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CN107565040A - Oled基板及其制作方法 - Google Patents

Oled基板及其制作方法 Download PDF

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CN107565040A
CN107565040A CN201710766538.7A CN201710766538A CN107565040A CN 107565040 A CN107565040 A CN 107565040A CN 201710766538 A CN201710766538 A CN 201710766538A CN 107565040 A CN107565040 A CN 107565040A
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CN
China
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rectangle
pattern
film thickness
Prior art date
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Application number
CN201710766538.7A
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Inventor
艾娜
林如梅
井口真介
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Publication date
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Priority to US15/742,042 priority patent/US20190067389A1/en
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种OLED基板及其制作方法。本发明的OLED基板的制作方法将像素区域的形状设置为由矩形及分别与矩形的两短边相连的两半圆组成的第一图案或者由四个角均为圆角的矩形构成的第二图案，能够有效改善像素区域内喷墨打印成膜的均匀性，从而有效提高OLED器件的发光均匀性和性能稳定性。本发明的OLED基板中的喷墨打印膜层厚度均匀，从而使OLED器件发光均匀并且性能稳定。

Description

OLED基板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED基板及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
OLED通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED显示器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED显示器件通常采用ITO像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。
喷墨打印彩色图案化技术在平板显示领域中逐步被确认为一种主流技术，其发展趋势和成果水平引起了业界的极大关注，该技术已被应用于OLED的制作方法中，而该技术的关键问题之一便是如何实现厚度均匀的聚合物膜层。
图1为现有的OLED基板的结构示意图，如图1所示，现有的OLED基板通常包括基板(未图示)、设于基板上的像素定义层100、及设于所述基板上被像素定义层100围成的像素区域200内的OLED器件300，该OLED器件300的多个结构层如空穴注入层、空穴传输层及发光层均采用喷墨打印方式制备，由于现有的像素区域200通常为矩形，因此在矩形的四角处容易形成打印材料的堆积，造成矩形的四角及短边处的膜层厚度较大，其余区域的膜层厚度较小，使单个像素区域内OLED器件的膜层厚度不均匀。
OLED器件是典型的双注入式器件，载流子的有效注入是获得高性能有机电致发光器件的前提条件。通常，OLED金属阴极的功函数比电子注入层材料的LUMO能级低，而阳极ITO的功函数比空穴注入层的HOMO能级较高，电子与空穴要越过一定的势垒才能注入。在外加正向电场作用下，OLED器件的各功能层的能带结构发生倾斜，电场越强，能带偏斜更厉害，势垒处的三角形越薄，载流子遂穿势垒的可能性几率越高。OLED器件的电场是由加在OLED器件两端的电压产生的，在相同电压下，电场强度与膜层厚度成反比，也就是说膜厚的地方，能级倾斜较少，载流子遂穿注入的几率减少造成发光较弱甚至不发光，从而引起OLED基板的有效发光面积减少，使OLED器件的性能稳定性变差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED基板的制作方法，能够有效改善像素区域内喷墨打印成膜的均匀性，从而有效提高OLED器件的发光均匀性和性能稳定性。
本发明的目的还在于提供一种OLED基板，其中的喷墨打印膜层厚度均匀，从而使OLED器件发光均匀并且性能稳定。
为实现上述目的，本发明提供一种OLED基板的制作方法包括：
提供衬底基板，在所述衬底基板上形成间隔设置的数个阳极；
在所述数个阳极及衬底基板上形成像素定义层，所述像素定义层在所述数个阳极上分别围出数个像素区域，所述数个像素区域的形状为第一图案或者第二图案，所述第一图案由矩形及分别与矩形的两短边相连的两半圆组成，所述第二图案为四个角均为圆角的矩形；
在所述数个像素区域内形成分别位于所述数个阳极上的数个空穴注入层；
在所述数个空穴注入层上分别形成数个空穴传输层；
在所述数个空穴传输层上分别形成数个发光层；
在所述数个发光层上分别形成数个电子传输层；
在所述数个电子传输层上分别形成数个阴极。
所述第一图案中，所述半圆的半径为矩形短边的二分之一；所述第二图案中，所述圆角为四分之一圆，所述圆角的半径为矩形短边的三分之一或四分之一。
所述OLED基板的制作方法还包括：在所述像素定义层上形成隔离柱，所述隔离柱与所述像素定义层采用同种材料在同一制程中形成。
采用磁控溅射成膜的方法形成所述数个阳极，所述数个阳极的材料包括透明导电金属氧化物，所述阳极的膜厚在20nm到200nm之间；
采用喷墨打印成膜的方法形成空穴注入层，所述空穴注入层的膜厚在60nm到100nm之间；
采用喷墨打印成膜的方法形成空穴传输层，所述空穴传输层的膜厚在100nm到150nm之间。
采用喷墨打印成膜的方法形成发光层，所述发光层的膜厚在60nm到100nm之间；
采用蒸镀成膜的方法形成电子传输层，所述电子传输层的膜厚在0.5nm到20nm之间；
采用真空蒸镀成膜的方法形成阴极，所述阴极的材料包括铝，所述阴极的膜厚在100nm到200nm之间。
本发明还提供一种OLED基板，包括：
衬底基板；
设于所述衬底基板上且间隔设置的数个阳极；
设于所述数个阳极及衬底基板上的像素定义层，所述像素定义层在所述数个阳极上分别围出数个像素区域，所述数个像素区域的形状为第一图案或者第二图案，所述第一图案由矩形及分别与矩形的两短边相连的两半圆组成，所述第二图案为四个角均为圆角的矩形；
设于所述数个像素区域内且分别位于所述数个阳极上的数个空穴注入层；
分别设于所述数个空穴注入层上的数个空穴传输层；
分别设于所述数个空穴传输层上的数个发光层；
分别设于所述数个发光层上的数个电子传输层；及
分别设于所述数个电子传输层上的数个阴极。
所述第一图案中，所述半圆的半径为矩形短边的二分之一；所述第二图案中，所述圆角为四分之一圆，所述圆角的半径为矩形短边的三分之一或四分之一。
所述OLED基板还包括：设于所述像素定义层上的隔离柱，所述隔离柱与所述像素定义层采用同种材料在同一制程中形成。
所述数个阳极的材料包括透明导电金属氧化物，所述阳极的膜厚在20nm到200nm之间；
所述空穴注入层的膜厚在60nm到100nm之间；
所述空穴传输层的膜厚在100nm到150nm之间。
所述发光层的膜厚在60nm到100nm之间；
所述电子传输层的膜厚在0.5nm到20nm之间；
所述阴极的材料包括铝，所述阴极的膜厚在100nm到200nm之间。
本发明的有益效果：本发明的OLED基板的制作方法将像素区域的形状设置为由矩形及分别与矩形的两短边相连的两半圆组成的第一图案或者由四个角均为圆角的矩形构成的第二图案，能够有效改善像素区域内喷墨打印成膜的均匀性，从而有效提高OLED器件的发光均匀性和性能稳定性。本发明的OLED基板中的喷墨打印膜层厚度均匀，从而使OLED器件发光均匀并且性能稳定。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有的OLED基板的结构示意图；
图2为本发明的OLED基板的制作方法的流程图；
图3为本发明的OLED基板的制作方法的步骤1的示意图；
图4为本发明的OLED基板的制作方法的步骤2的示意图；
图5为本发明的OLED基板的制作方法的步骤2制作的像素定义层围出的像素区域的两种形状的示意图；
图6为本发明的OLED基板的制作方法的步骤3的示意图；
图7为本发明的OLED基板的制作方法的步骤4的示意图；
图8为本发明的OLED基板的制作方法的步骤5的示意图；
图9为本发明的OLED基板的制作方法的步骤6的示意图；
图10为本发明的OLED基板的制作方法的步骤7的示意图及本发明的OLED基板的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2，本发明提供一种OLED基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、如图3所示，提供衬底基板10，在所述衬底基板10上形成间隔设置的数个阳极20；
具体的，所述衬底基板10为透明基板，优选为玻璃基板。
具体的，采用磁控溅射成膜的方法形成所述数个阳极20，所述数个阳极20的材料包括透明导电金属氧化物，所述阳极20的膜厚在20nm到200nm之间。优选的，所述透明导电金属氧化物为氧化铟锡(ITO)。
步骤2、如图4与图5所示，在所述数个阳极20及衬底基板10上形成像素定义层30，所述像素定义层30在所述数个阳极20上分别围出数个像素区域40，所述数个像素区域40的形状为第一图案41或者第二图案42，所述第一图案41由矩形及分别与矩形的两短边相连的两半圆组成，所述第二图案42为四个角均为圆角的矩形。
具体的，所述第一图案41中，所述半圆的半径R1为矩形短边的二分之一；所述第二图案42中，所述圆角为四分之一圆，所述圆角的半径R2为矩形短边的三分之一、四分之一或者更少。通过减小所述圆角的半径R2，使所述圆角的半径R2从矩形短边的三分之一减小到四分之一甚至更小，能够提高像素区域40的覆盖面积，从而提升面板开口率。
如图5所示，所述第一图案41与第二图案42中的虚线并非真实存在，仅用于展示图案的构成。
通过将像素区域40的形状设置为具有圆角的形状，相对于传统的矩形图案，能有效避免打印材料在矩形的四角处堆积，提高像素区域40内喷墨打印成膜的均匀性，即保证后续制程中采用喷墨打印方式形成的空穴注入层50、空穴传输层60及发光层70的膜层厚度均匀。
具体的，所述像素定义层30的材料为有机绝缘材料。优选的，所述像素定义层30的材料为聚酰亚胺。
优选的，所述步骤2还包括：在所述像素定义层30上形成隔离柱35，所述隔离柱35与所述像素定义层30采用同种材料在同一制程中形成。所述隔离柱35用于在后续封装制程中支撑封装盖板。
步骤3、如图6所示，在所述数个像素区域40内形成分别位于所述数个阳极20上的数个空穴注入层50。
具体的，采用喷墨打印成膜的方法形成空穴注入层50，所述空穴注入层50的膜厚在60nm到100nm之间。所述空穴注入层50的材料选自本领域的常用材料，此处不做详细介绍。
步骤4、如图7所示，在所述数个空穴注入层50上分别形成数个空穴传输层60。
具体的，采用喷墨打印成膜的方法形成空穴传输层60，所述空穴传输层60的膜厚在100nm到150nm之间。所述空穴传输层60的材料选自本领域的常用材料，此处不做详细介绍。
步骤5、如图8所示，在所述数个空穴传输层60上分别形成数个发光层70。
具体的，采用喷墨打印成膜的方法形成发光层70，所述发光层70的膜厚在60nm到100nm之间。所述发光层70的材料选自本领域的常用材料，此处不做详细介绍。
步骤6、如图9所示，在所述数个发光层70上分别形成数个电子传输层80。
具体的，采用蒸镀成膜的方法形成电子传输层80，所述电子传输层80的膜厚在0.5nm到20nm之间。所述电子传输层80的材料选自本领域的常用材料，此处不做详细介绍。
步骤7、如图10所示，在所述数个电子传输层80上分别形成数个阴极90。
具体的，采用真空蒸镀成膜的方法形成阴极90，所述阴极90的材料包括铝，所述阴极90的膜厚在100nm到200nm之间。
具体的，在像素定义层30上设有隔离柱35的情况下，阴极材料可以整面蒸镀，不需要采用掩膜板，由于隔离柱35的隔离作用，使得分别落入数个像素区域40内的阴极材料间隔开来，形成数个间隔设置的阴极90。
本发明的OLED基板的制作方法将像素区域40的形状设置为由矩形及分别与矩形的两短边相连的两半圆组成的第一图案41或者由四个角均为圆角的矩形构成的第二图案42，能够有效改善像素区域40内喷墨打印成膜的均匀性，从而有效提高OLED器件的发光均匀性和性能稳定性。
请参阅图10，同时参阅图5，基于上述OLED基板的制作方法，本发明提供一种OLED基板，包括：
衬底基板10；
设于所述衬底基板10上且间隔设置的数个阳极20；
设于所述数个阳极20及衬底基板10上的像素定义层30，所述像素定义层30在所述数个阳极20上分别围出数个像素区域40，所述数个像素区域40的形状为第一图案41或者第二图案42，所述第一图案41由矩形及分别与矩形的两短边相连的两半圆组成，所述第二图案42为四个角均为圆角的矩形；
设于所述数个像素区域40内且分别位于所述数个阳极20上的数个空穴注入层50；
分别设于所述数个空穴注入层50上的数个空穴传输层60；
分别设于所述数个空穴传输层60上的数个发光层70；
分别设于所述数个发光层70上的数个电子传输层80；及
分别设于所述数个电子传输层80上的数个阴极90。
具体的，所述衬底基板10为透明基板，优选为玻璃基板。
具体的，所述数个阳极20的材料包括透明导电金属氧化物，所述阳极20的膜厚在20nm到200nm之间。优选的，所述透明导电金属氧化物为氧化铟锡(ITO)。
具体的，所述第一图案41中，所述半圆的半径R1为矩形短边的二分之一；所述第二图案42中，所述圆角为四分之一圆，所述圆角的半径R2为矩形短边的三分之一、四分之一或者更少。
具体的，所述像素定义层30的材料为有机绝缘材料。优选的，所述像素定义层30的材料为聚酰亚胺。
优选的，所述OLED基板还包括：设于所述像素定义层30上的隔离柱35，所述隔离柱35与所述像素定义层30采用同种材料在同一制程中形成。
具体的，所述空穴注入层50的膜厚在60nm到100nm之间。所述空穴注入层50的材料选自本领域的常用材料，此处不做详细介绍。
具体的，所述空穴传输层60的膜厚在100nm到150nm之间。所述空穴传输层60的材料选自本领域的常用材料，此处不做详细介绍。
具体的，所述发光层70的膜厚在60nm到100nm之间。所述发光层70的材料选自本领域的常用材料，此处不做详细介绍。
具体的，所述电子传输层80的膜厚在0.5nm到20nm之间。所述电子传输层80的材料选自本领域的常用材料，此处不做详细介绍。
具体的，所述阴极90的材料包括铝，所述阴极90的膜厚在100nm到200nm之间。
本发明的OLED基板的空穴注入层50、空穴传输层60及发光层70均采用喷墨打印方式形成，由于像素区域40的形状为具有圆角的形状，因此在打印过程中能有效避免打印材料在像素区域40四角处堆积，提高像素区域40内喷墨打印成膜的均匀性，即保证空穴注入层50、空穴传输层60及发光层70的膜层厚度均匀。
本发明的OLED基板将像素区域40的形状设置为由矩形及分别与矩形的两短边相连的两半圆组成的第一图案41或者由四个角均为圆角的矩形构成的第二图案42，使得像素区域40内采用喷墨打印方法形成的膜层厚度均匀，从而使OLED器件发光均匀并且性能稳定。
综上所述，本发明提供一种OLED基板及其制作方法。本发明的OLED基板的制作方法将像素区域的形状设置为由矩形及分别与矩形的两短边相连的两半圆组成的第一图案或者由四个角均为圆角的矩形构成的第二图案，能够有效改善像素区域内喷墨打印成膜的均匀性，从而有效提高OLED器件的发光均匀性和性能稳定性。本发明的OLED基板中的喷墨打印膜层厚度均匀，从而使OLED器件发光均匀并且性能稳定。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种OLED基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成间隔设置的数个阳极(20)；
在所述数个阳极(20)及衬底基板(10)上形成像素定义层(30)，所述像素定义层(30)在所述数个阳极(20)上分别围出数个像素区域(40)，所述数个像素区域(40)的形状为第一图案(41)或者第二图案(42)，所述第一图案(41)由矩形及分别与矩形的两短边相连的两半圆组成，所述第二图案(42)为四个角均为圆角的矩形；
在所述数个像素区域(40)内形成分别位于所述数个阳极(20)上的数个空穴注入层(50)；
在所述数个空穴注入层(50)上分别形成数个空穴传输层(60)；
在所述数个空穴传输层(60)上分别形成数个发光层(70)；
在所述数个发光层(70)上分别形成数个电子传输层(80)；
在所述数个电子传输层(80)上分别形成数个阴极(90)。
2.如权利要求1所述的OLED基板的制作方法，其特征在于，所述第一图案(41)中，所述半圆的半径(R1)为矩形短边的二分之一；所述第二图案(42)中，所述圆角为四分之一圆，所述圆角的半径(R2)为矩形短边的三分之一或四分之一。
3.如权利要求1所述的OLED基板的制作方法，其特征在于，还包括：在所述像素定义层(30)上形成隔离柱(35)，所述隔离柱(35)与所述像素定义层(30)采用同种材料在同一制程中形成。
4.如权利要求1所述的OLED基板的制作方法，其特征在于，采用磁控溅射成膜的方法形成所述数个阳极(20)，所述数个阳极(20)的材料包括透明导电金属氧化物，所述阳极(20)的膜厚在20nm到200nm之间；
采用喷墨打印成膜的方法形成空穴注入层(50)，所述空穴注入层(50)的膜厚在60nm到100nm之间；
采用喷墨打印成膜的方法形成空穴传输层(60)，所述空穴传输层(60)的膜厚在100nm到150nm之间。
5.如权利要求1所述的OLED基板的制作方法，其特征在于，采用喷墨打印成膜的方法形成发光层(70)，所述发光层(70)的膜厚在60nm到100nm之间；
采用蒸镀成膜的方法形成电子传输层(80)，所述电子传输层(80)的膜厚在0.5nm到20nm之间；
采用真空蒸镀成膜的方法形成阴极(90)，所述阴极(90)的材料包括铝，所述阴极(90)的膜厚在100nm到200nm之间。
6.一种OLED基板，其特征在于，包括：
衬底基板(10)；
设于所述衬底基板(10)上且间隔设置的数个阳极(20)；
设于所述数个阳极(20)及衬底基板(10)上的像素定义层(30)，所述像素定义层(30)在所述数个阳极(20)上分别围出数个像素区域(40)，所述数个像素区域(40)的形状为第一图案(41)或者第二图案(42)，所述第一图案(41)由矩形及分别与矩形的两短边相连的两半圆组成，所述第二图案(42)为四个角均为圆角的矩形；
设于所述数个像素区域(40)内且分别位于所述数个阳极(20)上的数个空穴注入层(50)；
分别设于所述数个空穴注入层(50)上的数个空穴传输层(60)；
分别设于所述数个空穴传输层(60)上的数个发光层(70)；
分别设于所述数个发光层(70)上的数个电子传输层(80)；及
分别设于所述数个电子传输层(80)上的数个阴极(90)。
7.如权利要求6所述的OLED基板，其特征在于，所述第一图案(41)中，所述半圆的半径(R1)为矩形短边的二分之一；所述第二图案(42)中，所述圆角为四分之一圆，所述圆角的半径(R2)为矩形短边的三分之一或四分之一。
8.如权利要求6所述的OLED基板，其特征在于，还包括：设于所述像素定义层(30)上的隔离柱(35)，所述隔离柱(35)与所述像素定义层(30)采用同种材料在同一制程中形成。
9.如权利要求6所述的OLED基板，其特征在于，所述数个阳极(20)的材料包括透明导电金属氧化物，所述阳极(20)的膜厚在20nm到200nm之间；
所述空穴注入层(50)的膜厚在60nm到100nm之间；
所述空穴传输层(60)的膜厚在100nm到150nm之间。
10.如权利要求6所述的OLED基板，其特征在于，所述发光层(70)的膜厚在60nm到100nm之间；
所述电子传输层(80)的膜厚在0.5nm到20nm之间；
所述阴极(90)的材料包括铝，所述阴极(90)的膜厚在100nm到200nm之间。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108598274A (zh) * 2018-05-15 2018-09-28 上海瀚莅电子科技有限公司 Qled发光显示器件及其制备方法
CN109713159A (zh) * 2018-12-26 2019-05-03 上海晶合光电科技有限公司 一种顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法
CN110634924A (zh) * 2019-09-25 2019-12-31 合肥京东方卓印科技有限公司 显示背板、显示装置
WO2020211134A1 (zh) * 2019-04-17 2020-10-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示器及其制造方法
WO2020232805A1 (zh) * 2019-05-20 2020-11-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 基于喷墨打印技术的有机发光显示装置及其制作方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4141949A4 (en) * 2021-02-22 2023-08-02 BOE Technology Group Co., Ltd. Display panel, display device, and method for manufacturing display panel

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070164670A1 (en) * 2006-01-13 2007-07-19 Joon-Yong Park Pixel structure and organic light emitting device including the pixel structure
CN102132630A (zh) * 2009-11-11 2011-07-20 松下电器产业株式会社 有机el元件及其制造方法
CN104051493A (zh) * 2013-03-11 2014-09-17 三星显示有限公司 有机发光显示装置
US20140312333A1 (en) * 2009-12-01 2014-10-23 Ignis Innovation Inc. High resolution pixel architecture
CN104750284A (zh) * 2013-12-27 2015-07-01 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种触控显示装置及其制备方法
CN105470284A (zh) * 2015-12-31 2016-04-06 固安翌光科技有限公司 一种薄膜封装的oled屏体及其制备方法
CN105914223A (zh) * 2016-05-04 2016-08-31 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板的制造方法和显示面板

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI509791B (zh) * 2013-05-22 2015-11-21 Au Optronics Corp 製造一有機發光顯示面板之方法及其有機發光顯示面板
CN104112824A (zh) * 2014-07-09 2014-10-22 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示器件及其制备方法、蒸镀用掩模板
CN104538423B (zh) * 2014-12-22 2017-10-13 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示器件及其制造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070164670A1 (en) * 2006-01-13 2007-07-19 Joon-Yong Park Pixel structure and organic light emitting device including the pixel structure
CN102132630A (zh) * 2009-11-11 2011-07-20 松下电器产业株式会社 有机el元件及其制造方法
US20140312333A1 (en) * 2009-12-01 2014-10-23 Ignis Innovation Inc. High resolution pixel architecture
CN104051493A (zh) * 2013-03-11 2014-09-17 三星显示有限公司 有机发光显示装置
CN104750284A (zh) * 2013-12-27 2015-07-01 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种触控显示装置及其制备方法
CN105470284A (zh) * 2015-12-31 2016-04-06 固安翌光科技有限公司 一种薄膜封装的oled屏体及其制备方法
CN105914223A (zh) * 2016-05-04 2016-08-31 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板的制造方法和显示面板

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108598274A (zh) * 2018-05-15 2018-09-28 上海瀚莅电子科技有限公司 Qled发光显示器件及其制备方法
CN109713159A (zh) * 2018-12-26 2019-05-03 上海晶合光电科技有限公司 一种顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法
WO2020211134A1 (zh) * 2019-04-17 2020-10-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示器及其制造方法
WO2020232805A1 (zh) * 2019-05-20 2020-11-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 基于喷墨打印技术的有机发光显示装置及其制作方法
CN110634924A (zh) * 2019-09-25 2019-12-31 合肥京东方卓印科技有限公司 显示背板、显示装置

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