CN108231956B - 一种黑硅电池片的清洗槽工艺 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 175
- 229910021418 black silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 116
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 77
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 152
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims description 69
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 claims description 10
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 claims description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 239000010413 mother solution Substances 0.000 claims 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 21
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 abstract description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 abstract description 3
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000012452 mother liquor Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种黑硅电池片的清洗槽工艺，包括如下工艺步骤：预清洗；第一次纯水清洗；制绒；第二次纯水清洗；HNO3清洗；第三次纯水清洗；HF+HCL+H2O2清洗；第四次纯水清洗；碱洗；第五次纯水清洗；HCL+H2O2清洗；第六次纯水清洗；HF+HCL酸洗；第七次纯水清洗；预脱水；槽式烘干；下料，该黑硅电池片的清洗槽工艺，使得黑硅电池片清洗彻底，从而彻底清除有机物，无机盐，金属、Si、SiO2粉尘等杂质，进而延长其使用寿命，降低整体经济成本，给相关产品的使用带来便利，本发明设计合理，更加人性化，适合推广使用。
Description
技术领域
本发明涉及一种清洗槽工艺，尤其是涉及一种黑硅电池片的清洗槽工艺。
背景技术
黑硅电池片与传统的蓝色的硅太阳能电池相比，除了颜色变成了黑色，外观上似乎看不出两者的差异，但实际上，这种黑硅太阳能电池却比传统的硅太阳能电池效率高出不少。黑硅技术为金刚线线切在多晶切片领域的大面积推广铺平了道路。黑硅技术还可以融合其他硅片及电池产业化技术，从根本上提升多晶电池的转换效率，并降低光伏组件的成本。黑硅技术势必取代常规多晶制绒，成为未来多晶电池制程的标配技术。
目前，对黑硅电池片的清洗槽工艺很不完善，清洗很不彻底，对其表面的杂质如有机物，无机盐，金属、Si、SiO2粉尘等的清洗不彻底，使得后续对黑硅电池片的使用很不方便。
发明内容
本发明提供一种黑硅电池片的清洗槽工艺，可以有效解决上述背景技术中的问题。
本发明的技术方案概述如下：
一种黑硅电池片的清洗槽工艺，包括如下工艺步骤：
第1步，预清洗：首先，将待清洗的黑硅电池片进行上料，上料后，利用处理液辅助以循环和鼓泡的方式在一定温度下对黑硅电池片处理1min，此过程中不断进行循环抽风；
第2步，第一次纯水清洗：对于清洗后的黑硅电池片进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第3步，制绒：将第一次纯水清洗后的黑硅电池片，利用处理液辅助以循环、冷却、加热和鼓泡的方式在一定温度对黑硅电池片处理3.5min，此过程处理两次，包括不断进行循环抽风；
第4步，第二次纯水清洗：将制绒后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min，此过程处理两次；
第5步，HNO3清洗：将第二次纯水清洗后的黑硅电池片进行HNO3清洗，利用HNO3辅助以鼓泡的方式处理3min，此过程处理两次，不断进行抽风；
第6步，第三次纯水清洗：将HNO3清洗处理后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第7步，HF+HCL+H2O2清洗：将第三次纯水清洗后的黑硅电池片进行HF+HCL+H2O2清洗，利用HF+HCL+H2O2辅助以鼓泡的方式处理2min，此过程不断进行抽风；
第8步，第四次纯水清洗：将HF+HCL+H2O2清洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第9步，碱洗：第四次纯水清洗后的黑硅电池片进行碱洗步骤，利用KOH辅助以鼓泡的方式在一定温度下处理1min，此过程不断进行抽风；
第10步，第五次纯水清洗：将碱洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第11步，HCL+H2O2清洗：将第五次纯水清洗后的黑硅电池片进行HCL+H2O2清洗，利用HCL+H2O2辅助以鼓泡的方式处理1min，此过程不断进行抽风；
第12步，第六次纯水清洗：将HCL+H2O2清洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第13步，HF+HCL酸洗：将第六次纯水清洗后的黑硅电池片进行HF+HCL酸洗，利用HF+HCL辅助以鼓泡的方式处理2min，此过程不断进行抽风；
第14步，第七次纯水清洗：将HF+HCL酸洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第15步，预脱水：第七次纯水清洗后的黑硅电池片进行预脱水步骤，利用DI水辅助以慢提的方式在一定温度下处理2min，此过程不断进行抽风；
第16步，槽式烘干：将预脱水后的黑硅电池片进行槽式烘干，利用热氮气辅助以在线烘干的方式在一定温度下处理6min，此过程处理两次，不断进行抽风；
第17步，下料：槽式烘干处理后的黑硅电池片进行下料步骤。
优选的是，所述第1步的处理液为HF+HNO3，所述第1步中的温度为7-9℃。
优选的是，所述第3步中的处理液为HF+H2O2+ADD母液+ADD补液，所述第3步中的温度为25-30℃。
优选的是，所述第9步中的温度不超过30℃。
优选的是，所述第15步中的温度为50-80℃。
优选的是，所述第16步中的温度为不超过80℃。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：该种黑硅电池片的清洗槽工艺，技术设计完整紧凑，该黑硅电池片的清洗槽工艺，使得黑硅电池片清洗彻底，从而彻底清除有机物，无机盐，金属、Si、SiO2粉尘等杂质，进而延长其使用寿命，降低整体经济成本，给相关产品的使用带来便利，本发明设计合理，更加人性化，适合推广使用。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
一种黑硅电池片的清洗槽工艺，包括如下工艺步骤：
第1步，预清洗：首先，将待清洗的黑硅电池片进行上料，上料后，利用处理液辅助以循环和鼓泡的方式在一定温度下对黑硅电池片处理1min，此过程中不断进行循环抽风；
第2步，第一次纯水清洗：对于清洗后的黑硅电池片进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第3步，制绒：将第一次纯水清洗后的黑硅电池片，利用处理液辅助以循环、冷却、加热和鼓泡的方式在一定温度对黑硅电池片处理3.5min，此过程处理两次，包括不断进行循环抽风；
第4步，第二次纯水清洗：将制绒后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min，此过程处理两次；
第5步，HNO3清洗：将第二次纯水清洗后的黑硅电池片进行HNO3清洗，利用HNO3辅助以鼓泡的方式处理3min，此过程处理两次，不断进行抽风；
第6步，第三次纯水清洗：将HNO3清洗处理后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第7步，HF+HCL+H2O2清洗：将第三次纯水清洗后的黑硅电池片进行HF+HCL+H2O2清洗，利用HF+HCL+H2O2辅助以鼓泡的方式处理2min，此过程不断进行抽风；
第8步，第四次纯水清洗：将HF+HCL+H2O2清洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第9步，碱洗：第四次纯水清洗后的黑硅电池片进行碱洗步骤，利用KOH辅助以鼓泡的方式在一定温度下处理1min，此过程不断进行抽风；
第10步，第五次纯水清洗：将碱洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第11步，HCL+H2O2清洗：将第五次纯水清洗后的黑硅电池片进行HCL+H2O2清洗，利用HCL+H2O2辅助以鼓泡的方式处理1min，此过程不断进行抽风；
第12步，第六次纯水清洗：将HCL+H2O2清洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第13步，HF+HCL酸洗：将第六次纯水清洗后的黑硅电池片进行HF+HCL酸洗，利用HF+HCL辅助以鼓泡的方式处理2min，此过程不断进行抽风；
第14步，第七次纯水清洗：将HF+HCL酸洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第15步，预脱水：第七次纯水清洗后的黑硅电池片进行预脱水步骤，利用DI水辅助以慢提的方式在一定温度下处理2min，此过程不断进行抽风；
第16步，槽式烘干：将预脱水后的黑硅电池片进行槽式烘干，利用热氮气辅助以在线烘干的方式在一定温度下处理6min，此过程处理两次，不断进行抽风；
第17步，下料：槽式烘干处理后的黑硅电池片进行下料步骤。
在该实施例中，第1步的处理液为HF+HNO3，第1步中的温度为7℃。
在该实施例中，第3步中的处理液为HF+H2O2+ADD母液+ADD补液，第3步中的温度为25℃。
在该实施例中，第9步中的温度不超过30℃。
在该实施例中，第15步中的温度为50℃。
在该实施例中，第16步中的温度为不超过80℃。
实施例二
一种黑硅电池片的清洗槽工艺，包括如下工艺步骤：
第1步，预清洗：首先，将待清洗的黑硅电池片进行上料，上料后，利用处理液辅助以循环和鼓泡的方式在一定温度下对黑硅电池片处理1min，此过程中不断进行循环抽风；
第2步，第一次纯水清洗：对于清洗后的黑硅电池片进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第3步，制绒：将第一次纯水清洗后的黑硅电池片，利用处理液辅助以循环、冷却、加热和鼓泡的方式在一定温度对黑硅电池片处理3.5min，此过程处理两次，包括不断进行循环抽风；
第4步，第二次纯水清洗：将制绒后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min，此过程处理两次；
第5步，HNO3清洗：将第二次纯水清洗后的黑硅电池片进行HNO3清洗，利用HNO3辅助以鼓泡的方式处理3min，此过程处理两次，不断进行抽风；
第6步，第三次纯水清洗：将HNO3清洗处理后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第7步，HF+HCL+H2O2清洗：将第三次纯水清洗后的黑硅电池片进行HF+HCL+H2O2清洗，利用HF+HCL+H2O2辅助以鼓泡的方式处理2min，此过程不断进行抽风；
第8步，第四次纯水清洗：将HF+HCL+H2O2清洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第9步，碱洗：第四次纯水清洗后的黑硅电池片进行碱洗步骤，利用KOH辅助以鼓泡的方式在一定温度下处理1min，此过程不断进行抽风；
第10步，第五次纯水清洗：将碱洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第11步，HCL+H2O2清洗：将第五次纯水清洗后的黑硅电池片进行HCL+H2O2清洗，利用HCL+H2O2辅助以鼓泡的方式处理1min，此过程不断进行抽风；
第12步，第六次纯水清洗：将HCL+H2O2清洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第13步，HF+HCL酸洗：将第六次纯水清洗后的黑硅电池片进行HF+HCL酸洗，利用HF+HCL辅助以鼓泡的方式处理2min，此过程不断进行抽风；
第14步，第七次纯水清洗：将HF+HCL酸洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第15步，预脱水：第七次纯水清洗后的黑硅电池片进行预脱水步骤，利用DI水辅助以慢提的方式在一定温度下处理2min，此过程不断进行抽风；
第16步，槽式烘干：将预脱水后的黑硅电池片进行槽式烘干，利用热氮气辅助以在线烘干的方式在一定温度下处理6min，此过程处理两次，不断进行抽风；
第17步，下料：槽式烘干处理后的黑硅电池片进行下料步骤。
在该实施例中，第1步的处理液为HF+HNO3，第1步中的温度为9℃。
在该实施例中，第3步中的处理液为HF+H2O2+ADD母液+ADD补液，第3步中的温度为25-30℃。
在该实施例中，第9步中的温度不超过30℃。
在该实施例中，第15步中的温度为80℃。
在该实施例中，第16步中的温度为不超过80℃。
实施例三
一种黑硅电池片的清洗槽工艺，包括如下工艺步骤：
第1步，预清洗：首先，将待清洗的黑硅电池片进行上料，上料后，利用处理液辅助以循环和鼓泡的方式在一定温度下对黑硅电池片处理1min，此过程中不断进行循环抽风；
第2步，第一次纯水清洗：对于清洗后的黑硅电池片进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第3步，制绒：将第一次纯水清洗后的黑硅电池片，利用处理液辅助以循环、冷却、加热和鼓泡的方式在一定温度对黑硅电池片处理3.5min，此过程处理两次，包括不断进行循环抽风；
第4步，第二次纯水清洗：将制绒后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min，此过程处理两次；
第5步，HNO3清洗：将第二次纯水清洗后的黑硅电池片进行HNO3清洗，利用HNO3辅助以鼓泡的方式处理3min，此过程处理两次，不断进行抽风；
第6步，第三次纯水清洗：将HNO3清洗处理后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第7步，HF+HCL+H2O2清洗：将第三次纯水清洗后的黑硅电池片进行HF+HCL+H2O2清洗，利用HF+HCL+H2O2辅助以鼓泡的方式处理2min，此过程不断进行抽风；
第8步，第四次纯水清洗：将HF+HCL+H2O2清洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第9步，碱洗：第四次纯水清洗后的黑硅电池片进行碱洗步骤，利用KOH辅助以鼓泡的方式在一定温度下处理1min，此过程不断进行抽风；
第10步，第五次纯水清洗：将碱洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第11步，HCL+H2O2清洗：将第五次纯水清洗后的黑硅电池片进行HCL+H2O2清洗，利用HCL+H2O2辅助以鼓泡的方式处理1min，此过程不断进行抽风；
第12步，第六次纯水清洗：将HCL+H2O2清洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第13步，HF+HCL酸洗：将第六次纯水清洗后的黑硅电池片进行HF+HCL酸洗，利用HF+HCL辅助以鼓泡的方式处理2min，此过程不断进行抽风；
第14步，第七次纯水清洗：将HF+HCL酸洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第15步，预脱水：第七次纯水清洗后的黑硅电池片进行预脱水步骤，利用DI水辅助以慢提的方式在一定温度下处理2min，此过程不断进行抽风；
第16步，槽式烘干：将预脱水后的黑硅电池片进行槽式烘干，利用热氮气辅助以在线烘干的方式在一定温度下处理6min，此过程处理两次，不断进行抽风；
第17步，下料：槽式烘干处理后的黑硅电池片进行下料步骤。
在该实施例中，第1步的处理液为HF+HNO3，第1步中的温度为8℃。
在该实施例中，第3步中的处理液为HF+H2O2+ADD母液+ADD补液，第3步中的温度为27.5℃。
在该实施例中，第9步中的温度不超过30℃。
在该实施例中，第15步中的温度为65℃。
在该实施例中，第16步中的温度为不超过80℃。
该种黑硅电池片的清洗槽工艺，技术设计完整紧凑，该黑硅电池片的清洗槽工艺，使得黑硅电池片清洗彻底，从而彻底清除有机物，无机盐，金属、Si、SiO2粉尘等杂质，进而延长其使用寿命，降低整体经济成本，给相关产品的使用带来便利，本发明设计合理，更加人性化，适合推广使用。
尽管本发明的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本发明的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本发明并不限于特定的细节和这里示出的实施例。
Claims (1)
1.一种黑硅电池片的清洗槽工艺，其特征在于，包括如下工艺步骤：
第1步，预清洗：首先，将待清洗的黑硅电池片进行上料，上料后，利用HF+HNO3混合液体辅助以循环和鼓泡的方式在温度为7-9℃下对黑硅电池片处理1min，此过程中不断进行循环抽风；
第2步，第一次纯水清洗：对于清洗后的黑硅电池片进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第3步，制绒：将第一次纯水清洗后的黑硅电池片，利用HF+H2O2+ADD母液+ADD补液辅助以循环、冷却、加热和鼓泡的方式在温度为25-30℃对黑硅电池片处理3.5min，此过程处理两次，包括不断进行循环抽风；
第4步，第二次纯水清洗：将制绒后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min，此过程处理两次；
第5步，HNO3清洗：将第二次纯水清洗后的黑硅电池片进行HNO3清洗，利用HNO3辅助以鼓泡的方式处理3min，此过程处理两次，不断进行抽风；
第6步，第三次纯水清洗：将HNO3清洗处理后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第7步，HF+HCL+H2O2清洗：将第三次纯水清洗后的黑硅电池片进行HF+HCL+H2O2清洗，利用HF+HCL+H2O2辅助以鼓泡的方式处理2min，此过程不断进行抽风；
第8步，第四次纯水清洗：将HF+HCL+H2O2清洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第9步，碱洗：第四次纯水清洗后的黑硅电池片进行碱洗步骤，利用KOH辅助以鼓泡的方式在一定温度下处理1min，此过程不断进行抽风；
第10步，第五次纯水清洗：将碱洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第11步，HCL+H2O2清洗：将第五次纯水清洗后的黑硅电池片进行HCL+H2O2清洗，利用HCL+H2O2辅助以鼓泡的方式处理1min，此过程不断进行抽风；
第12步，第六次纯水清洗：将HCL+H2O2清洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第13步，HF+HCL酸洗：将第六次纯水清洗后的黑硅电池片进行HF+HCL酸洗，利用HF+HCL辅助以鼓泡的方式处理2min，此过程不断进行抽风；
第14步，第七次纯水清洗：将HF+HCL酸洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；
第15步，预脱水：第七次纯水清洗后的黑硅电池片进行预脱水步骤，利用DI水辅助以慢提的方式在温度为50-80℃下处理2min，此过程不断进行抽风；
第16步，槽式烘干：将预脱水后的黑硅电池片进行槽式烘干，利用热氮气辅助以在线烘干的方式在温度为不超过80℃下处理6min，此过程处理两次，不断进行抽风；
第17步，下料：槽式烘干处理后的黑硅电池片进行下料步骤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810020322.0A CN108231956B (zh) | 2018-01-09 | 2018-01-09 | 一种黑硅电池片的清洗槽工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810020322.0A CN108231956B (zh) | 2018-01-09 | 2018-01-09 | 一种黑硅电池片的清洗槽工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108231956A CN108231956A (zh) | 2018-06-29 |
| CN108231956B true CN108231956B (zh) | 2020-07-07 |
Family
ID=62640475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810020322.0A Active CN108231956B (zh) | 2018-01-09 | 2018-01-09 | 一种黑硅电池片的清洗槽工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108231956B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110473810A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-11-19 | 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 | 单晶硅制绒工艺及装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105154982A (zh) * | 2015-07-08 | 2015-12-16 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 多晶黑硅制绒处理液、应用其进行多晶硅片制绒的方法以及多晶黑硅制绒品 |
| CN105742409A (zh) * | 2016-04-08 | 2016-07-06 | 江苏荣马新能源有限公司 | 一种黑硅表面清洗方法及黑硅电池制备方法 |
| CN106683981A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-05-17 | 中建材浚鑫科技股份有限公司 | 一种多晶硅片制绒的清洗方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003282664A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ＳｉＣパーティクルモニタウェハ |
| CN105047758A (zh) * | 2015-08-18 | 2015-11-11 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种黑硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN106449878A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-02-22 | 苏州宝馨科技实业股份有限公司 | 一种黑硅制备方法、制绒机及采用该制备方法制成的黑硅 |
| CN107221581B (zh) * | 2017-07-14 | 2018-12-18 | 无锡琨圣科技有限公司 | 一种黑硅制绒清洗机及其工艺 |
-
2018
- 2018-01-09 CN CN201810020322.0A patent/CN108231956B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105154982A (zh) * | 2015-07-08 | 2015-12-16 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 多晶黑硅制绒处理液、应用其进行多晶硅片制绒的方法以及多晶黑硅制绒品 |
| CN105742409A (zh) * | 2016-04-08 | 2016-07-06 | 江苏荣马新能源有限公司 | 一种黑硅表面清洗方法及黑硅电池制备方法 |
| CN106683981A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-05-17 | 中建材浚鑫科技股份有限公司 | 一种多晶硅片制绒的清洗方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108231956A (zh) | 2018-06-29 |
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| PB01 | Publication | ||
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|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |