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CN108415604A - 触控显示面板的制造方法、触控显示面板 - Google Patents

触控显示面板的制造方法、触控显示面板 Download PDF

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CN108415604A
CN108415604A CN201810231211.4A CN201810231211A CN108415604A CN 108415604 A CN108415604 A CN 108415604A CN 201810231211 A CN201810231211 A CN 201810231211A CN 108415604 A CN108415604 A CN 108415604A
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CN
China
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touch
buffer layer
touch module
display panel
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Application number
CN201810231211.4A
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罗鸿强
吴建君
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BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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Publication date
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Abstract

本申请公开了一种触控显示面板的制造方法、触控显示面板，属于面板制造领域。所述方法包括：在第一衬底基板上形成发光器件；在发光器件上形成薄膜封装层；在第二衬底基板上形成触控模组；将第二衬底基板与触控模组分离；将触控模组贴附在薄膜封装层上。本申请解决了触控显示面板的制造优良率较低的问题，提高了触控显示面板的制造优良率。本申请用于触控显示面板的制造。

Description

触控显示面板的制造方法、触控显示面板
技术领域
本申请涉及面板制造领域，特别涉及一种触控显示面板的制造方法、触控显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展，柔性显示屏的使用越来越广泛，对于柔性显示屏中的触控显示面板的要求也越来越高。
触控显示面板包括：外挂式触控显示面板与内嵌式触控显示面板，其中内嵌式触控显示面板由于其较为轻薄而备受青睐。内嵌式触控显示面板可以为on-cell结构，也即是将触控模组置于封装后的发光器件之上的结构。在制造on-cell结构的触控显示面板时，可以首先在衬底基板上形成发光器件，然后在发光器件上形成薄膜封装(英文：Thin FilmEncapsulation；简称：TFE)层，最后，可以在薄膜封装层上通过至少一次构图工艺形成触控模组。
由于相关技术中，形成触控模组的过程中的构图工艺包括刻蚀工艺，且刻蚀工艺会损伤薄膜封装层，导致触控显示面板不良，因此触控显示面板的制造优良率较低。
发明内容
本申请提供了一种触控显示面板的制造方法、触控显示面板，可以解决触控显示面板的制造优良率较低的问题。所述技术方案如下：
一方面，提供了一种触控显示面板的制造方法，所述方法包括：
在第一衬底基板上形成发光器件；
在所述发光器件上形成薄膜封装层；
在第二衬底基板上形成触控模组；
将所述第二衬底基板与所述触控模组分离；
将所述触控模组贴附在所述薄膜封装层上。
可选的，所述在第二衬底基板上形成触控模组，包括：
在所述第二衬底基板上形成第一缓冲层；
在所述第一缓冲层上形成硬化层；
在所述硬化层上形成触控层；
其中，所述第一缓冲层为粘性透明绝缘材质，在将所述触控模组贴附在所述薄膜封装层上后，所述第一缓冲层与所述薄膜封装层接触。
可选的，在第二衬底基板上形成触控模组之后，所述方法还包括：
在所述触控层上形成第二缓冲层，所述第二缓冲层的厚度大于所述触控层、所述硬化层和所述第一缓冲层的厚度之和；
在将所述触控模组贴附在所述薄膜封装层上之后，所述方法还包括：
将所述第二缓冲层与所述触控模组分离。
可选的，在所述第一缓冲层上形成硬化层后，所述方法还包括：
在所述硬化层上形成折射率匹配IM层；
所述在所述硬化层上形成触控层，包括：
在形成有所述IM层的所述硬化层上形成所述触控层；
其中，所述第二缓冲层的厚度大于所述触控层、所述IM层、所述硬化层以及所述第一缓冲层的厚度之和。
可选的，所述第一缓冲层为透明有机薄膜，所述将所述触控模组贴附在所述薄膜封装层上，包括：
将形成有所述第二缓冲层的所述触控模组置于所述薄膜封装层上；
从所述第二缓冲层所在侧向所述触控模组照射紫外线，以增大所述第一缓冲层与所述薄膜封装层的第一粘合力。
可选的，所述第二缓冲层为紫外线解胶层，
在从所述第二缓冲层所在侧向所述触控模组照射紫外线后，所述第二缓冲层与所述触控层之间的第二粘合力减小，且小于增大后的所述第一粘合力。
可选的，所述将所述第二衬底基板与所述触控模组分离，包括：
从所述第二衬底基板所在侧向所述第一缓冲层照射激光，以使所述第二衬底基板与所述第一缓冲层分离。
可选的，所述触控层、所述IM层、所述硬化层以及所述第一缓冲层的厚度之和的范围为6微米～8微米，所述第二缓冲层的厚度大于或者等于50微米。
可选的，所述第一缓冲层为聚酰亚胺PI薄膜。
另一方面，提供了一种触控显示面板，所述触控显示面板由上述的方法制成。
本申请提供的技术方案带来的有益效果是：
本申请提供了一种触控显示面板的制造方法、触控显示面板，在该方法中可以在第一衬底基板上形成发光器件与薄膜封装层，且在第二衬底基板上形成触控模组，然后将第二衬底基板与触控模组分离，且将触控模组贴附在薄膜封装层上。无需直接在薄膜封装层上制造触控模组，防止了形成触控层时的刻蚀工艺对薄膜封装层的损坏，因此，触控显示面板的制造优良率较高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种触控显示面板的制造方法流程图；
图2是本发明实施例提供的另一种触控显示面板的制造方法流程图；
图3是本发明实施例提供的一种触控显示面板的部分结构示意图；
图4是本发明实施例提供的另一种触控显示面板的部分结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种形成第一缓冲层时的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的一种形成硬化层时的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的一种形成IM层时的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的一种形成触控层时的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的一种形成第二缓冲层时的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的一种形成触控显示面板时的结构示意图；
图11是本发明实施例提供的一种触控显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
随着柔性显示屏的广泛应用，对于触控显示面板的制造优良率的要求也越来越高。柔性显示屏中的触控显示面板通常为on-cell结构，触控显示面板中的触控层需要形成在薄膜封装层上，而直接在薄膜封装层上形成触控层会导致薄膜封装层损伤，使得触控显示面板的制造优良率较低。本发明实施例提供了一种触控显示面板的制造方法，可以提高触控显示面板的制造优良率。
图1是本发明实施例提供的一种触控显示面板的制造方法流程图。如图1所示，该方法包括：
步骤101、在第一衬底基板上形成发光器件。
步骤102、在发光器件上形成薄膜封装层。
步骤103、在第二衬底基板上形成触控模组。
步骤104、将第二衬底基板与触控模组分离。
步骤105、将触控模组贴附在薄膜封装层上。
综上所述，本发明实施例提供的触控显示面板的制造方法中，可以在第一衬底基板上形成发光器件与薄膜封装层，且在第二衬底基板上形成触控模组，然后将第二衬底基板与触控模组分离，且将触控模组贴附在薄膜封装层上。无需直接在薄膜封装层上制造触控模组，防止了形成触控层时的刻蚀工艺对薄膜封装层的损坏，因此，触控显示面板的制造优良率较高。
图2是本发明实施例提供的另一种触控显示面板的制造方法流程图。如图2所示，该方法可以包括：
步骤201、在第一衬底基板上形成发光器件。
示例的，在步骤201之前，可以首先在第一衬底基板上形成薄膜晶体管(英文：ThinFilm Transistor；简称：TFT)层303；在步骤201中，可以在TFT层303上形成发光器件302，以得到图3所示的结构。其中，该第一衬底基板301的材质可以为聚酰亚胺(英文：Polyimide；简称：PI)，该发光器件302可以为有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode；简称：OLED)。
步骤202、在发光器件上形成薄膜封装层。
为了防止水分与空气对发光器件302进行侵蚀，需要对发光器件302进行封装，在发光器件上形成薄膜封装层。示例的，可以在图3示出的发光器件302上形成薄膜封装层304，以得到图4所示的结构。
步骤203、在第二衬底基板上形成第一缓冲层。
示例的，可以在第二衬底基板501上形成第一缓冲层502，以得到图5所示的结构。该第二衬底基板501与第一衬底基板301为两个相互独立的基板，该第二衬底基板501可以为玻璃基板，第一缓冲层502可以为粘性透明绝缘材质。该第一缓冲层的粘性可以大于其所在的触控显示面板中的其他膜层的粘性，此时该第一缓冲层可以用于粘结位于该第一缓冲层两侧的膜层。例如该第一缓冲层可以为透明有机薄膜(英文：lift oflayer；简称：LOL)，如PI薄膜，该第一缓冲层的厚度范围可以为2微米～4微米。
步骤204、在第一缓冲层上形成硬化层。
示例的，在形成第一缓冲层502后可以在第一缓冲层502上形成初始材质层，并对该初始材质层进行硬化(英文：Hard Coat)处理得到硬化层503，进而得到图6所示的结构。该硬化层503可以为硬度较大的有机材质层，以便于承载后续步骤中需要在第二衬底基板上形成的其他膜层。
步骤205、在硬化层上形成折射率匹配IM层。
示例的，可以采用溅射(英文：Sputter)工艺或者等离子体增强的气相沉积(英文：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；简称：PECVD)法等方法，在图6示出的硬化层503上形成图7所示的折射率匹配(英文：Index Matching；简称：IM)层504。IM层504可以由二氧化硅SiO2与五氧化二铌Nb2O5组成，该IM层可以在有光线透过时对该光线的折射率进行调整，进而调整射出该IM层的光线的亮度，以使得从包括该IM层的触控显示面板中射出的光线的亮度均匀分布。
步骤206、在IM层上形成触控层。
示例的，可以在图7示出的IM层504上通过至少一次构图工艺形成触控层505，以得到图8所示的结构，此时第一缓冲层502、硬化层503、IM层504与触控层505可以共同构成触控模组500，每次构图工艺可以包括蒸镀或者刻蚀等过程。
触控层可以为自容式触控层或互容式触控层。另外，该触控层可以包括交替排列的触控电极区域与引线区域。相关技术中，当触控显示面板呈亮态显示时，由于触控层中的引线区域的光透过率与触控电极区域的光透过率不同，因此发光器件发出的光在透过触控层后的亮度分布不均，会导致触控显示面板显示明暗相间的条纹(此现象也叫消影现象)。本发明实施例中，在第一缓冲层上形成有IM层，且IM层可以对发光器件发出的光的亮度进行调整，使得从触控层射出后的光线的亮度分布均匀，避免了触控显示面板在呈亮态显示时显示明暗相间的条纹。
步骤207、在触控层上形成第二缓冲层。
示例的，可以在图8示出的触控层505上形成第二缓冲层506，以得到图9所示的结构。该第二缓冲层506的厚度可以大于触控层505、IM层504、硬化层503以及第一缓冲层502的厚度之和(也即是触控模组500的厚度)。例如，触控模组500的厚度范围可以为6微米～8微米，第二缓冲层506的厚度可以大于或者等于50微米。需要说明的是，图9中仅示意性的示出了各个膜层之间的厚薄关系，图9示出的各个膜层的厚度比例并不代表实际应用中各个膜层的厚度比例。
步骤208、将第二衬底基板与触控模组分离。
示例的，请继续参考图9，可以采用激光剥离(英文：Laser lift-off；简称：LLO)等技术将第二衬底基板501与触控模组500分离，如可以从第二衬底基板501所在侧向第一缓冲层502照射激光，以使得第一缓冲层502与第二衬底基板501接触的部分融化，进而可以容易的将第二衬底基板501与第一缓冲层502分离。
步骤209、将形成有第二缓冲层的触控膜组置于薄膜封装层上，使得第一缓冲层与薄膜封装层接触。
示例的，可以将形成有第二缓冲层506的触控模组500置于图4所示的薄膜封装层304上，且使得第一缓冲层502与薄膜封装层304接触，以得到图10所示的结构。需要说明的是，由于触控模组的厚度较小，在步骤208中无法直接完好的将触控模组从第二衬底基板上剥离并移动至薄膜封装层上，因此需要使用厚度较大的第二缓冲层作为转载体，将该触控模组从第二衬底基板上转移到薄膜封装层上。
步骤210、从第二缓冲层所在侧向触控模组照射紫外线。
示例的，请继续参考图10，可以从第二缓冲层506所在侧向触控模组500照射紫外线。需要说明的是，第一缓冲层502在紫外线(英文：Ultraviolet；简称：UV)的照射下其粘性会变大，因此在向触控模组500照射紫外线后，第一缓冲层502与薄膜封装层304的第一粘合力会增大，使得触控模组500牢固的贴附在薄膜封装层304上。另外，第二缓冲层506可以为紫外线解胶膜，该第二缓冲层506在紫外线的照射下其粘性会降低，因此在从第二缓冲层506所在侧向触控模组500照射紫外线后，第二缓冲层506与触控层505的第二粘合力会减小，且该减小后的第二粘合力可以小于该增大后的第一粘合力。
步骤211、将第二缓冲层与触控模组分离。
示例的，在第二缓冲层与触控层的第二粘合力小于第一缓冲层与薄膜封装层的第一粘合力时，可以将第二缓冲层剥离触控模组，且不会使得触控模组与薄膜封装层分离，进而得到图11所示的触控显示面板00。
本发明实施例中，可以首先在第一衬底基板上形成发光器件以及薄膜封装层，然后在第二衬底基板上形成第一缓冲层，并在该第一缓冲层上依次形成硬化层、IM层、触控层以及第二缓冲层，且第一缓冲层、IM层与触控层构成触控模组。之后，可以将第二衬底基板与触控模组分离，且使用第二缓冲层作为转载体将触控模组贴附到薄膜封装层上，最后将第二缓冲层与触控模组分离以形成触控显示面板。
综上所述，本发明实施例提供的触控显示面板的制造方法中，可以在第一衬底基板上形成发光器件与薄膜封装层，且在第二衬底基板上形成触控模组，然后将第二衬底基板与触控模组分离，且将触控模组贴附在薄膜封装层上。无需直接在薄膜封装层上制造触控模组，防止了形成触控层时的刻蚀工艺对薄膜封装层的损坏，因此，触控显示面板的制造优良率较高。
本发明实施例还提供了一种触控显示面板，该触控显示面板可以由上述方法制成，该触控显示面板可以为图11所示的触控显示面板00。示例的，该触控显示面板可以为是有源矩阵有机发光二极体(英文：Active-matrix organic light emitting diode；简称AMOLED)显示面板。该触控显示面板可以用于手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有触控显示功能的触控显示装置中。
需要说明的是，本发明实施例提供的触控显示面板实施例能够与相应的方法实施例相互参考，本发明实施例对此不做限定。本发明实施例提供的方法实施例步骤的先后顺序能够进行适当调整，步骤也能够根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本申请的保护范围之内，因此不再赘述。
以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种触控显示面板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在第一衬底基板上形成发光器件；
在所述发光器件上形成薄膜封装层；
在第二衬底基板上形成触控模组；
将所述第二衬底基板与所述触控模组分离；
将所述触控模组贴附在所述薄膜封装层上。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第二衬底基板上形成触控模组，包括：
在所述第二衬底基板上形成第一缓冲层；
在所述第一缓冲层上形成硬化层；
在所述硬化层上形成触控层；
其中，所述第一缓冲层为粘性透明绝缘材质，在将所述触控模组贴附在所述薄膜封装层上后，所述第一缓冲层与所述薄膜封装层接触。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在第二衬底基板上形成触控模组之后，所述方法还包括：
在所述触控层上形成第二缓冲层，所述第二缓冲层的厚度大于所述触控层、所述硬化层和所述第一缓冲层的厚度之和；
在将所述触控模组贴附在所述薄膜封装层上之后，所述方法还包括：
将所述第二缓冲层与所述触控模组分离。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述第一缓冲层上形成硬化层后，所述方法还包括：
在所述硬化层上形成折射率匹配IM层；
所述在所述硬化层上形成触控层，包括：
在形成有所述IM层的所述硬化层上形成所述触控层；
其中，所述第二缓冲层的厚度大于所述触控层、所述IM层、所述硬化层以及所述第一缓冲层的厚度之和。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述第一缓冲层为透明有机薄膜，所述将所述触控模组贴附在所述薄膜封装层上，包括：
将形成有所述第二缓冲层的所述触控模组置于所述薄膜封装层上；
从所述第二缓冲层所在侧向所述触控模组照射紫外线，以增大所述第一缓冲层与所述薄膜封装层的第一粘合力。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二缓冲层为紫外线解胶层，
在从所述第二缓冲层所在侧向所述触控模组照射紫外线后，所述第二缓冲层与所述触控层之间的第二粘合力减小，且小于增大后的所述第一粘合力。
7.根据权利要求2至4任一所述的方法，其特征在于，所述将所述第二衬底基板与所述触控模组分离，包括：
从所述第二衬底基板所在侧向所述第一缓冲层照射激光，以使所述第二衬底基板与所述第一缓冲层分离。
8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述触控层、所述IM层、所述硬化层以及所述第一缓冲层的厚度之和的范围为6微米～8微米，所述第二缓冲层的厚度大于或者等于50微米。
9.根据权利要求2至4任一所述的方法，其特征在于，所述第一缓冲层为聚酰亚胺PI薄膜。
10.一种触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板由权利要求1至9任一所述的方法制成。
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