[go: up one dir, main page]

CN108291847A - 用于压力传感器的传感器元件 - Google Patents

用于压力传感器的传感器元件 Download PDF

Info

Publication number
CN108291847A
CN108291847A CN201680067483.4A CN201680067483A CN108291847A CN 108291847 A CN108291847 A CN 108291847A CN 201680067483 A CN201680067483 A CN 201680067483A CN 108291847 A CN108291847 A CN 108291847A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sensor
temperature
pressure
diaphragm
sensor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201680067483.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108291847B (zh
Inventor
R·菲克斯
M·米奇克
S·策林格
T·S·弗赖
Z·莱什詹
J·佛伦茨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Publication of CN108291847A publication Critical patent/CN108291847A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108291847B publication Critical patent/CN108291847B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/08Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of piezoelectric devices, i.e. electric circuits therefor
    • G01L9/085Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of piezoelectric devices, i.e. electric circuits therefor with temperature compensating means
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0092Pressure sensor associated with other sensors, e.g. for measuring acceleration or temperature
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0051Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
    • G01L9/0052Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于压力传感器的传感器元件(100),具有:‑传感器膜片(10),在该传感器膜片上布置有限定数量的压阻(R1...Rn),其中,所述压阻(R1...Rn)这样布置在电路中,使得在压力变化的情况下能够产生电压变化;‑至少两个温度测量元件(T1...Tn),所述温度测量元件关于所述传感器膜片(10)这样布置,使得通过所述温度测量元件(T1...Tn)能够测量所述传感器膜片(10)在所述压阻(R1...Rn)的位置处的温度,其中,由于温度梯度而作用在所述压阻(R1...Rn)的电路上的电压能够通过所测量的温度在计算方面补偿。

Description

用于压力传感器的传感器元件
技术领域
本发明涉及一种用于压力传感器的传感器元件。本发明还涉及一种用于制造用于压力传感器的传感器元件的方法。
背景技术
压阻式压力传感器通常由具有膜片的传感器元件(英语为sensor-die)组成。例如四个应力敏感的压阻位于该膜片上,所述压阻连接为桥式电路。
温度梯度作用在传感器元件上,这意味着,压阻由于不同的温度而具有不同的阻值。这可以导致桥式电压由于温度梯度的变化,该变化不能与桥式电压由于作用压力的变化区分开。在此,若干毫开尔文已经可以导致桥式电压的偏差,该偏差相应于几帕斯卡的压力变化。
发明内容
本发明的任务是,提供针对温度变化改进的用于压力传感器的传感器元件。
根据第一方面,所述任务通过用于压力传感器的传感器元件解决,该传感器元件具有:
-传感器膜片,在该传感器膜片上布置有限定数量的压阻,其中,压阻在电路中这样布置,使得在压力变化的情况下可以产生电压变化;
-至少两个温度测量元件,所述温度测量元件关于传感器膜片这样布置,使得通过温度测量元件可以测量传感器膜片在压阻的位置处的温度,其中,由于温度梯度而作用在压阻的电路上的电压可以通过所测量的温度在计算方面补偿。
由此有利地能够在具有气压式压力传感器的装置(例如移动电话)中补偿温度梯度作用到压力传感器上的影响。结果是,由此有利地促进更精确的压力测量。
根据第二方面,所述任务通过用于制造用于压力传感器的传感器元件的方法解决,所述方法具有以下步骤:
-提供传感器膜片;
-提供限定数量的压阻并且将所述压阻在传感器膜片上这样布置在电路中,使得在压力变化的情况下能够产生电压变化;
-提供至少两个温度测量元件并且将所述至少两个温度测量元件关于传感器膜片这样布置,使得通过温度测量元件可以测量传感器膜片在压阻的位置处的温度,其中,由于温度梯度而作用在压阻的电路上的电压可以借助于所测量的温度在计算方面补偿。
传感器元件的优选实施方式是从属权利要求的主题。
传感器元件的优选扩展方案的特征在于,至少一个温度测量元件布置在传感器膜片上。
传感器元件的另一有利的扩展方案的特征在于,至少一个温度测量元件布置在传感器膜片旁边。
传感器元件的另一有利的扩展方案的特征在于,温度测量元件布置在传感器膜片的每个角区域中。
传感器元件的另一有利的扩展方案的特征在于,在每个压阻处以限定的间距分别布置有温度测量元件。
传感器元件的另一有利的扩展方案的特征在于,两个温度测量元件基本上沿着传感器膜片的温度梯度的走向布置。
通过所提到的用于温度测量元件的、也可以适合地组合的不同布置准则或数量准则,可以特定地进行温度测量元件在传感器元件上的安置,其中,所述安置尤其可以取决于,存在于传感器膜片上的温度梯度是否至少部分是已知的。例如在电子分析处理电路存在于传感器元件上时是这种情况,该传感器元件的加热特性通常是已知的。以该方式,能够求得传感器膜片在压阻的位置处的温度值,由此促进好的补偿作用。
传感器元件的其他有利的扩展方案的特征在于,温度测量元件是二极管或者压电不敏感的电阻。由此提供不同类型的温度测量元件,所述温度测量元件可以有利地与压阻在同一个工艺步骤中制造。有利地,由此可以优化用于传感器元件的制造过程。
附图说明
下面结合其他特征和优点参照多个附图详细说明本发明。在此,所有公开的特征与它们在专利权利要求书中的引用关系无关地以及与它们在说明书和附图中的描述无关地形成本发明的主题。相同的或功能相同的元件具有相同的参考标记。附图尤其被考虑用于阐明发明的基本原理并且不一定按正确比例示出。
公开的方法特征类似地由相应的公开的装置特征得出,反之亦然。这尤其意味着,关于用于制造传感器元件的方法的特征、技术优点和实施方案以类似的方式由传感器元件的相应的实施方案、特征和优点得出,反之亦然。
在附图中示出:
图1传统的压阻式传感器元件的原理示图;
图2根据本发明的传感器元件的第一实施方式的原理示图;
图3根据本发明的传感器元件的另一实施方式的原理示图;
图4补偿效应的原理示图,该补偿效应可以通过温度测量元件实现;
图5具有传感器元件的传感器装置的原理示图;和
图6根据本发明的方法的实施方式的原理流程。
具体实施方式
本发明的基本思想在于,补偿压阻式传感器元件的压阻由于在传感器元件的传感器膜片上走向的温度梯度的作用而产生的不同阻值。在传感器膜片上的若干毫开尔文的温度梯度可以导致桥式电压的偏差,该偏差相应于几帕斯卡并且由此导致不精确的压力测量。
借助于至少两个用于温度测量的元件(例如呈温度敏感的二极管、温度敏感的电阻等形式)可以确定在传感器膜片上的或在传感器元件上的温度梯度。在了解该温度梯度的情况下能够在计算方面通过已知的方法补偿所提到的桥式电压的偏差。
图1示意性地示出传统的具有传感器膜片10的传感器元件100,在该传感器膜片上布置有四个压电敏感的电阻或压阻R1...R4,其中,各个压阻R1...R4布置在传感器膜片10的相应侧边区段上,其中,压阻R1...R4相互电连接成桥式电路(未示出)。由于作用到传感器膜片10上的压力的变化(例如由于海底(Meeresgrund)高度改变),该传感器膜片偏移,由此在压阻R1...R4的位置上产生机械应力。这导致压阻R1...R4的阻值的变化,其中,在压阻R1...R4在传感器膜片10上适合地取向或布置的情况下,产生与压力有关的输出电压,该输出电压可以被分析处理并且是作用到传感器膜片10上的压力的量度。
然而传统的压阻不仅显示出机械应力相关性(压电敏感性),而且也显示出温度相关性。为了补偿这种以不期望的电阻变化所表现出的不期望的温度相关性,在压阻式压力传感器中温度传感器或温度测量元件T经常也存在于传感器元件上。在图1的布置中,所提到的温度传感器T构造为二极管,该二极管用于感测传感器元件100的温度。
图2示出根据本发明的传感器元件100的第一实施方式的原理示图。可看出布置在传感器膜片10上的四个压阻R1...R4,其中,压阻R1...R4分别布置在传感器膜片10的侧边区段上。压电电阻R1...R4呈桥式电路形式地相互电连接。借助于不同的阴影线画出在传感器膜片10上的从上向下走向的温度梯度。构造为二极管或构造为基本上压电不敏感或应力不敏感的电阻的两个温度测量元件T1、T2这样布置在传感器膜片10旁边,使得所述温度测量元件基本上完全地量取传感器膜片10的温度梯度。通过两个温度测量元件T1、T2测量两个温度测量元件T1、T2之间的温差。
温度测量元件或者说温度传感器T1、T2被安置在传感器膜片10外部或紧挨着该传感器膜片旁边的部位上,与整个传感器膜片10上类似的温度梯度作用在或者占据在所述部位上。在其他应用中可以有意义的是,尽可能靠近压阻R1...R4地安置温度测量元件T1、T2,由此以该方式能够尽可能精确地测量传感器膜片10的压阻R1...R4的位置处的温度。
对于在应用中温度梯度作用在所有四个压阻R1...R4之间的情况,也可以在变型方案中将四个或更多个温度测量元件T1...Tn安置在传感器元件100上。替代于安置在传感器膜片10旁边,这些温度测量元件也可以布置在传感器膜片10上,例如相对于传感器膜片10的侧边区段呈45°地定向,以便由此使压力敏感性最小化,如在图3中示出的具有压阻R1...R4和温度测量元件T1...T4的传感器元件100的变型方案。
如果已知在温度测量元件T1...Tn之间的温度梯度,那么能够以该方式补偿由压阻R1...R4之间的温度梯度引起的电信号。所述补偿例如可以借助于电子分析处理电路(例如ASIC,未示出)实现,该电子分析处理电路通过与压阻R1...Rn的电压相比较的方式处理所感测的温度电压。例如借助于二次回归可以计算压阻R1...R4之间的实际温差。
对于不同过程变化所存在的剩余误差在图4中通过在压阻R1和R4之间作用的实际作用的温差示出。在x轴上示出在所述补偿前的单位为mK的温度梯度,在y轴上示出在所述补偿后的温度梯度。可看出,剩余误差从大约±5mK减小到大约±1mK。
图5示出具有根据本发明的传感器元件100的传感器装置200的原理方框图。传感器装置200可以构造为所谓的环境传感器(英文,environmental sensor),该环境传感器表现为传感器模块,通过该传感器模块可以感测环境的不同参数,例如温度、空气压力、湿度、空气质量等。有利地,通过传感器元件100的布置能够在很大程度上消除温度对压力测量元件的影响。
图6示出根据本发明的方法的实施方式的原理流程。
在步骤300中提供传感器膜片10。
在步骤310中提供限定数量的压阻R1...Rn,所述压阻在传感器膜片10上这样布置在电路中,使得在压力变化的情况下可以产生电压变化。
最后在步骤320中这样实施至少两个温度测量元件T1...Tn的提供和所述至少两个温度测量元件T1...Tn关于传感器膜片10的布置,使得通过温度测量元件T1...Tn可以测量传感器膜片10在压阻的位置处的温度,其中,由于温度梯度而作用在压阻R1...Rn的电路上的电压可以借助于所测量的温度在计算方面补偿。
要提到的是,用于制造传感器元件100的方法步骤也可以以其他顺序实施。
总结而言,通过本发明提出一种用于压力传感器的传感器元件和一种用于制造这类传感器元件的方法,通过该传感器元件能够在很大程度上消除作用到压阻式压力传感器上的温度影响或者使该温度影响最小化。有利地,可以通过所提出的传感器元件在很大程度上补偿温度梯度的温度影响并且由此显著地提高压力测量精确性。
结果是,由此通过具有传感器元件的压力传感器能够实现压力的更精确的测量。有利地,温度补偿既能够在已知温度梯度的情况下(例如在传感器上存在加热电子构件的情况下)实现,也能够在不知道温度梯度的情况下实现。
通过适合数量的温度测量元件的适合定位可以特定地消除温度梯度的影响。在此,取决于在传感器膜片上的温度走向的不均匀性的程度,改变温度测量元件的数量。
显然,本发明也可以应用到其他类似构造的传感器元件上。
尽管前面已经参照具体应用示例描述本发明,本领域技术人员也可以实现上面未公开或仅部分公开的实施方式,而不偏离本发明的核心。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.用于压力传感器的传感器元件(100),具有:
-传感器膜片(10),在该传感器膜片上布置有限定数量的压阻(R1...Rn),其中,所述压阻(R1...Rn)这样布置在桥式电路中,使得在压力变化的情况下能够产生电压变化;
-至少两个温度测量元件(T1...Tn),所述温度测量元件关于所述传感器膜片(10)这样布置,使得通过所述温度测量元件(T1...Tn)能够测量所述传感器膜片(10)在所述压阻(R1...Rn)的位置处的温度,其中,借助于所述温度测量该元件确定在所述传感器膜片上的温度梯度,并且所述桥式电路的桥式电压的由于温度梯度而作用在所述压阻(R1...Rn)的所述桥式电路上的偏差通过所确定的温度梯度在计算方面补偿。
2.根据权利要求1所述的传感器元件(100),其特征在于,至少一个温度测量元件(T1...Tn)布置在所述传感器膜片(10)上。
3.根据权利要求1所述的传感器元件(100),其特征在于,至少一个温度测量元件(T1...Tn)布置在所述传感器膜片(10)旁边。
4.根据权利要求1或2所述的传感器元件(100),其特征在于,温度测量元件(T1...Tn)布置在所述传感器膜片(10)的每个角区域中。
5.根据权利要求4所述的传感器元件(100),其特征在于,在每个压阻(R1...Rn)处以限定的间距分别布置有一个温度测量元件(T1...Tn)。
6.根据前述权利要求中任一项所述的传感器元件(100),其特征在于,两个温度测量元件(T1、T2)基本上沿着所述传感器膜片(10)的温度梯度的走向布置。
7.根据前述权利要求中任一项所述的传感器元件(100),其特征在于,所述温度测量元件(T1...Tn)是温度敏感的二极管。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的传感器元件(100),其特征在于,所述温度测量元件(T1...Tn)是温度敏感的电阻。
9.传感器装置(200),所述传感器装置具有根据前述权利要求中任一项所述的传感器元件(100)。
10.用于制造用于压力传感器的传感器元件(100)的方法,所述方法具有以下步骤:
-提供传感器膜片(10);
-提供限定数量的压阻(R1...Rn)并且将所述压阻(R1...Rn)在所述传感器膜片(10)上这样布置在桥式电路中,使得在压力变化的情况下能够产生电压变化;
-提供至少两个温度测量元件(T1...Tn)并且将所述至少两个温度测量元件(T1...Tn)关于所述传感器膜片(10)这样布置,使得通过所述温度测量元件(T1...Tn)能够测量所述传感器膜片(10)在所述压阻(R1...Rn)的位置处的温度,其中,借助于所述温度测量元件确定在所述传感器膜片上的温度梯度,并且桥式电压的由于温度梯度而作用在所述压阻(R1...Rn)的所述桥式电路上的偏差借助于所确定的温度梯度在计算方面补偿。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,作为温度测量元件(T1...Tn)使用温度敏感的二极管或者温度敏感的电阻。
12.根据权利要求10或11所述的方法,其中,所述温度测量元件(T1...Tn)这样布置在所述传感器膜片(10)上或者在所述传感器膜片(10)旁边,使得通过所述温度测量元件能够测量在所述压阻(R1...R4)的位置处的温度。
13.根据权利要求1至8中任一项所述的传感器元件(100)在具有压力传感器的传感器装置(200)中的应用。

Claims (13)

1.用于压力传感器的传感器元件(100),具有:
-传感器膜片(10),在该传感器膜片上布置有限定数量的压阻(R1...Rn),其中,所述压阻(R1...Rn)这样布置在电路中,使得在压力变化的情况下能够产生电压变化;
-至少两个温度测量元件(T1...Tn),所述温度测量元件关于所述传感器膜片(10)这样布置,使得通过所述温度测量元件(T1...Tn)能够测量所述传感器膜片(10)在所述压阻(R1...Rn)的位置处的温度,其中,由于温度梯度而作用在所述压阻(R1...Rn)的电路上的电压能够通过所测量的温度在计算方面补偿。
2.根据权利要求1所述的传感器元件(100),其特征在于,至少一个温度测量元件(T1...Tn)布置在所述传感器膜片(10)上。
3.根据权利要求1所述的传感器元件(100),其特征在于,至少一个温度测量元件(T1...Tn)布置在所述传感器膜片(10)旁边。
4.根据权利要求1或2所述的传感器元件(100),其特征在于,温度测量元件(T1...Tn)布置在所述传感器膜片(10)的每个角区域中。
5.根据权利要求4所述的传感器元件(100),其特征在于,在每个压阻(R1...Rn)处以限定的间距分别布置有一个温度测量元件(T1...Tn)。
6.根据前述权利要求中任一项所述的传感器元件(100),其特征在于,两个温度测量元件(T1、T2)基本上沿着所述传感器膜片(10)的温度梯度的走向布置。
7.根据前述权利要求中任一项所述的传感器元件(100),其特征在于,所述温度测量元件(T1...Tn)是二极管。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的传感器元件(100),其特征在于,所述温度测量元件(T1...Tn)是压电不敏感的电阻。
9.传感器装置(200),所述传感器装置具有根据前述权利要求中任一项所述的传感器元件(100)。
10.用于制造用于压力传感器的传感器元件(100)的方法,所述方法具有以下步骤:
-提供传感器膜片(10);
-提供限定数量的压阻(R1...Rn)并且将所述压阻(R1...Rn)在所述传感器膜片(10)上这样布置在电路中,使得在压力变化的情况下能够产生电压变化;
-提供至少两个温度测量元件(T1...Tn)并且将所述至少两个温度测量元件(T1...Tn)关于所述传感器膜片(10)这样布置,使得通过所述温度测量元件(T1...Tn)能够测量所述传感器膜片(10)在所述压阻(R1...Rn)的位置处的温度,其中,由于温度梯度而作用在所述压阻(R1...Rn)的电路上的电压能够借助于所测量的温度在计算方面补偿。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,作为温度测量元件(T1...Tn)使用二极管或者压电不敏感的电阻。
12.根据权利要求10或11所述的方法,其中,所述温度测量元件(T1...Tn)这样布置在所述传感器膜片(10)上或者在所述传感器膜片(10)旁边,使得通过所述温度测量元件能够测量在所述压阻(R1...R4)的位置处的温度。
13.根据权利要求1至8中任一项所述的传感器元件(100)在具有压力传感器的传感器装置(200)中的应用。
CN201680067483.4A 2015-11-18 2016-10-14 用于压力传感器的传感器元件 Active CN108291847B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015222756.1 2015-11-18
DE102015222756.1A DE102015222756A1 (de) 2015-11-18 2015-11-18 Sensorelement für einen Drucksensor
PCT/EP2016/074818 WO2017084819A1 (de) 2015-11-18 2016-10-14 Sensorelement für einen drucksensor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108291847A true CN108291847A (zh) 2018-07-17
CN108291847B CN108291847B (zh) 2021-01-05

Family

ID=57133229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680067483.4A Active CN108291847B (zh) 2015-11-18 2016-10-14 用于压力传感器的传感器元件

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10670482B2 (zh)
JP (1) JP6714083B2 (zh)
KR (1) KR102523429B1 (zh)
CN (1) CN108291847B (zh)
DE (1) DE102015222756A1 (zh)
TW (1) TWI730998B (zh)
WO (1) WO2017084819A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018200140A1 (de) 2018-01-08 2019-07-11 Robert Bosch Gmbh Umweltsensor, Umweltsensorzwischenprodukt und Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von Umweltsensoren
DE102018106518A1 (de) 2018-03-20 2019-09-26 Tdk Electronics Ag Sensorelement zur Druck- und Temperaturmessung
WO2020023414A1 (en) 2018-07-24 2020-01-30 Invensense, Inc. Liquid detection in a sensor environment and remedial action thereof
JP2020085627A (ja) * 2018-11-22 2020-06-04 アズビル株式会社 圧力センサ
DE102019218334A1 (de) * 2019-11-27 2021-05-27 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Vorrichtung mit lokaler Temperaturerfassung
JP7436218B2 (ja) * 2020-01-27 2024-02-21 アズビル株式会社 圧力センサ
JP7498022B2 (ja) 2020-05-12 2024-06-11 アズビル株式会社 圧力センサ
DE102021205378A1 (de) 2021-05-27 2022-12-01 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Sensorstruktur und Drucksensor

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62229041A (ja) * 1986-03-31 1987-10-07 Toshiba Corp 半導体式圧力検出器
US5116331A (en) * 1991-04-23 1992-05-26 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Pressure transducer and system for cryogenic environments
JPH09329516A (ja) * 1996-06-06 1997-12-22 Hitachi Ltd 半導体圧力センサ及びこれを用いた複合伝送器
US6247369B1 (en) * 1995-04-04 2001-06-19 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics Of Space Administration Multi-channel electronically scanned cryogenic pressure sensor and method for making same
CN1651883A (zh) * 2004-02-03 2005-08-10 株式会社电装 具有隔膜的压力传感器
US20070113665A1 (en) * 2005-11-10 2007-05-24 Honeywell International Inc. Pressure and temperature sensing element
CN100385218C (zh) * 2001-10-31 2008-04-30 电流感应器公司 用于流速计的压力感测装置
EP2182340A1 (en) * 2008-10-30 2010-05-05 Radi Medical Systems AB Pressure Sensor and Guide Wire Assembly
US20110133939A1 (en) * 2009-12-08 2011-06-09 Sridhar Ranganathan Thermal Stress Indicator
US20150219514A1 (en) * 2014-02-05 2015-08-06 Mgi Coutier Pressure and temperature determining device, pressure and temperature sensor comprising such a device and method for manufacturing such a device
CN104931187A (zh) * 2014-03-18 2015-09-23 精工爱普生株式会社 物理量传感器、高度计、电子设备以及移动体

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5453877A (en) * 1977-10-07 1979-04-27 Hitachi Ltd Temperature compensation circuit of semiconductor strain gauge
US4538466A (en) 1984-02-06 1985-09-03 Kerber George L Capacitance pressure transducer and method of fabrication therefor
DE3736904A1 (de) * 1987-10-30 1989-05-11 Nord Micro Elektronik Feinmech Messeinrichtung mit sensorelementen
JPH03249532A (ja) 1990-02-28 1991-11-07 Yokogawa Electric Corp 半導体圧力計
JP2895262B2 (ja) 1991-04-30 1999-05-24 株式会社日立製作所 複合センサ
JP2694594B2 (ja) 1993-01-14 1997-12-24 山武ハネウエル株式会社 圧力センサ
US5432372A (en) * 1993-01-14 1995-07-11 Yamatake-Honeywell Co., Ltd. Semiconductor pressure sensor
US5458000A (en) 1993-07-20 1995-10-17 Honeywell Inc. Static pressure compensation of resonant integrated microbeam sensors
FR2741951B1 (fr) 1995-12-04 1998-02-20 Europ Propulsion Pont de wheatstone avec compensation de gradient de temperature entre resistances principales du pont et application a un capteur de pression a jauges extensometriques
DE19701055B4 (de) * 1997-01-15 2016-04-28 Robert Bosch Gmbh Halbleiter-Drucksensor
DE19825761C2 (de) * 1998-06-09 2001-02-08 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zum Erfassen einer Dehnung und/oder einer Stauchung eines Körpers
US6698294B2 (en) 2000-09-07 2004-03-02 Vega Grieshaber Kg Pressure cell with temperature sensors and pressure measuring method
DE102005029841B4 (de) * 2004-07-28 2013-09-05 Robert Bosch Gmbh Mikromechanischer Drucksensor mit beheiztem Passivierungsmittel und Verfahren zu seiner Steuerung
DE102005017853A1 (de) * 2005-04-18 2006-10-19 Siemens Ag Drucksensorvorrichtung
US7456638B2 (en) * 2005-04-19 2008-11-25 University Of South Florida MEMS based conductivity-temperature-depth sensor for harsh oceanic environment
DE102008041771B4 (de) 2008-09-02 2018-05-03 Tecsis Gmbh Messvorrichtung mit verstimmbarem Widerstand
JP5227729B2 (ja) 2008-10-07 2013-07-03 アズビル株式会社 圧力センサ
DE102008054428A1 (de) * 2008-12-09 2010-06-10 Robert Bosch Gmbh Aufbau eines Drucksensors
JP5434854B2 (ja) 2010-09-13 2014-03-05 ミツミ電機株式会社 電子機器、検出データの補正方法及びセンサ装置
DE102011080229B4 (de) * 2011-08-01 2017-07-27 Ifm Electronic Gmbh Verfahren zur Überprüfung der Funktion eines Drucksensors
DE102011084514A1 (de) * 2011-10-14 2013-04-18 Ifm Electronic Gmbh Verfahren zur Überprüfung der Funktion eines Drucksensors
ITTO20120145A1 (it) 2012-02-17 2013-08-18 St Microelectronics Srl Trasduttore integrato provvisto di un sensore di temperatura, e metodo per rilevare una temperatura di tale trasduttore
JP5454628B2 (ja) 2012-06-29 2014-03-26 株式会社デンソー 圧力センサ

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62229041A (ja) * 1986-03-31 1987-10-07 Toshiba Corp 半導体式圧力検出器
US5116331A (en) * 1991-04-23 1992-05-26 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Pressure transducer and system for cryogenic environments
US6247369B1 (en) * 1995-04-04 2001-06-19 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics Of Space Administration Multi-channel electronically scanned cryogenic pressure sensor and method for making same
JPH09329516A (ja) * 1996-06-06 1997-12-22 Hitachi Ltd 半導体圧力センサ及びこれを用いた複合伝送器
CN100385218C (zh) * 2001-10-31 2008-04-30 电流感应器公司 用于流速计的压力感测装置
CN1651883A (zh) * 2004-02-03 2005-08-10 株式会社电装 具有隔膜的压力传感器
US20070113665A1 (en) * 2005-11-10 2007-05-24 Honeywell International Inc. Pressure and temperature sensing element
EP2182340A1 (en) * 2008-10-30 2010-05-05 Radi Medical Systems AB Pressure Sensor and Guide Wire Assembly
US20110133939A1 (en) * 2009-12-08 2011-06-09 Sridhar Ranganathan Thermal Stress Indicator
US20150219514A1 (en) * 2014-02-05 2015-08-06 Mgi Coutier Pressure and temperature determining device, pressure and temperature sensor comprising such a device and method for manufacturing such a device
CN104931187A (zh) * 2014-03-18 2015-09-23 精工爱普生株式会社 物理量传感器、高度计、电子设备以及移动体
US20150268112A1 (en) * 2014-03-18 2015-09-24 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, altimeter, electronic apparatus, and moving object

Also Published As

Publication number Publication date
US10670482B2 (en) 2020-06-02
TW201719132A (zh) 2017-06-01
CN108291847B (zh) 2021-01-05
WO2017084819A1 (de) 2017-05-26
JP2018534574A (ja) 2018-11-22
US20180328804A1 (en) 2018-11-15
KR102523429B1 (ko) 2023-04-20
JP6714083B2 (ja) 2020-06-24
DE102015222756A1 (de) 2017-05-18
KR20180083387A (ko) 2018-07-20
TWI730998B (zh) 2021-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108291847A (zh) 用于压力传感器的传感器元件
CN102980711B (zh) 具有多个传感器元件的封装的传感器
US6973836B2 (en) Semiconductor pressure sensor having diaphragm
US9897502B2 (en) Pressure transducer
US8984951B2 (en) Self-heated pressure sensor assemblies
EP3196618B1 (en) Pseudo differential pressure sensing bridge configuration
US10031039B2 (en) Compensated pressure sensors
US9395386B2 (en) Electronic tilt compensation for diaphragm based pressure sensors
JP2005121631A (ja) 複合技術を有する流量計
US8552514B2 (en) Semiconductor physical quantity sensor
US10921206B2 (en) Packaged MEMS device with disturbance compensation
JPH11153503A (ja) 圧力センサ装置
WO2020175155A1 (ja) 圧力センサ
US6591683B1 (en) Pressure sensor
US8893554B2 (en) System and method for passively compensating pressure sensors
KR20170119283A (ko) 압력 센서
US11560302B2 (en) Micromechanical pressure sensor with two cavities and diaphragms and corresponding production method
JP2006524795A (ja) 圧力に依存しないで温度を測定する高圧センサ
CN114521233A (zh) 应变计型压力感测
JP7436218B2 (ja) 圧力センサ
JP2002039888A (ja) 半導体圧力センサのゲージ抵抗の位置設定方法
CN117782414A (zh) 通知传感器装置和用于输出感测的警告信号的方法
JPH0542611B2 (zh)
JP2004239676A (ja) 物理量検出装置の製造方法
JP2009175023A (ja) 半導体圧力センサ

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant