CN107891357B - 晶圆加工装置及其加工方法 - Google Patents
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Abstract
一种晶圆加工装置及其加工方法，其中，装置包括：支撑台，所述支撑台包括支撑面，所述支撑台中具有冷却剂，所述冷却剂为过饱和溶液，所述过饱和溶液内溶质的溶解度随温度升高而增加，且所述过饱和溶液内溶质溶解时吸收热量；位于所述支撑面表面的研磨垫；安装晶圆并带动晶圆与所述研磨垫相互摩擦的研磨头。所述晶圆加工装置结构简单，且能耗较小。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆加工装置及其加工方法。
背景技术
化学机械研磨(Chemical mechanical Polishing，CMP)装置是半导体制造领域常用的一种平坦化装置，能够提高晶圆表面的平整度。化学机械研磨装置通过晶圆与研磨垫之间的摩擦，并在研磨液的帮助下使晶圆表面平整度增加。在化学机械研磨中，晶圆与研磨垫的摩擦，会导致研磨垫表面温度升高。研磨垫温度升高会导致研磨液与晶圆的反应速率发生变化，从而导致研磨速率发生变化，进而使研磨后晶圆表面平整度较差。
为了在机械研磨过程中，降低研磨垫的温度，化学机械研磨装置采用在支撑台内设计管道，并持续向所述管道内通入冷却水来控制研磨垫表面的温度，从而间接控制研磨液的温度。
然而，现有的化学机械研磨装置的结构较复杂。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种晶圆加工装置及其加工方法，能够简化加工装置的结构。
为解决上述问题，本发明提供一种晶圆加工装置，包括：支撑台，所述支撑台包括支撑面，所述支撑台中具有冷却剂，所述冷却剂为过饱和溶液，所述过饱和溶液内溶质的溶解度随温度升高而增加，且所述过饱和溶液内溶质溶解时吸收热量；位于所述支撑面表面的研磨垫；安装晶圆并带动晶圆与所述研磨垫相互摩擦的研磨头。
可选的，所述过饱和溶液内溶质的材料为硝酸钾、硝酸铵或氯化铵。
可选的，所述支撑台中具有冷却腔；所述冷却剂位于所述冷却腔中。
可选的，所述冷却腔为封闭的腔体；或者，所述晶圆加工装置还包括：与所述冷却腔连通的进水设备和抽水设备，所述进水设备向所述冷却腔中通入冷却剂，所述抽水设备抽出所述冷却腔中的冷却剂。
可选的，所述冷却腔为冷却管道；或者所述冷却腔为柱体，所述冷却腔的中心轴与所述支撑台的中心轴重合。
可选的，所述冷却腔的体积为2L～3L；所述冷却腔沿垂直于所述支撑面方向上的尺寸大于1cm。
可选的，所述支撑台中具有容纳腔，所述容纳腔中具有冷却容器；所述冷却剂位于所述冷却容器中。
可选的，所述冷却容器为封闭容器。
相应的，本发明技术方案还提供一种晶圆加工方法，包括：提供晶圆加工装置；提供晶圆，所述晶圆包括相对的处理面和背面；将所述晶圆安装于所述研磨头，使所述晶圆背面与所述研磨头贴合；将所述晶圆安装于所述研磨头之后，使研磨垫对晶圆处理面进行第一研磨处理。
可选的，所述第一研磨处理之后，还包括：更换所述冷却剂；更换所述冷却剂之后，使研磨垫对所述晶圆进行第二研磨处理；所述支撑台中具有冷却腔，所述冷却剂位于所述冷却腔中；所述晶圆加工装置还包括：与所述冷却腔连通的进水设备和抽水设备，所述进水设备用于向所述冷却腔中通入冷却剂，所述抽水设备用于抽出所述冷却腔中的冷却剂；更换所述冷却剂的步骤包括：提供待更换冷却剂；通过所述抽水设备抽出所述支撑台中的冷却剂；抽出所述支撑台中的冷却剂之后，通过所述进水设备向所述支撑台中通入所述待更换冷却剂。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
本发明技术方案提供的晶圆加工装置中，所述支撑台中具有冷却剂，所述冷却剂为过饱和溶液，所述过饱和溶液内溶质的溶解度随温度升高而增加，且所述过饱和溶液内溶质溶解时吸收热量。当晶圆与研磨垫相互摩擦，导致研磨垫温度升高时，所述冷却剂中的过饱和溶液内溶质的溶解度增加，由于所述冷却剂为过饱和溶液，所述冷却剂中的溶质固体颗粒逐渐溶解，吸收周围的热量，使研磨垫的温度维持稳定值；研磨结束之后，所述研磨垫的温度下降，所述过饱和溶液内溶质的溶解度降低，冷却剂析出溶质固体颗粒。由于所述过饱和溶液内溶质的溶解度随温度的升高而增加，且过饱和溶液内溶质溶解时吸热，则所述过饱和溶液内溶质的溶解度能够根据所述研磨垫的温度自动调节，因此，所述晶圆加工装置能够根据所述研磨垫的温度自动调节吸收的热量，所述晶圆加工装置不需要通过测量研磨垫的温度来对研磨垫的温度进行控制，从而能够简化晶圆加工装置的结构。
进一步，所述饱和溶液溶质为硝酸钠。由于硝酸钠固体颗粒溶解时的吸热系数较大，从而能够降低能耗；另外，硝酸钠的溶解度随温度变化较明显，从而能够有效控制研磨垫的温度。
进一步，所述进水设备和抽水设备能够对所述冷却剂进行更换，从而能够使冷却剂满足不同的工艺要求，例如：研磨液与晶圆的反应速率较快，且磨料较粗大，晶圆的去除量较大时，在研磨过程中，产生的热量较多，需要使用溶解时吸热系数较大的冷却剂溶质，则可以通过进水设备和抽水设备对所述冷却剂进行更换，从而能够提高研磨垫的降温速率，进而改善晶圆的加工精度。
本发明技术方案提供的晶圆的加工方法中，所述支撑台中具有冷却剂，所述冷却剂为过饱和溶液，所述过饱和溶液内溶质的溶解度随温度升高而增加，且所述过饱和溶液内溶质溶解时吸收热量。当晶圆与研磨垫相互摩擦，导致研磨垫温度升高时，所述冷却剂中的过饱和溶液内溶质的溶解度增加，由于所述冷却剂为过饱和溶液，所述冷却剂中的过饱和溶液内溶质固体颗粒逐渐溶解，吸收周围的热量，使研磨垫的温度维持稳定值；研磨结束之后，所述研磨垫的温度下降，所述过饱和溶液内溶质的溶解度降低，冷却剂析出过饱和溶液内溶质固体颗粒。由于所述过饱和溶液内溶质的溶解度能够根据所述研磨垫的温度自动调节，因此，所述晶圆加工装置结构简单。
附图说明
图1是一种晶圆加工装置的结构示意图；
图2和图3是本发明的晶圆加工装置一实施例的结构示意图；
图4至图7是本发明的晶圆加工方法一实施例各步骤的结构示意图。
具体实施方式
现有的晶圆加工装置的结构较复杂。
现结合一种晶圆加工装置，分析其结构复杂的原因：
图1是一种晶圆加工装置的结构示意图。
所述晶圆加工装置包括：支撑台和位于所述支撑台表面的研磨垫100，所述研磨垫100包括研磨面；研磨头140，用于安装晶圆，并带动晶圆与研磨垫100研磨面进行摩擦，实现对晶圆的平坦化；温度控制装置，所述温度控制装置包括：温度采集单元110、控制单元和冷却单元130；所述温度采集单元110用于测量研磨垫100的温度；控制单元120用于根据所述研磨垫100的温度控制冷却单元130的工作状态；冷却单元130，用于对所述研磨垫100进行降温处理。
其中，所述冷却单元130包括：位于所述支撑台中的冷却管道；连接所述冷却管道的冷却设备。所述晶圆加工装置的工作原理包括：研磨头140带动晶圆相对于研磨垫100进行研磨的过程中，通过温度采集单元110对研磨垫的温度进行测量，获取研磨垫100的温度；通过控制单元120对所述研磨垫100的温度进行分析，当所述研磨垫100的温度超过预定温度时，向所述冷却管道中通入冷却水，对所述研磨垫100进行冷却处理；当所述研磨垫100的温度低于预设温度时停止向所述冷却管道中通入冷却水。
由于所述晶圆加工装置通过冷却水对所述研磨垫100进行降温，冷却水不能根据所述研磨垫100的温度自动调节冷却单元130的工作状态。因此，所述晶圆加工装置还需要温度采集单元110对所述研磨垫100的温度进行监控，并通过控制单元120控制所述冷却单元130的工作状态。综上，所述晶圆加工装置的结构较复杂。
为了解决上述问题，本发明提供一种晶圆加工装置，包括：支撑台，所述支撑台包括支撑面，所述支撑台中具有冷却剂，所述冷却剂为过饱和溶液，所述过饱和溶液内溶质的溶解度随温度升高而增加，且所述过饱和溶液内溶质溶解时吸收热量；位于所述支撑面表面的研磨垫；安装晶圆并带动晶圆与所述研磨垫相互摩擦的研磨头。所述晶圆加工装置结构简单，且能耗较小。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图2和图3是本发明的晶圆加工装置一实施例的结构示意图。
请参考图2和图3，图3是图2中支撑台200的俯视图，所述晶圆加工装置包括：支撑台200，所述支撑台200包括支撑面，所述支撑台200中具有冷却剂201，所述冷却剂201为过饱和溶液，所述过饱和溶液内溶质的溶解度随温度升高而增加，且所述过饱和溶液内溶质溶解时吸收热量；位于所述支撑台200支撑面的研磨垫220；安装晶圆211并带动晶圆211与所述研磨垫220相互摩擦的研磨头210。
所述支撑台200中具有冷却剂201，所述冷却剂201为过饱和溶液，当温度升高时，所述过饱和溶液内溶质的溶解度随温度升高而增加，且所述过饱和溶液内溶质溶解时吸收热量。当晶圆211与研磨垫220相互摩擦，导致研磨垫220温度升高时，所述冷却剂201中的过饱和溶液内溶质溶解度增加，由于所述冷却剂201为过饱和溶液，所述冷却剂201中的溶质固体颗粒逐渐溶解，吸收周围的热量，使研磨垫220的温度维持稳定值；研磨结束之后，所述研磨垫220的温度下降，所述过饱和溶液内溶质的溶解度降低，冷却剂201析出溶质固体颗粒。由于所述过饱和溶液内溶质的溶解度随温度的升高而增加，且过饱和溶液内溶质溶解时吸热，所述过饱和溶液内溶质的溶解度能够根据所述研磨垫220的温度自动调节，从而使所述过饱和溶液内溶质能够根据所述研磨垫220的温度自动调节吸收的热量，因此，所述晶圆加工装置不需要通过测量研磨垫220的温度来对研磨垫220的降温过程进行控制，从而能够简化晶圆加工装置的结构。
所述晶圆加工装置还包括：支架230，所述支架230用于支撑所述支撑台200。
本实施例中，所述过饱和溶液内溶质的材料为硝酸钾。由于硝酸钠固体颗粒溶解时的吸热系数较大，从而能够降低能耗；另外，硝酸钠的溶解度随温度变化较明显，从而能够有效控制研磨垫的温度。在其他实施例中，所述过饱和溶液内溶质的材料为硝酸铵或氯化铵。
本实施例中，所述支撑台200中具有冷却腔；所述冷却剂201位于所述冷却腔中。
具体的，本实施例中，所述晶圆加工装置还包括：与所述冷却腔连通的进水设备202和抽水设备203，所述进水设备202用于向所述冷却腔中通入冷却剂201，所述抽水设备203用于抽出所述冷却腔中的冷却剂201。
所述进水设备202和抽水设备203能够对所述冷却剂201进行更换，从而能够使冷却剂201满足不同的工艺要求。例如：研磨液与晶圆211的反应速率较快，且磨料较粗大，晶圆211的去除量较大时，在研磨过程中，产生的热量较多，需要使用溶解时吸热系数较大的冷却剂201溶质，则可以通过进水设备202和抽水设备203对所述冷却剂201进行更换，从而能够提高研磨垫220的降温速率，进而改善晶圆211的加工精度。
本实施例中，所述支撑台200包括：与所述冷却腔贯通的进水口和出水口，所述进水设备202通过所述进水口与所述冷却腔连通，所述抽水设备203通过所述出水口与所述冷却腔连通。
在其他实施例中，所述冷却腔为封闭的腔体。
本实施例中，所述冷却腔为冷却管道。在其他实施例中，所述冷却腔为柱体，所述冷却腔的中心轴与所述支撑台的中心轴重合。所述冷却腔的底面与所述支撑面的形状相同，
本实施例中，所述冷却管道排列为连续的折线型。在其他实施例中，所述冷却管道可以排列为螺旋型。
本实施例中，所述冷却腔的个数为一个。所述冷却腔的个数为一个，则通过一个进水口和一个出水口便可以实现冷却腔中冷却剂201的更换，能够简化所述晶圆加工装置的结构。在其他实施例中，所述支撑台可以包括多个冷却腔。
在其他实施例中，所述支撑台中具有容纳腔，所述容纳腔中具有冷却容器；所述冷却剂位于所述冷却容器中。所述冷却容器为封闭容器。可以通过更换所述冷却容器，更换所述冷却剂。或者，所述冷却容器侧壁具有进水口或出水口，所述进水开口与进水设备连通，所述出水口与抽水设备连通，从而通过进水设备和抽水设备更换冷却剂。
如果研磨过程中所述研磨垫220的温度过高，容易影响研磨液与晶圆211的反应，导致晶圆211表面平整度下降；如果研磨过程中所述研磨垫220的温度过低，容易增加冷却剂201的体积，从而产生材料浪费。本实施例中，所述冷却剂201的体积和冷却剂201中溶质固体颗粒的质量以使所述研磨垫220的温度为30℃～40℃为宜。
如果所述冷却剂201的体积过小，所述过饱和溶液内溶质溶解速率较慢，则所述过饱和溶液内溶质溶解吸热的速率较慢，从而容易导致研磨垫220的温度较高，从而影响研磨液与晶圆211的反应，导致晶圆211表面平整度较差。因此，所述冷却剂201的体积不能过小；如果所述冷却剂201的体积过大，容易产生材料浪费。
如果所述冷却剂201中过饱和溶液内溶质固体颗粒的质量过小，则过饱和溶液内溶质固体颗粒完全溶解后吸收的热量较少，容易导致所述研磨垫220的温度较高；如果所述冷却剂201中过饱和溶液内溶质固体颗粒的质量过大，容易产生材料浪费。
由于现有的研磨工艺在不对研磨垫220进行冷却的情况下，一般会使研磨垫220升温至80℃～90℃，研磨时间一般小于180s。本实施例中，所述冷却剂201的体积以及冷却剂201中溶质固体颗粒的质量用于使所述研磨垫220的温度维持在30℃～40℃，研磨时间大于180s。具体的，所述冷却剂201的体积以及冷却剂201中溶质固体颗粒的质量用于使所述研磨垫220的温度维持在30℃～40℃，研磨时间为300s。由此得出，所述冷却剂201的体积为3L～4L。
所述冷却腔的体积应大于等于所述冷却剂201的体积。本实施例中，所述冷却腔的体积应等于所述冷却剂201的体积。具体的，，所述冷却腔的体积为2L～3L。
所述研磨垫包括用于与晶圆接触的研磨面；所述研磨头包括用于与晶圆接触的接触面。
图4至图7是本发明的晶圆加工方法一实施例各步骤的结构示意图。
请参考图4，提供晶圆加工装置；提供晶圆211，所述晶圆211包括相对的处理面和背面。
本实施例中，所述晶圆加工装置与上一实施例中的晶圆加工装置的结构相同，在此不做赘述。
本实施例中，所述晶圆加工装置用于对所述晶圆211的处理面进行研磨，从而增加所述晶圆211处理面的平整度。
所述晶圆211的直径为200mm～450mm。
请参考图4，将所述晶圆211安装于所述研磨头210，使所述晶圆211背面与所述研磨头210贴合。
具体的，本实施例中，使所述晶圆211背面与所述研磨头210贴合，并使所述研磨头210吸附所述晶圆211。
请参考图5，将所述晶圆211安装于所述研磨头210之后，使研磨垫220对晶圆211处理面进行第一研磨处理。
需要说明的是，在所述第一研磨处理过程中，研磨垫220温度升高时，所述冷却剂201中的过饱和溶液内溶质溶解度增加，由于所述冷却剂201为过饱和溶液，所述过饱和溶液内溶质固体颗粒逐渐溶解，吸收周围的热量，使研磨垫220的温度维持稳定值；研磨结束之后，所述研磨垫220的温度下降，所述过饱和溶液内溶质的溶解度降低，冷却剂201析出溶质颗粒。由于所述过饱和溶液内溶质的溶解度随温度的升高而增加，且过饱和溶液内溶质溶解时吸热，所述过饱和溶液内溶质的溶解度能够根据所述研磨垫220的温度自动调节，因此，所述晶圆加工装置能够根据所述研磨垫220的温度自动调节吸收的热量，所述晶圆加工装置不需要通过测量研磨垫220的温度来对研磨垫220的温度进行控制，从而能够简化晶圆加工装置的结构。
本实施例中，在所述第一研磨处理过程中，所述冷却剂201的材料与上一实施例中的冷却剂201的材料相同；冷却剂201体积与上一实施例中的冷却剂201体积相同；所述冷却剂201中过饱和溶液内溶质固体颗粒的质量与上一实施例中的冷却剂201中过饱和溶液内溶质固体颗粒的质量相同。
所述研磨垫包括用于与所述晶圆211处理面接触的研磨面；所述研磨头与晶圆211接触的面为接触面。
所述第一研磨处理的步骤包括：使所述晶圆211中心相对于所述研磨垫220平移；在所述平移过程中，使所述研磨垫220绕经过所述研磨面中心且垂直于所述研磨面的直线旋转；所述平移过程中，使所述研磨头210沿垂直于所述接触面的直线旋转。
本实施例中，所述晶圆211中心的运动轨迹包括位于所述研磨面内的线段，所述线段经过所述研磨面中心、以及所述研磨面边缘上任意一点。
所述平移过程中，使所述研磨垫220绕经过所述研磨面中心且垂直于所述研磨面的直线旋转，所述晶圆211中心的运动轨迹包括位于所述研磨面内的线段，所述线段经过所述研磨面中心、以及所述研磨面边缘上任意一点，则能够使研磨垫220研磨面内各区域均能够对晶圆211进行研磨。因此，所述形成方法能够有效利用所述研磨垫220，进而能够降低成本。
本实施例中，通过使所述支撑台200绕过研磨面中心且垂直于所述研磨面的直线旋转，从而带动所述研磨垫220绕过研磨面中心且垂直于所述研磨面的直线旋转。
请参考图6，所述第一研磨处理之后，更换所述冷却剂201；所述第一研磨处理之后，更换晶圆211。
本实施例中，更换晶圆211的步骤包括：提供待处理晶圆212；从所述研磨头210取下所述晶圆211；将所述待处理晶圆212安装于所述研磨头210接触面。
本实施例中，后续第二研磨处理对待处理晶圆212的去除量较大，从而需要增加研磨速率。
所述晶圆加工方法还包括：更换磨料和研磨液，增加后续第二研磨处理的研磨速度。
研磨液与待处理晶圆212的反应速率较快，且磨料较粗大，待处理晶圆212的去除量较大时，在研磨过程中，产生的热量较多，需要使用溶解时吸热系数较大的冷却剂201。通过进水设备202和抽水设备203能够对所述冷却剂201进行更换，从而能够提高研磨垫220的降温速率，进而改善待处理晶圆212的加工精度。
本实施例中，更换所述冷却剂201的步骤包括：提供待更换冷却剂；通过所述抽水设备203抽出所述支撑台200中的冷却剂201；抽出所述支撑台200中的冷却剂201之后，通过所述进水设备202向所述支撑台200中通入待更换冷却剂。
本实施例中，所述待更换冷却剂为硝酸按。
本实施例中，所述待更换冷却剂的体积以及所述待更换冷却剂中硝酸铵固体颗粒的质量以使所述研磨垫220的温度为30℃～40℃，且研磨时间为300s为宜。
在其他实施例中，如果需要增加所述晶圆的研磨速度，则也可以在不更换晶圆的情况下，跟换所述冷却剂，使待更换冷却剂在溶解时具有较大的吸热系数。另外，如果需要降低所述晶圆的研磨速度，为了防止研磨垫温度过低，影响研磨液与晶圆的反应速度，可以更换溶解时吸热系数较小的冷却剂。通过更换冷却剂的方法来控制研磨垫的温度，能够减小冷却腔体积的限制，从而能够改善第一研磨处理和第二研磨处理的加工精度。
请参考图7，更换所述冷却剂201之后，使研磨垫220对待处理晶圆212进行第二研磨处理。
需要说明的是在所述第二研磨处理过程中，所述冷却剂201溶解时的吸热系数较大，从而当所述第二研磨处理产生的热量较多的情况下，所述研磨垫220的温度仍能够维持在30℃～40℃。
所述第二研磨处理的步骤包括：使待处理晶圆212中心相对于所述研磨垫220平移；在所述平移过程中，使所述研磨垫220绕过所述研磨面中心且垂直于所述研磨面的直线旋转；所述平移过程中，使所述研磨头210沿垂直于所述接触面的直线旋转。
在其他实施例中，可以不更换晶圆211，则使研磨垫220对晶圆211进行第二研磨处理
本实施例中，所述待处理晶圆212中心的运动轨迹包括位于所述研磨面内的线段，所述线段经过所述研磨面中心、以及所述研磨面边缘上任意一点。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (10)
1.一种晶圆加工装置，其特征在于，包括：
支撑台，所述支撑台包括支撑面，所述支撑台中具有冷却剂，所述冷却剂为过饱和溶液，所述过饱和溶液内溶质的溶解度随温度升高而增加，且所述过饱和溶液内溶质溶解时吸收热量；
位于所述支撑面表面的研磨垫；
安装晶圆并带动晶圆与所述研磨垫相互摩擦的研磨头。
2.如权利要求1所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述过饱和溶液内溶质的材料为硝酸钾、硝酸铵或氯化铵。
3.如权利要求1所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述支撑台中具有冷却腔；
所述冷却剂位于所述冷却腔中。
4.如权利要求3所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述冷却腔为封闭的腔体；
或者，所述晶圆加工装置还包括：与所述冷却腔连通的进水设备和抽水设备，所述进水设备向所述冷却腔中通入冷却剂，所述抽水设备抽出所述冷却腔中的冷却剂。
5.如权利要求3所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述冷却腔为冷却管道；
或者所述冷却腔为柱体，所述冷却腔的中心轴与所述支撑台的中心轴重合。
6.如权利要求3所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述冷却腔的体积为2L～3L；所述冷却腔沿垂直于所述支撑面方向上的尺寸大于1cm。
7.如权利要求1所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述支撑台中具有容纳腔，所述容纳腔中具有冷却容器；所述冷却剂位于所述冷却容器中。
8.如权利要求7所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述冷却容器为封闭容器。
9.一种晶圆加工方法，其特征在于，包括：
提供如权利要求1至权利要求8任意一项所述的晶圆加工装置；
提供晶圆，所述晶圆包括相对的处理面和背面；
将所述晶圆安装于所述研磨头，使所述晶圆背面与所述研磨头贴合；
将所述晶圆安装于所述研磨头之后，使研磨垫对晶圆处理面进行第一研磨处理。
10.如权利要求9所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述第一研磨处理之后，还包括：更换所述冷却剂；更换所述冷却剂之后，使研磨垫对所述晶圆进行第二研磨处理；
所述支撑台中具有冷却腔，所述冷却剂位于所述冷却腔中；所述晶圆加工装置还包括：与所述冷却腔连通的进水设备和抽水设备，所述进水设备用于向所述冷却腔中通入冷却剂，所述抽水设备用于抽出所述冷却腔中的冷却剂；
更换所述冷却剂的步骤包括：提供待更换冷却剂；通过所述抽水设备抽出所述支撑台中的冷却剂；抽出所述支撑台中的冷却剂之后，通过所述进水设备向所述支撑台中通入所述待更换冷却剂。
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