CN107799636A - 一种紫外led及其制作方法 - Google Patents
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- CN107799636A CN107799636A CN201711027161.XA CN201711027161A CN107799636A CN 107799636 A CN107799636 A CN 107799636A CN 201711027161 A CN201711027161 A CN 201711027161A CN 107799636 A CN107799636 A CN 107799636A
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract description 99
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 83
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 74
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 72
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 72
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- -1 magnesium nitride Chemical class 0.000 claims abstract description 64
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 58
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 19
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 288
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
- H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
- H10H20/0133—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials with a substrate not being Group III-V materials
- H10H20/01335—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials with a substrate not being Group III-V materials the light-emitting regions comprising nitride materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/816—Bodies having carrier transport control structures, e.g. highly-doped semiconductor layers or current-blocking structures
Landscapes
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Abstract
本发明公开了一种紫外LED及其制作方法，本发明技术方案中，设置p型空穴注入层包括多个在第一方向上层叠设置的超晶格层周期单元；所述超晶格层周期单元包括：一层氮化铝层，至少一层氮化镁层以及至少一层氮化镓层，所述氮化镁层以及所述氮化镓层均位于所述氮化铝层背离所述衬底的一侧，所述氮化镁层在所述第一方向上相对的两个表面中至少一个表面与一层所述氮化镓层相邻。氮化镁层的两侧表中至少一个表面与一层氮化镓层相邻，通过这种设置，可以使得Mg原子周围分布更多的Ga原子，可以显著降低Mg受主的激活能，从而提高p型掺杂的AlXGa1‑XN材料中空穴浓度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件制作技术领域，更具体的说，涉及一种紫外LED 及其制作方法。
背景技术
紫外LED能够出射紫外光，在紫外固化、防伪检测以及医疗卫生等领域具有广泛的应用前景，备受研究者的关注。目前，紫外LED一般是采用 AlXGa1-XN作为p型空穴注入层的主要外延材料，而AlXGa1-XN材料的p型掺杂仍是该领域的一个技术难点，高空穴浓度的AlXGa1-XN一直难以获得，严重制约着紫外LED的发展。
现有技术中，一般采用二茂镁(Cp2Mg)作为AlXGa1-XN材料的掺杂镁源，以形成p型空穴注入层。然而由于低的受主掺杂物溶解度、缺陷引起的自补偿效应以及AlXGa1-XN材料中随着Al组分的升高而逐渐增大的Mg受主激活能，使得p型掺杂的AlXGa1-XN材料中空穴浓度难以提高。如何提高p型掺杂的 AlXGa1-XN材料中空穴浓度是半导体器件制作领域一个亟待解决的问题。
发明内容
为了解决上述问题，本发明技术方案提供了一种紫外LED及其制作方法，可以有效提高p型掺杂的AlXGa1-XN材料中空穴浓度。
为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种紫外LED的制作方法，所述制作方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底表面形成缓冲层；
在所述缓冲层表面形成n型电子注入层；
在所述n型电子注入层表面形成多量子阱有源层；
在所述多量子阱有源层表面形成电子阻挡层；
在所述电子阻挡层表面形成p型空穴注入层；所述p型空穴注入层包括多个在第一方向上层叠设置的超晶格层周期单元；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述p型空穴注入层；
其中，所述超晶格层周期单元包括：一层氮化铝层，至少一层氮化镁层以及至少一层氮化镓层，所述氮化镁层以及所述氮化镓层均位于所述氮化铝层背离所述衬底的一侧，所述氮化镁层在所述第一方向上相对的两个表面中至少一个表面与一层所述氮化镓层相邻。
优选的，在上述制作方法中，在反应室内通过外延生长工艺逐一生成所述p型空穴注入层的各个所述超晶格层周期单元；
在生长所述p型空穴注入层的整个工艺阶段中，持续为所述反应室内通入流量恒定的Mg源；保持生长氮化镓层时V/Ⅲ参数高于生长氮化铝层时的 V/Ⅲ参数。
优选的，在上述制作方法中，在生长所述p型空穴注入层的整个工艺阶段中，维持反应室内压强恒定和温度恒定；
其中，所述压强范围是50mbar-500mbar，包括端点值；所述稳定范围是 900℃-1100℃，包括端点值。
优选的，在上述制作方法中，在生长所述p型空穴注入层的整个工艺阶段中，形成的所述氮化铝层的厚度大于所述氮化镓层的厚度；
所述氮化铝层的生长时间为1s-50s，包括端点值；
所述氮化镓层的生长时间为s-50s，包括端点值；
以氮气作为主载环境气体。。
优选的，在上述制作方法中，所述氮化铝层的厚度范围包括端点值，所述氮化镓层的厚度范围是包括端点值。
本发明还提供了一种紫外LED，所述紫外LED包括：
衬底；
位于所述衬底表面的缓冲层；
位于所述缓冲层表面的n型电子注入层；
位于所述n型电子注入层表面的多量子阱有源层；
位于所述多量子阱层表面的电子阻挡层；
位于所述电子阻挡层表面的p型空穴注入层；所述p型空穴注入层包括多个在第一方向上层叠设置的超晶格层周期单元；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述p型空穴注入层；
其中，所述超晶格层周期单元包括：一层氮化铝层，至少一层氮化镁层以及至少一层氮化镓层，所述氮化镁层以及所述氮化镓层均位于所述氮化铝层背离所述衬底的一侧，所述氮化镁层在所述第一方向上相对的两个表面中至少一个表面与一层所述氮化镓层相邻。
优选的，在上述紫外LED中，所述超晶格层周期单元具有一层氮化镁层以及两层氮化镓层，所述超晶格层周期单元中，所述氮化镁位于两层所述氮化镓层之间。
优选的，在上述紫外LED中，所述超晶格层周期单元具有两层氮化镁层以及一层氮化镓层，所述超晶格层周期单元中，所述氮化镓层位于两层所述氮化镁层之间。
优选的，在上述紫外LED中，所述超晶格层周期单元中，所述氮化铝层的厚度大于所述氮化镓层的厚度。
优选的，在上述紫外LED中，所述超晶格层周期单元中，所述氮化铝层的厚度范围是包括端点值，所述氮化镓层的厚度范围是包括端点值。
通过上述描述可知，本发明技术方案提供的紫外LED及其制作方法中，设置所述p型空穴注入层包括多个在第一方向上层叠设置的超晶格层周期单元；所述超晶格层周期单元包括：一层氮化铝层，至少一层氮化镁层以及至少一层氮化镓层，所述氮化镁层以及所述氮化镓层均位于所述氮化铝层背离所述衬底的一侧，所述氮化镁层在所述第一方向上相对的两个表面中至少一个表面与一层所述氮化镓层相邻。氮化镁层的两侧表中至少一个表面与一层氮化镓层相邻，可以使得Mg原子周围分布更多的Ga原子，可以显著降低Mg 受主的激活能，从而提高p型掺杂的AlXGa1-XN材料中空穴浓度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1-图9是本发明实施例提供的一种紫外LED制作方法的流程示意图；
图10为本发明实施例提供的一种p型空穴注入层中流量时序图；
图11为本发明实施例提供的一种p型空穴注入层的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的一种p型空穴注入层中流量时序图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如背景技术中所述，由于低的受主掺杂物溶解度、缺陷引起的自补偿效应以及AlXGa1-XN材料中随着Al组分的升高而逐渐增大的Mg受主激活能，使得p型掺杂的AlXGa1-XN材料中空穴浓度难易提高。
为了提高p型掺杂的AlXGa1-XN材料中空穴浓度，一般有如下三种常用的方式：
第一种方式是通过提高p型外延层生长工艺过程中V/Ⅲ参数来降低N(氮原子)空位，抑制自补偿效应以及提高空穴浓度，其中，V/Ⅲ参数为外延生长工艺过程中N和Al的摩尔数比值，或是N和Ga的摩尔数比值。
第二种方式是利用材料内部的电子极化场使受主掺杂物电离，以提高空穴浓度。
第三种方式是利用Mg/Si共掺杂技术降低受主活化能，以提高空穴浓度。
但是实际产品应用实践证明，上述三种方法均不能使得AlXGa1-XN材料中空穴浓度得到显著提高，特别是在高Al组分的AlXGa1-XN材料中，提高空穴浓度仍然是紫外LED行业内一大技术瓶颈。
为了解决上述问题，本发明实施例提供的了一种紫外LED及其制作方法，通过对P型空穴注入层的结构以及掺杂工艺的改进，可以显著提升高Al组分 AlXGa1-XN材料中空穴浓度。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
参考图1-图9，图1-图9是本发明实施例提供的一种紫外LED制作方法的流程示意图，该制作方法包括：
步骤S11：如图1所示，提供一衬底11。
所述衬底可以为蓝宝石衬底、硅衬底、碳化硅衬底等。
步骤S12：如图2所示，在所述衬底11表面形成缓冲层12。
步骤S13：如图3所示，在所述缓冲层12表面形成n型电子注入层13。
步骤S14：如图4所示，在所述n型电子注入层13表面形成多量子阱有源层14。
步骤S15：如图5所示，在所述多量子阱有源层14表面形成电子阻挡层 15。
步骤S16：如图6所示，在所述电子阻挡层15表面形成p型空穴注入层 16。
所述p型空穴注入层16的结构如图7所示，所述p型空穴注入层16包括多个在第一方向X上层叠设置的超晶格层周期单元160。所述第一方向X 垂直于所述衬底11，且由所述衬底11指向所述p型空穴注入层16。
其中，所述超晶格层周期单元160包括：一层氮化铝层161，至少一层氮化镁层以及至少一层氮化镓层，所述氮化镁层以及所述氮化镓层均位于所述氮化铝层161背离所述衬底11的一侧，所述氮化镁层在所述第一方向上相对的两个表面中至少一个表面与一层所述氮化镓层相邻。在图7所示实施方式中，所述超晶格层周期单元160具有两层氮化镓层，分别为氮化镓层162和氮化镓层164，一层氮化镁层163。
步骤S17：如图8所示，在所述p型空穴注入层16表面形成顶部氮化铝层17。
其中，该顶部氮化铝层17的制作工艺可以和超晶格层周期单元160中氮化铝层的制作工艺相同，以使得顶部氮化铝层17和超晶格层周期单元160中氮化铝层相同。
为了降低欧姆接触，所述制作方法还包括：
步骤S18：如图9所示，在所述顶部氮化铝层17表面形成欧姆接触层18。
现有的p型空穴注入层中，在Mg掺杂的p型AlXGa1-XN材料中，随着 Al组分的增加，Mg受主激活能显著增加，一般可以从GaN的170meV到AlN 的510meV。而本发明实施例所述制作方法中，将p型空穴注入层16分为多个超晶格层周期单元160依次外延生长，且设置每个超晶格层周期单元160 中氮化镁层至少一侧表面和一层氮化镓层相邻，这样可以使得形成p型空穴注入层16的p型掺杂的AlXGa1-XN材料中，Mg受主激活能大大降低，提高p 型AlXGa1-XN材料中空穴浓度。
在本申请实施例中，所述超晶格层周期单元160具有一层氮化铝层，至少一层氮化镁层以及至少一层氮化镓层，氮化镁层以及氮化铝层均位于氮化铝层背离衬底的一侧。当所述超晶格层周期单元160中，具有多层氮化镓层和/或多层氮化镁层时，氮化镓层和氮化镁层在第一方向X上交替排布。这样，可以保证任意一层氮化镁层的两个表面中至少一个表面与一层氮化镓层相邻，以降低Mg受主激活能，提高空穴浓度。
在图7所示实施方式中，所述超晶格层周期单元160具有一层氮化铝层，两层氮化镓层以及一层氮化镁层。其中，氮化铝层位于最下方，氮化镁层位于两层氮化镓层之间。其他实施方式中，还可以设置所述超晶格层周期单元 160具有一层氮化铝层、两层氮化镁层以及一层氮化镓层。其中，氮化铝层位于最下方，氮化镓层位于两层氮化镁层之间。需要说明的是，本发明实施例中，所述超晶格层周期单元160的实现方式包括但不局限于上述两种方式。
如果完成氮化铝层的生长后，需要生长氮化镁层，此时需要关闭Al源，保持反应室中温度和压强不变，维持反应室中Mg源流量恒定，持续生长氮化镁层1s-10s。如果完成氮化镓层的生长后，需要生长氮化镁层，此时需要关闭 Ga源，保持反应室中温度和压强不变，维持反应室中Mg源流量恒定，持续生长氮化镁层1s-10s。单层氮化铝层的生长时间为1-50s，单层氮化镓层的生长时间为1-50s。
本发明实施例所述制作方法中，在反应室内通过外延生长工艺逐一生成所述p型空穴注入层16的各个所述超晶格层周期单元160。在本申请实施例所述制作方法中，以氮气作为主载环境气体，氮气具有稳定的化学性质，不参与成膜反应，以NH3作为N源。在生长所述p型空穴注入层的整个工艺阶段中，持续为所述反应室内通入流量恒定的Mg源。
在整个p型空穴注入层16的生长过程中，保持生长氮化镓层时V/Ⅲ参数高于生长氮化铝层时的V/Ⅲ参数，即生长氮化镓层时N源和Ga源的摩尔数比值大于生长氮化铝层时N源和Al源的摩尔数比值。
可选的，在生长所述p型空穴注入层16的整个工艺阶段中，维持反应室内压强恒定和温度恒定；其中，所述压强范围是50mbar-500mbar，包括端点值；所述稳定范围是900℃-1100℃，包括端点值。
在生长所述p型空穴注入层的整个工艺阶段中，形成的所述氮化铝层的厚度大于所述氮化镓层的厚度。具体的，所述氮化铝层的厚度范围包括端点值，所述氮化镓层的厚度范围是包括端点值。
本发明实施例所述制作方法中，在制作紫外LED过程中，使得氮化镁层的一个表面和一层氮化镓层相邻和/或使得氮化镁层的两个表面分别和一层氮化镓层相邻，这样，可以使得Mg原子的周围分布更多的Ga原子可以显著降低Mg受主激活能，提高空穴浓度。本发明实施例中在超晶格层周期单元中增加较薄的氮化镓层，可以和氮化铝层形成很强的能带调制作用，从而进一步提高空穴浓度。
第一种实施方式中，结合图6和图7，在完成电子阻挡层15的生长过程后，开始生长p型空穴注入层16。当所述超晶格层周期单元160如图7所示时，p型空穴注入层16的生长工艺流程如下所述：
首先，将反应室中压强调整为200mbar，通入NH3，Al源和Mg源，生长一层的Mg掺杂的氮化铝层161，生长温度恒定且在900℃-1100℃之间，V/III比为500-5000，p型掺杂浓度为5×1017/cm3-1×1019/cm3，生长速率为0.1μm/h-1μm/h。
然后，保持反应室中温度和压强不变，关闭Al源，通入Ga源、NH3和 Mg源，生长一层的Mg掺杂的氮化镓层162，V/III比为500-5000，p型掺杂浓度为5×1017-,1×1019，生长速率为0.1μm/h-1μm/h。
进一步，保持反应室中温度和压强不变，关闭Ga源，通入NH3和Mg源，时间为1s-10s，生长一层氮化镁层163。
进一步，保持反应室中温度和压强不变，通入Ga源、NH3和Mg源，生长一层的Mg掺杂的氮化镓层164，V/III比为500-5000，p型掺杂浓度为5×1017-,1×1019，生长速率为0.1μm/h-1μm/h，进而完成第一个超晶格层周期单元160的生长过程。
之后重复上述过程，形成至少15个周期的所述超晶格层周期单元160，完成所述p型空穴注入层16的生长过程。如可以生长15-25个周期的所述超晶格层周期单元160。整个p型空穴注入层16生长过程中NH3和Mg源的流量恒定不变，主载气体为氮气。
在第一种实施方式中，NH3、Mg源、Ga源和Al源的流量在不同生长阶段如图10所示，图10为本发明实施例提供的一种p型空穴注入层中流量时序图。本发明实施例中，一般采用Cp2Mg作为Mg源。
在第一种实施方式中，通过上述工艺方法制作的p型空穴注入层，方阻可以显著降低，空穴浓度得到显著提升，使得器件工作电压降低，提高了发光效率。
第二种实施方式中，p型空穴注入层16的结构还可以如图11所示，图 11为本发明实施例提供的一种p型空穴注入层的结构示意图，图11所示实施方式中，p型空穴注入层16中一个超晶格层周期结合图6和图11，在完成电子阻挡层15的生长过程后，开始生长p型空穴注入层16。当所述超晶格层周期单元160如图11所示时，p型空穴注入层16的生长工艺流程如下所述：
首先，将反应室中压强调整为200mbar，通入NH3，Al源和Mg源，生长一层的Mg掺杂的氮化铝层261，生长温度恒定且在900℃-1100℃之间，V/III比为500-5000，p型掺杂浓度为5×1017/cm3-,1×1019/cm3，生长速率为0.1μm/h-1μm/h。
然后，保持反应室中温度和压强不变，关闭Al源，通入流量线性增加的 NH3，恒定流量Mg源，时间为1s-10s，生长氮化镁层262。通入流量线性增加的NH3，便于自动编程控制，其他实施方式中，可以非线性增加，只要使得生长氮化镓层时NH3的流量线大于生长氮化铝时NH3的流量即可。
进一步，保持反应室中温度和压强不变，通入Ga源，恒定流量的NH3， Mg源，生长一层的Mg掺杂的氮化镓层263，V/III比为500-5000，p 型掺杂浓度为5×1017/cm3-,1×1019/cm3，生长速率为0.1μm/h-1μm/h。
进一步的，保持反应室温度和压强不变，关闭Ga源，通入流量线性减小的NH3，恒定流量Mg源，时间为1s-10s，生长氮化镁层264。
之后重复上述过程，形成至少10个周期的所述超晶格层周期单元160，完成所述p型空穴注入层16的生长过程。如可以生长15-25个周期的所述超晶格层周期单元160。整个p型空穴注入层16生长过程中Mg源的流量恒定不变，主载气体为氮气。
在第二种实施方式中，NH3、Mg源、Ga源和Al源的流量在不同生长阶段如图12所示，图12为本发明实施例提供的一种p型空穴注入层中流量时序图。
在第二种实施方式中，通过上述工艺方法制作的p型空穴注入层，方阻可以显著降低，空穴浓度得到显著提升，使得器件工作电压降低，提高了发光效率。
通过上述描述可知，本发明实施例所述制作方法中，可以保证紫外LED 中，任意一层氮化镁层的两个表面中至少一个表面与一层氮化镓层相邻，以降低Mg受主激活能，提高空穴浓度。
基于上述实施例，本发明另一实施例还提供了一种紫外LED，本实施例所述紫外LED采用上述实施例所述制作方法制作，该紫外LED的结构如图9 所示，包括：
衬底11；
位于所述衬底11表面的缓冲层12；
位于所述缓冲层12表面的n型电子注入层13；
位于所述n型电子注入层13表面的多量子阱有源层14；
位于所述多量子阱层14表面的电子阻挡层15；
位于所述电子阻挡层15表面的p型空穴注入层16；所述p型空穴注入层 16包括多个在第一方向X上层叠设置的超晶格层周期单元；所述第一方向X 垂直于所述衬底11，且由所述衬底11指向所述p型空穴注入层16；
位于所述p型空穴注入层16背离所述多量子阱有源层一侧的顶部氮化铝层17；所述顶部氮化铝层17表面还设置有欧姆接触层18。
其中，所述超晶格层周期单元包括：一层氮化铝层，至少一层氮化镁层以及至少一层氮化镓层，所述氮化镁层以及所述氮化镓层均位于所述氮化铝层背离所述衬底的一侧，所述氮化镁层在所述第一方向上相对的两个表面中至少一个表面与一层所述氮化镓层相邻。
所述超晶格层周期单元具有一层氮化镁层以及两层氮化镓层，所述超晶格层周期单元中，所述氮化镁位于两层所述氮化镓层之间，如图7所示实施方式。
所述超晶格层周期单元具有两层氮化镁层以及一层氮化镓层，所述超晶格层周期单元中，所述氮化镓层位于两层所述氮化镁层之间，如图11所示实施方式。
需要说明的是，所述超晶格层周期单元包括但不局限于图7和图11所示实施方式。
可选的，所述超晶格层周期单元中，所述氮化铝层的厚度大于所述氮化镓层的厚度。所述超晶格层周期单元的个数可以为15-25。所述超晶格层周期单元中，所述氮化铝层的厚度范围是包括端点值，所述氮化镓层的厚度范围是包括端点值。
本发明实施例所述紫外LED采用上述制作方法制作。在本申请实施例中，所述超晶格层周期单元160具有一层氮化铝层，至少一层氮化镁层以及至少一层氮化镓层，氮化镁层以及氮化铝层均位于氮化铝层背离衬底的一侧。当所述超晶格层周期单元160中，具有多层氮化镓层和/或多层氮化镁层时，氮化镓层和氮化镁层在第一方向X上交替排布。这样，可以保证任意一层氮化镁层的两个表面中至少一个表面与一层氮化镓层相邻，以降低Mg受主激活能，提高空穴浓度。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的紫外LED而言，由于其与实施例公开的制作方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见制作方法部分说明即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种紫外LED的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底表面形成缓冲层；
在所述缓冲层表面形成n型电子注入层；
在所述n型电子注入层表面形成多量子阱有源层；
在所述多量子阱有源层表面形成电子阻挡层；
在所述电子阻挡层表面形成p型空穴注入层；所述p型空穴注入层包括多个在第一方向上层叠设置的超晶格层周期单元；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述p型空穴注入层；
其中，所述超晶格层周期单元包括：一层氮化铝层，至少一层氮化镁层以及至少一层氮化镓层，所述氮化镁层以及所述氮化镓层均位于所述氮化铝层背离所述衬底的一侧，所述氮化镁层在所述第一方向上相对的两个表面中至少一个表面与一层所述氮化镓层相邻。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在反应室内通过外延生长工艺逐一生成所述p型空穴注入层的各个所述超晶格层周期单元；
在生长所述p型空穴注入层的整个工艺阶段中，持续为所述反应室内通入流量恒定的Mg源；保持生长氮化镓层时V/Ⅲ参数高于生长氮化铝层时的V/Ⅲ参数。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在生长所述p型空穴注入层的整个工艺阶段中，维持反应室内压强恒定和温度恒定；
其中，所述压强范围是50mbar-500mbar，包括端点值；所述稳定范围是900℃-1100℃，包括端点值。
4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在生长所述p型空穴注入层的整个工艺阶段中，形成的所述氮化铝层的厚度大于所述氮化镓层的厚度；
所述氮化铝层的生长时间为1s-50s，包括端点值；
所述氮化镓层的生长时间为s-50s，包括端点值；
以氮气作为主载环境气体。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述氮化铝层的厚度范围包括端点值，所述氮化镓层的厚度范围是包括端点值。
6.一种紫外LED，其特征在于，所述紫外LED包括：
衬底；
位于所述衬底表面的缓冲层；
位于所述缓冲层表面的n型电子注入层；
位于所述n型电子注入层表面的多量子阱有源层；
位于所述多量子阱层表面的电子阻挡层；
位于所述电子阻挡层表面的p型空穴注入层；所述p型空穴注入层包括多个在第一方向上层叠设置的超晶格层周期单元；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述p型空穴注入层；
其中，所述超晶格层周期单元包括：一层氮化铝层，至少一层氮化镁层以及至少一层氮化镓层，所述氮化镁层以及所述氮化镓层均位于所述氮化铝层背离所述衬底的一侧，所述氮化镁层在所述第一方向上相对的两个表面中至少一个表面与一层所述氮化镓层相邻。
7.根据权利要求6所述的紫外LED，其特征在于，所述超晶格层周期单元具有一层氮化镁层以及两层氮化镓层，所述超晶格层周期单元中，所述氮化镁位于两层所述氮化镓层之间。
8.根据权利要求6所述的紫外LED，其特征在于，所述超晶格层周期单元具有两层氮化镁层以及一层氮化镓层，所述超晶格层周期单元中，所述氮化镓层位于两层所述氮化镁层之间。
9.根据权利要求1所述的紫外LED，其特征在于，所述超晶格层周期单元中，所述氮化铝层的厚度大于所述氮化镓层的厚度。
10.根据权利要求9所述的紫外LED，其特征在于，所述超晶格层周期单元中，所述氮化铝层的厚度范围是包括端点值，所述氮化镓层的厚度范围是包括端点值。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711027161.XA CN107799636B (zh) | 2017-10-27 | 2017-10-27 | 一种紫外led及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711027161.XA CN107799636B (zh) | 2017-10-27 | 2017-10-27 | 一种紫外led及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107799636A true CN107799636A (zh) | 2018-03-13 |
| CN107799636B CN107799636B (zh) | 2019-06-21 |
Family
ID=61548150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711027161.XA Active CN107799636B (zh) | 2017-10-27 | 2017-10-27 | 一种紫外led及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107799636B (zh) |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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