CN107958948A - 一种led发光二极管及其制作方法 - Google Patents
一种led发光二极管及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107958948A CN107958948A CN201711460864.1A CN201711460864A CN107958948A CN 107958948 A CN107958948 A CN 107958948A CN 201711460864 A CN201711460864 A CN 201711460864A CN 107958948 A CN107958948 A CN 107958948A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- bonding
- chip
- die
- crystal
- led light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
- H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供一种LED发光二极管,包括浅杯支架、固晶胶、芯片、金线、荧光胶层;在所述的浅杯支架的功能区中设置有用于容置LED芯片的凹型固晶区,所述芯片设置在所述凹型固晶区内,所述金线的两端连接所述芯片,所述荧光胶层覆盖所述芯片、所述凹型固晶区及所述浅杯支架的功能区。本发明还提供一种LED发光二极管的制作方法。浅杯支架中设置的微型凹槽,使芯片表面与支架功能区表面持平,从而降低线弧高度,提高浅杯支架的可靠性;为了防止固晶胶固化过程中,对芯片电极产生污染的作用,设置微型凹槽,使固晶胶固化时往上挥发的程度会降低,让本发明的固晶胶层的厚度小于现有技术中的固晶胶层的厚度;固晶胶层减小了LED的热阻。
Description
技术领域
本发明涉及LED技术领域,特别涉及一种LED发光二极管及其制作方法。
背景技术
发光二极管(LED)具有高光效、寿命长和无毒绿色等优点逐步进入主流照明市场,在植物照明、舞台彩光和车用照明等领域得到了越来越多的应用。LED灯珠热阻最大的环节是固晶胶,特别是采用绝缘胶材固晶的中小功率LED,其热阻远远大于其他环节产生的热阻,因此降低固晶胶热阻为提高LED灯珠可靠性的最有效的手段之一。目前降低固晶胶热阻的方法主要有以下两种途径:通过选择导热系数更高的固晶胶材;或者减小固晶胶的导热途径,例如减小固晶胶的厚度。
已有中国专利201320481444.2公开了一种将固晶胶覆盖在整个固晶区的固晶方法;专利号为201320754835.7的中国专利叙述了一种固晶方法为碗杯底部设置反射固晶胶层ED芯片底部反复反射造成的吸收,提高芯片的外量子效率;专利号为201220400298.1的中国专利叙述了晶片底面射出的光线反射固晶胶后,经折射珠折射会形成聚光效果。专利号为201510432060.5的中国专利所述点胶封装采用硅胶作为固晶胶,采用多种尺寸和形状的点胶头进行点胶封装,减少了固晶胶的胶量。本发明所述的凹型固晶区有降低线弧高度,提高浅杯支架的可靠性,还可以防止固晶胶固化过程中对芯片电极产生污染的作用。
发明内容
本发明目的是为了克服现有技术的不足,提供一种LED发光二极管,其提高浅杯支架的可靠性。
本发明的另一个目的是为了提供一种LED发光二极管的制作方法。
为了达到上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种LED发光二极管,包括浅杯支架、固晶胶、芯片、金线、荧光胶层;在所述的浅杯支架的功能区中设置有用于容置LED芯片的凹型固晶区,所述芯片设置在所述凹型固晶区内,所述金线的两端连接所述芯片,所述荧光胶层覆盖所述芯片、所述凹型固晶区及所述浅杯支架的功能区。
作为优选,所述凹型固晶区为微型凹槽。
作为优选,所述凹型固晶区的底部面积为LED芯片面积的1.2倍;所述凹型固晶区的深度是LED芯片厚度的1倍。
作为优选,在凹型固晶区的底部与所述芯片间设有一层固晶胶层。
作为优选,所述固晶胶层为固晶胶喷涂层,制作所述固晶胶喷涂层的喷涂时间为1-2min,喷涂速度为0.03~0.06um/min。
作为优选,所述固晶胶层的厚度为1-3μm。
一种LED发光二极管的制作方法,包括以下步骤:
S1、在浅杯支架的功能区上冲压出微型凹槽;
S2、在微型凹槽的底部喷涂一层固晶胶;
S3、将芯片放置在固晶胶上,并对芯片施加预设压力,以将芯片固定于微型凹槽内;
S4、烘烤固晶胶并将其烤干,完成固晶。
S5、焊线前清洗,将芯片的正、负极分别与支架的功能区的正负极相连。
S6、点粉前清洗,按客户要求调试配方,点荧光粉然后进烤,完成点胶。
S7、剥料,完成器件的制备。
作为优选,所述固晶胶的黏度为5000-8000mPa.S。
作为优选,在所述的芯片上施加一定的预设压力于所述的固晶胶上,所述的预设压力为0.3-0.7N。
作为优选,所述微型凹槽由微型凸头冲压而成。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
浅杯支架中设置的微型凹槽,使芯片表面与支架功能区表面持平,从而降低线弧高度,提高浅杯支架的可靠性;为了防止固晶胶固化过程中,对芯片电极产生污染的作用,设置微型凹槽,使固晶胶固化时往上挥发的程度会降低,让本发明的固晶胶层的厚度小于现有技术中的固晶胶层的厚度;固晶胶层减小了LED的热阻。
附图说明
图1是本发明所述的LED发光二极管的结构示意图;
图2是本发明所述的LED发光二极管的制作步骤。
图中:
100—LED发光二极管;101—浅杯支架;102—固晶胶层;103—芯片;104—金线;105—荧光胶层。
具体实施方式
现结合附图与具体实施例对本发明作进一步说明。
参阅图1所示,本发明所述的一种LED发光二极管,包括有浅杯支架101、固晶胶层102、LED芯片103、金线104、荧光胶层105。
在浅杯支架101的功能区上设置凹型固晶区,在固晶区内通过喷涂设置一层固晶胶层102,将芯片103放置在固晶胶层上,并对芯片103施加预设压力,使得芯片103固定于浅杯支架的凹型固晶区上,烘烤固晶胶层并将其烤干,完成固晶。
金线104的两端分别与芯片103相连,荧光胶层105以热固化形式将芯片103和金线104完全包覆,起到光转换的作用。
凹型固晶区的底部面积为LED芯片面积的1.2倍,凹型固晶区的深度是LED芯片厚度的1倍;凹型底面积1.2倍是为了固晶时,凹型区域边缘不至于撞伤芯片;厚度是一倍,是限定凹型大小,只需要放进去一个芯片就行。固晶胶层为固晶胶喷涂层,制作固晶胶喷涂层的喷涂时间为1-2min。固晶胶层的厚度为1-3μm。
微型凹槽的底部设置为凹凸不平的底面,固晶胶层设置在凹凸不平的底面上;浅杯支架101的侧壁与底面通过弧面相连,侧壁与弧面上皆设置有反光面。荧光胶层包括若干荧光胶分块,若干荧光胶分块沿横向分布。
参阅图2所示,本发明所述LED发光二极管的制作方法,包括以下步骤:
S1、在浅杯支架101的功能区上通过微型凸头冲压出微型凹槽。
S2、在微型凹槽内喷涂固晶胶102,固晶胶的黏度为5000-8000mPa.S;喷涂速度为0.03~0.06um/min,喷涂时间为1-2min。
S3、将芯片103放置在固晶胶102上,并对芯片103施加预设压力,以将芯片103固定于浅杯支架101的微型凹槽内;在芯片103上施加一定的预设压力于固晶胶102上,预设压力为0.3-0.7N;预设压力小,避免固晶时伤及芯片,增加预设压力有助于稳定芯片的固晶位置。
S5、焊线前清洗,将芯片的正、负极分别与支架的功能区的正负极相连。
S6、点粉前清洗,按客户要求调试配方,点荧光粉然后进烤,完成点胶。
S7、剥料,完成LED发光二极管100的制备。
本发明所述的LED封装器件2的其他结构、其它制作方法与实施例1完全相同,在此不再赘述。
浅杯支架中设置的微型凹槽,降低了线弧高度,提高浅杯支架的可靠性。
本发明的固晶胶层的厚度小于现有技术中的固晶胶层的厚度,防止了固晶胶固化过程中对芯片电极产生污染的作用。
固晶胶层减小了LED的热阻。
本发明并不局限于上述实施方式,如果对本发明的各种改动或变型不脱离本发明的精神和范围,倘若这些改动和变型属于本发明的权利要求和等同技术范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变动。
Claims (10)
1.一种LED发光二极管,其特征在于,包括浅杯支架、固晶胶、芯片、金线、荧光胶层;在所述的浅杯支架的功能区中设置有用于容置LED芯片的凹型固晶区,所述芯片设置在所述凹型固晶区内,所述金线的两端连接所述芯片,所述荧光胶层覆盖所述芯片、所述凹型固晶区及所述浅杯支架的功能区。
2.根据权利要求1所述的LED发光二极管,其特征在于,所述凹型固晶区为微型凹槽。
3.根据权利要求1所述的LED发光二极管,其特征在于,所述凹型固晶区的底部面积为LED芯片面积的1.2倍;所述凹型固晶区的深度是LED芯片厚度的1倍。
4.根据权利要求1所述的LED发光二极管,其特征性在于,在凹型固晶区的底部与所述芯片间设有一层固晶胶层。
5.根据权利要求4所述的LED发光二极管,其特征在于,所述固晶胶层为固晶胶喷涂层,制作所述固晶胶喷涂层的喷涂时间为1-2min,喷涂速度为0.03~0.06um/min。
6.根据权利要求4所述的LED发光二极管,其特征性在于,所述固晶胶层的厚度为1-3μm。
7.一种LED发光二极管的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、在浅杯支架的功能区上冲压出微型凹槽;
S2、在微型凹槽的底部喷涂一层固晶胶;
S3、将芯片放置在固晶胶上,并对芯片施加预设压力,以将芯片固定于微型凹槽内;
S4、烘烤固晶胶并将其烤干,完成固晶。
S5、焊线前清洗,将芯片的正、负极分别与支架的功能区的正负极相连。
S6、点粉前清洗,按客户要求调试配方,点荧光粉然后进烤,完成点胶。
S7、剥料,完成器件的制备。
8.根据权利要求7所述LED发光二极管的制作方法,其特征在于,所述固晶胶的黏度为5000-8000mPa.S。
9.根据权利要求7所述LED发光二极管的制作方法,其特征性在于,在所述的芯片上施加一定的预设压力于所述的固晶胶上,所述的预设压力为0.3-0.7N。
10.根据权利要求7所述LED发光二极管的制作方法,其特征性在于,所述微型凹槽由微型凸头冲压而成。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711460864.1A CN107958948A (zh) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | 一种led发光二极管及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711460864.1A CN107958948A (zh) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | 一种led发光二极管及其制作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107958948A true CN107958948A (zh) | 2018-04-24 |
Family
ID=61956098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711460864.1A Pending CN107958948A (zh) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | 一种led发光二极管及其制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107958948A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109950181A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-06-28 | 黄山美太电子科技有限公司 | 一种led数码管生产加工工艺流程 |
CN113328027A (zh) * | 2021-06-04 | 2021-08-31 | 东莞中之科技股份有限公司 | 一种led固晶方法及固晶结构 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004104153A (ja) * | 2003-12-12 | 2004-04-02 | Rohm Co Ltd | 発光素子および半導体装置 |
CN1492506A (zh) * | 2002-10-22 | 2004-04-28 | 洲磊科技股份有限公司 | 类似覆晶型的发光二极管组件封装 |
JP3145956U (ja) * | 2008-08-15 | 2008-10-30 | 特新光電科技股▲分▼有限公司 | Ledリードフレーム |
US20110049552A1 (en) * | 2007-12-24 | 2011-03-03 | In Joon Pyeon | Light emitting diode package |
JP2012109328A (ja) * | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
CN103531670A (zh) * | 2012-07-06 | 2014-01-22 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
CN203895501U (zh) * | 2013-08-05 | 2014-10-22 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | 一种led |
TW201530826A (zh) * | 2012-07-30 | 2015-08-01 | Huga Optotech Inc | 發光模組 |
CN104882439A (zh) * | 2012-09-29 | 2015-09-02 | 四川新力光源股份有限公司 | Led器件 |
CN107195754A (zh) * | 2017-06-30 | 2017-09-22 | 深圳市宇亮光电技术有限公司 | 一种消除黄色光斑的led封装结构及封装方法 |
CN207938637U (zh) * | 2017-12-28 | 2018-10-02 | 广东晶科电子股份有限公司 | 一种led发光二极管 |
-
2017
- 2017-12-28 CN CN201711460864.1A patent/CN107958948A/zh active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1492506A (zh) * | 2002-10-22 | 2004-04-28 | 洲磊科技股份有限公司 | 类似覆晶型的发光二极管组件封装 |
JP2004104153A (ja) * | 2003-12-12 | 2004-04-02 | Rohm Co Ltd | 発光素子および半導体装置 |
US20110049552A1 (en) * | 2007-12-24 | 2011-03-03 | In Joon Pyeon | Light emitting diode package |
JP3145956U (ja) * | 2008-08-15 | 2008-10-30 | 特新光電科技股▲分▼有限公司 | Ledリードフレーム |
JP2012109328A (ja) * | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
CN103531670A (zh) * | 2012-07-06 | 2014-01-22 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
TW201530826A (zh) * | 2012-07-30 | 2015-08-01 | Huga Optotech Inc | 發光模組 |
CN104882439A (zh) * | 2012-09-29 | 2015-09-02 | 四川新力光源股份有限公司 | Led器件 |
CN203895501U (zh) * | 2013-08-05 | 2014-10-22 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | 一种led |
CN107195754A (zh) * | 2017-06-30 | 2017-09-22 | 深圳市宇亮光电技术有限公司 | 一种消除黄色光斑的led封装结构及封装方法 |
CN207938637U (zh) * | 2017-12-28 | 2018-10-02 | 广东晶科电子股份有限公司 | 一种led发光二极管 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109950181A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-06-28 | 黄山美太电子科技有限公司 | 一种led数码管生产加工工艺流程 |
CN113328027A (zh) * | 2021-06-04 | 2021-08-31 | 东莞中之科技股份有限公司 | 一种led固晶方法及固晶结构 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105047793B (zh) | 发光二极管封装结构的制作方法 | |
TWI542047B (zh) | 發光二極體封裝結構之製法 | |
CN109216532B (zh) | 一种紫外led石英透镜装配结构及方法 | |
CN107507899B (zh) | 单面发光csp光源制造方法 | |
CN107507904A (zh) | 单面csp led及其制造方法 | |
CN104282831B (zh) | 一种led封装结构及封装工艺 | |
CN102148299A (zh) | 一种基于cob技术的led点荧光胶方法 | |
TWI455371B (zh) | 發光二極體封裝結構的製造方法 | |
CN108615805B (zh) | 一种芯片级封装白光芯片及其封装方法 | |
CN107958948A (zh) | 一种led发光二极管及其制作方法 | |
CN201956395U (zh) | 一种基于cob技术的led点荧光胶结构 | |
CN110767639B (zh) | 一种车灯光源的制造方法 | |
CN105514253B (zh) | 一种led车灯光源及其制造方法 | |
TW201336112A (zh) | 螢光粉薄膜製作方法及相應的發光二極體封裝方法 | |
US9640740B2 (en) | LED lighting device and packaging method | |
CN106981555A (zh) | 一种浅杯高可靠性紫光led封装器件及其制造方法 | |
CN103413884B (zh) | Led封装方法 | |
TWI538256B (zh) | 發光二極體的製造方法 | |
WO2017198055A1 (zh) | 发光二极管封装结构的制作方法 | |
CN103000773A (zh) | 发光二极管的支架结构及其制作方法 | |
CN204088382U (zh) | 一种半导体芯片封装结构 | |
CN201887084U (zh) | 发光二极管封装结构 | |
TW201511338A (zh) | 發光二極體的封裝方法及其結構 | |
CN205752236U (zh) | 一种发光二极管封装结构 | |
CN207938637U (zh) | 一种led发光二极管 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: 511458 33 Nansha District City Road South, Nansha District, Guangzhou, Guangdong Applicant after: APT ELECTRONICS Co.,Ltd. Address before: 511458 No. 33, South Ring Road, Nansha District, Guangzhou, Guangdong. Applicant before: APT ELECTRONICS Co.,Ltd. |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180424 |