CN108198903A - 一种背面镀膜处理的mwt太阳能电池的制备方法 - Google Patents
一种背面镀膜处理的mwt太阳能电池的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108198903A CN108198903A CN201711453529.9A CN201711453529A CN108198903A CN 108198903 A CN108198903 A CN 108198903A CN 201711453529 A CN201711453529 A CN 201711453529A CN 108198903 A CN108198903 A CN 108198903A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- back side
- preparation
- silicon
- solar cells
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims abstract 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 11
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 8
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 8
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 3
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical group 0.000 description 2
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910021418 black silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种背面镀膜处理的MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：制备基片，所述基片为已完成PN结扩散工艺、正面沉积有减反射膜、背面制有钝化层及保护膜、完成激光开槽，并已经制备好背面正极、电场、正面电极的硅太阳能电池基片；打孔：在基片上形成用于填充浆料将正面电极汇集的电流引至基片背面的孔洞；制备负极：用导电胶填充孔洞并制成背面电极的负极，与正面电极相连通形成电流通路；烘干：烘干固化导电胶。本发明制备方法，降低成本，简化制程，提高产品质量。
Description
技术领域
本发明涉及硅太阳能电池工艺技术领域，尤其涉及一种背面镀膜处理的MWT太阳能电池的制备方法。
背景技术
金属穿孔卷绕硅太阳能电池(MWT)因其效率高，遮光面积小以及更好的外观特点受到越来越多的关注。MWT硅太阳能电池是通过激光钻孔将正面收集的能量穿过电池转移至电池背面，以减少遮光面积来达到提高转换效率的目的。专利CN201410016190.6提供了一种MWT的低成本制备方法，该方法在传统晶硅电池的制作流程上仅增加两道工序，即：在制绒工序前增加一道激光打孔工序和在扩散后或镀膜后增加一道孔洞处绝缘的工序。由于该方法工艺简单，增加设备少，成为目前业内MWT电池生产唯一量产的工艺。
局部接触背钝化(PERC)太阳能电池是最近两年新开发出来的一种高效太阳能电池技术，得到了业内的广泛关注。如专利CN201410484916.9提供了一种丝网印刷纳米氧化铝或氧化硅制备钝化层的技术；专利CN201710054179.2提供了一种低复合率的单晶PERC电池工艺方案；专利CN201710125141.X提供了一种P型PERC双面太阳能电池的工艺方案。PERC电池工艺技术的核心是在硅片的背光面用氧化铝或氧化硅薄膜覆盖，起到钝化表面提高长波响应，从而提高电池的转换效率。同时，为了避免在烧结过程中铝金属破坏钝化层的钝化效率，一般在氧化铝或氧化硅薄膜上再覆盖一层氮化硅薄膜，起到保护作用。由于氧化铝或氧化硅不导电，需要对其局部开口以便形成欧姆接触，收集电流。由此，现有PERC常规电池的制备工艺主要包含以下几个步骤：制绒、扩散、背抛光、刻蚀、背面沉积氧化铝或氧化硅薄膜、背面沉积氮化硅保护膜、正面沉积氮化硅减反膜、背面局部开口、丝网印刷正、背面金属浆料、烧结。其中，氧化铝薄膜通常采用化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)制备；氧化硅薄膜采用化学气相沉积(CVD)或管式热氧化(Thermal Oxidation)制备；开口通常采用激光方式。
由于MWT电池制程与常规电池制程除激光打孔和绝缘隔离两方面的要求外再无其他差异，使得MWT电池可以兼容黑硅、PERC、HIT、IBC等技术。其中，专利CN201410016190.6同时提供了一种MWT结合PERC技术的制备流程。专利CN201510612566.4提供了一种背钝化膜制备工艺解决MWT孔洞漏电问题。
随着人们对晶硅电池的光电转换效率越来越高的要求，MWT高效电池技术结合其他高效电池技术的技术开发和研究也已迫在眉睫。
目前的MWT电池技术结合PERC电池技术的缺陷：需要孔洞处制备绝缘层的工序；激光打孔在第一道工序，引起碎片率相对常规电池的碎片率偏高0.2％-0.5％。
发明内容
发明目的：为解决现有技术中的问题，本发明提供了一种背面镀膜处理的MWT太阳能电池的制备方法，降低成本，简化制程，提高产品质量。
技术方案：本发明所述的背面镀膜处理的MWT太阳能电池的制备方法，包括：
(1)制备基片，所述基片为已完成PN结扩散工艺、正面沉积有减反射膜、背面制有钝化层及保护膜、完成激光开槽，并已经制备好背面正极、电场、正面电极的硅太阳能电池基片；
(2)打孔：在基片上形成用于填充浆料将正面电极汇集的电流引至基片背面的孔洞；
(3)制备负极：用导电胶填充孔洞并制成背面电极的负极，与正面电极相连通形成电流通路；
(4)烘干：烘干固化导电胶。
步骤(2)中，采用激光进行打孔。
步骤(3)中，导电胶的产品型号为贺利氏SOL570。
步骤(4)中，烘干的温度为50°-200°。
具体的，步骤(1)包括：
(1-1)制绒：对硅片进行清洗和织构化，去除硅片表面的损伤层，在硅片表面制成绒面；
(1-2)扩散：在硅片衬底沉积掺杂源并进行扩散制备PN结；
(1-3)刻蚀：去除扩散后硅片周边及背面的PN结，去除磷硅玻璃，并进行背面抛光；
(1-4)背面钝化层制备：在硅片背面制备一层氧化铝或氧化硅钝化层；
(1-5)正面减反膜制备：在硅片正面制备一层减反膜；
(1-6)背面保护膜制备：在硅片背面钝化层上覆一层保护膜；
(1-7)激光开槽：用激光将背面的钝化层和保护膜开槽或开口，以便铝背场浆料和硅基体形成欧姆接触；
(1-8)电极制备：在硅片背面印刷MWT背面电极的正极和铝背场，正面印刷正面电极；
(1-9)烧结：将印刷后浆料的电池片共烧形成欧姆接触。
步骤(1-2)中，硅片采用背靠背的方式进行单面扩散，扩散源为POCl3，扩散温度为820-860℃，扩散方阻为30-150Ω/□，进一步为85-95Ω/□。
步骤(1-4)中，钝化层为氧化铝或氧化硅，钝化层的厚度为1-50nm。背面钝化一般采用氧化铝或氧化硅，常规工艺生成的氧化硅厚度在1-2nm即可满足表面钝化效果。氧化铝除了表面钝化以外还有场钝化的效果，一般厚度在3-5nm即可满足要求。
其中，氧化铝钝化层采用化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)或丝网印刷等方法进行制备，氧化硅钝化层采用化学气相沉积(CVD)、管式热氧化(Thermal Oxidation)或丝网印刷等方法进行制备。
步骤(1-5)中，减反膜为氮化硅，折射率为1.9-2.2，膜厚为60-100nm。正面减反膜兼顾钝化和减反射，折射率一般在2.06，厚度在85nm综合效果最佳。
步骤(1-6)中，保护膜为氮化硅，折射率为1.9-2.2，膜厚为10-150nm。背面保护膜不用减反，厚度可以增加以便增加体钝化效果，厚度一般在120nm，折射率不变，综合效果最佳。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
1.本发明采用导电胶取代常规银浆，大大降低了银浆用量，节约了制程成本。另外，由于导电胶不烧穿氮化硅，也不与孔洞内壁硅形成欧姆接触，从而此贯穿浆料不会引起漏电，使得孔洞处制备绝缘层的工序可以取消并用于最后的导电胶印刷。整个制程未新增设备。
2.激光打孔放在最后工序，可以显著降低整个制程的碎片率，提高A级品率。
附图说明
图1为MWT太阳能电池背面电极的正极印刷图案；
图2为MWT太阳能电池的铝背场印刷图案；
图3为MWT太阳能电池的正面电极图形；
图4为MWT太阳能电池的激光打孔图案；
图5为MWT太阳能电池背面电极的负极印刷图案；
图6为MWT太阳能电池的结构。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
实施例1
图6示出了背面镀膜处理的MWT太阳能电池的结构，包括正面(即受光面)具有扩散层2的硅片1，覆于扩散层2上的减反膜3，设于减反膜3上的正面栅线电极(或称正电极)4，设于硅片背面的钝化层5，覆于钝化层5上的保护膜6，电极孔7贯穿扩散层、硅片、减反膜、钝化层、保护膜和铝背场，用导电胶填充电极孔与正电极相连通并形成背面电极的负极8，负极8呈6×6矩阵分布，硅片的背面设有贯穿钝化层和保护膜的背面电极的正极9，正极呈5×5矩阵分布，每行正极处于两行负极之间，钝化层和保护膜形成有开槽10，铝背场11覆于背面保护膜上，并避让背面电极。
本发明背面镀膜处理的MWT太阳能电池的制备方法如下：
1.硅片：采用太阳能级P型单晶或多晶硅片作为衬底；
2.制绒：采用常规化学清洗和织构化方法进行清洗和织构化，去除硅片表面的损伤层，降低光生载流子的复合速率，同时在硅片表面制成绒面降低反射率；
3.扩散：在扩散炉中使用POCl3扩散源进行高温(820-860℃)背靠背单面扩散制备PN结，扩散方阻控制在30-150Ω/□(本实施例具体可以为85-95Ω/□)；
4.刻蚀：采用常规化学溶液进行化学后清洗，去除扩散后硅片周边及背面PN结，去除扩散后硅衬底表面形成的磷硅玻璃，并进行背面抛光；
5.背面钝化层制备：采用化学气相沉积(CVD)在电池片背面镀一层1-50nm(本实施例具体可以为3nm)厚度的Al2O3钝化膜；
6.正面减反膜：采用PECVD设备在电池片正面制备折射率在1.9-2.2(本实施例具体可以为2.06)之间，膜厚在60-100nm(本实施例具体可以为85nm)的氮化硅减反膜；
7.背面保护膜：采用PECVD设备在电池片背面制备折射率在1.9-2.2(本实施例具体可以为2.08)之间，膜厚在10-150nm(本实施例具体可以为120nm)的氮化硅减反膜；
8.激光开槽：用激光将背面的氧化铝钝化膜和氮化硅保护膜开槽，以便铝背场浆料和硅基体形成欧姆接触；
9.背电极印刷：采用丝网印刷方式，在硅片背面印刷如图1所示图案的5×5均匀排布的MWT电池背面电极的正极。
10.铝背场印刷：采用丝网印刷方式，在硅片背面印刷如图2所示图案的MWT电池背面的铝背场，印刷时避开MWT电池背面的正极、负极和后续激光打孔的孔洞。
11.正面电极印刷：采用丝网印刷方式，在MWT电池正面，印刷如图3所示图案的MWT电池正面电极结构。
12.烧结：将印刷后浆料的电池片共烧形成欧姆接触。
13.激光打孔：将烧结后的电池片，按如图4所示的6×6阵列图案，使用激光器在电池片上开相应的激光孔洞(电极孔)，孔洞为圆形，直径为120μm。
14.印刷导电胶：将激光打孔后的电池片，按如图5所示图案，采用丝网印刷的方式印刷的导电胶(具体可以为贺利氏SOL570)，制备MWT电池背面电极的负极、堵孔并与正面电极图形相连通形成电流通路；
15.烘干：采用50°-200°的温度，烘干固化导电胶。
本实施例中涉及的图1-图5图案为现有太阳能电池制备中的图案，本发明不仅限于上述图案，可采用其他的图形设计。
整个制程的碎片率较激光打孔程序放到前面可降低0.2％-0.5％，A级品率可提升0.5％-1％。
Claims (10)
1.一种背面镀膜处理的MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
(1)制备基片，所述基片为已完成PN结扩散工艺、正面沉积有减反射膜、背面制有钝化层及保护膜、完成激光开槽，并已经制备好背面正极、电场、正面电极的硅太阳能电池基片；
(2)打孔：在基片上形成用于填充浆料将正面电极汇集的电流引至基片背面的孔洞；
(3)制备负极：用导电胶填充孔洞并制成背面电极的负极，与正面电极相连通形成电流通路；
(4)烘干：烘干固化导电胶。
2.根据权利要求1所述的背面镀膜处理的MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，采用激光进行打孔。
3.根据权利要求1所述的背面镀膜处理的MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，导电胶的产品型号为贺利氏SOL570。
4.根据权利要求1所述的背面镀膜处理的MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，烘干的温度为50°-200°。
5.根据权利要求1所述的背面镀膜处理的MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)包括：
(1-1)制绒：对硅片进行清洗和织构化，去除硅片表面的损伤层，在硅片表面制成绒面；
(1-2)扩散：在硅片衬底沉积掺杂源并进行扩散制备PN结；
(1-3)刻蚀：去除扩散后硅片周边及背面的PN结，去除磷硅玻璃，并进行背面抛光；
(1-4)背面钝化层制备：在硅片背面制备一层氧化铝或氧化硅钝化层；
(1-5)正面减反膜制备：在硅片正面制备一层减反膜；
(1-6)背面保护膜制备：在硅片背面钝化层上覆一层保护膜；
(1-7)激光开槽：用激光将背面的钝化层和保护膜开槽或开口，以便铝背场浆料和硅基体形成欧姆接触；
(1-8)电极制备：在硅片背面印刷MWT背面电极的正极和铝背场，正面印刷正面电极；
(1-9)烧结：将印刷后浆料的电池片共烧形成欧姆接触。
6.根据权利要求5所述的背面镀膜处理的MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(1-2)中，硅片采用背靠背的方式进行单面扩散，扩散源为POCl3，扩散方阻为30-150Ω/□。
7.根据权利要求5所述的背面镀膜处理的MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(1-4)中，钝化层为氧化铝或氧化硅，钝化层的厚度为1-50nm。
8.根据权利要求7所述的背面镀膜处理的MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于，氧化铝钝化层采用化学气相沉积、原子层沉积或丝网印刷方法进行制备，氧化硅钝化层采用化学气相沉积、管式热氧化或丝网印刷方法进行制备。
9.根据权利要求5所述的背面镀膜处理的MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(1-5)中，减反膜为氮化硅，折射率为1.9-2.2，膜厚为60-100nm。
10.根据权利要求5所述的背面镀膜处理的MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(1-6)中，保护膜为氮化硅，折射率为1.9-2.2，膜厚为10-150nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711453529.9A CN108198903A (zh) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | 一种背面镀膜处理的mwt太阳能电池的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711453529.9A CN108198903A (zh) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | 一种背面镀膜处理的mwt太阳能电池的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108198903A true CN108198903A (zh) | 2018-06-22 |
Family
ID=62584882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711453529.9A Pending CN108198903A (zh) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | 一种背面镀膜处理的mwt太阳能电池的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108198903A (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108987510A (zh) * | 2018-08-10 | 2018-12-11 | 广东爱旭科技股份有限公司 | 网格状单面直连太阳能电池组件及制备方法 |
| CN108987516A (zh) * | 2018-08-10 | 2018-12-11 | 广东爱旭科技股份有限公司 | 网格状双面直连太阳能电池组件及制备方法 |
| CN109273536A (zh) * | 2018-12-05 | 2019-01-25 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池及光伏组件 |
| CN109545906A (zh) * | 2018-12-24 | 2019-03-29 | 江苏日托光伏科技股份有限公司 | 一种mwt+perc太阳能电池的生产方法 |
| CN110112230A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-08-09 | 无锡日托光伏科技有限公司 | 一种mwt太阳能电池的制备方法 |
| CN111081823A (zh) * | 2020-01-15 | 2020-04-28 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种减少绕镀和色差的perc太阳能电池制作方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102529467A (zh) * | 2010-12-02 | 2012-07-04 | 应用材料意大利有限公司 | 用于印刷基板的方法 |
| CN102623574A (zh) * | 2012-04-16 | 2012-08-01 | 英利能源（中国）有限公司 | Mwt结构太阳能电池组件及其制造方法 |
| CN102969399A (zh) * | 2012-11-20 | 2013-03-13 | 上饶光电高科技有限公司 | Mwt太阳能电池及其制作方法 |
| CN103413858A (zh) * | 2013-06-08 | 2013-11-27 | 中山大学 | 一种mwt晶体硅太阳能电池的制备方法 |
| CN103618029A (zh) * | 2013-11-25 | 2014-03-05 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 一种背钝化mwt光伏电池的制造方法 |
-
2017
- 2017-12-28 CN CN201711453529.9A patent/CN108198903A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102529467A (zh) * | 2010-12-02 | 2012-07-04 | 应用材料意大利有限公司 | 用于印刷基板的方法 |
| CN102623574A (zh) * | 2012-04-16 | 2012-08-01 | 英利能源（中国）有限公司 | Mwt结构太阳能电池组件及其制造方法 |
| CN102969399A (zh) * | 2012-11-20 | 2013-03-13 | 上饶光电高科技有限公司 | Mwt太阳能电池及其制作方法 |
| CN103413858A (zh) * | 2013-06-08 | 2013-11-27 | 中山大学 | 一种mwt晶体硅太阳能电池的制备方法 |
| CN103618029A (zh) * | 2013-11-25 | 2014-03-05 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 一种背钝化mwt光伏电池的制造方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 冯良恒，张静全: "《中国太阳能光伏进展》", 31 October 2006, 成都：西南交通大学出版社 * |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108987510A (zh) * | 2018-08-10 | 2018-12-11 | 广东爱旭科技股份有限公司 | 网格状单面直连太阳能电池组件及制备方法 |
| CN108987516A (zh) * | 2018-08-10 | 2018-12-11 | 广东爱旭科技股份有限公司 | 网格状双面直连太阳能电池组件及制备方法 |
| CN108987510B (zh) * | 2018-08-10 | 2024-06-14 | 广东爱旭科技股份有限公司 | 网格状单面直连太阳能电池组件及制备方法 |
| CN108987516B (zh) * | 2018-08-10 | 2024-07-26 | 广东爱旭科技股份有限公司 | 网格状双面直连太阳能电池组件及制备方法 |
| CN109273536A (zh) * | 2018-12-05 | 2019-01-25 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池及光伏组件 |
| CN109273536B (zh) * | 2018-12-05 | 2023-09-15 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池及光伏组件 |
| CN109545906A (zh) * | 2018-12-24 | 2019-03-29 | 江苏日托光伏科技股份有限公司 | 一种mwt+perc太阳能电池的生产方法 |
| CN110112230A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-08-09 | 无锡日托光伏科技有限公司 | 一种mwt太阳能电池的制备方法 |
| CN111081823A (zh) * | 2020-01-15 | 2020-04-28 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种减少绕镀和色差的perc太阳能电池制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108198903A (zh) | 一种背面镀膜处理的mwt太阳能电池的制备方法 | |
| CN103887347B (zh) | 一种双面p型晶体硅电池结构及其制备方法 | |
| CN108198906A (zh) | 一种高效mwt太阳能电池的制备方法 | |
| CN106876491B (zh) | 一种无正面栅线的p型晶体硅背接触电池结构及制作方法 | |
| CN105514206B (zh) | 全背型异质结太阳电池及其制备方法 | |
| CN113113501A (zh) | 一种mwt异质结太阳能电池及其制备方法 | |
| TWI536597B (zh) | A low cost, suitable for mass production of back contact with the battery production methods | |
| CN103594529A (zh) | Mwt与背钝化结合的晶硅太阳能电池及其制造方法 | |
| CN107221568A (zh) | 一种选择发射极双面perc电池的制备方法 | |
| CN108538962A (zh) | 一种钝化接触的ibc电池的制备方法 | |
| CN110085699A (zh) | 一种具有钝化接触结构的p型高效电池及其制作方法 | |
| CN108735829A (zh) | 能够提升背面光电转换效率的p型perc双面太阳能电池及其制备方法 | |
| WO2014206211A1 (zh) | 背钝化太阳能电池及其制作方法 | |
| CN102623563B (zh) | 一种双面受光型晶体硅太阳电池的制备方法 | |
| CN107644925A (zh) | 一种p型晶体硅太阳能电池的制备方法 | |
| CN103746026B (zh) | 前电极绕射式局域背场钝化晶体硅电池的制备方法 | |
| CN110660883A (zh) | 一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池 | |
| CN108172658A (zh) | 一种n型异质结双面太阳能电池的制备方法 | |
| CN104465885B (zh) | 全背电极太阳能电池形成局域金属化的生产方法 | |
| CN104868011A (zh) | N型全铝背发射极太阳能电池的制作方法和该方法制备的太阳能电池 | |
| CN111524982A (zh) | 太阳电池 | |
| CN103594534B (zh) | 铝发射极背结背接触晶体硅太阳电池及其制造方法 | |
| CN203674218U (zh) | Mwt与背钝化结合的晶硅太阳能电池 | |
| CN106711277A (zh) | 一种n型双面太阳能电池的制备方法 | |
| CN105957921A (zh) | 一种利用印刷技术制备n型硅ibc太阳电池的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 214028 Xishi Road, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province Applicant after: Jiangsu Rituo Photovoltaic Technology Co., Ltd. Address before: 211800 No. 29 Buyue Road, Pukou Economic Development Zone, Nanjing City, Jiangsu Province Applicant before: Nanjing day care PV Polytron Technologies Inc |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180622 |