CN108091571A - 一种减少晶体管制作步骤的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种减少晶体管制作步骤的方法，包括：步骤1：准备初始晶体管，作为复制的母版；步骤2:复制母版结构得到复制模具；步骤3：制备模压衬底，所述模压衬底从上至下依次设置胶体、多晶硅、氧化硅、硅和衬底；步骤4：将步骤3制备的模压衬底根据步骤2制得的复制模具进行模压得到胶体的三维结构；步骤5：通过反应离子刻蚀对胶体的三维结构进行图案转移；步骤6：去胶并掺杂得到晶体管。本发明提供的一种减少晶体管制作步骤的方法，使得现有技术下制备晶体管的步骤大幅度减少，有利于提高工艺效率，降低工艺成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种减少晶体管制作步骤的方法，属于属于微电子、微纳米制作技术领域。
背景技术
目前，微电子加工技术已经进入纳米时代，随着特征尺寸的进一步缩写，单个芯片上能容纳的晶体管数量急剧增加。传统的晶体管制作步骤繁琐，采用平面化工艺，需要进行多层薄膜层的加工，而每一层的加工包括制备薄膜、甩胶、曝光、显影、掺杂或者刻蚀。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的缺陷，提供一种减少晶体管制作步骤的方法，减少了原有晶体管的制作步骤，具有工艺简单、步骤少和成本低的特点。
一种减少晶体管制作步骤的方法，包括：
步骤1：准备初始晶体管，作为复制的母版；
步骤2: 复制母版结构得到复制模具；
步骤3：制备模压衬底，所述模压衬底从上至下依次设置胶体、多晶硅、氧化硅、硅和衬底；
步骤4：将步骤3制备的模压衬底根据步骤2制得的复制模具进行模压得到胶体的三维结构；
步骤5：通过反应离子刻蚀对胶体的三维结构进行图案转移；
步骤6：去胶并掺杂得到晶体管。
优选地，步骤2中所述复制模具的材料为聚二甲基硅氧烷。
优选地，步骤3中所述胶体为对紫外光敏感的光敏胶体，所述光敏胶体为环氧树脂或乙烯基醚或丙烯酸酯。
优选地，步骤4中模压过程中辅助照射紫外光，从而使步骤3中的光敏胶体成型并固化。
优选地，步骤5中，以胶体材料为掩膜，反应离子刻蚀进行图案转移，直至两侧露出衬底。
优选地，步骤6中，首先用反应离子刻蚀去胶，然后对未被氧化硅覆盖处的硅及多晶硅进行掺杂得到晶体管的源区、漏区与栅区。
优选地，在步骤6中，所述掺杂方法为扩散或离子注入。
优选地，在步骤3中，所述衬底为硅、绝缘体上硅、玻璃、热固性树脂、热塑性树脂、硅橡胶或陶瓷中的一种。
有益效果：本发明提供的一种减少晶体管制作步骤的方法，使得现有技术下制备晶体管的步骤大幅度减少，有利于提高工艺效率，降低工艺成本。
附图说明
图1为本发明的制作流程图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
一种减少晶体管制作步骤的方法，包括：
步骤1：准备初始晶体管，作为复制的母版；
步骤2: 复制母版结构得到复制模具；
步骤3：制备模压衬底，所述模压衬底从上至下依次设置胶体、多晶硅、氧化硅、硅和衬底；
步骤4：将步骤3制备的模压衬底根据步骤2制得的复制模具进行模压得到胶体的三维结构；
步骤5：通过反应离子刻蚀对胶体的三维结构进行图案转移；
步骤6：去胶并掺杂得到晶体管。
优选地，步骤2中所述复制模具的材料为聚二甲基硅氧烷。
优选地，步骤3中所述胶体为对紫外光敏感的光敏胶体，所述光敏胶体为环氧树脂或乙烯基醚或丙烯酸酯。
优选地，步骤4中模压过程中辅助照射紫外光，从而使步骤3中的光敏胶体成型并固化。
优选地，步骤5中，以胶体材料为掩膜，反应离子刻蚀进行图案转移，直至两侧露出衬底。
优选地，步骤6中，首先用反应离子刻蚀去胶，然后对未被氧化硅覆盖处的硅及多晶硅进行掺杂得到晶体管的源区、漏区与栅区。
优选地，在步骤6中，所述掺杂方法为扩散或离子注入。
优选地，在步骤3中，所述衬底为硅、绝缘体上硅、玻璃、热固性树脂、热塑性树脂、硅橡胶或陶瓷中的一种。
本发明中模压衬底为多层材料的叠加，为常规技术手段，故而未加详述。
实施例1
步骤1：准备初始晶体管N-MOSFET，作为复制的母版；
步骤2：采用聚二甲基硅氧烷复制母版结构得到复制模具；
步骤3：制备模压衬底，其中衬底选择硅，胶体选择环氧树脂；
步骤4：模压并辅以紫外光照，然后脱模，得到胶体的三维结构；
步骤5：通过反应离子刻蚀对胶体的三维结构进行图案转移；
步骤6：去胶并掺杂N型杂质磷得到N型MOS晶体管。
实施例2
步骤1：准备初始晶体管P-MOSFET，作为复制的母版；
步骤2：采用聚二甲基硅氧烷复制母版结构得到复制模具；
步骤3：制备模压衬底，衬底选择绝缘体上硅，胶体选择丙烯酸酯；
步骤4：模压并辅以紫外光照，然后脱模，得到胶体的三维结构；
步骤5：对胶体的三维结构通过反应离子刻蚀进行图案转移；
步骤6：去胶并掺杂P型杂质硼得到P型MOS晶体管。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的两种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围 。
Claims (8)
1.一种减少晶体管制作步骤的方法，其特征在于，包括：
步骤1：准备初始晶体管，作为复制的母版；
步骤2: 复制母版结构得到复制模具；
步骤3：制备模压衬底，所述模压衬底从上至下依次设置胶体、多晶硅、氧化硅、硅和衬底；
步骤4：将步骤3制备的模压衬底根据步骤2制得的复制模具进行模压得到胶体的三维结构；
步骤5：通过反应离子刻蚀对胶体的三维结构进行图案转移；
步骤6：去胶并掺杂得到晶体管。
2.根据权利要求1所述的一种减少晶体管制作步骤的方法，其特征在于：步骤2中所述复制模具的材料为聚二甲基硅氧烷。
3.根据权利要求1或权利2所述的一种减少晶体管制作步骤的方法，其特征在于：步骤3中所述胶体为对紫外光敏感的光敏胶体，所述光敏胶体为环氧树脂或乙烯基醚或丙烯酸酯。
4.根据权利要求3所述的一种减少晶体管制作步骤的方法，其特征在于：步骤4中模压过程中辅助照射紫外光，从而使步骤3中的光敏胶体成型并固化。
5.根据权利要求4所述的一种减少晶体管制作步骤的方法，其特征在于：步骤5中，以胶体材料为掩膜，反应离子刻蚀进行图案转移，直至两侧露出衬底。
6.根据权利要求5所述的一种减少晶体管制作步骤的方法，其特征在于：步骤6中，首先用反应离子刻蚀去胶，然后对未被氧化硅覆盖处的硅及多晶硅进行掺杂得到晶体管的源区、漏区与栅区。
7.根据权利要求6所述的一种减少晶体管制作步骤的方法，其特征在于：在步骤6中，所述掺杂方法为扩散或离子注入。
8.根据权利要求7所述的一种减少晶体管制作步骤的方法，其特征在于：在步骤3中，所述衬底为硅、绝缘体上硅、玻璃、热固性树脂、热塑性树脂、硅橡胶或陶瓷中的一种。
Priority Applications (1)
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| CN201711248380.0A CN108091571A (zh) | 2017-12-01 | 2017-12-01 | 一种减少晶体管制作步骤的方法 |
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Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| CN1638545A (zh) * | 2003-12-30 | 2005-07-13 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 有机电致发光显示器件及其制作方法 |
| CN1722366A (zh) * | 2004-06-01 | 2006-01-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件的制造方法 |
| CN106128961A (zh) * | 2016-08-30 | 2016-11-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种ltps薄膜晶体管的制作方法 |
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2017
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