CN108566690A - 电阻发热体布线结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种电阻发热体布线结构，其能够使得大功率的谐波电流、电压闪烁等EMC控制指标符合相关标准的要求。一种电阻发热体布线结构，包括导热绝缘基体，在导热绝缘基体上按一方向形成依次分布的连接区和分布区，在导热绝缘基体上印刷有两组以上发热电阻，至少有两组发热电阻的功率不一致而形成不同的功率等级，各功率等级的发热电阻各自主要分布在独立的区块，并且不同功率等级较大的发热电阻还有局部与功率等级较小的发热电阻的局部并行而使发热电阻的连接端伸到连接区。
Description
技术领域
本发明属于加热装置的技术领域，具体地说是涉及电阻发热体布线结构。
背景技术
图1是传统的用于2000W以下加热系统的1/3、1/3、1/3功率布线方案，需要三套独立的控制电路控制三组加热电阻。三组发热电阻平行走线，通过对C-1、C-2、C-3的相等时间轮换通电，保证三组发热电阻的温度在任何时候都基本相同，因而三组发热电阻功率也基本相同，在三组发热电阻之间基本实现1：1：1的功率分配。
图2是另一种布线方案，即1/3、2/3功率布线方案，共有三条加热电阻平行布线，其中一组为两条加热电阻并联提供2/3的功率；另一组为单条加热电阻独立控制，提供1/3的加热功率。在两组发热电阻温度相同时，C-1、C-2的功率是大致2：1的关系。但实际使用中，因发热功率和电阻值成反比关系，电阻随温度上升而增加R＝ρl(T0+t)/S(T0)(T0为标准温度，t为相对于标准温度的温升)，因而发热功率和温升成反比关系。由于采用此种布线方案调节功率时无法始终保证两组加热电阻的加热时间相等，因而两组平行走线的电阻工作温度差异很大，且温度互相深度耦合影响，无法在两组电阻之间稳定实现1：2的功率分配关系；调节功率时，功率波动很大，使得大功率的谐波电流、电压闪烁等EMC控制指标不符合相关标准的要求。
发明内容
本发明的目的是提供一种电阻发热体布线结构，其能够使得大功率的谐波电流、电压闪烁等EMC控制指标符合相关标准的要求。
为解决上述技术问题，本发明的目的是这样实现的：
一种电阻发热体布线结构，包括导热绝缘基体，在导热绝缘基体上按一方向形成依次分布的连接区和分布区，在导热绝缘基体上印刷有两组以上发热电阻，至少有两组发热电阻的功率不一致而形成不同的功率等级，各功率等级的发热电阻各自主要分布在独立的区块，并且不同功率等级较大的发热电阻还有局部与功率等级较小的发热电阻的局部并行而使发热电阻的连接端伸到连接区。
在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所有的发热电阻的一端连接在一起而形成公共接线端、另一端为该组发热电阻的接线端。
在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述发热电阻为2组。
在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：功率等级较大的发热电阻的功率是功率等级较小的发热电阻的功率的2倍。
在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述发热电阻为3组。
在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：其中有两组功率等级较小的发热电阻的功率相同；并且功率等级较大的发热电阻的功率是功率等级较小的发热电阻的功率的2倍，功率相同的两组发热电阻呈并行设置。
在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：任意两组发热电阻的功率均不相同，并且在功率等级相接近的两组发热电阻中功率等级较大的发热电阻的功率是功率等级较小的发热电阻的功率的2倍。
本发明相比现有技术突出且有益的技术效果是：
本发明的电阻发热体布线结构，采用了各功率等级的发热电阻各自主要分布在独立的区块的结构，减小了两组发热电阻在不等时加热情况下的工作温度耦合、温度相互影响，通过调节第一区、第二区的面积，可以相对稳定地实现按两组发热电阻功率值比的分配关系，从而在调节功率时，减少功率波动，使得大功率的谐波电流、电压闪烁等EMC控制指标符合相关标准的要求。
附图说明
图1是传统的用于2000W以下的电阻发热体布线结构。
图2是传统的按1/3、2/3功率的电阻发热体布线结构。
图3是本发明一实施例的电阻发热体布线结构。
图4是本发明另一实施例的电阻发热体布线结构。
图5是本发明另一实施例的电阻发热体布线结构。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合实施例中的附图，对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于已给出的实施例，本领域普通技术人员在未做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
在本申请的描述中，术语“功率相接近”是指两组发热电阻的功率存在差异为前提，两组发热电阻的功率相同不认为是“功率相接近”，但由于制造误差形成的差异则仍认定为功率相同。
在本申请的描述中，术语“功率较大”、“功率较小”等是作指代词，而不是指具体功率的大小值。
在本申请的描述中，“以上”包括本数。
本发明公开了一种电阻发热体布线结构，包括导热绝缘基体1。通常，导热绝缘基体采用陶瓷材料制成。导热绝缘基体可以采用管状结构，也可以采用片状结构。在导热绝缘基体上按一方向形成依次分布的连接区100和分布区，在导热绝缘基体1上印刷有两组以上发热电阻10，20，30，至少有两组发热电阻的功率不一致而形成不同的功率等级，各功率等级的发热电阻各自主要分布在独立的区块，功率等级较大的发热电阻位于相对远离连接区的区块，功率等级较小的发热电阻位于相对靠近连接区的区块，并且功率等级较大的发热电阻还有局部与功率等级较小的发热电阻的局部并行而使发热电阻的连接端伸到连接区，功率等级较大的发热电阻位于功率等级较小的发热电阻的外侧并形成半包围的布局结构。
在一实施例中，参见图3，电阻发热体总功率是1200瓦，其具有2组发热电阻20，10。功率较大的发热电阻20的功率是800瓦，功率较小的发热电阻10的功率是400瓦。在本实施例中，功率较大的所述发热电阻20的功率是功率较小的所述发热电阻10的功率的2倍。需要指出的是，发热电阻的功率也可以按其它功率配置，例如，一组是500瓦，另一组是700瓦。
在本实施例中，在导热绝缘基体1上从左至右依次设有连接区100和分布区。如图3中所示，分布区包括第一区201和第二区202。第一区201和第二区202在连接区的右侧呈依次从左向右分布。功率400瓦的发热电阻10主要分布在第一区201。功率800瓦的发热电阻20主要分布在第二区202。在本实施例中，功率800瓦的发热电阻20的大部分位于第二区202内形成主要分布在第二区202的布局设计，而其小部分向连接区伸出而使连接端落于连接区100。功率400瓦的发热电阻10的大部分位于第一区201内形成主要分布在第一区的布局设计。而功率400瓦的发热电阻10、功率800瓦的发热电阻20的小部分向连接区100伸出而使其连接端落于连接区100，并且功率等级较大的发热电阻20的局部与功率等级较小的发热电阻10的局部并行。
从整体上看，功率800瓦的发热电阻20位于功率400瓦的发热电阻10的外侧并形成半包围的布局结构。如图3中所示，在连接区的左端，功率800瓦的发热电阻20没有局部分布到功率400瓦的发热电阻10的左侧。
采用这种结构，减小了两组发热电阻在不等时加热情况下的工作温度耦合、温度相互影响，通过调节第一区、第二区的面积，可以相对稳定地实现功率的1：2分配关系，即按两组发热电阻功率值比的分配关系。
优选地，如图3中所示，功率400瓦的发热电阻先向第二区伸出后折回直至使连接端落在连接区内。
通过这种结构，在很大的程度上避免了温度耦合的影响，又能够起到及时地向电路保护系统提供检测热量。如果功率等级较大的发热电阻与功率等级较小的发热电阻完全独立地位于两个区块，当其中一组发热电阻短路而持续发热，若温度传感器恰是位于另一组发热电阻上，则由于两者完全独立地位于两个区块，致使温度传递较慢，继而被温度传感器感知的时间较长，致使启动断电保护的时间也相应的延长。需要指出的是，为获得上述目的，还可以将发热电阻的中间位置的小部分伸到另一区块中。
另外，在应用时，当需要500瓦的加热功率时，400瓦的发热电阻以3/4的占空比间歇工作，在余下的1/4时间中，400瓦的发热电阻停止加热，800瓦的发热电阻工作，这样在宏观上平均功率＝400*3/4+800/4＝300+200＝500瓦，而且在微观上最大的功率跳变只有400-0＝400瓦，或800-400＝400瓦，减少了功率波动，改善了EMI性能。而使用单一1200瓦的发热电阻时，微观控制上的功率波动为1200-0＝1200瓦，对供电系统的冲击较大。
同理，当需要1000瓦的加热功率时，800瓦的发热电阻始终工作，400瓦的发热电阻以1/2的占空比间歇工作，这样宏观上平均功率＝400*1/2+800＝1000瓦，而且在微观上最大的功率跳变只有400-0＝400瓦。
可能理解的是，陶瓷发热体在工作过程中任何工作状态，最大的功率跳变幅度不大于400瓦，大幅降低了EMI指标。
在本实施例中，所有的发热电阻的一端连接在一起而形成公共接线端、另一端形成用于电连接的各发热电阻的接线端。
实施例二、
参见图4，在本实施例中，发热电阻有3组。
其中有两组功率等级较小的发热电阻10的功率相同；并且功率等级较大的发热电阻20的功率是功率等级较小的发热电阻的功率的2倍。
在本实施例中，功率等级较小的750瓦的发热电阻10有2组，其二者呈并行设置。功率较大的1500瓦的发热电阻20有1组。如图4中所示，在导热绝缘基体1上从左至右依次设有连接区100和分布区。分布区包括第一区201和第二区202。第一区201和第二区202在连接区的右侧呈依次从左向右分布。功率1500瓦的发热电阻20大部分位于相对远离连接区的第二区202，功率750瓦的发热电阻大部分位于相对靠近连接区的第一区201。在本实施例中，功率相同的两组750瓦的发热电阻是作为整体的一个功率等级，其大部分布在第一区，功率较大的1500瓦的发热电阻大部分分布在第二区。而功率750瓦的发热电阻20、功率1500瓦的发热电阻10的小部分向连接区伸出，形成功率等级较大的发热电阻还有局部与功率等级较小的发热电阻的局部并行而使发热电阻的连接端伸到连接区100的结构。
从整体上看，功率1500瓦的发热电阻20位于功率750瓦的发热电阻10的外侧并形成半包围的布局结构。
采有这种结构，采用这种结构，减小了两组发热电阻在不等时加热情况下的工作温度耦合、温度相互影响，通过调节两区的面积，可以相对稳定地实现功率的1：2分配关系，即按两组发热电阻功率值比的分配关系。
在及时地向电路保护系统提供检测热量方面，本实施例也可以采用实施一中的发热电阻伸到另一区块中的结构。
实施例三、
在本实施例中，发热电阻有3组。任意两组发热电阻的功率均不相同，并且在功率等级相接近的两组发热电阻中功率等级较大的发热电阻的功率是功率等级较小的发热电阻的功率的2倍。
如图5中所示，一组发热电阻30的功率为3200瓦，一组发热电阻20的功率为1600瓦，还有一组发热电阻10的功率为800瓦。3200瓦的发热电阻与1600瓦的发热电阻为功率等级相接近的两组发热电阻。1600瓦的发热电阻与800瓦的发热电阻为功率等级相接近的两组发热电阻。而3200瓦的发热电阻与800瓦的发热电阻不属于功率等级相接近的两组发热电阻。
如图5中所示，在导热绝缘基体1上从左至右依次设有连接区100和分布区。分布区包括第一区201、第二区202和第三区203。第一区、第二区和第三区在连接区的右侧依次从左向右分布。在本实施例中，800瓦的发热电阻10、1600瓦的发热电阻20、3200瓦的发热电阻30的大部分各自主要分布在独立的第一区201、第二区202和第三区203。3200瓦的发热电阻30还有局部与1600瓦的发热电阻20的局部并行而使发热电阻的连接端伸到连接区，同样的，1600瓦的发热电阻20还有局部与800瓦的发热电阻10的局部并行而使发热电阻的连接端伸到连接区100。3200瓦的发热电阻位于1600瓦的发热电阻的外侧并形成半包围的布局结构；1600瓦的发热电阻位于800瓦的发热电阻的外侧并形成半包围的布局结构。
采有这种结构，采用这种结构，减小了两组发热电阻在不等时加热情况下的工作温度耦合、温度相互影响，通过调节两区的面积，可以相对稳定地实现功率的1：2分配关系，即按两组发热电阻功率值比的分配关系。
及时地向电路保护系统提供检测热量方面，本实施例也可以采用实施一中的将发热电阻伸到另一区块中的结构。
在上述实施例中，导热绝缘基体1包括陶瓷基体和陶瓷绝缘层，所述发热电阻位于陶瓷基体和陶瓷绝缘层之间，发热电阻的连接端暴露在陶瓷绝缘层外，也就是说，陶瓷绝缘层的面积略小于陶瓷基体从而使陶瓷绝缘层未全部覆盖住陶瓷基体，发热电阻的连接端位于未被覆盖的部分。将陶瓷基体和陶瓷绝缘层烧结在一起。
在本发明中，功率最小的发热电阻的功率通常等于或小于900瓦，以效地控制EMI指标。由于发热丝中至少有部分发热丝功率不相同，形成功率差异，以减少发热丝的数量，同时还限定了最小的发热丝的功率，以匹配加热功率，从而使控制方案较简单，2500瓦以下的恒温控制系统只需要2套独立的电子控制回路，2500瓦～5600瓦之间的大功率恒温控制系统只需要3组独立的电子控制回路，并且还能有效地控制EMI指标，简化了控制系统，提高了可靠性，降低了系统成本。
上述实施例仅为本发明的较佳实施例，并非依此限制本发明的保护范围，故：凡依本发明的结构、形状、原理所做的等效变化，均应涵盖于本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种电阻发热体布线结构，包括导热绝缘基体，在导热绝缘基体上按一方向形成依次分布的连接区和分布区，在导热绝缘基体上印刷有两组以上发热电阻，其特征在于：至少有两组发热电阻的功率不一致而形成不同的功率等级，各功率等级的发热电阻各自主要分布在独立的区块，并且功率等级较大的发热电阻还有局部与功率等级较小的发热电阻的局部并行而使发热电阻的连接端伸到连接区。
2.根据权利要求1所述的电阻发热体布线结构，其特征在于：所有的发热电阻的一端连接在一起而形成公共接线端、另一端为的各发热电阻的接线端。
3.根据权利要求1或2所述的电阻发热体布线结构，其特征在于：所述发热电阻为2组。
4.根据权利要求3所述的电阻发热体布线结构，其特征在于：功率等级较大的发热电阻的功率是功率等级较小的发热电阻的功率的2倍。
5.根据权利要求1或2所述的电阻发热体布线结构，其特征在于：所述发热电阻为3组。
6.根据权利要求5所述的电阻发热体布线结构，其特征在于：其中有两组功率等级较小的发热电阻的功率相同；并且功率等级较大的发热电阻的功率是功率等级较小的发热电阻的功率的2倍，功率相同的两组发热电阻呈并行设置。
7.根据权利要求1或2所述的电阻发热体布线结构，其特征在于：任意两组发热电阻的功率均不相同，并且在功率等级相接近的两组发热电阻中功率等级较大的发热电阻的功率是功率等级较小的发热电阻的功率的2倍。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20180921 |