CN108387591A - 一种半导体器件的失效分析方法及其设备 - Google Patents
一种半导体器件的失效分析方法及其设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108387591A CN108387591A CN201711472606.5A CN201711472606A CN108387591A CN 108387591 A CN108387591 A CN 108387591A CN 201711472606 A CN201711472606 A CN 201711472606A CN 108387591 A CN108387591 A CN 108387591A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- observation
- circuit arrangement
- arrangement map
- single object
- semiconductor devices
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims description 17
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003137 locomotive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/04—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
本发明揭示了一种半导体器件的失效分析方法及其设备，该方法包括以下步骤：S1：对半导体器件进行失效位置分析确认失效信息；S2：确认目标位置的观测对象包括单个对象还是多个对象；S3：如确定观测对象包括单个对象，则检测单个对象的X和Y方向边界尺寸和方向；S4：如确定观测对象包括多个对象确认观测单个对象，检测单个对象的X和Y方向边界尺寸和方向；选择对应单个对象的电路布局图，根据检测到的边界尺寸和方向，对单个对象的观测画面与其电路布局图进行匹配，使单个对象在观测画面上各个组件与其电路布局图上的位置一一对应。该方法可将观测画面的位置与实际电路布局图上的位置匹配，快速找到观测对象目标，提高了失效分析效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体可靠性分析领域，更具体地说，涉及一种半导体器件的失效分析方法及其设备。
背景技术
半导体元器件结构复杂，检查失效分析的主要手段有光学显微镜检查、扫描电子显微镜检查分析、IR、X-射线检查和C-SAM等。结构复杂的半导体芯片，其电路元件的数目很多，电路元件都是微米尺寸的微米单元或者甚至更小的纳米单元。
在一般失效分析中，技术人员从测试中得到失效信息，再去半导体芯片实物上去分析观测失效部分，进而找出失效原因。一般需要技术人员预先根据半导体芯片的布局图去确认好失效连接元件的位置，再使用必要的检测分析仪器观测相应位置。但是在集成电路中，如果没有电路布局图为指导，很难识别各个电路元件。
以导电连接元件为例，数目非常多，连接元件的尺寸在微米级别，间隔也在微米级别，数目多达上千个，各个连接原件相貌大小都很相似，如果没有位置参考，无法准确的定位目标观测对象。
在X-射线检测分析设备中，也会将半导体芯片倾斜一定角度去观测，在这种情况下，各个元件的透射衬度所形成的形貌会拉长或缩短。如果原来已经锁定的目标元件的像会与旁边的其他元件的像发生不同程度的重叠，无法准确的定位目标观测对象。
另外，在对这些导电连接元件使用光学显微镜观测时，如果在较小的倍率下，找到目标观测对象时，然后再放大观测，这时如果稍微移动一下半导体芯片的位置，目标观测对象就无法准确找到，因为视场中的各个连接元件都形貌大小相似，如果没有位置参考，无法准确的定位目标观测对象。
因此，在现有技术中使用各个检查观测设备很难于快速的找到准确的失效元件位置。
发明内容
本发明的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种半导体器件的失效分析方法及其设备。
本发明的目的将通过以下技术方案得以实现：
一种半导体器件的失效分析方法，该方法包括以下步骤：
S1：对所述半导体器件进行失效位置分析，确认此失效分析的元件和位置失效信息；
S2：确认观测对象是包括单个对象还是多个对象；
S3：如确定所述观测对象包括单个对象，则检测所述单个对象的X和Y方向边界尺寸和方向；
S4：如确定所述观测对象包括多个对象，确认观测单个对象，检测所述单个对象的X和Y方向边界尺寸和方向；选择对应所述单个对象的电路布局图，根据检测到的所述边界尺寸和方向，对所述单个对象的观测画面与其电路布局图进行匹配，使所述单个对象在观测画面上各个组件与其电路布局图上的位置一一对应。
优选地，所述X和Y方向边界尺寸的精度为0.1um~1um。
优选地，当所述匹配完成后，基于所匹配的结果在观测画面上显示各个组件的名称和/或编号。
优选地，当所述匹配完成后，如果进行放大检测画面的动作，则基于所述匹配的结果以及放大比率，放大后，观测画面上的各个组件与其电路布局图上的位置一一对应。
优选地，当所述匹配完成后，如果进行移动检测位置的动作，则基于所述匹配结果以及移动量，移动后，观测画面上的各个组件与其电路布局图上的位置一一对应。
优选地，当所述匹配完成后，如果输入所述电路布局图上的电子元件名称和/或编号，所述电子元件的位置会在所述观测画面上突出显示。
优选地，如果输入所述电路布局图上的电子元件名称和/或编号，所述观测设备的观测中心会移动到所述电子元件的位置。
优选地，在所述S3步骤中，如确定所述观测对象包括单个对象， 控制系统会自动弹出对话框，向操作人员确认此观测对象的定位原点O，此定位原点与该观测对象在电路布局图中的一个位置对应，在电路布局图中也以此原点作为定位原点O’，然后确定样品以及电路布局图中的坐标系，建立坐标系后，控制系统后台会自动跟踪每个移动步骤后观测视场位于坐标系中的位置，控制系统后台会执行将电路布局图中位置与观测视场同步，使视场中每个位置与电路布局图中的位置对应。
优选地，样品的电路布局图位置与样品上的位置一一对应。
优选地，选取样品的一个边界为X轴，X轴任意选择样品中的位置，不局限于边界。
本发明还揭示了一种半导体器件的失效分析设备，包括处理器装置、存储器装置和观测分析装置，所述处理器装置与存储器装置电性连接，所述存储器中存储有至少一个程序，每个所述程序并被配置成处理器执行，每个所述程序包括指令，所述指令用于确认观测对象是包括单个对象还是包括多个对象。
本发明技术方案的优点主要体现在：本技术方案在应用过程中可将观测画面的位置与实际电路布局图上的位置匹配，可以实现快速的找到观测对象目标的功能。另外在放大显示时，观测者也可以知道具体现在的观测位置，可以提高观测分析效率。另外在X-ray倾斜角度观测时，由于投影，观测对象会在某个方向拉长，所以各个观测对象之间会重叠，难于找到目标对象，应用本技术方案可以快速、容易的锁定目标对象，提高了失效分析效率和准确率。
附图说明
图1是单个对象电路布局图的连接元件bump布局图。
图2是四个单个对象X-ray显示bump画面示意图。
图3是单个对象X-ray显示bump画面示意图。
图4是电路布局图的示意图。
图5是电路布局图的示意图。
图6是视场中每个位置与电路布局中的位置对应示意图。
具体实施方式
本发明的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。这些实施例仅是应用本发明技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案，均落在本发明要求保护的范围之内。
本发明揭示了一种半导体器件的失效分析方法，具体地，该方法包括以下步骤：
S1：对所述半导体器件进行失效位置分析，确认此失效分析的元件和位置失效信息；
S2：确认目标位置的观测对象是包括单个对象还是多个对象；
S3：如确定所述观测对象包括单个对象，则检测所述单个对象的X和Y方向边界尺寸和方向；
S4：如确定所述观测对象包括多个对象，确认观测单个对象，检测所述单个对象的X和Y方向边界尺寸和方向；选择对应所述单个对象的电路布局图，根据检测到的所述边界尺寸和方向，对所述单个对象的观测画面与其电路布局图进行匹配，使所述单个对象在观测画面上各个组件与其电路布局图上的位置一一对应。
所述X和Y方向边界尺寸的精度为0.1um~1um。当所述匹配完成后，基于所匹配的结果在观测画面上显示各个组件的名称和/或编号。当所述匹配完成后，如果进行放大检测画面的动作，则基于所述匹配的结果以及放大比率，放大后，观测画面上的各个组件与其电路布局图上的位置一一对应。
当所述匹配完成后，如果进行移动检测位置的动作，则基于所述匹配结果以及移动量，移动后，观测画面上的各个组件与其电路布局图上的位置一一对应。当所述匹配完成后，如果输入所述电路布局图上的电子元件名称和/或编号，所述电子元件的位置会在所述观测画面上突出显示。如果输入所述电路布局图上的电子元件名称和/或编号，所述观测设备的观测中心会移动到所述电子元件的位置。
图1为X-射线得到的芯片连接元件的部分示意图，在本说明书中，单个对象，其实是指一个样品，多个对象，就是指多个样品。如图2所示，X-ray显示平台上有4个相同的样品，实际中也可以有不同的样品，红色框中为选定确认一个单个对象，此单个对象对应一种产品，有一个电路布局图，现有技术中X-ray 的操作台比较大，可以放多个样品。电路布局图是与单个样品对应的，所以首先要区分出来单个样品，电路布局图是产品各个元件的排布图。当样品的电路布局图的比例尺是1:1时，电路布局图上的位置是与样品上的位置一一对应的。现有技术中X-ray设备具有设备原点 和X、Y 方向的坐标移动功能，以及不同黑白衬度图像轮廓识别功能。 现有技术中X-ray 设备可以根据自动识别视野样品上比较小的一个独特的特征图案并计算其在设备坐标系中的位置来定位原件。现有技术中X-ray 设备可以实现对BGA 上bump 的自动识别，但是以上均没有将观测位置与电路布局图的位置对应。
采用X-射线透射设备检查半导体芯片的封装连接问题，调整X-射线设备的强度，明暗对比度，可以得到芯片中凸点的衬度图像。该X-射线机台具有尺寸跟踪系统，相对于自身的定位坐标系，跟踪观测视场的位置，精度在微米级别，比较适合的是0.1-1um，该X-射线机台具有布局图匹配功能。在使用X-射线检测分析中，操作人员可选择布局图匹配功能。如布局图匹配功能启动，控制系统会弹出对话框，向操作人员确认此观测对象是单个对象还是多个对象。
在所述S3步骤中，如确定所述观测对象包括单个对象，控制系统会自动弹出对话框，向操作人员确认此观测对象的定位原点O，此定位原点与该观测对象在电路布局图中的一个位置对应，在电路布局图中也以此原点作为定位原点O’。样品的电路布局图上的位置与样品上的位置一一对应，然后确定样品以及电路布局图中的坐标系，建立坐标系后，控制系统后台会自动跟踪每个移动步骤后观测视场位于坐标系中的位置，控制系统后台会执行将电路布局图中位置与观测视场同步，使视场中每个位置与电路布局图中的位置对应。
具体地，S31：先确定样品的定位原点O ；如果确定所述观测对象包括单个样品，控制系统会弹出对话框，向操作人员确认此样品的定位原点O，这时操作人员需要操作在样品上选取一个点。如图3所示，对单个对象的bump显示放大到0.1μm，选取一个点作为样品的定位原点，这个点可以在样品上任意位置选取，优选的可以选择某个连接元件的中心点。在本技术方案中，这个点的选取优选精度控制在0.1um，这样才可以精确地提高与后续电路布局图中匹配精度。这个点可以在样品上任意位置选取，优选地可以选择某个连接元件的中心点。由于现有技术设备控制系统有自己的固定原点和坐标，所以控制系统根据此点在原有机器坐标系中位置，定位此点的位置，该位置为样品的定位原点O。
S32：再确定电路布局图中的定位原点O’；当样品的电路布局图与样品的尺寸是1:1 对应时，电路布局图上的位置是与样品上的位置一一对应的。如图4所示，使电路布局图与S31步骤中的样品尺寸1:1，这时再确定电路布局图中的定位原点O’，这一步需要操作人员在电路布局图中选取与S31中相同的点作为定位原点O’，这样这两个点才能建立相同的位置关系。
S33:确定样品以及电路布局图中的坐标系；选择样品的一条边界作为X轴，此X轴可以任意选择样品中的位置，不局限于边界。此边界与该样品在电路布局图中的位置对应，控制系统后台计算在电路布局图中也以该边界的位置在电路布局图中作为X’轴；选择与该边界垂直的，且经过定位原点O 的另一条边作为Y轴，在电路布局图中也以该另一条边界作为Y’轴；使用该定位原点O、X轴、Y轴建立坐标系，控制系统后台计算在电路布局图中也以定位原点O’、X’轴、Y’轴建立的坐标系。
如图5所示，选取样品的一个边界为X轴，轴向可以如图向下，也可以向上，此X轴可以任意选择样品中的位置，不局限于边界，选择与该边界垂直的，且经过定位原点O的另一条边作为Y轴，在电路布局图中也以该另一条边界作为Y轴。
S34：建立坐标系后，系统后台会自动跟踪每个移动步骤后观测视场位于坐标系中的位置。 控制系统后台会执行将电路布局图中位置与观测视场同步，使视场中每个位置与电路布局图中的位置对应。
如图6所示，根据图5样品上建立的坐标系，在电路布局图中建立了与之相对应的坐标系。建立坐标系后，系统后台会自动跟踪每个移动步骤后观测视场位于坐标系中的位置，控制系统后台会执行将电路布局图中位置与观测视场同步，使视场中每个位置与电路布局图中的位置对应。
在控制系统中输入电路布局图中的某一个电路元件的名称，X射线观测系统中就会匹配出在实际观测样品画面上的位置。如果选择查找此电路元件，观测画面的中心会移动到此电路元件的位置。
本发明还揭示了一种半导体器件的失效分析设备，该设备包括处理器装置、存储器装置、观测分析单元以及一个或多个程序，所述处理器装置为一个或多个，存储器装置中保存有待分析样品的电路布局图文件，控制器中有调用电路布局图命令以及上面操作方法的程序命令，其中程序可为一个或多个，所述一个或多个程序被保存在存储器装置中，并被配置成由所述一个或多个处理器装置执行，所述一个或多个程序包括指令，所述指令用于确认观测对象是包括单个对象还是包括多个对象。
该半导体失效分析方法包括根据检测到的所述边界尺寸和方向，对检测到的所述单个对象的观测画面，与其电路布局图进行匹配，使所述单个对象在观测画面上各个组件与其电路布局图上的位置一一对应。该方法还包括在确认被检测样品的结构布局后，对检测样品显示其结构布局，解决了现有技术中使用各个检查观测设备很难于快速的找到准确的失效元件位置的技术问题，提高失效分析效率和准确率。
上述实施例为仅为在x射线检查仪中的应用举例，当然，该方法也可应用到光学检测设备或C-sam超声检测设备中。
本发明尚有多种实施方式，凡采用等同变换或者等效变换而形成的所有技术方案，均落在本发明的保护范围之内。
Claims (11)
1.一种半导体器件的失效分析方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：
S1：对所述半导体器件进行失效位置分析，确认此失效分析的元件和位置失效信息；
S2：确认观测对象是包括单个对象还是多个对象；
S3：如确定所述观测对象包括单个对象，则检测所述单个对象的X和Y方向边界尺寸和方向；
S4：如确定所述观测对象包括多个对象，确认观测单个对象，检测所述单个对象的X和Y方向边界尺寸和方向；选择对应所述单个对象的电路布局图，根据检测到的所述边界尺寸和方向，对所述单个对象的观测画面与其电路布局图进行匹配，使所述单个对象在观测画面上各个组件与其电路布局图上的位置一一对应。
2.根据权利要求1所述的一种半导体器件的失效分析方法，其特征在于：所述X和Y方向边界尺寸的精度为0.1um~1um。
3.根据权利要求1所述的一种半导体器件的失效分析方法，其特征在于：当所述匹配完成后，基于所匹配的结果在观测画面上显示各个组件的名称和/或编号。
4.根据权利要求1所述的一种半导体器件的失效分析方法，其特征在于：
当所述匹配完成后，如果进行放大检测画面的动作，则基于所述匹配的结果以及放大比率，放大后，观测画面上的各个组件与其电路布局图上的位置一一对应。
5.根据权利要求1所述的一种半导体器件的失效分析方法，其特征在于：
当所述匹配完成后，如果进行移动检测位置的动作，则基于所述匹配结果以及移动量，移动后，观测画面上的各个组件与其电路布局图上的位置一一对应。
6.根据权利要求1所述的一种半导体器件的失效分析方法，其特征在于：
当所述匹配完成后，如果输入所述电路布局图上的电子元件名称和/或编号，所述电子元件的位置会在所述观测画面上突出显示。
7.根据权利要求1所述的一种半导体器件的失效分析方法，其特征在于：
如果输入所述电路布局图上的电子元件名称和/或编号，所述观测设备的观测中心会移动到所述电子元件的位置。
8.根据权利要求1所述的一种半导体器件的失效分析方法，其特征在于：
在所述S3步骤中，如确定所述观测对象包括单个对象， 控制系统会自动弹出对话框，向操作人员确认此观测对象的定位原点O，此定位原点与该观测对象在电路布局图中的一个位置对应，在电路布局图中也以此原点作为定位原点O’，然后确定样品以及电路布局图中的坐标系，建立坐标系后，控制系统后台会自动跟踪每个移动步骤后观测视场位于坐标系中的位置，控制系统后台会执行将电路布局图中位置与观测视场同步，使视场中每个位置与电路布局图中的位置对应。
9.根据权利要求8所述的一种半导体器件的失效分析方法，其特征在于：样品的电路布局图位置与样品上的位置一一对应。
10.根据权利要求8所述的一种半导体器件的失效分析方法，其特征在于：选取样品的一个边界为X轴，X轴任意选择样品中的位置，不局限于边界。
11.一种半导体器件的失效分析设备，其特征在于：包括处理器装置、存储器装置和观测分析装置，所述处理器装置与存储器装置电性连接，所述存储器中存储有至少一个程序，每个所述程序并被配置成处理器执行，每个所述程序包括指令，所述指令用于确认观测对象是包括单个对象还是包括多个对象。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711472606.5A CN108387591A (zh) | 2017-12-29 | 2017-12-29 | 一种半导体器件的失效分析方法及其设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711472606.5A CN108387591A (zh) | 2017-12-29 | 2017-12-29 | 一种半导体器件的失效分析方法及其设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108387591A true CN108387591A (zh) | 2018-08-10 |
Family
ID=63076619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711472606.5A Pending CN108387591A (zh) | 2017-12-29 | 2017-12-29 | 一种半导体器件的失效分析方法及其设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108387591A (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1221926C (zh) * | 2000-05-24 | 2005-10-05 | Atg试验体系两合公司 | 在电路板的预定区域中检查电路板的方法和装置 |
| CN105243663A (zh) * | 2015-09-29 | 2016-01-13 | 深圳大学 | 一种pcb扫描图像的自动匹配方法及系统 |
| CN107038697A (zh) * | 2015-09-18 | 2017-08-11 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于诊断半导体晶圆的方法和系统 |
-
2017
- 2017-12-29 CN CN201711472606.5A patent/CN108387591A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1221926C (zh) * | 2000-05-24 | 2005-10-05 | Atg试验体系两合公司 | 在电路板的预定区域中检查电路板的方法和装置 |
| CN107038697A (zh) * | 2015-09-18 | 2017-08-11 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于诊断半导体晶圆的方法和系统 |
| CN105243663A (zh) * | 2015-09-29 | 2016-01-13 | 深圳大学 | 一种pcb扫描图像的自动匹配方法及系统 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 章晓文等: "FIB线路修改中的定位技术研究", 《2010第十五届可靠性学术年会论文集》 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5059297B2 (ja) | 電子線式観察装置 | |
| TWI603087B (zh) | 電子裝置的奈米探測方法 | |
| US8442300B2 (en) | Specified position identifying method and specified position measuring apparatus | |
| US8503758B2 (en) | Image measurement device, method for image measurement, and computer readable medium storing a program for image measurement | |
| KR101623135B1 (ko) | 패턴 평가 장치 및 패턴 평가 방법 | |
| US6724005B2 (en) | Substrate defect inspection method and substrate defect inspection system | |
| US20130248709A1 (en) | Defect inspecting apparatus | |
| US20080245965A1 (en) | Charged Particle System | |
| TW201504646A (zh) | 自動化信號完整性測試系統及方法 | |
| KR20160006054A (ko) | 기판의 밀집 검사 부위의 엑스레이 검사 방법 | |
| CN111146103A (zh) | 晶圆的检测方法及检测设备 | |
| JP2010080969A (ja) | 試料の観察方法およびその装置 | |
| US10650510B2 (en) | Substrate inspection apparatus and method | |
| JP3855244B2 (ja) | 顕微鏡を用いた３次元画像認識装置 | |
| US20110291692A1 (en) | Method and apparatus for inspecting semiconductor using absorbed current image | |
| KR100276619B1 (ko) | 피측정디바이스의 고장해석방법 및 고장해석장치 | |
| KR100990968B1 (ko) | 인쇄 검사용 데이터 작성 방법 | |
| CN108387591A (zh) | 一种半导体器件的失效分析方法及其设备 | |
| KR20210153672A (ko) | 와이어 형상 측정 장치, 와이어 삼차원 화상 생성 방법 및 와이어 형상 측정 방법 | |
| JP2008261692A (ja) | 基板検査システム及び基板検査方法 | |
| JP2611260B2 (ja) | 試料像表示装置 | |
| JP2008014903A (ja) | プローブ制御装置 | |
| JP2005274309A (ja) | 三次元物体の検査方法および検査装置 | |
| JP2009170720A (ja) | レイアウトパターン検査装置およびレイアウトパターンの検査方法 | |
| JP2000251824A (ja) | 電子ビーム装置及びそのステージ移動位置合せ方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180810 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |