIMO技术继续演进的重要方向。
如基站的功放(功率放大器)典型的设计是多通道架构,而功放供电电源的设计通常采用电源共享方案,当其中一路功放漏极短路的情况下,就会造成电源的供电拉偏,影响其余通道的正常工作。
相关技术中的保护电路一般是通过熔断保险丝进行功放漏极保护。该手段的缺点是:保险丝通过热方式熔断,时间较长,不能及时防止功放烧毁。
针对相关技术中存在的上述问题,目前尚未发现有效的解决方案。
发明内容
本发明实施例提供了一种保护电路、电路保护方法。
根据本发明的一个实施例,提供了一种保护电路,包括:检测模块,与功率放大器PA的漏极连接,用于检测所述PA漏极的动态电流,将所述动态电流输出至比较模块;所述比较模块,与所述检测模块连接,用于在所述动态大于采样门限时,在第一响应时间后,向响应模块输出控制信号;响应模块,与所述比较模块连接,用于在第二响应时间后,根据所述控制信号控制所述PA漏极电压的关断和开启。
根据本发明的另一个实施例,提供了一种电路保护方法,包括:使用所述的保护电路保护功率放大器PA。
根据本发明的又一个实施例,提供了一种电路保护方法,包括:检测功率放大器PA漏极的动态电流;在所述动态电流大于采样门限时,在第一响应时间后,输出控制信号;在第二响应时间后,根据所述控制信号控制所述PA漏极电压的关断或开启。
根据本发明的又一个实施例,还提供了一种存储介质,所述存储介质包括存储的程序,其中,所述程序运行时执行上述的方法。
根据本发明的又一个实施例,还提供了一种处理器,所述处理器用于运行程序,其中,所述程序运行时执行上述的方法。
通过本发明,通过限制功放漏极电流,不仅可以使得当功放在某些通道出现异常时,快速对其关断,不影响其它通道正常运行,而且由于其较快的响应速度,可以有效的防止功放因大栅压、短路及异常大信号等原因造成的烧毁,解决了相关技术中的保护电路响应时间慢、功放烧毁造成整机电源拉偏等技术问题,通过设置电路的采样门限和响应时间,避免了极限条件下导致功放烧毁,,增加了系统可靠性、稳定性。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1是根据本发明实施例的保护电路的结构图一;
图2是根据本发明实施例的保护电路的结构图二;
图3是实施方式一功放保护电路的应用示意图;
图4是实施方式一初始上电无异常保护时保护电路响应曲线图;
图5是实施方式一异常栅压时保护电路响应曲线图;
图6是实施方式一正常峰均比输入信号图;
图7是实施方式一输入峰均比信号的保护电路响应曲线图;
图8是实施方式一异常输入信号的曲线图;
图9是实施方式一输入异常信号的保护电路响应曲线图;
图10是实施方式二的保护门限硬件可调应用示意图;
图11是实施方式二的保护门限软件可调应用示意图;
图12是实施方式三的响应时间硬件可调应用示意图1;
图13是实施方式三的响应时间硬件可调应用示意图2;
图14是实施方式三的响应时间硬件可调应用示意图3;
图15是实施方式三的响应时间软件可调应用示意图4;
图16是实施方式四的延迟模块硬件可调应用示意图;
图17是实施方式四的延迟模块软件可调应用示意图;
图18是实施方式五的软件动态可调的功放漏极保护电路应用示意图。
具体实施方式
下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
需要说明的是,本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
实施例1
本申请实施例保护电路的应用场景包括:电源共享基站的功放供电电源的保护电路,使用场效应管的电路系统等。
在本实施例中提供了一种保护电路,图1是根据本发明实施例的保护电路的结构图一,如图1所示,包括:
检测模块10,与功率放大器PA的漏极连接,用于检测PA漏极的动态电流,将动态电流输出至比较模块;
比较模块12,与检测模块连接,用于在动态电流大于采样门限时,第一响应时间后,向响应模块输出控制信号;
响应模块14,与比较模块连接,用于在第二响应时间后,根据控制信号控制PA漏极电压的关断和开启。
通过上述步骤,通过限制功放漏极电流,不仅可以使得当功放在某些通道出现异常时,快速对其关断,不影响其它通道正常运行,而且由于其较快的响应速度,可以有效的防止功放因大栅压、短路及异常大信号等原因造成的烧毁,解决了相关技术中的保护电路响应时间慢、功放烧毁造成整机电源拉偏等技术问题,通过设置电路的采样门限和响应时间,避免了极限条件下导致功放烧毁,增加了系统可靠性、稳定性。
可选地,电路还包括:可调基准模块,与检测模块连接,用于调节动态电流的采样门限。通过增加可调基准模块,调整采样门限,使保护电路的保护门限可调。
可选地,可调基准模块,与比较模块连接,用于调节第一响应时间。可选地,可调基准模块,与响应模块连接,用于调节第二响应时间。通过增加可调基准模块,使保护电路的响应时间可调。
可选地,电路还包括:延迟模块,与比较模块连接,用于控制比较模块使能端的状态。通过增加延迟模块,控制比较模块使能端信号的上电时间,可以防止系统上电出现误保护。保护电路具有使能功能,通过增加使能功能,比较模块还具有使能功能,控制保护是否生效。
可选地,上述可调基准模块相应功能的实现方式可以是软件形式或硬件形式。
在调整采样门限和使能端的状态时,可调基准模块的硬件形式示例,包括:可调电阻,连接在接地端和比较模块之间,用于调整比较模块的参考电压,其中,参考电压与采样门限对应,根据欧姆定律,调整电压,在电阻不变的情况下,电流与电压成正比,所以调整参考电压能调整采样门限。可调基准模块的软件形式示例,包括:中央处理器CPU,CPU的输入端用于接收控制指令,CPU的输出端与现场可编程门阵列FPGA连接,用于根据控制指令控制FPGA;FPGA,FPGA的输入端与CPU连接,FPGA的输出端与数字模拟转换器DAC和比较模块连接,用于通过调节输出电平控制使能端的状态,以及设置参考电压,其中,参考电压与采样门限对应;DAC,DAC的输入端与FPGA连接,DAC的输出端与比较模块连接,用于输出参考电压。
在调整响应时间(包括第一响应时间和第二响应时间)时,可调基准模块的硬件示例,包括以下形式:
第一电容,连接在检测模块和比较模块之间,用于调整动态电流输出至比较模块的时间;
调整单元,包括第一电阻和第二电容,用于调整动态电流输出至比较模块的时间,其中,第一电阻连接在接地端和比较模块之间,第二电容与第一电阻并联,第二电容连接在接地端和比较模块之间;
相位电路RC,与PA的栅极输入端并联,包括第二电阻和第三电容,用于调整第二响应时间,其中,第二电阻连接在栅极输入端和接地端之间,第三电容连接在栅极输入端和接地端之间。
可调基准模块的硬件形式示例,包括:中央处理器CPU,CPU的输入端用于接收控制指令,CPU的输出端与FPGA连接,用于根据控制指令控制FPGA;FPGA,FPGA的输入端与CPU连接,FPGA的输出端与第一计数器电路连接,用于控制第一计数器电路;第一计数器电路,第一计数器电路的输入端与FPGA连接,第一计数器电路的输出端与比较模块连接,用于控制第一响应时间。
可选地,延迟模块相应功能的实现方式可以是软件形式或硬件形式,具体的,在通过硬件实现时,延迟模块包括:相位电路RC,RC包括第四电容和第三电阻,通过调整电阻的电阻值和电容的电容值调节使能端的上电时序,其中,第四电容和第三电阻并联,一端共同接地,另一端共同连接均连接至使能端,调整第三电阻的电阻值和第四电容的电容值,使其在电源过冲时处于去使能状态,保护电路不具有保护功能,避免出现系统误保护。
在通过软件实现时,延迟模块包括:第二计数器电路,用于调节使能端的上电电平来控制使能端的使能状态。
图2是根据本发明实施例的保护电路的结构图二,如图2所示,在图1的基础上,还包括:可调基准模块20和延迟模块22。
可选地,可调基准模块根据以下至少之一调节采样门限:PA的自身抗大功率、PA的宽带信号能力,PA所属系统的系统需求,动态电流的峰均比。
可选地,延迟模块在PA的漏压开启后的预定时间内,控制比较模块使能端为去使能状态。具体可以是检测漏极电压的开启时间,在检测到电压开启后等待预定时间,可以避免出现误保护,因为当功放漏压开启后,漏极会出现过冲电流,通过调节延迟模块控制响应模块避免在系统上电时出现误保护,增加系统的稳定性。
在本实施例中,PA包括以下之一:氮化镓GaN功率放大器,横向扩散金属氮化物半导体LDMOS功率放大器,当然,也可以是其他的应用场景。
需要说明的是,上述各个模块是可以通过软件或硬件来实现的,对于后者,可以通过以下方式实现,但不限于此:上述模块均位于同一处理器中;或者,上述各个模块以任意组合的形式分别位于不同的处理器中。
实施例2
在本实施例中还提供了一种电路保护方法,该用于实现上述实施例及优选实施方式,已经进行过说明的不再赘述。
本实施例提供一种电路保护方法,用于使用实施例1中的保护电路保护功率放大器PA。保护电路包括:检测模块,与功率放大器PA的漏极连接,用于检测PA漏极的动态电流,将动态电流输出至比较模块;比较模块,与检测模块连接,用于在动态电流大于采样门限时,在第一响应时间后,输出控制信号;响应模块,与比较模块连接,用于在第二响应时间后,根据控制信号控制PA漏极电压的关断和开启。
本实施例还提供一种电路保护方法,与保护电路的实现原理对应,包括:检测功率放大器PA漏极的动态电流;在动态电流大于采样门限时,在第一响应时间后,输出控制信号;在第二响应时间后,根据控制信号控制PA漏极电压的关断或开启。
可选的,在检测功率放大器PA漏极的动态电流之前,方法还包括:调节以下至少之一:采样门限,第一响应时间,第二响应时间。
可选的,在输出控制信号之前,方法还包括:调节输出端的使能状态,其中,输出端用于输出控制信号。
可选的,调节输出端的使能状态包括:调节现场可编程门阵列FPGA的输出电平,其中,高电平和低电平分别对应输出端的不同状态,如使能和去使能。
可选的,调节控制参数包括:设置门限电压,其中,门限电压与采样门限对应;以及调整动态电流的输出时间,在检测到动态电流后,将动态电流输出至比较模块的时间,比较模块比较动态电流是否大于采样门限。
可选的,调节输出端的使能状态包括:在PA的漏压开启后的预定时间内,控制使能状态为去使能状态。
该保护电路也可以是实施例1中的可选实施方式,已经进行过说明的不再赘述。
通过以上的实施方式的描述,本领域的技术人员可以清楚地了解到根据上述实施例的方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现,当然也可以通过硬件,但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解,本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中,包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机,计算机,服务器,或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
实施例3
本实施例提供了一种涉及功放漏极供电保护电路的设计方案,当功放管焊接故障、大栅压、射频大信号输入、宽谱等异常情况下,均有可能造成功放管漏极短路或功放管烧毁,进而导致整机电源拉偏,引起所有发射通道工作异常。
本实施例提供了一种方法,通过限制功放漏极电流,不仅可以使得当功放在某些通道出现异常时,快速对其关断,不影响其它通道正常运行,而且由于其较快的响应速度,在很大程度上可以非常有效的防止功放因大栅压、短路及异常大信号等原因造成的烧毁。
针对现有技术手段的缺点,结合防止功放管烧毁和因功放管烧毁造成整机电源拉偏的目的,提出了本发明。本发明所述的一种功放漏极保护电路,如图2所示,包括:
检测模块,检测PA(功率放大器:Power Amplifier)漏极实时动态电流,可利用检测电阻实现。检测模块输入是PA漏极电压,经检测电阻后会得到采样电流,采样电流经过差分电阻输入到比较模块。另外,PA漏极电压进入响应模块,给功放管漏极供电。
响应模块,控制PA漏极电压的关断与开启,可利用光电耦合器和PMOS(P型金属氧化物半导体:positive channel Metal Oxide Semiconductor)晶体管实现。
检测模块的采样电流进入比较模块,比较模块控制响应模块,当比较模块输出为高电平时,光电耦合器导通,关断PMOS晶体管,进而关断PA漏极电压。可调基准模块控制响应模块的响应时间,使响应时间具有可调节性。
可调基准模块,设置PA保护电流门限,以及保护电路的响应时间。针对不同的系统,额定功率以及系统响应时间不同,通过调整可调基准模块实现保护电流门限可调、保护响应时间可调。
可调基准模块控制检测模块,响应模块可以调节保护电路的响应时间。可调基准模块控制比较模块实现保护门限、响应时间可调。
比较模块,检测模块采样的漏极电流经过运放D1,输出电压U1,通过运放D2和基准电压U2作比较,输出高低电平控制响应模块,响应模块控制PA漏极电压的关断。可调基准模块控制比较模块,调节保护电路的门限以及保护电路响应时间。
延迟模块,控制比较模块使能端信号的上电时间,避免保护电路在功放上电瞬间出现误保护。另外延迟模块调节比较模块,可以控制保护电路是否处于使能状态。
PA漏级电压通过101模块后,经过取样电阻,取样的漏极电流通过差分电阻输入到104模块,104模块通过运放D1、D2输出高低电平控制102模块,进而实现控制PA漏极电压的关断。另外,通过103模块控制101模块、102模块、104模块实现保护门限、响应时间可调的特点。通过105模块调节104模块,既可以控制104使能端信号的上电时间,又可以控制保护电路是否生效。
本实施例方案中的各个模块可以通过硬件、软件或者结合的形式实现,可以是多种形式的电路,下面通过具体实施方案作详细描述:
实施方式一
本实施方式保护电路具有保护门限可调、响应时间可调的特点,具体应用流程图见图3,图3是实施方式一功放漏极保护电路的应用示意图。
如图3所示,101模块是电流检测模块,102模块是响应模块,103模块是可调基准模块,104模块是比较模块,105模块是延迟模块。
R1是取样电阻,PA漏极电压经过R1后,取样电流经过差分电阻R2、R3输入到运放D1,输出电压U1;CPU控制FPGA,一方面,FPGA输出高低电平控制运放D2使能端,当使能端信号为高电平时D2正常工作,为低电平时D2关断;另一方面,FPGA通过控制DAC模块输出电压值,设定门限电压U2。运放D2通过比较电压U1、U2输出高低电平,当U1大于U2时,D2输出高电平,光电耦合器导通,PMOS管关断,PA漏极电压关断。当U1小于U2时,D2输出低电平,光电耦合器关闭,PMOS管保持打开,电路正常工作。
因为不同系统要求的响应时间不同,则可以通过调节电容C1的值来改变保护电路的关断时间。另外,当功放漏压打开时,漏极电流会存在过冲,为了防止保护电路出现误保护,可以通过调节电容C5的容值、电阻R5的阻值来改变使能端高电平的上电时间,避免系统出现误保护。
设定保护电路关断响应时间是t0us。
1).当功放漏压开启后,漏极会出现过冲电流,此时保护电路响应曲线如图4所示,图4是实施方式一初始上电无异常保护时保护电路响应曲线图,通过调整延迟模块,PA漏极电流正常,没造成误保护。
2).当功放栅压异常时会出现大电流,保护电路响应曲线如图5所示,图5是实施方式一异常栅压时保护电路响应曲线图。此时保护电路生效,关断PA漏极电压,保护功放管。
3).出现峰均比信号时,峰均比信号持续的时间为▽t,且▽t小于t0,如图6所示,图6是实施方式一正常峰均比输入信号图。保护电路响应曲线如图7所示,图7是实施方式一输入峰均比信号的保护电路响应曲线图。对比图6、7可以看出,出现峰均比信号时,峰均比大信号持续时间小于保护电路关断响应时间时,PA漏极电流正常,没造成误保护。
4.出现异常信号时,如图8所示,图8是实施方式一异常输入信号的曲线图,保护电路响应曲线如图9所示,图9是实施方式一输入异常信号的保护电路响应曲线图,对比图8、9可以看出,当异常信号的幅度大于保护电流门限,且持续时间大于保护电路响应时间时,保护电路生效,关断PA漏极电压。
实施方式二
本实施方式保护电路具有门限可调特点。因为不同的系统、不同的应用场景,PA漏极电流的保护门限不同。
保护电路的门限电流的设定,要根据功放管的自身抗大功率和宽带信号能力以及系统需求综合设定,若保护门限定的过低,功放通道容易被误关断,门限定的过高,容易导致功放管烧毁。
保护门限通过硬件电路实现可调,具体应用流程图如图10所示,图10是实施方式二的保护门限硬件可调应用示意图。通过分压电路调整电阻Rp的阻值,来改变设定的保护门限。
保护门限通过软件方式实现可调,具体应用流程图如图11所示,图11是实施方式二的保护门限软件可调应用示意图。CPU控制FPGA,一方面,FPGA输出高低电平控制运放D2使能端,当使能端信号为高电平时D2正常工作,为低电平时D2关断;另一方面,FPGA通过控制DAC模块输出电压值,设定门限电压U2。
本实施方式中的具体应用流程图均是可实现的功放漏极保护电路系统。
实施方式三
本实施方式保护电路具有时间可调的特点。针对不同的峰均比信号,系统要求的时间不同,时间可调的特点就很重要。时间可调可通过硬件电路以及软件模块实现,具体方式如下:
硬件电路实现方式一,具体应用流程图如图12所示,图12是实施方式三的响应时间硬件可调应用示意图1,通过调整与检测电阻R1并联的电容C1的容值,调整检测电流到运放输入端的时间,改变保护电路系统的响应时间。
硬件电路实现方式二,具体应用流程图如图13所示,图13是实施方式三的响应时间硬件可调应用示意图2,通过调整与分压电阻R4并联的电容C1的容值,调整检测电流到运放输入端的时间,改变保护电路系统的响应时间。
硬件电路实现方式三,具体应用流程图如图14所示,图14是实施方式三的响应时间硬件可调应用示意图3,在PMOS管的栅级输入端并联RC电路,通过调整电阻R6的阻值和电容C6的容值,改变保护电路系统的响应时间。
通过软件模块实现,具体应用流程图如图15所示,图15是实施方式三的响应时间软件可调应用示意图4,在第一级运放D1和FPGA之间增加计数器电路,通过第一计数器电路控制响应时间,实现响应时间软件可调。
本实施方式中的具体应用流程图均是可实现的功放漏极保护电路系统。
实施方式四
本实施方式通过控制使能模块,可以避免出现误保护。因为当功放漏压开启后,漏极会出现过冲电流,通过调节延迟模块控制使能模块避免在系统上电时出现误保护,增加系统的稳定性。
延迟模块硬件实现方式,具体流程图如图16所示,图16是实施方式四的延迟模块硬件可调应用示意图。通过RC网络调节使能端的上电时序,调整电阻R6的阻值和电容C6的容值,使其在电源过冲时处于去使能状态,保护电路不具有保护功能,避免出现系统误保护。
延迟模块软件实现方式,具体流程图如图17所示,图17是实施方式四的延迟模块软件可调应用示意图。FPGA通过第二计数器电路调节运放D2使能端的上电电平,使其在电源过冲时处于去使能状态,保护电路不具有保护功能,避免出现系统误保护。
本实施方式中的具体应用流程图均是可实现的功放漏极保护电路系统。
实施方式五
结合实施方式二、三、四,软件动态可调,功放漏极保护电路应用示意图如图18所示,图18是实施方式五的软件动态可调的功放漏极保护电路应用示意图。通过103_1模块(第一计数器电路)调节保护电路的响应时间,103_2模块调节保护电路的保护门限;105模块(第二计数器电路)调节使能端的上电时间,防止保护电路在功放漏极打开瞬间出现误保护,实现软件动态可调。
综上所述,漏极保护电路系统是一种新型的保护电路,该电路不仅可以防护大栅压,有效阻断系统输出的异常大信号并很大程度上降低功放管烧毁概率。当某个通道即使出现功放管异常后,也能有效断开漏极,从而不影响整机电源,使得其他通道能正常工作。对于多通道系统来说,该点至关重要,屏蔽异常通道,基带降秩处理,从而不影响主要业务,提高整机利用率。
相比于传统保护电路架构,本实施例的保护电路保护门限可调:通过增加可调基准模块,使保护电路的保护门限可调。保护电路响应时间可调:通过增加可调基准模块,使保护电路的响应时间可调。通过增加延迟模块,控制比较模块使能端信号的上电时间,防止系统上电出现误保护。保护电路具有使能功能:通过增加使能功能,比较模块还具有使能功能,控制保护是否生效。
本实施例保护时间可调,可以防止峰均比信号出现误保护。当出现射频大信号时、宽谱信号时,控制响应电路的响应时间,避免功放烧毁,增加系统可靠性。本实施例通过控制使能模块,可以避免出现误保护,因为当功放漏压开启后,漏极会出现过冲电流,通过调节延迟模块控制响应模块避免在系统上电时出现误保护,增加系统的稳定性。本实施例保护电路系统响应时间快,系统响应时间可控制在us级。本实施例通过控制PA漏极电压关断,可避免当某一路PA烧毁时将整机电源拉翻。本实施例通过增加两个模块,即可实现保护门限以及响应时间可调,实现方式简单,成本低。本实施例应用场景广泛,通过关断PA漏极的方式既可应用于GaN功放,也可应用于LDMOS功放。
实施例4
本发明的实施例还提供了一种存储介质,该存储介质包括存储的程序,其中,上述程序运行时执行上述实施例2任一项所述的方法。
可选地,在本实施例中,上述存储介质可以包括但不限于:U盘、只读存储器(Read-Only Memory,简称为ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory,简称为RAM)、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
本发明的实施例还提供了一种处理器,该处理器用于运行程序,其中,该程序运行时执行上述任一项方法中的步骤。
可选地,本实施例中的具体示例可以参考上述实施例及可选实施方式中所描述的示例,本实施例在此不再赘述。
显然,本领域的技术人员应该明白,上述的本发明的各模块或各步骤可以用通用的计算装置来实现,它们可以集中在单个的计算装置上,或者分布在多个计算装置所组成的网络上,可选地,它们可以用计算装置可执行的程序代码来实现,从而,可以将它们存储在存储装置中由计算装置来执行,并且在某些情况下,可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤,或者将它们分别制作成各个集成电路模块,或者将它们中的多个模块或步骤制作成单个集成电路模块来实现。这样,本发明不限制于任何特定的硬件和软件结合。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (22)
1.一种保护电路,其特征在于,包括:
检测模块,与功率放大器PA的漏极连接,用于检测所述PA漏极的动态电流,将所述动态电流输出至比较模块;
所述比较模块,与所述检测模块连接,用于在所述动态电流大于采样门限时,在第一响应时间后,向响应模块输出控制信号;
所述响应模块,与所述比较模块连接,用于在第二响应时间后,根据所述控制信号控制所述PA漏极电压的关断或开启。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述电路还包括:
可调基准模块,与所述检测模块连接,用于调节所述动态电流的采样门限。
3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述可调基准模块,与比较模块连接,用于调节所述第一响应时间。
4.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述可调基准模块,与所述响应模块连接,用于调节所述第二响应时间。
5.根据权利要求1至4任一项所述的电路,其特征在于,所述电路还包括:
延迟模块,与所述比较模块连接,用于控制所述比较模块使能端的状态。
6.根据权利要求5所述的电路,其特征在于,所述可调基准模块包括:
可调电阻,连接在接地端和所述比较模块之间,用于调整所述比较模块的参考电压,其中,所述参考电压与所述采样门限对应。
7.根据权利要求5所述的电路,其特征在于,所述可调基准模块包括:
中央处理器CPU,所述CPU的输入端用于接收控制指令,所述CPU的输出端与现场可编程门阵列FPGA连接,用于根据所述控制指令控制所述FPGA;
所述FPGA,所述FPGA的输入端与所述CPU连接,所述FPGA的输出端与数字模拟转换器DAC和所述比较模块连接,用于通过调节输出电平控制所述使能端的状态,以及设置参考电压,其中,所述参考电压与所述采样门限对应;
所述DAC,所述DAC的输入端与所述FPGA连接,所述DAC的输出端与所述比较模块连接,用于输出所述参考电压。
8.根据权利要求5所述的电路,其特征在于,所述可调基准模块包括:
第一电容,连接在所述检测模块和所述比较模块之间,用于调整所述动态电流输出至所述比较模块的时间。
9.根据权利要求5所述的电路,其特征在于,所述可调基准模块包括:
调整单元,包括第一电阻和第二电容,用于调整所述动态电流输出至所述比较模块的时间,其中,所述第一电阻连接在接地端和所述比较模块之间,所述第二电容与所述第一电阻并联,连接在所述接地端和所述比较模块之间。
10.根据权利要求5所述的电路,其特征在于,所述可调基准模块包括:
相位电路RC,与所述PA的栅极输入端并联,包括第二电阻和第三电容,用于调整所述第二响应时间,其中,所述第二电阻连接在所述栅极输入端和接地端之间,所述第三电容连接在所述栅极输入端和接地端之间。
11.根据权利要求5所述的电路,其特征在于,所述可调基准模块包括:
中央处理器CPU,所述CPU的输入端用于接收控制指令,所述CPU的输出端与FPGA连接,用于根据所述控制指令控制所述FPGA;
所述FPGA,所述FPGA的输入端与所述CPU连接,所述FPGA的输出端与第一计数器电路连接,用于控制所述第一计数器电路;
所述第一计数器电路,所述第一计数器电路的输入端与所述FPGA连接,所述第一计数器电路的输出端与所述比较模块连接,用于控制所述第一响应时间。
12.根据权利要求5所述的电路,其特征在于,所述延迟模块包括以下至少之一:
相位电路RC,所述RC包括第四电容和第三电阻,通过调整所述第三电阻的电阻值和所述第四电容的电容值调节所述使能端的上电时序;
第二计数器电路,用于调节所述使能端的上电电平来控制所述使能端的使能状态。
13.根据权利要求2至4任一项所述的电路,其特征在于,所述可调基准模块根据以下至少之一调节所述采样门限:PA的自身抗大功率,PA的宽带信号能力,PA所属系统的系统需求,动态电流的峰均比。
14.根据权利要求5所述的电路,其特征在于,所述延迟模块在所述PA的漏压开启后的预定时间内,控制所述比较模块使能端为去使能状态。
15.一种电路保护方法,其特征在于,包括:
检测功率放大器PA漏极的动态电流;
在所述动态电流大于采样门限时,在第一响应时间后,输出控制信号;
在第二响应时间后,根据所述控制信号控制所述PA漏极电压的关断或开启。
16.根据权利要求15所述的方法,其特征在于,在检测功率放大器PA漏极的动态电流之前,所述方法还包括:
调节以下控制参数至少之一:所述采样门限,所述第一响应时间,所述第二响应时间。
17.根据权利要求15所述的方法,其特征在于,在输出控制信号之前,所述方法还包括:
调节输出端的使能状态,其中,所述输出端用于输出所述控制信号。
18.根据权利要求17所述的方法,其特征在于,调节输出端的使能状态包括:
调节现场可编程门阵列FPGA的输出电平,其中,高电平和低电平分别对应所述调节输的不同状态。
19.根据权利要求16所述的方法,其特征在于,调节控制参数包括:
设置参考电压,其中,所述参考电压与所述采样门限对应;以及调整所述动态电流的输出时间。
20.根据权利要求17所述的方法,其特征在于,调节输出端的使能状态包括:
在所述PA的漏压开启后的预定时间内,控制所述使能状态为去使能状态。
21.一种存储介质,其特征在于,所述存储介质中存储有计算机程序,其中,所述计算机程序被设置为运行时执行所述权利要求15至20任一项中所述的方法。
22.一种处理器,其特征在于,所述处理器被设置为运行计算机程序以执行所述权利要求15至20任一项中所述的方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810094652.4A CN108574462B (zh) | 2018-01-31 | 2018-01-31 | 保护电路、电路保护方法 |
EP19746715.2A EP3748845A4 (en) | 2018-01-31 | 2019-01-31 | PROTECTION CIRCUIT AND CIRCUIT PROTECTION METHOD |
PCT/CN2019/074063 WO2019149236A1 (zh) | 2018-01-31 | 2019-01-31 | 保护电路、电路保护方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810094652.4A CN108574462B (zh) | 2018-01-31 | 2018-01-31 | 保护电路、电路保护方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108574462A true CN108574462A (zh) | 2018-09-25 |
CN108574462B CN108574462B (zh) | 2021-03-26 |
Family
ID=63576621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810094652.4A Active CN108574462B (zh) | 2018-01-31 | 2018-01-31 | 保护电路、电路保护方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3748845A4 (zh) |
CN (1) | CN108574462B (zh) |
WO (1) | WO2019149236A1 (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109391238A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-02-26 | 北京华峰测控技术股份有限公司 | 一种功放热保护电路及热保护方法 |
WO2019149236A1 (zh) * | 2018-01-31 | 2019-08-08 | 中兴通讯股份有限公司 | 保护电路、电路保护方法 |
CN110995243A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-04-10 | Tcl华星光电技术有限公司 | 电平转换电路及显示面板 |
CN112231000A (zh) * | 2020-10-14 | 2021-01-15 | 北京百瑞互联技术有限公司 | 一种快速低功耗soc睡眠唤醒控制方法、装置及存储介质 |
CN112688645A (zh) * | 2019-10-17 | 2021-04-20 | 上海诺基亚贝尔股份有限公司 | 一种GaN功率放大器保护电路 |
CN113541613A (zh) * | 2021-07-21 | 2021-10-22 | 石家庄军特电子科技有限公司 | 一种GaN宽带功放输出开路自动保护电路 |
CN115051324A (zh) * | 2022-07-11 | 2022-09-13 | 上海应用技术大学 | 在高频工作下的GaN过流保护电路及方法 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1255779A (zh) * | 1998-11-18 | 2000-06-07 | 英特赛尔公司 | D类具有峰值电流限制及负载阻抗检测电路的调制器 |
US7206348B2 (en) * | 1994-01-05 | 2007-04-17 | Avocent Corporation | Twisted pair communications line system |
CN101174769A (zh) * | 2006-10-31 | 2008-05-07 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种自恢复多功能保护电路 |
US20080297963A1 (en) * | 2007-05-31 | 2008-12-04 | Hung-Ta Lee | Adjustable over current protection circuit with low power loss |
CN202026077U (zh) * | 2010-12-10 | 2011-11-02 | 上海新进半导体制造有限公司 | 一种开关电源的短路保护电路及控制器、开关电源 |
CN202772843U (zh) * | 2012-08-17 | 2013-03-06 | 北京汉铭通信有限公司 | Lte频段功放保护模块 |
CN202818464U (zh) * | 2011-12-15 | 2013-03-20 | 北京北广科技股份有限公司 | 数字电视转发器的智能化快速保护系统 |
CN103545792A (zh) * | 2013-08-22 | 2014-01-29 | 深圳市伟创电气有限公司 | 基于acs710的变频器过流保护电路及方法 |
CN205430205U (zh) * | 2016-01-21 | 2016-08-03 | 唐柯 | 光耦隔离场管驱动电路 |
CN107086539A (zh) * | 2017-04-26 | 2017-08-22 | 珠海格力电器股份有限公司 | 过流保护电路和过流保护方法 |
CN107276036A (zh) * | 2017-06-27 | 2017-10-20 | 成都启臣微电子股份有限公司 | 一种开关电源的cs采样电阻短路保护装置 |
CN206595912U (zh) * | 2017-03-21 | 2017-10-27 | 广东良得光电科技有限公司 | 一种带过流保护控制的逆变器前级驱动电路 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4878034A (en) * | 1989-03-27 | 1989-10-31 | Elantec | Digital protection circuit and method for linear amplifier |
US4965692A (en) * | 1989-07-31 | 1990-10-23 | Siemens Transmission Systems, Inc. | Overload detector and protection circuit |
JPH09199950A (ja) * | 1996-01-19 | 1997-07-31 | Fujitsu General Ltd | 増幅器の保護回路 |
JP2005229197A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電力増幅器モジュール |
JP2007074431A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Flying Mole Corp | 保護回路 |
CN102055412B (zh) * | 2010-12-02 | 2014-04-16 | 华为技术有限公司 | 一种功率放大器保护电路、通信设备和方法 |
CN102271425B (zh) * | 2011-06-22 | 2017-07-14 | 南京中兴新软件有限责任公司 | 一种保护功放的方法和装置 |
CN106412761B (zh) * | 2011-12-30 | 2020-02-14 | 意法半导体研发(深圳)有限公司 | 用于汽车音频功率放大器的嵌入式扬声器保护 |
CN204408279U (zh) * | 2015-01-21 | 2015-06-17 | 陕西理工学院 | 一种多媒体功放保护电路 |
CN206272476U (zh) * | 2016-11-29 | 2017-06-20 | 广州视源电子科技股份有限公司 | 抖频控制电路及开关电源 |
CN108574462B (zh) * | 2018-01-31 | 2021-03-26 | 中兴通讯股份有限公司 | 保护电路、电路保护方法 |
-
2018
- 2018-01-31 CN CN201810094652.4A patent/CN108574462B/zh active Active
-
2019
- 2019-01-31 WO PCT/CN2019/074063 patent/WO2019149236A1/zh unknown
- 2019-01-31 EP EP19746715.2A patent/EP3748845A4/en active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7206348B2 (en) * | 1994-01-05 | 2007-04-17 | Avocent Corporation | Twisted pair communications line system |
CN1255779A (zh) * | 1998-11-18 | 2000-06-07 | 英特赛尔公司 | D类具有峰值电流限制及负载阻抗检测电路的调制器 |
CN101174769A (zh) * | 2006-10-31 | 2008-05-07 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种自恢复多功能保护电路 |
US20080297963A1 (en) * | 2007-05-31 | 2008-12-04 | Hung-Ta Lee | Adjustable over current protection circuit with low power loss |
CN202026077U (zh) * | 2010-12-10 | 2011-11-02 | 上海新进半导体制造有限公司 | 一种开关电源的短路保护电路及控制器、开关电源 |
CN202818464U (zh) * | 2011-12-15 | 2013-03-20 | 北京北广科技股份有限公司 | 数字电视转发器的智能化快速保护系统 |
CN202772843U (zh) * | 2012-08-17 | 2013-03-06 | 北京汉铭通信有限公司 | Lte频段功放保护模块 |
CN103545792A (zh) * | 2013-08-22 | 2014-01-29 | 深圳市伟创电气有限公司 | 基于acs710的变频器过流保护电路及方法 |
CN205430205U (zh) * | 2016-01-21 | 2016-08-03 | 唐柯 | 光耦隔离场管驱动电路 |
CN206595912U (zh) * | 2017-03-21 | 2017-10-27 | 广东良得光电科技有限公司 | 一种带过流保护控制的逆变器前级驱动电路 |
CN107086539A (zh) * | 2017-04-26 | 2017-08-22 | 珠海格力电器股份有限公司 | 过流保护电路和过流保护方法 |
CN107276036A (zh) * | 2017-06-27 | 2017-10-20 | 成都启臣微电子股份有限公司 | 一种开关电源的cs采样电阻短路保护装置 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
SRAVAN K. BUGGAVEETI: "Improved Overcurrent Protection of Capacitor Banks Using Mathematical Morphology", 《IEEE TRANSACTIONS ON POWER DELIVERY》 * |
王富东: "智能断路器的电量测量与过载保护算法", 《仪器仪表学报》 * |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019149236A1 (zh) * | 2018-01-31 | 2019-08-08 | 中兴通讯股份有限公司 | 保护电路、电路保护方法 |
CN109391238A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-02-26 | 北京华峰测控技术股份有限公司 | 一种功放热保护电路及热保护方法 |
CN109391238B (zh) * | 2018-12-14 | 2024-08-06 | 北京华峰测控技术股份有限公司 | 一种功放热保护电路及热保护方法 |
CN112688645A (zh) * | 2019-10-17 | 2021-04-20 | 上海诺基亚贝尔股份有限公司 | 一种GaN功率放大器保护电路 |
CN112688645B (zh) * | 2019-10-17 | 2024-03-15 | 上海诺基亚贝尔股份有限公司 | 一种GaN功率放大器保护电路 |
CN110995243A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-04-10 | Tcl华星光电技术有限公司 | 电平转换电路及显示面板 |
CN112231000A (zh) * | 2020-10-14 | 2021-01-15 | 北京百瑞互联技术有限公司 | 一种快速低功耗soc睡眠唤醒控制方法、装置及存储介质 |
CN113541613A (zh) * | 2021-07-21 | 2021-10-22 | 石家庄军特电子科技有限公司 | 一种GaN宽带功放输出开路自动保护电路 |
CN115051324A (zh) * | 2022-07-11 | 2022-09-13 | 上海应用技术大学 | 在高频工作下的GaN过流保护电路及方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019149236A1 (zh) | 2019-08-08 |
CN108574462B (zh) | 2021-03-26 |
EP3748845A1 (en) | 2020-12-09 |
EP3748845A4 (en) | 2021-11-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108574462A (zh) | 保护电路、电路保护方法 | |
US9467095B2 (en) | Switchable dual core power amplifier | |
CN102439856B (zh) | 自适应参量功率放大器保护电路 | |
US20130257543A1 (en) | Power amplifier protection circuit, communication device, and method | |
CN102075148B (zh) | 射频功率放大器的过温保护电路 | |
CN101378262B (zh) | Uhf宽频带发射机的功放保护装置和方法 | |
US8810275B2 (en) | Dynamic impedance matching for improved transient performance in a direct current-to-direct current (‘DC/DC’) converter for delivering a load to an electrical component | |
US10396717B2 (en) | Power control method, device and communication terminal for radio frequency power amplifier | |
TWI578693B (zh) | 用於執行多模態功率放大的系統與方法 | |
US20230006619A1 (en) | Compensation circuit | |
WO2023138615A1 (zh) | 一种具有电流保护的射频前端模块及电子设备 | |
CN201303322Y (zh) | Uhf宽频带发射机的功放保护装置 | |
Serhan et al. | Efficiency enhancement using adaptive bias control for 60GHz power amplifier | |
CN116318095A (zh) | 热插拔控制电路、方法、存储介质及电子装置 | |
CN212543734U (zh) | 一种功率放大模块以及功率放大器的保护电路 | |
US9837964B2 (en) | Amplifier system and device | |
CN113964643B (zh) | 一种激光器的功率驱动器电路和激光器 | |
US11641179B2 (en) | Power amplifier and vehicle audio system | |
US20210083607A1 (en) | Electric Motor Power Control Circuitry | |
CN113972898A (zh) | 功率放大器的保护电路和控制方法及功率放大模块 | |
KR102456842B1 (ko) | 적응적 전원 전압을 인가함으로써 선형성과 효율성이 향상된 다단 증폭기 | |
CN110868047B (zh) | 电源控制方法、包络线跟踪电源及电子设备 | |
KR20150060173A (ko) | 전력 증폭기 | |
CN221709815U (zh) | 射频功率放大器的过压调节电路及通信装置 | |
Kim et al. | A 55‐W high efficiency unbalanced three‐stage Doherty power amplifiers for various output power back‐offs |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |