CN107565036A - 有机发光装置 - Google Patents
有机发光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107565036A CN107565036A CN201710523805.8A CN201710523805A CN107565036A CN 107565036 A CN107565036 A CN 107565036A CN 201710523805 A CN201710523805 A CN 201710523805A CN 107565036 A CN107565036 A CN 107565036A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- light
- organic
- organic layer
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 274
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 198
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 93
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 53
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000000975 dye Substances 0.000 abstract description 62
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 abstract 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 36
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 32
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 23
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 101100214488 Solanum lycopersicum TFT2 gene Proteins 0.000 description 18
- 102100027094 Echinoderm microtubule-associated protein-like 1 Human genes 0.000 description 14
- 101001057941 Homo sapiens Echinoderm microtubule-associated protein-like 1 Proteins 0.000 description 14
- 101100489584 Solanum lycopersicum TFT1 gene Proteins 0.000 description 14
- 201000001130 congenital generalized lipodystrophy type 1 Diseases 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 101150017422 HTR1 gene Proteins 0.000 description 13
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 13
- 102100030385 Granzyme B Human genes 0.000 description 10
- 101001009603 Homo sapiens Granzyme B Proteins 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- -1 poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 9
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 102100027095 Echinoderm microtubule-associated protein-like 3 Human genes 0.000 description 7
- 101001057939 Homo sapiens Echinoderm microtubule-associated protein-like 3 Proteins 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 7
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 7
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 102100027126 Echinoderm microtubule-associated protein-like 2 Human genes 0.000 description 6
- 101001057942 Homo sapiens Echinoderm microtubule-associated protein-like 2 Proteins 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 201000001113 congenital generalized lipodystrophy type 3 Diseases 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 6
- 102100036321 5-hydroxytryptamine receptor 2A Human genes 0.000 description 5
- 101000783617 Homo sapiens 5-hydroxytryptamine receptor 2A Proteins 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 5
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 5
- ALYNCZNDIQEVRV-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzoic acid Chemical compound NC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 ALYNCZNDIQEVRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101150068804 ETR2 gene Proteins 0.000 description 4
- 102100039327 Enoyl-[acyl-carrier-protein] reductase, mitochondrial Human genes 0.000 description 4
- 101000961707 Homo sapiens Enoyl-[acyl-carrier-protein] reductase, mitochondrial Proteins 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101100024116 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) MPT5 gene Proteins 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 4
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 4
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M rubidium chloride Chemical compound [Cl-].[Rb+] FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- WFUBYPSJBBQSOU-UHFFFAOYSA-M rubidium iodide Chemical compound [Rb+].[I-] WFUBYPSJBBQSOU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M trans-cinnamate Chemical compound [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 4
- 101100279534 Arabidopsis thaliana EIL1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100394073 Caenorhabditis elegans hil-1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100506090 Caenorhabditis elegans hil-2 gene Proteins 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101150037194 EIL2 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100232347 Mus musculus Il11ra1 gene Proteins 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 101100279532 Oryza sativa subsp. japonica EIL1A gene Proteins 0.000 description 3
- 101100279533 Oryza sativa subsp. japonica EIL1B gene Proteins 0.000 description 3
- 101100451713 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) HTL1 gene Proteins 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 201000001366 familial temporal lobe epilepsy 2 Diseases 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VBQVHWHWZOUENI-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-2H-quinoline Chemical compound C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 VBQVHWHWZOUENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 4-naphthalen-1-yl-3,5-diphenyl-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(N1C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=NN=C1C1=CC=CC=C1 AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101150020392 Cgl3 gene Proteins 0.000 description 2
- WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N Cinnamic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N 0.000 description 2
- 201000006705 Congenital generalized lipodystrophy Diseases 0.000 description 2
- 229920001651 Cyanoacrylate Polymers 0.000 description 2
- 102100027100 Echinoderm microtubule-associated protein-like 4 Human genes 0.000 description 2
- 101001057929 Homo sapiens Echinoderm microtubule-associated protein-like 4 Proteins 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N Methyl cyanoacrylate Chemical compound COC(=O)C(=C)C#N MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960004050 aminobenzoic acid Drugs 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- 229940024874 benzophenone Drugs 0.000 description 2
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 229940114081 cinnamate Drugs 0.000 description 2
- 229930016911 cinnamic acid Natural products 0.000 description 2
- 235000013985 cinnamic acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- HLYTZTFNIRBLNA-LNTINUHCSA-K iridium(3+);(z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound [Ir+3].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O HLYTZTFNIRBLNA-LNTINUHCSA-K 0.000 description 2
- 238000007648 laser printing Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M lithium;quinoline-2-carboxylate Chemical compound [Li+].C1=CC=CC2=NC(C(=O)[O-])=CC=C21 IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N methyl p-hydroxycinnamate Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FTWUXYZHDFCGSV-UHFFFAOYSA-N n,n'-diphenyloxamide Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC(=O)C(=O)NC1=CC=CC=C1 FTWUXYZHDFCGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229940102127 rubidium chloride Drugs 0.000 description 2
- WVYADZUPLLSGPU-UHFFFAOYSA-N salsalate Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1OC(=O)C1=CC=CC=C1O WVYADZUPLLSGPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 2
- LOIYMIARKYCTBW-OWOJBTEDSA-N trans-urocanic acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C1=CNC=N1 LOIYMIARKYCTBW-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- LOIYMIARKYCTBW-UHFFFAOYSA-N trans-urocanic acid Natural products OC(=O)C=CC1=CNC=N1 LOIYMIARKYCTBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 1
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylisoquinoline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21,23-dihydroporphyrin platinum Chemical compound [Pt].CCc1c(CC)c2cc3[nH]c(cc4nc(cc5[nH]c(cc1n2)c(CC)c5CC)c(CC)c4CC)c(CC)c3CC VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWKKLBATUCJUHI-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(4-methylphenyl)-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=CC=C1 YWKKLBATUCJUHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYNTUCBQEHUHCS-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n-[4-[4-(n-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-1-n,4-n-diphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 QYNTUCBQEHUHCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPTWEDZIPSKWDG-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid;dodecane Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1.CCCCCCCCCCCC LPTWEDZIPSKWDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WURBFLDFSFBTLW-UHFFFAOYSA-N benzil Chemical group C=1C=CC=CC=1C(=O)C(=O)C1=CC=CC=C1 WURBFLDFSFBTLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004556 carbazol-9-yl group Chemical group C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3N(C12)* 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000004078 waterproofing Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
- H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/19—Tandem OLEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一种有机发光装置和一种显示装置,所述有机发光装置包括第一电极;在所述第一电极上的第一有机层;在所述第一有机层上的第一电荷产生层;在所述第一电荷产生层上的第二有机层,所述第二有机层包括具有约380nm至410nm的吸收波长的第一吸光染料;以及在所述第二有机层上的第二电极,其中光从所述装置沿所述第一电极到所述第二电极的方向被发射。
Description
相关申请的交叉引用
将2016年6月30日在韩国知识产权局递交的题为“有机发光装置及包括该有机发光装置的显示装置”的韩国专利申请No.10-2016-0082747通过引用整体并入本文。
技术领域
本申请实施方式涉及有机发光装置和包括该有机发光装置的显示装置。
背景技术
有机发光装置是具有快速响应时间并由低电压驱动的自发光装置。因此,包括这种有机发光装置的有机发光显示装置可以不包括单独的光源,并且因而可以是薄而轻的。这样的有机发光显示装置具有许多优点,比如优异的亮度和视角独立性。
有机发光装置是在阳极和阴极之间包括由有机材料制成的发光层的显示元件。在由阳极提供的空穴和由阴极提供的电子在发光层中复合以形成激子之后,由激子产生对应于空穴和电子之间的能量的光。
串联有机发光装置可以在阳极和阴极之间具有包括空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层的两个或更多个堆叠的结构。可以在每个堆叠之间存在辅助电荷产生和移动的电荷产生层。
发明内容
本申请实施方式涉及有机发光装置和包括该有机发光装置的显示装置。
本申请实施方式可以通过提供一种有机发光装置来实现,该有机发光装置包括:第一电极;在第一电极上的第一有机层;在第一有机层上的第一电荷产生层;在第一电荷产生层上的第二有机层,该第二有机层包括具有约380nm至410nm的吸收波长的第一吸光染料;以及在第二有机层上的第二电极,其中光从装置沿第一电极到第二电极的方向被发射。
第一有机层可以包括发射第一光的第一发光层、在第一电极和第一发光层之间的第一空穴传输区以及在第一发光层和第一电荷产生层之间的第一电子传输区;并且第二有机层可以包括发射不同于第一光的第二光的第二发光层、在第一电荷产生层和第二发光层之间的第二空穴传输区以及在第二发光层和第二电极之间的第二电子传输区。
第二空穴传输区可以包括第一吸光染料。
第一有机层可以包括磷光发光材料;并且第二有机层可以包括荧光发光材料。
第二有机层对于约380nm至410nm的波长范围内的光可以具有10%或以下的透过率。
第一吸光染料的分子结构可以包括咔唑基、胺基和芴基中的至少一个。
第一吸光染料可以由下式1表示:
[式1]
第一电荷产生层可以包括第一子电荷产生层和第二子电荷产生层。
有机发光装置还可以包括在第一电极和第一有机层之间的第三有机层;以及在第一有机层和第三有机层之间的第二电荷产生层。
第一有机层可以包括磷光发光材料;第二有机层可以包括第一荧光发光材料;并且第三有机层可以包括第二荧光发光材料。
有机发光装置还可以包括在第二电极和第二有机层之间的第四有机层;以及第二有机层和第四有机层之间的第三电荷产生层。
第一有机层可以包括磷光发光材料;第二有机层可以包括第一荧光发光材料;并且第四有机层可以包括第二荧光发光材料。
第四有机层可以包括具有约380nm至410nm的吸收波长的第二吸光染料。
本申请实施方式可以通过提供一种显示装置来实现,该显示装置包括:显示面板;以及在显示面板上的有机发光装置,其中该有机发光装置包括第一电极、在第一电极上的第一有机层、设置在第一有机层上的第一电荷产生层、设置在第一电荷产生层上且包括吸收波长为约380nm至410nm的第一吸光染料的第二有机层以及设置在第二有机层上的第二电极,光沿第一电极到第二电极的方向被发射。
第一有机层可以包括发射第一光的第一发光层、在第一电极和第一发光层之间的第一空穴传输区以及在第一发光层和第一电荷产生层之间的第一电子传输区;并且第二有机层可以包括发射不同于第一光的第二光的第二发光层、在第一电荷产生层和第二发光层之间的第二空穴传输区以及在第二发光层和第二电极之间的第二电子传输区。
第一有机层可以包括磷光发光材料;并且第二有机层可以包括荧光发光材料。
第二有机层对于约380nm至410nm的波长范围内的光可以具有10%或以下的透过率。
第一吸光染料的分子结构可以包括咔唑基、胺基和芴基中的至少一个。
第一吸光染料可以由下式1表示:
[式1]
附图说明
通过参考附图详细描述示例性实施方式,对于本领域技术人员来说,特征将是明显的,在附图中:
图1图示说明根据一个实施方式的有机发光装置的示意性截面图;
图2图示说明根据一个实施方式的有机发光装置的层叠结构的示意性截面图;
图3图示说明根据一个实施方式的有机发光装置的层叠结构的示意性截面图;
图4图示说明根据另一实施方式的有机发光装置的层叠结构的示意性截面图;
图5图示说明根据一个实施方式的显示装置的示意性透视图;
图6图示说明根据一个实施方式的显示装置中包括的像素中的一个的电路图;
图7图示说明根据一个实施方式的显示装置中包括的像素中的一个的平面图;
图8A至图8C图示说明沿图7中I-I'的示意性截面图,以及
图9分别图示说明实施例1和对比例1的透过率随波长范围的图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更全面地描述示例性实施方式;然而,它们可以以不同的形式实施,并且不应被解释为限于本文所阐述的实施方式。而是,提供这些实施方式,使得本公开将是透彻和完整的,并且将向本领域技术人员充分传达示例性的实施方案。
在附图中,为了清楚说明,可以放大层和区的尺寸。还将理解,当层或元件被称为在另一层或元件上“上”时,其可以直接在其他层或元件上,或者也可以存在中间层。此外,还将理解,当层被称为在两个层“之间”时,其可以是两个层之间的唯一的层,或者也可以存在一个或多个中间层。本文中,术语“或”不是排除性术语。
在描述每个附图时,相同的附图标记表示相同的元件。应当理解,尽管术语第一、第二等在本文中可以用于描述各种元件,但是元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元素和另一个元素。例如,第一元件可以被称为第二元件,并且类似地,第二元件也可以被称为第一元件,而不脱离本申请的教导。如本文所使用的,除非上下文另有明确指示,单数形式的“一个”,“一种”和“所述/该”也旨在包括复数形式。
将理解,当在本说明书中使用时,术语“包括”和/或“包含”指定所陈述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组。此外,将理解,当比如层、膜、区或板的元件被称为在“另一元件”之下时,其可以“直接在另一元件之下”,或者也可以存在中间元件。
在下文中,给出根据实施方式的有机发光装置的描述。
图1图示说明根据一个实施方式的有机发光装置的示意性截面图。
参考图1,根据一个实施方式的有机发光装置OLED可以包括:依次层叠的第一电极EL1、第一有机层OL-1、第一电荷产生层CGL1、第二有机层OL-2和第二电极EL2。在实施方案中,有机发光装置OLED可以设置在基底基板上。
在根据实施方式的有机发光装置中,第一电极EL1可以对应于反射型电极。第一电极EL1可以是例如正极(阳极)。当第一电极EL1是正极时,第一电极EL1可以是具有高功函的金属,例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)或铬(Cr),或包括这种金属的混合物。在实施方案中,第一电极EL1可以是包括比如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)或铬(Cr)的金属或这些金属的混合物的单金属层;或者具有包括比如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)或铬(Cr)的金属或这些金属的混合物的金属层的多层结构,以及包括透明导电氧化物的透明导电氧化物层。透明导电氧化物可以包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡(ITZO)等。
在实施方案中,第一电极EL1可以是负极(阴极)。当第一电极是负极时,第一电极EL1可以包括例如具有低功函的锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、镁(Mg)、氟化钡(BaF)、钡(Ba)或银(Ag),或其化合物或混合物。第一电极EL1可以形成得足够厚以反射光。
在根据实施方式的有机发光装置OLED中,第二电极EL2可以对应于透射或半透射型电极。第二电极EL2可以是例如负极(阴极)。当第二电极EL2是负极时,第二电极EL2可以包括例如具有低功函的锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、镁(Mg)、氟化钡(BaF)、钡(Ba)或银(Ag),或其化合物或混合物。第二电极EL2可以形成得足够薄以透射光。
在实施方案中,第二电极EL2可以是正极(阳极)。第二电极EL2可以包括具有高功函的透明导电氧化物。例如,第二电极EL2可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等。
根据实施方式的有机发光装置OLED可以是前发光型。在这种情况下,第一电极EL1可以是正极(阳极),且第二电极EL2可以是负极(阴极)。根据另一实施方式的有机发光装置OLED可以是后发光型。在这种情况下,第一电极EL1可以是负极(阴极),且第二电极EL2可以是正极(阳极)。在根据实施方式的有机发光装置OLED中,第一电极EL1可以是反射型电极,第二电极EL2可以是透射型或半透射型电极,并且有机发光装置OLED可以沿第一电极EL1到第二电极EL2的方向发光(例如,可以通过第二电极EL2从装置发出光)。
根据实施方式的有机发光装置OLED可以包括在第一电极EL1和第二电极EL2之间的多个有机层OL。多个有机层OL可以发射波长范围彼此不同的光。在实施方案中,在根据实施方案的有机发光装置OLED中,第一有机层OL-1可以发射黄色光,而第二有机层OL-2可以发射蓝色光。当各有机层OL发射的光可以混合以产生白光时,可以根据需要改变有机层OL的堆叠的数量和顺序以及发射的光的波长。在实施方案中,如图1图示说明的,示出了第一有机层OL-1和第二有机层OL-2。在实施方案中,三个有机层OL可以设置在第一电极EL1和第二电极EL2之间。以下,参照图3和图4描述其中三个有机层OL设置在第一电极EL1和第二电极EL2之间的实施方式。
根据实施方式,第一电荷产生层CGL1可以设置在第一有机层OL-1和第二有机层OL-2之间。当向第一电荷产生层CGL1施加电压时,可以通过氧化还原反应形成络合物,由此产生电荷(电子和空穴)。第一电荷产生层CGL1可以向有机层OL-1和OL-2中的每个提供所产生的电荷。第一电荷产生层CGL1可以提高有机层OL中产生的电流的效率,例如提高两倍,并且可以起到调整第一有机层OL-1和第二有机层OL-2之间的电荷的平衡的作用。
在下文中,描述涉及其中有机发光装置OLED是前发光型的情况。在这种情况下,第一电极EL1可以是正极(阳极),且第二电极EL2可以是负极(阴极)。在实施方案中,有机发光装置OLED可以是后发光型。在这种情况下,电极EL、有机层OL和电荷产生层CGL的层叠顺序可以不同。
图2图示说明根据一个实施方式的有机发光装置的层叠结构的示意性截面图。
参考图2,根据实施方式的有机层OL可以包括例如空穴传输区HTR、电子传输区ETR以及设置在空穴传输区HTR和电子传输区ETR之间的发光层EML。根据实施方式的空穴传输区HTR可以包括空穴注入层HIL和空穴传输层HTL中的至少一个。在实施方案中,空穴传输区HTR可以包括空穴缓冲层和电子阻挡层中的至少一个。
空穴传输区HTR可以是由单种材料制成的单个层,由多种不同材料制成的单个层,或者具有包括由彼此不同的材料制成的多个层的多层结构。例如,如图2所示,空穴传输区HTR可以具有其中空穴注入层HIL和空穴传输层HTL顺序堆叠的结构。在实施方案中,空穴传输区HTR可以形成为各种顺序堆叠的层叠结构,比如空穴注入层/空穴传输层/空穴缓冲层、空穴注入层/空穴缓冲层、空穴传输层/空穴缓冲层或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层。
空穴传输区HTR可以使用合适的方法形成。在实施方案中,空穴传输区HTR可以使用各种方法形成,例如真空沉积、旋转涂布、浇铸、朗缪尔-布罗基特(Langmuir-Blodgett)、喷墨打印、激光打印、激光诱导热成像(LITI)等。
空穴传输层HTL可以包括空穴传输材料。在实施方案中,空穴传输材料可以包括例如咔唑类衍生物(比如N-苯基咔唑或聚乙烯基咔唑)、芴类衍生物;三苯胺类衍生物,比如N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯]-4,4'-二胺(TPD)或4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)等。
空穴注入层HIL可以包括空穴注入材料。在实施方案中,空穴注入材料可以包括例如酞菁化合物,比如铜酞菁;N,N'-二苯基-N,N'-二-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯-4,4'-二胺(DNTPD)、4,4',4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4,4'4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、4,4',4”-三{N,-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺(2-TNATA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)等。
在实施方案中,除了空穴注入层HIL和空穴传输层HTL之外,根据实施方式的空穴传输区还可以包括空穴缓冲层和电子阻挡层中的至少一个。空穴缓冲层可以通过补偿从发光层EML发射的光的波长相关的共振距离来起到提高发光效率的作用。可以包括在传输区中的材料可以被用作包括在空穴缓冲层中的材料。电子阻挡层可以起到防止电子从电子传输层注入到空穴传输层中的作用。
根据实施方式的电子传输区ETR可以包括电子注入层EIL和电子传输层ETL中的至少一个。在实施方案中,电子传输区ETR还可以包括空穴阻挡层。
可以使用合适的方法形成电子传输区ETR。在实施方案中,可以使用各种方法形成电子传输区ETR,例如真空沉积、旋转涂布、浇铸、朗缪尔-布罗基特、喷墨打印、激光打印、激光诱导热成像(LITI)等。
电子传输层ETL可以包括电子传输材料。在实施方案中,电子传输材料可以包括例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、双(10-苯并喹啉)铍(Bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽或其混合物。
电子注入层EIL可以包括电子注入材料。在实施方案中,电子注入材料可以包括例如氟化锂(LiF)、喹啉锂(LiQ)、氧化锂(Li2O)、氧化钡(BaO)、氯化钠(NaCl)、氟化铯(CsF)、镧系金属比如镱(Yb)、卤化金属比如氯化铷(RbCl)或碘化铷(RbI)等。
根据实施方式的发光层EML包括主体材料和掺杂剂材料。可以通过在主体材料中使用磷光或荧光发光材料作为掺杂剂来形成发光层EML。发光层EML可以发射红色、绿色和蓝色光,或者发光层EML可以发射黄色光。
从发光层EML发射的光的颜色可以通过主体材料和掺杂剂材料的组合来确定。在实例中,当发光层EML发射红色光时,发光层EML可以包括荧光材料,该荧光材料包括三(二苯甲酰甲基)(菲咯啉)铕(PBD:Eu(DBM)3(Phen))或苝。在实施方案中,包括在发光层EML中的掺杂剂材料可以从金属和有机金属络合物中选择,例如二(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮合铱(PIQIr(acac))、二(1-苯基喹啉)乙酰丙酮合铱(PQIr(acac))、三(1-苯基喹啉)合铱(PQIr)或八乙基卟啉铂(PtOEP)。
在实施方案中,当发光层EML发射绿色光时,发光层EML可以含有包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)的荧光材料。在实施方案中,包括在发光层EML中的掺杂剂材料可以从金属和有机金属络合物中选择,例如面式-三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。
在实施方案中,当发光层EML发射蓝光时,发光层EML可以包括选自由以下组成的组的荧光材料:螺-DPVBi、螺-6P、二苯乙烯基苯、二苯乙烯基-亚芳基、聚芴(PFO)类聚合物和聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)类聚合物。在实施方案中,包括在发光层EML中的掺杂剂材料可以从金属和有机金属络合物中选择,例如(4,6-F2ppy)2Irpic。
根据实施方式的有机发光装置OLED-1可以具有这样的结构,其中第一电极EL1、第一有机层OL-1、第一电荷产生层CGL1、第二有机层OL-2和第二电极EL2依次堆叠。在实施方案中,如图2图示说明的,有机发光装置OLED-1可以是其中第一电极EL1是正极(阳极)且第二电极EL2是负极(阴极)的前发光型。在实施方案中,有机发光装置OLED-1可以是后发光型有机发光装置。
第一有机层OL-1可以包括第一发光层EML1(其发射第一波长范围的第一光)、第一空穴传输区HTR1(其将由第一电极EL1提供的空穴传输到第一发光层EML1)以及第一电子传输区ETR1(其将由第一电荷产生层CGL1产生的电子传输到第一发光层EML1)。在实施方案中,如图2图示说明的,第一空穴传输区HTR1可以包括第一空穴注入层HIL1和第一空穴传输层HTL1。在实施方案中,可以省略第一空穴传输层HTL1或第一空穴注入层HIL1中的一个。在实施方案中,第一电子传输区ETR1可以包括第一电子注入层EIL1和第一电子传输层ETL1。在实施方案中,可以省略第一电子注入层EIL1或第一电子传输层ETL1中的一个。在实施方案中,第一波长范围内的第一光可以是在例如约570nm至590nm的波长范围内的黄色光。
第一有机层OL-1可以包括磷光发光材料。例如,第一发光层EML1可以包括磷光发光材料。在实施方案中,第一发光层EML1可以包括发射黄绿色光的磷光黄绿色掺杂剂,例如4,4'-N,N'-二咔唑联苯(CBP)或双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)。
第一子电荷产生层CGL1-1可以是与第一有机层OL-1相邻设置且向第一有机层OL-1提供电子的n型电荷产生层。第二子电荷产生层CGL1-2可以是与第二有机层OL-2相邻设置且向第二有机层OL-2提供空穴的p型电荷产生层。在实施方案中,可以在第一子电荷产生层CGL1-1和第二子电荷产生层CGL1-2之间进一步设置缓冲层。
第二有机层OL-2可以包括第二发光层EML2(其发射第二波长范围的第二光)、第二空穴传输区HTR2(其将从第一电荷产生层CGL1提供的空穴传输到第二发光层EML2)以及第二电子传输区ETR2(其将从第二电极EL2产生的电子传输到第二发光层EML2)。在实施方案中,如图2图示说明的,第二空穴传输区HTR2可以包括第二空穴注入层HIL2和第二空穴传输层HTL2。在实施方案中,可以省略第二空穴传输层HTL2或第二空穴注入层HIL2中的一个。在实施方案中,第二电子传输区ETR2可以包括第二电子注入层EIL2和第二电子传输层ETL2。在实施方案中,可以省略第二电子注入层EIL2或第二电子传输层ETL2中的一个。第二波长范围内的第二光可以具有不同于第一发光层EML1发射的第一光的波长范围。在实施方案中,第二波长的第二光可以是在例如约450nm至595nm的波长范围内的蓝色光。
第二有机层OL-2可以包括荧光发光材料。例如,第二发光层EML2可以包括荧光发光材料。在实施方案中,第二发光层EML2可以在主体中包括荧光材料,例如螺-DPVBi、螺-6P、DSB、DSA、PFO类聚合物或PPV类聚合物,该主体包括例如CBP或1,3-二(咔唑-9-基)(mCP)。
第二有机层OL-2可以包括吸收紫外线辐射和一部分可见光的第一吸光染料。例如,第二有机层OL-2包括吸收约380nm至410nm的波长范围内的光的第一吸光染料。此处,吸收约380nm至410nm波长范围内的光的染料可以指具有最大吸收波长为约380nm至410nm的染料。
在根据实施方式的有机发光装置OLED-1中,约380nm至410nm的波长范围内的光可以在第二有机层OL-2中被吸收。在与第二电极EL2相邻的第二有机层OL-2中,约380nm至410nm的波长范围内的光的吸收可以有助于防止约380nm至410nm的波长范围内的外部光进入第一有机层OL-1。例如,第二有机层OL-2可以阻挡约380nm至410nm的波长范围内的光到达第一发光层EML1中的磷光发光材料。
如果约380nm至410nm的波长范围内的光到达包括在第一发光层EML1中的磷光材料,则可能发生磷光发光材料的大幅度的效率降低。例如,如果约380nm至410nm的波长范围内的光到达磷光发光材料,则有机发光装置OLED-1的驱动电压可能不期望地增加,且发光效率可能不期望地降低。在实施方案中,约380nm至410nm的波长范围内的光被包括在第二有机层OL-2中的第一吸光染料吸收可以有助于防止磷光发光材料的效率降低。保持吸收波长在约410nm或以下可以有助于确保防止磷光发光材料的效率降低的作用是足够的,并且可以有助于确保在蓝色光波长范围内不发生吸收,从而有助于防止降低有机发光装置的发光效率。
吸收约380nm至410nm波长范围内的光的第一吸光染料可以是适合的染料。在实施方案中,第一吸光染料可以包括例如苯并三唑、二苯甲酮、水杨酸、水杨酸酯、氰基丙烯酸酯、肉桂酸酯、草酰替苯胺、聚苯乙烯、聚二茂铁硅烷、次甲基、偶氮甲碱、三嗪、对氨基苯甲酸、肉桂酸、尿刊酸或其组合。
在实施方案中,第一吸光染料的分子结构可以包括例如咔唑基、胺基和芴基中的至少一个。在实施方案中,第一吸光染料可以由下式1表示。
[式1]
在实施方案中,可以使用一种第一吸光染料,或者可以使用两种或更多种类型的第一吸光染料的组合。在实施方案中,可以使用一种类型的第一吸光染料来实现吸收约380nm至410nm的波长范围内光的效果。在实施方案中,也可以通过组合两种或更多种类型的第一吸光染料来实现吸收约380nm至410nm的波长范围内的光的效果。
在实施方案中,第一吸光染料可以包括在第二有机层OL-2中的第二空穴传输区HTR2中。在实施方案中,第一吸光染料可以包括在第二空穴传输层HTL2中。在实施方案中,第一吸光染料可以包括在包括于第二有机层OL-2中的其它层中。在实施方案中,第一吸光染料可以包括在包括于第二有机层OL-2中的多个层中的每个中。
在实施方案中,第二有机层OL-2对于约380nm至410nm的波长范围内的光可以具有至多约10%的透过率。为了有助于确保第二有机层OL-2对于约380nm至410nm的波长范围内的光具有约10%或以下的透过率,至少一个包括第一吸光染料的层可以包括在第二有机层OL-2中。在实施方案中,包括第一吸光染料的层可以具有约10nm至150nm的厚度。将包括第一吸光染料的层的厚度维持在约10nm或以上有助于确保实现对于约380nm至410nm的波长范围内的光的10%或以下的透过率。将厚度保持在约150nm或以下可以有助于防止驱动电压增加。在包括于第二有机层OL-2中的单个层中包括的第一吸光染料可以使第二有机层OL-2对于约380nm至410nm的波长范围内的光具有约10%或以下的透过率,或者在包括于第二有机层OL-2中的多个层中包括的第一吸光染料可以使第二有机层OL-2对于约380nm至410nm的波长范围内的光具有约10%或以下的透过率。
图3图示说明根据一个实施方式的有机发光装置的层叠结构的示意性截面图。
参考图3,根据实施方式的有机发光装置OLED-2可以包括三个有机层OL。例如,除了在图1图示说明的有机发光装置OLED中包括的两个有机层OL之外,根据本实施方式的有机发光装置OLED-2还可以包括在第一电极EL1和第一有机层OL-1之间的第三有机层OL-3。在第一有机层OL-1和第三有机层OL-3之间可以进一步包括第二电荷产生层CGL2。
第一有机层OL-1、第二有机层OL-2和第三有机层OL-3可以分别发射红色、绿色和蓝色光,或者可以发射黄色光。在实施方案中,可以选择由每个有机层OL分别发射的光的波长或顺序,使得可以通过组合光来产生白光。
第三子电荷产生层CGL2-1可以是与第三有机层OL-3相邻设置且向第三有机层OL-3提供电子的n型电荷产生层。第四子电荷产生层CGL2-2可以是与第一有机层OL-1相邻设置且向第一有机层OL-1提供空穴的p型电荷产生层。在实施方案中,在第三子电荷产生层CGL2-1和第四子电荷产生层CGL2-2之间可以进一步设置缓冲层。
第三有机层OL-3可以包括荧光发光材料。例如,第三发光层EML3可以包括荧光发光材料。在实施方案中,第三发光层EML3可以在主体中包括荧光材料,例如螺-DPVBi、螺-6P、DSB、DSA、PFO类聚合物或PPV类聚合物,该主体包括例如CBP或mCP。包括在第三有机层OL-3中的荧光发光材料可以与包括在第二有机层OL-2中的荧光发光材料相同或不同。
在实施方案中,第三有机层OL-3可以包括磷光发光材料。例如,第三发光层EML3可以包括磷光发光材料。在实施方案中,第三发光层EML3可以在主体(例如CBP或BAlq)中包括磷光掺杂剂。
如参考图2描述的,第二有机层OL-2可以包括吸收约380nm至410nm的波长范围内的光的第一吸光染料。约380nm至410nm的波长范围内的光可以在与第二电极EL2相邻的第二有机层OL-2中被吸收,从而可以有利地防止约380nm至410nm的波长范围内的外部光进入第一有机层OL-1和第三有机层OL-3。
如果紫外线辐射或一部分可见光被发射或入射到包括在发光层中的磷光发光材料上,则磷光发光材料可能被破坏,使得可能存在限制,即有机发光装置的发光效率可能显著降低且驱动电压增加。例如,从外部进入的约380nm至410nm的波长范围内的光可能破坏磷光发光材料,从而降低发光效率。因此,可能存在限制,即有机发光装置中发光效率可能显著降低且驱动电压可能增加。根据实施方案,包括在第二有机层OL-2中的第一吸光染料可以吸收约380nm至410nm的波长范围内的光(例如外部光),因而可以防止分别包括在第一发光层EML1和第三发光层EML3中的磷光发光材料的效率降低。
图4图示说明根据另一实施方式的有机发光装置的层叠结构的示意性截面图。
参考图4,根据实施方式的有机发光装置OLED-3可以包括三个有机层OL。例如,除了在图1图示说明的有机发光装置OLED中包括的两个有机层OL之外,根据本实施方式的有机发光装置OLED-3还可以包括在第二电极EL2和第二有机层OL-2之间的第四有机层OL-4。在第二有机层OL-2和第四有机层OL-4之间可以进一步包括第三电荷产生层CGL3。
在实施方案中,第一有机层OL-1、第二有机层OL-2和第四有机层OL-4可以分别发射红色、绿色和蓝色光,或者可以发射黄色光。在实施方案中,当可以通过组合光来产生白光时,可以适当地选择由每个有机层OL分别发射的光的波长或顺序。
在实施方案中,第五子电荷产生层CGL3-1可以是与第二有机层OL-2相邻设置且向第二有机层OL-2提供电子的n型电荷产生层。第六子电荷产生层CGL3-2可以是与第四有机层OL-4相邻设置且向第四有机层OL-4提供空穴的p型电荷产生层。在实施方案中,在第五子电荷产生层CGL3-1和第六子电荷产生层CGL3-2之间可以进一步设置缓冲层。
第四有机层OL-4可以包括荧光发光材料。例如,第四发光层EML4可以包括荧光发光材料。在实施方案中,第四发光层EML4可以在主体(例如CBP或mCP)中包括荧光材料,例如螺-DPVBi、螺-6P、DSB、DSA、PFO类聚合物或PPV类聚合物。包括在第四有机层OL-4中的荧光发光材料可以与包括在第二有机层OL-2中的荧光发光材料相同或不同。
如参考图2描述的,第二有机层OL-2可以包括吸收约380nm至410nm的波长范围内的光的第一吸光染料。此外,第四有机层OL-4可以包括吸收约380nm至410nm的波长范围内的光第二吸光染料。通过包括第二吸光染料,与第二电极EL2相邻的第四有机层OL-4可以有助于防止约380nm至410nm的波长范围内的光进入第一有机层OL-1。吸收约380nm至410nm波长范围内的光的第二吸光染料可以是适合的染料。第二吸光染料可以与第一吸光染料相同或不同。
如果紫外线辐射或一部分可见光被发射或入射到包括在发光层中的磷光发光材料上,则磷光发光材料可能被破坏,使得可能存在限制,即有机发光装置的发光效率显著降低且驱动电压增加。例如,从外部进入的约380nm至410nm的波长范围内的光可能破坏磷光发光材料,从而降低发光效率,因而可能存在限制,即有机发光装置中的发光效率显著降低且驱动电压增加。根据实施方案,包括在第二有机层OL-2中的第一吸光染料可以吸收约380nm至410nm的波长范围内的光,因而可以防止分别包括在第一发光层EML1和第三发光层EML3中的磷光发光材料的效率降低。
在下文中,给出根据实施方式的显示装置的描述。
图5图示说明根据实施方式的显示装置的透视图。
参考图5,根据实施方式的显示装置10可以包括显示区DA和非显示区NDA。显示区DA显示图像。在实施方式中,当沿显示装置10的厚度方向观察时,显示区DA可以具有大致矩形形状。
显示区DA可以包括多个像素区PA。像素区PA可以以矩阵形式布置。像素区PA可以由像素限定层(图8A中的PDL)限定。像素区PA可以包括多个像素中的各个像素(图6中的PX)。每个像素可以包括有机发光装置(图1中的OLED)。
非显示区NDA可以不显示图像。当沿显示装置10的厚度方向DR3观察时,非显示区NDA可以例如围绕显示区DA。在第一方向DR1和第二方向DR2上非显示区NDA可以与显示区DA相邻。
图6图示说明根据一个实施方式的显示装置中包括的像素中的一个的电路图。图7图示说明根据一个实施方式的显示装置中包括的像素中的一个的平面图。图8A至8C图示说明沿图7中I-I'的示意性截面图。
参考图6至图8A,每个像素PX可以连接到由栅极线GL、数据线DL和驱动电压线DVL构成的布线部。每个像素PX包括连接到布线部的薄膜晶体管TFT1和TFT2、连接到薄膜晶体管TFT1和TFT2的有机发光装置OLED以及电容器Cst。每个像素PX可以发射预定颜色的光,例如红色光、绿色光、蓝色光、白色光、黄色光、青色光等中的一个。
在一个实施方案中,如图6图示说明的,在平面上,每个像素PX可以具有矩形形状。在一个实施方案中,每个像素PX可以具有圆形、椭圆形、四边形(例如,正方形、梯形和菱形)中的至少一种形状。此外,在平面上,每个像素PX可以例如具有带有圆角的矩形的形状。
栅极线GL沿第一方向DR1延伸。数据线DL沿与栅极线GL相交的第二方向DR2延伸。驱动电压线DVL沿与数据线DL基本上相同的方向(即第二方向DR2)延伸。栅极线GL将扫描信号发送到薄膜晶体管TFT1和TFT2,数据线DL将数据信号发送到薄膜晶体管TFT1和TFT2,驱动电压线DVL向薄膜晶体管TFT1和TFT2提供驱动电压。
薄膜晶体管TFT1和TFT2包括用于控制有机发光装置OLED的驱动薄膜晶体管TFT2和用于开关驱动薄膜晶体管TFT2的开关薄膜晶体管TFT1。在实施方案中,每个像素PX被描述为包括两个薄膜晶体管TFT1和TFT2。在实施方案中,每个像素PX还可以具有一个薄膜晶体管和电容器。每个像素PX还可以被提供有三个或更多个薄膜晶体管和两个或更多个电容器。
开关薄膜晶体管TFT1包括第一栅极GE1、第一源极SE1和第一漏极DE1。第一栅极GE1连接到栅极线GL,并且第一源极SE1连接到数据线DL。第一漏极DE1经由第六接触孔CH6连接到第一共用电极CE1。响应于施加到栅极线GL的扫描信号,开关薄膜晶体管TFT1向驱动薄膜晶体管TFT2发送施加到数据线DL的数据信号。
驱动薄膜晶体管TFT2包括第二栅极GE2、第二源极SE2和第二漏极DE2。第二栅极GE2连接到第一共用电极CE1。第二源极SE2连接到驱动电压线DVL。第二漏极DE2经由第三接触孔CH3与第一电极EL1连接。
电容器Cst连接在驱动薄膜晶体管TFT2的第二栅极GE2和第二源极SE2之间,并且被充电并保持数据信号输入到驱动薄膜晶体管TFT2的第二栅极GE2。电容器Cst可以包括经由第六接触孔CH6与第一漏极DE1连接的第一共用电极CE1以及与驱动电压线DVL连接的第二共用电极CE2。
根据实施方式的显示装置10包括基底基板BS,在该基底基板BS上层叠有薄膜晶体管TFT1和TFT2以及有机发光装置OLED-1。基底基板BS可以是适合的基板。例如,基底基板BS可以由比如玻璃、塑料或石英的绝缘材料形成。形成基底基板BS的有机聚合物可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺、聚醚砜等。可以通过考虑机械强度、热稳定性、透明度、表面平坦度、易处理性、防水等来选择基底基板BS。
在实施方案中,基板缓冲层可以设置在基底基板BS上。基板缓冲层可以有助于防止杂质扩散到开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2。基板缓冲层可以由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等形成,并且可以根据基底基板BS材料和工艺条件而被省略。
第一半导体层SM1和第二半导体层SM2设置在基底基板BS上。第一半导体层SM1和第二半导体层SM2由半导体材料形成,且分别起到用于开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2的有源层的作用。第一半导体层SM1和第二半导体层SM2中的每个包括源极区SA、漏极区DRA和设置在源极区SA和漏极区DRA之间的沟道区CA。第一半导体层SM1和第二半导体层SM2中的每个可以由从无机半导体或有机半导体中选择的一种来形成。源极区SA和漏极区DRA可以掺杂有n型杂质或p型杂质。
栅极绝缘层GI设置在第一半导体层SM1和第二半导体层SM2上。栅极绝缘层GI覆盖第一半导体层SM1和第二半导体层SM2。栅极绝缘层GI可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料中的至少一种。
第一栅极GE1和第二栅极GE2设置在栅极绝缘层GI上。第一栅极GE1和第二栅极GE2被形成以便分别覆盖与第一半导体层SM1和第二半导体层SM2中的沟道区CA相对应的区域。
第一源极SE1和第一漏极DE1以及第二源极SE2和第二漏极DE2设置在层间绝缘层IL上。第二漏极DE2经由形成在栅极绝缘层GI和层间绝缘层IL中的第一接触孔CH1与第二半导体层SM2的漏极区DRA接触。第二源极SE2经由形成在栅极绝缘层GI和层间绝缘层IL中的第二接触孔CH2与第二半导体层SM2的源极区SA接触。第一源极SE1经由形成在栅极绝缘层GI和层间绝缘层IL中的第四接触孔CH4与第一半导体层SM1的源极区接触。第一漏极DE1经由形成在栅极绝缘层GI和层间绝缘层IL中的第五接触孔CH5与第一半导体层SM1的漏极区接触。
钝化层PL形成在第一源极SE1和第一漏极DE1以及第二源极SE2和第二漏极DE2上。钝化层PL可以起到保护开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2的保护膜的作用,并且还可以起到使其顶面变平的平坦化膜的作用。
第一电极EL1设置在钝化层PL上。第一电极EL1可以是例如像素电极或正极。第一电极EL1可以经由形成在钝化层PL中的第三接触孔CH3连接到驱动薄膜晶体管TFT2中的第二漏极DE2。
第一有机层OL-1可以设置在第一电极EL1上。第一有机层OL-1可以包括第一空穴传输区HTR1、第一发光层EML1和第一电子传输区ETR1。第一空穴传输区HTR1可以包括第一空穴注入层HIL1和第一空穴传输层HTL1中的至少一个。第一电子传输区ETR1可以包括第一电子传输层ETL1和第一电子注入层EIL1中的至少一个。
第二有机层OL-2可以设置在第一有机层OL-1上。第二有机层OL-2可以包括第二空穴传输区HTR2、第二发光层EML2和第二电子传输区ETR2。第二空穴传输区HTR2可以包括第二空穴注入层HIL2和第二空穴传输层HTL2中的至少一个。第二电子传输区ETR2可以包括第二电子传输层ETL2和第二电子注入层EIL2中的至少一个。
第一电荷产生层CGL1可以设置在第一有机层OL-1和第二有机层OL-2之间。第一电荷产生层CGL1可以向有机层OL-1和OL-2中的每个提供产生的电子和空穴。
第二电极EL2可以设置在第二有机层OL-2上。第二电极EL2可以是共用电极或负极。在实施方案中,第二电极EL2可以与辅助电极连接。
当有机发光装置OLED-1为前发光型时,第一电极EL1可以是反射型电极,且第二电极EL2可以是透射型或半透射型电极。磷光发光材料可以包括在第一有机层OL-1中。在第二有机层OL-2中可以包括吸收紫外线辐射和一部分可见光的第一吸光染料。例如,在第二有机层OL-2中包括吸收约380nm至410nm的波长范围内的光的第一吸光染料。在与第二电极EL2相邻的第二有机层OL-2中的约380nm至410nm的波长范围内的光的吸收可有助于防止约380nm至410nm的波长范围内的外部光进入或到达第一有机层OL-1。例如,第二有机层OL-2可以阻挡约380nm至410nm的波长范围内的光到达包括在第一发光层EML1中的磷光材料。
如果约380nm至410nm的波长范围内的光到达包括在第一发光层EML1中的磷光材料,则可能发生磷光发光材料的大幅度的效率降低。例如,如果约380nm至410nm的波长范围内的光到达磷光发光材料,则有机发光装置OLED-1的驱动电压可能增加,并且发光效率可能降低。
根据实施方式,包括在第二有机层OL-2中的第一吸光染料对于约380nm至410nm的波长范围内的光的吸收可有助于防止磷光发光材料的不期望的效率降低。如果吸收波长超过约410nm,则防止磷光发光材料的效率降低的效果可能是不足的,此外,在蓝色光波长范围内可能发生吸收,使得有机发光装置的发光效率可能降低。
吸收约380nm至410nm波长范围内的光的第一吸光染料可以是适合的染料。在实施方案中,第一吸光染料可以包括例如苯并三唑、二苯甲酮、水杨酸、水杨酸酯、氰基丙烯酸酯、肉桂酸酯、草酰替苯胺、聚苯乙烯、聚二茂铁硅烷、次甲基、偶氮甲碱、三嗪、对氨基苯甲酸、肉桂酸、尿刊酸或其组合。
在实施方案中,第一吸光染料的分子结构可以包括例如咔唑基、胺基或芴基。在实施方案中,第一吸光染料可以由下式1表示。
[式1]
当有机发光装置OLED-1为后发光型时,第一电极EL1可以是透射型或半透射型电极,且第二电极EL2可以是反射型电极。在这种情况下,与有机发光装置OLED-1为前发光型时不同,在第二有机层OL-2中可以包括磷光发光材料,在第一有机层OL-1中包括吸收约380nm至410nm的波长范围内的光的第一发光染料。
在下文中,描述涉及其中有机发光装置为前发光型的情况。在实施方案中,有机发光装置可以是后发光型。在这种情况下,电极EL、有机层OL和电荷产生层CGL的堆叠顺序可以不同。
参考图8B,有机发光装置OLED-2可以包括三个有机层OL。例如,除了图8A中图示说明的两个有机层OL之外,根据实施方式的有机发光装置OLED-2还可以包括在第一电极EL1和第一有机层OL-1之间的第三有机层OL-3。在第一有机层OL-1和第三有机层OL-3之间可以进一步包括第二电荷产生层CGL2。
第三有机层OL-3可以包括磷光发光材料或荧光发光材料。当第三有机层OL-3中包括磷光发光材料时,可以通过包括在第二有机层OL-2中的第一吸光染料阻挡约380nm至410nm的波长范围内的光以防止到达第三有机层OL-3。因此,可以防止包括在第三有机层OL-3中的磷光发光材料的效率降低,并且可以防止有机发光装置OLED-2的驱动电压的增加。
参考图8C,有机发光装置OLED-3可以包括三个有机层OL。例如,除了图1中图示说明的有机发光装置OLED中所包括的两个有机发光层OL之外,根据本实施方式的有机发光装置OLED-3还可以包括在第二电极EL2和第二有机层OL-2之间的第四有机层OL-4。在第二有机层OL-2和第四有机层OL-4之间可以进一步包括第三电荷产生层CGL3。
第四有机层OL-4可以包括荧光发光材料。例如,第四有机层OL-4可以包括吸收约380nm至410nm的波长范围内的光的第二吸光染料。通过包括第二吸光染料,与第二电极EL2相邻的第四有机层OL-4可以防止约380nm至410nm的波长范围内的光进入第一有机层OL-1。吸收约380nm至410nm波长范围内的光的第二吸光染料可以是适合的染料。第二吸光染料可以与第一吸光染料相同或不同。
如果紫外线辐射或一部分可见光被发射或入射到包括在发光层中的磷光发光材料上,则磷光发光材料可能被破坏,使得可能存在限制,即有机发光装置的发光效率显著降低,且驱动电压增加。例如,从外部进入的约380nm至410nm的波长范围内的光可能破坏磷光发光材料,从而降低发光效率,因而可能存在限制,即在有机发光装置中发光效率显著降低且驱动电压增加。根据实施方式,包括在第二有机层OL-2中的第一吸光染料可以吸收约380nm至410nm的波长范围内的光,因而可以有利地防止分别包括在第一发光层EML1和第三发光层EML3中的磷光发光材料的效率的降低。
为了强调一个或多个实施方式的特征,提供以下实施例和对比例,但是将理解,实施例和对比例不应被解释为限制实施方式的范围,而对比例也不能被解释为在实施方式的范围之外。此外,将理解,实施方式不限于实施例和对比例中描述的具体细节。
实施例1
使用ITO在玻璃基板上形成正极。第一有机层通过顺序形成以下来形成:由2-TNATA构成的空穴注入层、由N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯]-4,4'-二胺(TPD)构成的空穴传输层、由掺杂有黄绿掺杂剂的双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)构成的发光层,由Alq3构成的电子传输层和由LiF构成的电子注入层。在第一有机层上沉积Li掺杂的n型电荷产生层和p型电荷产生层,以形成电荷产生层。在电荷产生层上形成由2-TNATA构成的空穴注入层和由下式1表示的化合物构成的空穴传输层。接下来,第二有机层通过在空穴传输层上顺序形成以下来完成:由掺杂有蓝色掺杂剂且包括4,4'-N,N'-二咔唑联苯(CBP)的主体构成的发光层、由Alq3构成的电子传输层和由LiF构成的电子注入层。然后使用Al在第二有机层上形成负极。
[式1]
对比例1
除了由式1表示的化合物未被插入到空穴传输层中以外,以与实施例1相同的方式制备装置。
实验结果
在将根据实施例1和对比例1制造的有机发光装置暴露于阳光下96小时之后,比较暴露于阳光下之前和之后的驱动电压和发光效率。驱动电压和发光效率在以10mA/cm2的电流密度下工作时测量。
[表1]
图9分别图示说明显示实施例1和对比例1的透过率随波长范围的图。从图9的结果可以看出,通过在第二有机层的空穴传输层中使用吸光染料,可以获得对于约380nm至410nm的波长范围内的光的光吸收效果。
参考表1,可以看出,在对比例1中,当在暴露于阳光下96小时后操作时,驱动电压增加,并且发光效率降低约1/2。可以看出,在实施例1中,当在暴露于阳光下96小时后操作时,驱动电压没有增加,发光效率的降低约为对比例1的一半。
根据实施方式的有机发光装置可以通过阻挡从装置外部进入的紫外线辐射和一部分可见光来有助于防止对发光层的破坏。
根据实施方式的显示装置可以通过阻挡从装置外部进入的紫外线辐射和一部分可见光来有助于防止发光效率的降低。
本申请实施方式可以提供阻挡从外部进入的紫外线辐射和一部分可见光的有机发光装置。
本申请实施方式可以提供能够通过阻挡从外部进入的紫外线辐射和一部分可见光来防止对发光层的破坏的有机发光装置。
本申请实施方式可以提供一种包括有机发光装置的显示装置,该有机发光装置能够通过阻挡从外部进入的紫外线辐射和一部分可见光来防止对发光层的破坏。
本文已经公开了示例性实施方式,并且尽管采用了特定术语,但是它们仅以一般的且描述性的意义被使用和解释,而不是为了限制的目的。在一些情形中,如对于在本申请提交之时的本领域普通技术人员来说是明显的,除非另有具体指示,关于特定实施方式描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与关于其他实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此,本领域技术人员将理解,在不脱离权利要求书中阐述的本发明的精神和范围的情况下,可以做出形式和细节上的各种改变。
Claims (10)
1.一种有机发光装置,包括:
第一电极;
在所述第一电极上的第一有机层;
在所述第一有机层上的第一电荷产生层;
在所述第一电荷产生层上的第二有机层,所述第二有机层包括具有380nm至410nm的吸收波长的第一吸光染料;以及
在所述第二有机层上的第二电极,其中光从所述有机发光装置沿所述第一电极到所述第二电极的方向被发射。
2.如权利要求1所述的有机发光装置,其中:
所述第一有机层包括发射第一光的第一发光层、在所述第一电极和所述第一发光层之间的第一空穴传输区以及在所述第一发光层和所述第一电荷产生层之间的第一电子传输区;并且
所述第二有机层包括发射不同于所述第一光的第二光的第二发光层、在所述第一电荷产生层和所述第二发光层之间的第二空穴传输区以及在所述第二发光层和所述第二电极之间的第二电子传输区。
3.如权利要求2所述的有机发光装置,其中所述第二空穴传输区包括所述第一吸光染料。
4.如权利要求1所述的有机发光装置,其中:
所述第一有机层包括磷光发光材料;并且
所述第二有机层包括荧光发光材料。
5.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述第二有机层对于380nm至410nm的波长范围内的光具有10%或以下的透过率。
6.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述第一吸光染料由下式1表示:
[式1]
7.如权利要求1所述的有机发光装置,进一步包括:
在所述第一电极和所述第一有机层之间的第三有机层;以及
在所述第一有机层和所述第三有机层之间的第二电荷产生层。
8.如权利要求7所述的有机发光装置,其中:
所述第一有机层包括磷光发光材料;
所述第二有机层包括第一荧光发光材料;并且
所述第三有机层包括第二荧光发光材料。
9.如权利要求1所述的有机发光装置,进一步包括:
在所述第二电极和所述第二有机层之间的第四有机层;以及
在所述第二有机层和所述第四有机层之间的第三电荷产生层。
10.如权利要求9所述的有机发光装置,其中:
所述第一有机层包括磷光发光材料;
所述第二有机层包括第一荧光发光材料;并且
所述第四有机层包括第二荧光发光材料。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2016-0082747 | 2016-06-30 | ||
KR1020160082747A KR102616023B1 (ko) | 2016-06-30 | 2016-06-30 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107565036A true CN107565036A (zh) | 2018-01-09 |
CN107565036B CN107565036B (zh) | 2021-06-29 |
Family
ID=60807808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710523805.8A Active CN107565036B (zh) | 2016-06-30 | 2017-06-30 | 有机发光装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11258032B2 (zh) |
KR (1) | KR102616023B1 (zh) |
CN (1) | CN107565036B (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102309894B1 (ko) * | 2017-03-14 | 2021-10-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR102527664B1 (ko) | 2018-04-24 | 2023-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
CN110299464A (zh) * | 2019-07-03 | 2019-10-01 | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 | Oled发光组件、蒸镀方法、装置及控制方法 |
KR102500996B1 (ko) * | 2019-07-12 | 2023-02-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 패널 |
KR102760407B1 (ko) * | 2019-09-04 | 2025-02-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR102743698B1 (ko) * | 2020-12-29 | 2024-12-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 다이오드 소자와 이를 이용한 표시장치 |
JP7635042B2 (ja) | 2021-03-24 | 2025-02-25 | Lumiotec株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子、ディスプレイ装置、照明装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1438828A (zh) * | 2002-02-15 | 2003-08-27 | 伊斯曼柯达公司 | 具有层叠的场致发光单元的有机场致发光器件 |
CN1578561A (zh) * | 2003-07-29 | 2005-02-09 | 三星Sdi株式会社 | 含有紫外光稳定剂的有机电致发光显示装置 |
CN1702065A (zh) * | 2004-04-02 | 2005-11-30 | 三星Sdi株式会社 | 芴基化合物和使用该化合物的有机电致发光显示器件 |
US20060040131A1 (en) * | 2004-08-19 | 2006-02-23 | Eastman Kodak Company | OLEDs with improved operational lifetime |
CN1870285A (zh) * | 2000-12-28 | 2006-11-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件及其制造方法 |
CN101006594A (zh) * | 2004-08-20 | 2007-07-25 | 伊斯曼柯达公司 | 具有多层白色电致发光元件的白色有机发光二极管 |
CN100589249C (zh) * | 2003-03-28 | 2010-02-10 | 三洋电机株式会社 | 有机场致发光元件及其制造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140092361A (ko) | 2011-11-25 | 2014-07-23 | 코니카 미놀타 가부시키가이샤 | 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치 및 원편광판 |
KR101900815B1 (ko) * | 2011-12-20 | 2018-09-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자 |
KR102089331B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2020-03-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102181332B1 (ko) | 2013-12-26 | 2020-11-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 |
US9455304B2 (en) | 2014-06-26 | 2016-09-27 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode display with white and blue diodes |
-
2016
- 2016-06-30 KR KR1020160082747A patent/KR102616023B1/ko active Active
-
2017
- 2017-06-26 US US15/632,759 patent/US11258032B2/en active Active
- 2017-06-30 CN CN201710523805.8A patent/CN107565036B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1870285A (zh) * | 2000-12-28 | 2006-11-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件及其制造方法 |
CN1438828A (zh) * | 2002-02-15 | 2003-08-27 | 伊斯曼柯达公司 | 具有层叠的场致发光单元的有机场致发光器件 |
CN100589249C (zh) * | 2003-03-28 | 2010-02-10 | 三洋电机株式会社 | 有机场致发光元件及其制造方法 |
CN1578561A (zh) * | 2003-07-29 | 2005-02-09 | 三星Sdi株式会社 | 含有紫外光稳定剂的有机电致发光显示装置 |
CN1702065A (zh) * | 2004-04-02 | 2005-11-30 | 三星Sdi株式会社 | 芴基化合物和使用该化合物的有机电致发光显示器件 |
US20060040131A1 (en) * | 2004-08-19 | 2006-02-23 | Eastman Kodak Company | OLEDs with improved operational lifetime |
CN101006594A (zh) * | 2004-08-20 | 2007-07-25 | 伊斯曼柯达公司 | 具有多层白色电致发光元件的白色有机发光二极管 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180003710A (ko) | 2018-01-10 |
US20180006260A1 (en) | 2018-01-04 |
KR102616023B1 (ko) | 2023-12-22 |
CN107565036B (zh) | 2021-06-29 |
US11258032B2 (en) | 2022-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106611821B (zh) | 有机电致发光装置 | |
CN106560935B (zh) | 有机电致发光装置 | |
CN107565036B (zh) | 有机发光装置 | |
CN117042538A (zh) | 有机电致发光显示装置 | |
CN105990529B (zh) | 有机发光器件 | |
CN113782691A (zh) | 蓝色有机发光器件以及包括蓝色有机发光器件的显示器件 | |
US10763439B2 (en) | Organic light emitting device and display device including the same | |
KR102369595B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
US9673413B2 (en) | Organic light-emitting device and display apparatus including the same | |
KR102715632B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 | |
CN106549033B (zh) | 有机发光装置和具有该有机发光装置的显示装置 | |
CN110021706B (zh) | 有机电致发光器件、制造其的方法和包括其的显示装置 | |
US20230200228A1 (en) | Organic light emitting diode and organic light emitting device including thereof | |
US20170133604A1 (en) | Organic light emitting device and display device having the same | |
CN111312910A (zh) | 有机电致发光器件 | |
KR102175791B1 (ko) | 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 | |
KR102181311B1 (ko) | 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 | |
US20240206214A1 (en) | Organic light emitting diode and organic light emitting device | |
US20240276754A1 (en) | Organic light emitting device | |
US20240237385A1 (en) | Organic light emitting diode and organic light emitting device | |
US20240215295A1 (en) | Organic Light Emitting Diode and Organic Light Emitting Device | |
US20240244866A1 (en) | Organic light emitting diode comprising organometallic compound and plurality of host materials |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |