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CN107844028B - 一种光刻胶、制备方法及其光刻工艺 - Google Patents

一种光刻胶、制备方法及其光刻工艺 Download PDF

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CN107844028B CN201711085268.XA CN201711085268A CN107844028B CN 107844028 B CN107844028 B CN 107844028B CN 201711085268 A CN201711085268 A CN 201711085268A CN 107844028 B CN107844028 B CN 107844028B
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Abstract

本发明涉及光刻技术领域，具体而言，涉及一种光刻胶、制备方法及其光刻工艺。所述光刻胶主要由大分子量树脂、小分子量树脂、光敏剂和溶剂制成；所述光刻胶主要是由按质量百分比的以下组分制成：大分子量树脂15‑25％、小分子量树脂2‑16％、光敏剂3‑15％、以及溶剂50‑80％。小分子量树脂的分子量相对较低，分子的链结构相对较短，占据体积相对较小，空间位阻相对较小，可以填充于大分子量树脂形成的空隙之间，并且小分子量树脂与大分子量树脂之间通过分子间作用力，提高两者之间的结合力，进一步增加光刻胶在烘烤后的结构致密性，提高粘附力，避免漂胶。

Description

一种光刻胶、制备方法及其光刻工艺
技术领域
本发明涉及光刻技术领域，具体而言，涉及一种光刻胶、制备方法及其光刻工艺。
背景技术
光刻胶又称光致抗蚀剂，是由感光树脂、光敏剂和溶剂等组成的光敏感混合物，其在紫外光光束照射下，能够发生交联固化或者降解反应。在集成电路、液晶显示、太阳能光伏、微机电系统等电子领域有着广泛的应用。光刻胶组合物用于光刻法制造微电子器件，如制造计算机芯片和集成电路等。其一般需要经过在衬底材料如硅片、蓝宝石片等表面涂覆一层均匀的光刻胶，然后将其烘烤以蒸发去除胶中的溶剂，接着进行曝光，使光刻胶中的主要成分在光照下发生反应改变成分结构及其在显影液中的溶解速度，随后经过显影实现掩膜图形在衬底上的转移，形成需要的光刻图形，最后进行后烘坚膜以提高光刻胶在刻蚀工艺中的耐温性能及耐蚀刻性能。
现有常见的正性光刻胶用主要体系为酚醛树脂，与负胶相比其在基底的粘附力差，致使显影后漂胶率高，生产良率低，返工率高。
目前有一些生产工艺提高光刻胶的粘附力，如匀胶前涂覆增粘剂HMDS，基底清洗后高温预处理等。但是由于HMDS毒性较大，对人体有危害，所以很多厂家尽量避免使用。
有鉴于此，特提出本发明。
发明内容
本发明的第一目的在于提供一种光刻胶，所述的光刻胶烘烤后具有致密的结构，从而提高了粘附力，极大的改善了漂胶的情况。
本发明的第二目的在于提供一种所述的光刻胶的制备方法，所述制备方法工艺简单、操作稳定可控，并且制备得到的光刻胶烘烤后具有致密的结构，能够有效提高光刻胶的粘附力。
为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：
一种光刻胶，主要由大分子量树脂、小分子量树脂、光敏剂和溶剂制成；优选的，所述光刻胶主要是由按质量百分比的以下组分制成：
大分子量树脂15-25％、小分子量树脂2-16％、光敏剂3-15％、以及溶剂50-80％。
优选的，所述光刻胶主要是由按质量百分比的以下组分制成：
大分子量树脂17-20％、小分子量树脂4-8％、光敏剂4-8％、以及溶剂64-70％。更优选的，所述光刻胶主要是由按质量百分比的以下组分制成：大分子量树脂17.01-19.68％、小分子量树脂4.68-7.29％、光敏剂5.4-7.05％、以及溶剂68.5-69％。
本发明所述的光刻胶通过引入小分子量树脂，增加光刻胶烘烤后结构的致密性，从而提高粘附力，改善漂胶情况。
优选的，所述小分子量树脂的分子量范围为1000-3000，所述大分子量树脂的分子量为7000-12000。
由于大分子量树脂的分子量相对较高，分子的链结构较长，以卷曲形态占据体积较大，空间位阻较大，致密性相对较差，水蒸气和氧气的透过率高，作为光刻胶的主要成分在烘烤后结构致密性不足，在基底上的粘附力差，显影后存在明显的漂胶；而小分子量树脂的分子量相对较低，分子的链结构相对较短，占据体积相对较小，空间位阻相对较小，可以填充于大分子量树脂形成的空隙之间，并且小分子量树脂与大分子量树脂之间通过分子间作用力，提高两者之间的结合力，进一步增加光刻胶在烘烤后的结构致密性，提高粘附力，避免漂胶情况。
小分子量树脂的分子量在上述范围内，避免分子量过小，在光刻胶中自由度过大，在烘烤显影后，容易流失，降低了光刻胶的抗蚀刻能力；也避免分子量过大，不容易充分填充于大分子量树脂的空隙之间，不能有效提高结构的致密性。
优选的，所述小分子量树脂包括结构通式为
Figure BDA0001459929080000031
Figure BDA0001459929080000032
的树脂中的一种或多种；其中，n1为7-22的整数，n2为8-25的整数，n3为6-20的整数；R1、R2和R3为氢或烷基。
上述小分子量树脂的结构单元中包含了苯环和羟基，苯环为小分子量树脂提供一定的刚性结构，提高机械强度；羟基作为活性官能团，能够与大分子量树脂中的活性官能团形成分子间氢键作用，也可作为与基底表面作用的位点，提高小分子量树脂和大分子量树脂的结合强度，增加烘烤后对基底的粘附性。
优选的，所述大分子量树脂包括酚醛树脂、具有结构单元
Figure BDA0001459929080000033
的树脂、具有结构单元
Figure BDA0001459929080000034
的树脂和具有结构单元
Figure BDA0001459929080000035
的树脂中的一种或多种。更优选的，所述大分子量树脂为具有结构单元
Figure BDA0001459929080000036
的树脂、具有结构单元
Figure BDA0001459929080000037
的树脂和具有结构单元
Figure BDA0001459929080000038
的树脂中的一种或多种。
大分子量树脂与小分子量树脂具有相同结构单元时，两种树脂的相容性更好，小分子量树脂能够充分相容填充于大分子量树脂之间，以及结构中的羟基之间的分子间氢键作用，都能有效提高提高两种树脂的结合强度，提高烘烤后结构致密性，从而提高粘附性和抗蚀刻性能。
优选的，所述小分子量树脂占大分子量树脂的质量百分比为20-60％。更优选的，所述小分子量树脂占大分子量树脂的质量百分比为30-40％。
小分子量树脂填充于大分子量树脂的空隙之中，需要适当的用量，才能保证充分填充，提高粘附性；如果加入的小分子量树脂过少，填充不充分，结构致密性不足，粘附性差，抗蚀刻能力低；如果加入的小分子量树脂过多，除填充空隙外还有剩余，剩余的小分子量树脂浮于光刻胶表层，显影后容易造成漂胶，或者造成大分子量树脂之间间距较大，粘附性降低。
优选的，所述光敏剂包括二苯基碘鎓六氟磷酸酯、二苯基碘鎓三氟甲烷磺酸酯、二苯基碘鎓九氟正丁烷磺酸酯、二苯基碘鎓全氟正辛烷磺酸酯、二苯基碘鎓樟脑磺酸酯、双(4-叔丁基苯基)碘鎓樟脑磺酸酯、双(4-叔丁基苯基)碘鎓三氟甲烷磺酸酯、双(三氟甲基磺酰基)重氮甲烷、2,1,4-重氮萘醌磺酸酯、2,1,5-重氮萘醌磺酸酯、2,3,4-三羟基二苯甲酮、1,2-苯醌二叠氮-4-磺酸和1,2-萘醌二叠氮-5-磺酸中的一种或多种。
优选的，所述溶剂包括能溶解所述大分子量树脂、小分子量树脂和光敏剂的溶剂。更优选的，所述溶剂包括二乙基碳酸酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸异丙酯、乙酸正丁酯、乙酸异丁酯、乙酸甲基环己基酯、乙酸正壬酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、乙二醇甲醚醋酸酯、乙二醇单乙醚醋酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇乙醚醋酸酯、丙二醇苯醚醋酸酯、乙二醇二乙酸酯、丙酸乙酯、丙酸正丁酯、丙酸异戊酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯、乳酸正戊酯、丙二酸二乙酯、邻苯二甲酸二甲酯、邻苯二甲酸二乙酯、N-甲基甲酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二乙基甲酰胺、乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基丙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基硫、二乙基硫、噻吩、四氢噻吩、二甲基亚砜、环丁砜、1,3-丙烷磺内酯、甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、正戊烷、异戊烷、正己烷、异己烷、正庚烷、苯、甲苯、二甲苯、丙酮、甲基乙基酮、乙二醇、丙二醇、乙醚和乙二醇乙醚中的一种或多种。
优选的，所述光刻胶还包括表面活性剂。更优选的，所述表面活性剂的质量百分比为1-1.5％。所述表面活性剂包括道康宁Z-6011、美国联碳公司A-1100、中科院KH-550。
本发明还提供了一种所述光刻胶的制备方法，包括以下步骤：
将各组分混合溶解后，过滤得到光刻胶。优选的，用0.02μm及以下孔径的滤膜过滤。
本发明还提供了一种所述光刻胶的光刻工艺，包括以下步骤：
将所述光刻胶涂于基片表面，预烘干燥，紫外光曝光后浸泡显影，然后清洗基片后烘坚膜。
优选的，所述预烘干燥的温度为90-110℃，所述预烘干燥的时间为60-150s。
优选的，所述紫外光为g线紫外光或i线紫外光。
优选的，所述浸泡显影的液体为碱性水溶液。更优选的，所述碱性水溶液包括四甲基氢氧化铵的水溶液、氢氧化钾水溶液、氢氧化钠水溶液或氢氧化铵水溶液中的一种或多种。更优选的，所述碱性水溶液为2.38wt％的四甲基氢氧化铵的水溶液。
优选的，所述烘坚膜的温度为115-125℃，所述烘坚膜的时间为90-180s。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
(1)本发明的光刻胶粘附性能好，在光刻胶中引入小分子量树脂，增加光刻胶烘烤后结构的致密性，提高粘附力，改善漂胶情况；
(2)本发明中的小分子量树脂的分子量相对较低，分子的链结构相对较短，占据体积相对较小，空间位阻相对较小，可以填充于大分子量树脂形成的空隙之间，并且小分子量树脂与大分子量树脂之间通过分子间作用力，提高两者之间的结合力，进一步增加光刻胶在烘烤后的抗蚀刻性能；
(3)本发明的光刻胶的制备方法简单、易于操作，操作条件温和，可重复性能好；
(4)本发明的刻蚀工艺，采用粘附性好的光刻胶，未曝光反应部分的胶膜留存在基底表面形成光刻图案，光刻胶烘干后的致密结构起到阻碍刻蚀的作用，从而提高光刻胶耐蚀刻性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，以下将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1为本发明实施例的光刻胶的显影效果图；
图2为本发明实施例的光刻胶的显影后截面图；
图3为比较例的光刻胶的显影效果图；
图4为本发明实施例的光刻胶的蚀刻截面效果图；
图5为比较例的光刻胶的蚀刻截面效果图。
具体实施方式
下面将结合实施例对本发明的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
实施例1
本实施例的光刻胶的组成为：
大分子量树脂19.68g、小分子量树脂4.92g、2,1,4-重氮萘醌磺酸酯5.4g、美国联碳公司A-1100 1.5g、丙二醇甲醚醋酸酯68.5g。
其中，所述大分子量树脂为具有结构单元
Figure BDA0001459929080000061
的树脂，其中，重复单元数为85；所述小分子量树脂具有结构通式
Figure BDA0001459929080000071
其中，重复单元数为16。
所述光刻胶的制备方法具体步骤如下：将上述各组分混合，充分溶解后，用0.02μm孔径的滤膜过滤，即得到光刻胶。
所述光刻胶的光刻工艺具体步骤如下：在经处理的硅片上旋涂上述光刻胶，并用热板预烘，于100℃预烘90s；调节旋涂转速使干燥后的光刻胶膜厚为2.5μm，透过掩膜，通过曝光机i线紫外光曝光后，光刻胶发生反应；用2.38wt％的四甲基氢氧化铵的水溶液进行浸泡显影60s，然后用去离子水清洗后，用烘箱后烘坚膜，于120℃烘干120s，即完成光刻工艺，得到与掩膜遮光区相同的图形。
实施例2
本实施例的光刻胶的组成为：
大分子量树脂18.72g、小分子量树脂4.68g、2,1,5-重氮萘醌磺酸酯6.6g、中科院KH-550 1g、丙二醇甲醚醋酸酯69g。
其中，所述大分子量树脂为具有结构单元
Figure BDA0001459929080000072
的树脂，其中，重复单元数为50；所述小分子量树脂具有结构通式
Figure BDA0001459929080000073
其中，重复单元数为9。
所述光刻胶的制备方法具体步骤如下：将上述各组分混合，充分溶解后，用0.02μm孔径的滤膜过滤，即得到光刻胶。
所述光刻胶的光刻工艺具体步骤如下：在经处理的硅片上旋涂上述光刻胶，并用热板预烘，于100℃预烘90s；调节旋涂转速使干燥后的光刻胶膜厚为2.5μm，透过掩膜，通过曝光机i线紫外光曝光后，光刻胶发生反应；用2.38wt％的四甲基氢氧化铵的水溶液进行浸泡显影60s，然后用去离子水清洗后，用烘箱后烘坚膜，于120℃烘干120s，即完成光刻工艺，得到与掩膜遮光区相同的图形。
实施例3
本实施例的光刻胶的组成为：
大分子量树脂17.01g、小分子量树脂7.29g、2,1,4-重氮萘醌磺酸酯5.7g、道康宁Z-6011 1.5g、丙二醇甲醚醋酸酯68.5g。
其中，所述大分子量树脂为具有结构单元
Figure BDA0001459929080000081
的树脂，其中，重复单元数为85；所述小分子量树脂具有结构通式
Figure BDA0001459929080000082
其中，重复单元数为9。
所述光刻胶的制备方法具体步骤如下：将上述各组分混合，充分溶解后，用0.02μm孔径的滤膜过滤，即得到光刻胶。
所述光刻胶的光刻工艺具体步骤如下：在经处理的硅片上旋涂上述光刻胶，并用热板预烘，于100℃预烘90s；调节旋涂转速使干燥后的光刻胶膜厚为2.5μm，透过掩膜，通过曝光机i线紫外光曝光后，光刻胶发生反应；用2.38wt％的四甲基氢氧化铵的水溶液进行浸泡显影60s，然后用去离子水清洗后，用烘箱后烘坚膜，于120℃烘干120s，即完成光刻工艺，得到与掩膜遮光区相同的图形。
实施例4
本实施例的光刻胶的组成为：
大分子量树脂19.36g、小分子量树脂4.84g、2,1,5-重氮萘醌磺酸酯5.8g、美国联碳公司A-1100 1g、丙二醇甲醚醋酸酯69g。
其中，所述大分子量树脂为具有结构单元
Figure BDA0001459929080000091
的树脂，其中，重复单元数为50；所述小分子量树脂具有结构通式
Figure BDA0001459929080000092
其中，重复单元数为16。
所述光刻胶的制备方法具体步骤如下：将上述各组分混合，充分溶解后，用0.02μm孔径的滤膜过滤，即得到光刻胶。
所述光刻胶的光刻工艺具体步骤如下：在经处理的硅片上旋涂上述光刻胶，并用热板预烘，于100℃预烘90s；调节旋涂转速使干燥后的光刻胶膜厚为2.5μm，透过掩膜，通过曝光机i线紫外光曝光后，光刻胶发生反应；用2.38wt％的四甲基氢氧化铵的水溶液进行浸泡显影60s，然后用去离子水清洗后，用烘箱后烘坚膜，于120℃烘干120s，即完成光刻工艺，得到与掩膜遮光区相同的图形。
实施例5
本实施例的光刻胶的组成为：
大分子量树脂18.1g、小分子量树脂5.4g、2,1,4-重氮萘醌磺酸酯6.5g、美国联碳公司A-1100 1.5g、丙二醇甲醚醋酸酯68.5g。
其中，所述大分子量树脂为具有结构单元
Figure BDA0001459929080000093
的树脂，其中，重复单元数为85；所述小分子量树脂具有结构通式
Figure BDA0001459929080000101
其中，所述R1为H或者CH3，其中，重复单元数为11。
所述光刻胶的制备方法具体步骤如下：将上述各组分混合，充分溶解后，用0.02μm孔径的滤膜过滤，即得到光刻胶。
所述光刻胶的光刻工艺具体步骤如下：在经处理的硅片上旋涂上述光刻胶，并用热板预烘，于100℃预烘90s；调节旋涂转速使干燥后的光刻胶膜厚为2.5μm，透过掩膜，通过曝光机i线紫外光曝光后，光刻胶发生反应；用2.38wt％的四甲基氢氧化铵的水溶液进行浸泡显影60s，然后用去离子水清洗后，用烘箱后烘坚膜，于120℃烘干120s，即完成光刻工艺，得到与掩膜遮光区相同的图形。
实施例6
本实施例的光刻胶的组成为：
大分子量树脂17.65g、小分子量树脂5.3g、2,1,4-重氮萘醌磺酸酯7.05g、美国联碳公司A-1100 1.5g、丙二醇甲醚醋酸酯68.5g。
其中，所述大分子量树脂为具有结构单元
Figure BDA0001459929080000102
的树脂，其中，重复单元数为92，所述R1为H或者CH3；所述小分子量树脂具有结构通式
Figure BDA0001459929080000103
其中，重复单元数为16。
所述光刻胶的制备方法具体步骤如下：将上述各组分混合，充分溶解后，用0.02μm孔径的滤膜过滤，即得到光刻胶。
所述光刻胶的光刻工艺具体步骤如下：在经处理的硅片上旋涂上述光刻胶，并用热板预烘，于100℃预烘90s；调节旋涂转速使干燥后的光刻胶膜厚为2.5μm，透过掩膜，通过曝光机g线紫外光曝光后，光刻胶发生反应；用2.38wt％的四甲基氢氧化铵的水溶液进行浸泡显影60s，然后用去离子水清洗后，用烘箱后烘坚膜，于120℃烘干120s，即完成光刻工艺，得到与掩膜遮光区相同的图形。
实施例7
本实施例的光刻胶的组成为：
大分子量树脂15g、小分子量树脂2g、2,1,4-重氮萘醌磺酸酯3g、美国联碳公司A-1100 1g、丙二醇甲醚醋酸酯79g。
其中，所述大分子量树脂为具有结构单元
Figure BDA0001459929080000111
的树脂，其中，重复单元数为92，所述R1为H或者CH3；所述小分子量树脂具有结构通式
Figure BDA0001459929080000112
其中，重复单元数为16。
所述光刻胶的制备方法具体步骤如下：将上述各组分混合，充分溶解后，用0.02μm孔径的滤膜过滤，即得到光刻胶。
所述光刻胶的光刻工艺具体步骤如下：在经处理的硅片上旋涂上述光刻胶，并用热板预烘，于100℃预烘90s；调节旋涂转速使干燥后的光刻胶膜厚为2.5μm，透过掩膜，通过曝光机g线紫外光曝光后，光刻胶发生反应；用2.38wt％的四甲基氢氧化铵的水溶液进行浸泡显影60s，然后用去离子水清洗后，用烘箱后烘坚膜，于120℃烘干120s，即完成光刻工艺，得到与掩膜遮光区相同的图形。
实施例8
本实施例的光刻胶的组成为：
大分子量树脂25g、小分子量树脂16g、2,1,4-重氮萘醌磺酸酯7.5g、美国联碳公司A-1100 1.5g、丙二醇甲醚醋酸酯50g。
其中，所述大分子量树脂为具有结构单元
Figure BDA0001459929080000121
的树脂，其中，重复单元数为92，所述R1为H或者CH3；所述小分子量树脂具有结构通式
Figure BDA0001459929080000122
其中，重复单元数为16。
所述光刻胶的制备方法具体步骤如下：将上述各组分混合，充分溶解后，用0.02μm孔径的滤膜过滤，即得到光刻胶。
所述光刻胶的光刻工艺具体步骤如下：在经处理的硅片上旋涂上述光刻胶，并用热板预烘，于100℃预烘90s；调节旋涂转速使干燥后的光刻胶膜厚为2.5μm，透过掩膜，通过曝光机g线紫外光曝光后，光刻胶发生反应；用2.38wt％的四甲基氢氧化铵的水溶液进行浸泡显影60s，然后用去离子水清洗后，用烘箱后烘坚膜，于120℃烘干120s，即完成光刻工艺，得到与掩膜遮光区相同的图形。
比较例1
用于比较的光刻胶的组成为：
大分子量树脂22.95g、2,1,4-重氮萘醌磺酸酯7.05g、表面活性剂1.5g、丙二醇甲醚醋酸酯68.5g。
其中，所述大分子量树脂为具有结构单元
Figure BDA0001459929080000123
的树脂，其中，重复单元数为92，所述R1为H或者CH3。
比较例的光刻胶的制备方法与本发明的制备方法类似，具体步骤如下：将上述各组分混合，充分溶解后，用0.02μm孔径的滤膜过滤，即得到比较例的光刻胶。
参考本发明的光刻工艺，在经处理的硅片上旋涂上述比较例的光刻胶，并用热板预烘，于100℃预烘90s；调节旋涂转速使干燥后的光刻胶膜厚为2.5μm，透过掩膜，通过曝光机i线紫外光曝光后，用2.38wt％的四甲基氢氧化铵的水溶液进行浸泡显影60s，然后用去离子水清洗后，用烘箱后烘坚膜，于120℃烘干120s，完成光刻。
实验例1
针对本发明实施例所述的光刻胶和比较例的光刻胶，显影后的性能进行对比，具体的，是将本发明实施例所述的光刻胶和比较例的光刻胶分别在相同处理条件的二氧化硅片上旋涂光刻胶，热板预烘，于100℃预烘90s；调节旋涂转速使干燥后的光刻胶膜厚为2.5μm，透过掩膜，通过曝光机i线紫外光曝光后，用2.38wt％的四甲基氢氧化铵的水溶液进行浸泡显影60s，然后用去离子水清洗后，用烘箱后烘坚膜，于120℃烘干120s。对本发明实施例所述的光刻胶和比较例的光刻胶显影后的图案进行拍照，请同时参阅图1、图2和图3，其分别是本发明的光刻胶的显影效果图、显影后截面图和比较例的光刻胶的显影效果图。从图中可知，本发明的光刻胶通过引入小分子量树脂，增加光刻胶烘烤后结构的致密性，提高粘附力，改善漂胶情况。
实验例2
针对本发明实施例所述的光刻胶和比较例的光刻胶，湿法蚀刻后的性能进行对比，具体的，是将本发明实施例所述的光刻胶和比较例的光刻胶分别在相同处理条件的二氧化硅片上旋涂光刻胶，热板预烘，于100℃预烘90s；调节旋涂转速使干燥后的光刻胶膜厚为2.5μm，透过掩膜，通过曝光机i线紫外光曝光后，用2.38wt％的四甲基氢氧化铵的水溶液进行浸泡显影60s，然后用去离子水清洗后，用烘箱后烘坚膜，于120℃烘干120s。进行湿法蚀刻。蚀刻液为BOE(HF+NH4F，HF水溶液与NH4F水溶液的体积比为1﹕6),常温条件蚀刻10min，对本发明实施例所述的光刻胶和比较例的光刻胶蚀刻后的图案进行拍照，请同时参阅图4和图5，其分别是本发明的光刻胶的蚀刻截面效果图和比较例的光刻胶的蚀刻截面效果图。从图中可知，本发明的光刻胶通过引入小分子量树脂，增加光刻胶烘烤后结构的致密性，提高粘附力，改善蚀刻侧腐情况。
尽管已用具体实施例来说明和描述了本发明，然而应意识到，在不背离本发明的精神和范围的情况下可以作出许多其它的更改和修改。因此，这意味着在所附权利要求中包括属于本发明范围内的所有这些变化和修改。

Claims (11)

1.一种光刻胶，其特征在于，由按质量百分比计的以下组分制成：
大分子量树脂15-25％、小分子量树脂2-16％、光敏剂3-15％、以及溶剂50-80％；
所述小分子量树脂的分子量范围为1000-3000，所述大分子量树脂的分子量为7000-12000；
所述小分子量树脂占大分子量树脂的质量百分比为20-60％；
所述小分子量树脂包括结构通式为
Figure FDA0002964079370000011
Figure FDA0002964079370000012
的树脂中的一种或多种；其中，n1为7-22的整数，n2为8-25的整数，n3为6-20的整数；R1、R2和R3为氢或烷基；
所述大分子量树脂包括酚醛树脂、具有结构单元
Figure FDA0002964079370000013
的树脂、具有结构单元
Figure FDA0002964079370000014
的树脂和具有结构单元
Figure FDA0002964079370000015
的树脂中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的光刻胶，其特征在于，所述小分子量树脂占大分子量树脂的质量百分比为30-40％。
3.根据权利要求2所述的光刻胶，其特征在于，所述光敏剂包括二苯基碘鎓六氟磷酸酯、二苯基碘鎓三氟甲烷磺酸酯、二苯基碘鎓九氟正丁烷磺酸酯、二苯基碘鎓全氟正辛烷磺酸酯、二苯基碘鎓樟脑磺酸酯、双(4-叔丁基苯基)碘鎓樟脑磺酸酯、双(4-叔丁基苯基)碘鎓三氟甲烷磺酸酯、双(三氟甲基磺酰基)重氮甲烷、2,1,4-重氮萘醌磺酸酯、2,1,5-重氮萘醌磺酸酯、2,3,4-三羟基二苯甲酮、1,2-苯醌二叠氮-4-磺酸和1,2-萘醌二叠氮-5-磺酸中的一种或多种。
4.根据权利要求3所述的光刻胶，其特征在于，所述溶剂包括能溶解所述大分子量树脂、小分子量树脂和光敏剂的溶剂。
5.根据权利要求4所述的光刻胶，其特征在于，所述溶剂包括二乙基碳酸酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸异丙酯、乙酸正丁酯、乙酸异丁酯、乙酸甲基环己基酯、乙酸正壬酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、乙二醇甲醚醋酸酯、乙二醇单乙醚醋酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇乙醚醋酸酯、丙二醇苯醚醋酸酯、乙二醇二乙酸酯、丙酸乙酯、丙酸正丁酯、丙酸异戊酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯、乳酸正戊酯、丙二酸二乙酯、邻苯二甲酸二甲酯、邻苯二甲酸二乙酯、N-甲基甲酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二乙基甲酰胺、乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基丙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基硫、二乙基硫、噻吩、四氢噻吩、二甲基亚砜、环丁砜、1,3-丙烷磺内酯、甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、正戊烷、异戊烷、正己烷、异己烷、正庚烷、苯、甲苯、二甲苯、丙酮、甲基乙基酮、乙二醇、丙二醇、乙醚和乙二醇乙醚中的一种或多种。
6.权利要求1-5任一项所述的光刻胶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将各组分混合溶解后，过滤得到光刻胶。
7.根据权利要求6所述的光刻胶的制备方法，其特征在于，用0.02μm及以下孔径的滤膜过滤。
8.权利要求1-5任一项所述的光刻胶的光刻工艺，其特征在于，包括以下步骤：将所述光刻胶涂于基片表面，预烘干燥，紫外光曝光后浸泡显影，然后清洗基片后烘坚膜。
9.根据权利要求8所述的光刻胶的光刻工艺，其特征在于，所述预烘干燥的温度为90-110℃，所述预烘干燥的时间为60-150s。
10.根据权利要求9所述的光刻胶的光刻工艺，其特征在于，所述烘坚膜的温度为115-125℃，所述烘坚膜的时间为90-180s。
11.根据权利要求8所述的光刻胶的光刻工艺，其特征在于，所述紫外光为g线紫外光或i线紫外光。
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