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CN107492564B - 显示设备及其制备方法 - Google Patents

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CN107492564B
CN107492564B CN201710433441.4A CN201710433441A CN107492564B CN 107492564 B CN107492564 B CN 107492564B CN 201710433441 A CN201710433441 A CN 201710433441A CN 107492564 B CN107492564 B CN 107492564B
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种显示设备及其制备方法。所述显示设备包括第一基板、位于第一基板上并且包括突起的有机发光层和包括钝化膜的像素电路，钝化膜具有与突起啮合的接触孔，其中突起位于与接触孔对应的位置处，并且通过导电粘合剂粘合到接触孔中的像素电路。

Description

显示设备及其制备方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2016年6月10日提交的第10-2016-0072776号韩国专利申请的优先权及其权益，由此为所有目的通过引用将该韩国专利申请并入本文，如同在本文中充分地阐述一样。
技术领域
本发明一般涉及显示设备和制备该显示设备的方法，并且更具体地，涉及导致更薄且更柔性的设备的显示设备及其制备方法。
背景技术
已经开发出各种类型的显示信息的显示设备。这些显示设备的示例可包括液晶显示器、等离子显示面板设备、电泳显示设备和有机发光显示器。
通常，显示设备使用光学透明胶(OCA)来维持堆叠在基板上的结构之间的层间粘合。通常，OCA位于窗口和偏振层之间，使得从像素层发射的光在由像素层发射之后穿过OCA。因此，OCA通常是光学透明的。此外，通常，各层使用OCA热处理彼此粘合。
然而，由于在低温和高温时层间结构的材料的差异，光学透明胶(OCA)可使得难以对显示设备进行折叠、扭曲、压缩、拉伸、卷绕或另外进行有意弯曲。此外，光学透明胶(OCA)的厚度可阻碍显示设备变得跟当显示设备不包括OCA时一样薄。
本背景部分中公开的上述信息仅仅用于加深对本发明构思的背景的理解，因此其可以包含不形成在本国本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的一个或多个示例性实施例提供了一种更薄和/或更容易弯曲的显示设备及其制备方法。制造装置的示例性方法最小化或避免了使用热处理粘合各层。
一个或多个示例性实施例在使得从像素层向观看者发射的光通常不会穿过粘合剂的位置提供粘合剂。相应地，在这些实施例中，利用非光学透明(即，不透明)的粘合剂材料是可能的。
附加方面将在下面的具体实施方式中阐述，并且将部分地根据本公开显而易见，或者可以通过本发明构思的实践来领会。
根据本发明的一个方面，显示设备包括第一基板、设置在第一基板上并且包括突起的有机发光层、设置在有机发光层上的导电粘合剂、设置在导电粘合剂上并且包括钝化膜的像素电路以及设置在像素电路上的第二基板，钝化膜具有与突起啮合的接触孔，其中突起位于与接触孔对应的位置处并且通过导电粘合剂粘合到像素电路。
突起可被插入到接触孔中。
有机发光层可包括设置在第一基板上的第一电极、设置在第一基板上并且划分像素区域的像素限定层、设置在第一电极上的发射层和设置在发射层上的第二电极，其中，突起为像素限定层。
像素区域可被提供为多个像素区域，并且第二电极可被设置到多个像素区域中的每一个。
第一电极可以是阳极，并且第二电极可以是阴极。
像素电路可包括设置在第二基板上的薄膜晶体管；设置在薄膜晶体管上并且包括接触孔的钝化膜，薄膜晶体管的漏电极的一部分通过接触孔被暴露；和在钝化膜上提供的接触电极，接触电极通过接触孔连接到漏电极。
薄膜晶体管可包括设置在第二基板上的有源图案、设置在有源图案上的栅电极以及连接到有源图案的源电极和漏电极，其中有源图案包括氧化物半导体。
接触电极可连接到有机发光层，导电粘合剂置于接触电极与有机发光层之间。
导电粘合剂可被设置在接触孔中。
导电粘合剂可被设置在第二基板的整个表面上。
显示设备可进一步包括设置在第一基板上用来感测触摸的触摸感测部分。
触摸感测部分可包括感测电极和连接到感测电极的连接线。
触摸感测部分可进一步包括压力感测电极，压力感测电极与感测电极隔开并与感测电极形成电容。
触摸感测部分可包括自电容式触摸传感器。
触摸感测部分可以是互电容式触摸传感器。
触摸感测部分可包括黑矩阵，黑矩阵与感测电极和连接线中的至少一种重叠。
触摸感测部分可包括滤色器，滤色器显示不同的颜色。
导电粘合剂可以是各向异性导电膜。
导电粘合剂可以是不透明的，并且包括有机聚合物和在有机聚合物中提供的纳米尺寸的导电粒子。
显示设备可进一步包括偏振层，偏振层被设置在第一基板和有机发光层之间。
偏振层可通过堆叠至少一个黑色金属层和至少一个绝缘层而形成。
偏振层可通过在第一金属层和第二金属层之间堆叠电介质层而形成。
第一金属层和第二金属层中的至少一个可以是黑色金属层。
第一基板和第二基板中的至少一个可具有柔性。
第二基板可包括金属层。
根据本发明的另一方面，制备显示设备的方法包括：在第一基板上形成有机发光层，在第二基板上形成像素电路，在像素电路上形成导电粘合剂，以及通过使用导电粘合剂依靠粘合将有机发光层和像素电路彼此耦接。
将有机发光层和像素电路彼此耦接的步骤包括：在有机发光层和像素电路之间设置导电粘合剂。
有机发光层可包括向像素电路的方向突出的突起，像素电路可包括接触孔，并且当有机发光层和像素电路彼此耦接时突起可被插入到接触孔中。
形成有机发光层的步骤可包括：在第一基板上形成第一电极，在第一基板上形成划分像素区域的像素限定层，在第一电极上形成有机发射层，以及在有机发射层上形成第二电极，其中，突起为像素限定层。
按压的步骤可将有机发光层和像素电路彼此电耦接。
制备显示设备的方法可进一步包括：在形成像素电路之前，在第二基板上形成压力感测电极。
根据本发明的又一方面，显示设备可包括第一基板、设置在第一基板上并且包括突起的有机发光层以及包括钝化膜的像素电路，钝化膜具有与突起啮合的接触孔，其中突起位于与接触孔对应的位置处，并且通过导电粘合剂粘合到接触孔中的像素电路。
导电粘合剂可被设置在有机发光层上。
导电粘合剂可仅在突起处被设置在有机发光层上，其中像素电路被设置在导电粘合剂上，并且其中突起仅在突起和接触孔的对应位置处通过导电粘合剂粘合到像素电路。
突起可具有底部、顶部以及将底部连接到顶部的侧壁，并且导电粘合剂可在突起的底部的较低水平处、以及侧壁上和突起的较高水平处的顶部上被设置在有机发光层上，其中像素电路被设置在导电粘合剂上，并且其中突起在较低水平处、在较高水平处和在侧壁处通过导电粘合剂粘合到像素电路。
根据本发明的又一方面，柔性显示设备可包括有机发光层、像素电路和具有第一密度的导电粘合剂，导电粘合剂与有机发光层和像素电路电通信，其中在弯曲期间，导电粘合剂的特定部分被压缩成高于第一密度的第二密度，而导电粘合剂的特定其他部分被拉伸成低于第一密度的第三密度。
上面的概括描述和下面的详细描述是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的主题的进一步解释。
附图说明
为提供对本发明构思的进一步理解而包含附图，附图包含在说明书中且构成本说明书的一部分，附图图示了本发明构思的示例性实施例，并且与说明书一起用来解释本发明构思的原理。
图1是根据本发明的原理构造的显示设备的示意性剖视图。
图2是图示根据本发明的第一示例性实施例构造的显示设备的局部剖视图。
图3是图示制备图2所示的显示设备的示例性方法的流程图。
图4至图8是依次图示图3所示的制备显示设备的示例性方法的局部剖视图。
图9是图示设置在图2所示的示例性实施例的第一基板上的导电粘合剂的示例性实施例的示意性平面图。
图10是图示根据本发明第二示例性实施例的显示设备的局部剖视图。
图11是图示根据本发明第三示例性实施例的显示设备的局部剖视图。
图12是图示图11所示的显示设备中的像素限定层的位置的局部剖视图。
图13是图示根据本发明第四示例性实施例的显示设备的局部剖视图。
图14是图示根据本发明第五示例性实施例的显示设备的局部剖视图。
图15是图示根据本发明第六示例性实施例的显示设备的局部剖视图。
图16是图示根据本发明第七示例性实施例的通过卷对卷制备方法制作的显示设备的局部剖视图。
图17是制备图16所示的显示设备的示例性方法的流程图。
图18是图示根据本发明第八示例性实施例的通过卷对卷制备方法制作的显示设备的局部剖视图。
图19是图示图2所示的显示设备的示例性实施例的单个像素的电路的示例性实施例的示意图。
图20是图示图19所示的单个像素的局部平面图。
图21是沿图20的线I-I'截取的局部剖视图。
图22是图19所示的单个像素中的有机发光层的示例性实施例的示意性剖视图。
图23是图22所示的有机发光层的示例性实施例的详细的示意性剖视图。
图24是图10所示的显示设备的示例性实施例的触摸感测部分的滤色器和黑矩阵的示例性实施例的平面图。
图25是沿图24的线II-II'截取的局部剖视图。
图26是图10所示的显示设备的示例性实施例的触摸感测部分的一部分的示例性实施例的局部平面图，其中该触摸感测部分是自电容式触摸传感器。
图27是沿图26的线III-III'截取的剖视图。
图28是图10所示的显示设备的示例性实施例的触摸感测部分的一部分的示例性实施例的局部平面图，其中该触摸感测部分是互电容式触摸传感器。
图29是图28的部分P1的放大平面图。
图30是沿图29的线IV-IV'截取的剖视图。
图31是图10所示的显示设备的示例性实施例的触摸感测部分的一部分的示例性实施例的局部平面图，其中触摸感测部分是压阻式传感器。
图32是沿图31的线V-V'截取的剖视图。
具体实施方式
在下面的描述中，为了解释的目的，阐述许多具体细节，以便提供各个示例性实施例的全面理解。然而，显而易见的是，各个示例性实施例可以在没有这些具体细节的情况下或以一个或多个等同布置实践。在其它情况中，以框图的形式示出众所周知的结构和设备，以便避免不必要地模糊各个示例性实施例。
除非另外指出，图示的示例性实施例应当被理解为提供各个示例性实施例的不同细节的示例性特征。因此，除非另外指出，否则各种图示的特征、部件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面可以以其他方式合并、分离、互换和/或重新排列，而不脱离所公开的示例性实施例。此外，在附图中，为了清楚目的和描述目的，可以放大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。当示例性实施例可以以不同方式实现时，可以执行不同于所描述的顺序的特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可基本同时执行，或以与所描述的顺序相反的顺序执行。此外，相同附图标记表示相同要素。
当一元件或层被称为“位于另一元件或层上”、“连接至”或“耦接至”另一元件或层时，该元件或层可以直接位于另一元件或层上、直接连接至或耦接至另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当一元件或层被称为“直接位于另一元件或层上”、“直接连接至”或“直接耦接至”另一元件或层时，不存在中间元件或层。此外，DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的三个轴，而是可以以更广泛的意义解释。例如，DR1轴、DR2轴和DR3轴可以是相互垂直的，或者可表示不相互垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z，或X、Y和Z中两个或更多个的任意组合，诸如举例来说XYZ、XYY、YZ和ZZ。本文中使用的术语“和/或”包括所列相关项目中的一个或多个项目的任意组合和所有组合。
虽然在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层和/或部分与另一元件、部件、区域、层和/或部分区别开。因此，下面讨论的第一元件、部件、区域、层和/或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层和/或部分，而不背离本公开的教导。
为了描述的目的，本文中可以使用空间相关术语，诸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”和“上”等，由此来描述附图中图示的一个要素或特征与另外的要素或特征的关系。空间相关术语旨在涵盖除附图中描绘的方位以外装置在使用时、在操作时和/或在制造时的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为位于其它要素或特征“下方”或“下面”的要素将位于其它要素或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可包含上方和下方两种方位。此外，装置可以朝向别的方向(例如，旋转90度或朝向其它方位)，照此，本文中使用的空间相关描述符进行相应的解释。
本文中使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不旨在限制。如本文所用，单数形式的“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确说明。此外，当术语“包括”、“包含”、“含有”和/或“具有”在本说明书中使用时，指明所述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在，但不排除存在或增加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组。
在本文中参考剖面图示来描述各种示例性实施例，这些剖面图示是理想化示例性实施例和/或中间结构的示意性图示。照此，由于例如制造技术和/或公差而导致的从图示形状的变化是可预期的。因此，本文所公开的示例性实施例不应被解释为限于具体图示的区域形状，而将包括由于例如制造而导致的形状的偏差。例如，图示为长方形的注入区域将通常具有圆角或弧形特征，和/或在其边缘具有注入浓度梯度，而非从注入到未注入区域的二元变化。类似地，通过注入形成的掩埋区域可在掩埋区域和发生注入所经过的表面之间的区域中导致一些注入。因此，在图中所示的区域实际上是示意性的，它们的形状不旨在示出设备的区域的实际形状，并且不旨在限制。
除非另外定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开属于其一部分的领域中的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。术语，诸如在常用词典中定义的那些术语，应当被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义一致的含义，而不以理想化的或过于形式的意义去解释，除非本文中明确如此定义。
本发明的示例性实施例结合显示设备进行描述，但可应用于能够显示“图像”的任何电子设备。根据本文描述的各种示例性实施例的显示设备可结合各种电子设备使用，包括蜂窝电话、智能电话、膝上型计算机、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、导航、平板PC、台式PC、超级本、以及诸如智能手表、智能眼镜、头戴式显示器之类的可穿戴设备。
参考图1，根据示例性实施例的显示设备可包括第一基板SUB1、偏振层POL、有机发光层OLED、像素电路PC和第二基板SUB2。第一基板SUB1和第二基板SUB2可通过导电粘合剂CA彼此结合。
第一基板SUB1可包括透射光的材料，例如透明绝缘材料。第一基板SUB1可包括刚性基板或柔性基板。例如，在各种示例性实施例中，刚性基板可包括玻璃基板、石英基板、玻璃陶瓷基板和晶体玻璃基板中的至少一种。类似地，在各种示例性实施例中，柔性基板可包括聚合物或玻璃纤维增强塑料(FRP)。聚合物的示例可包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素。然而，第一基板SUB1的材料并不限于上述材料。
偏振层POL可被布置在第一基板SUB1上，并使从有机发光层OLED产生的光沿预定方向偏振。
有机发光层OLED可被布置在偏振层POL上并产生光。如下面将详细讨论的，有机发光层OLED可包括两个电极和布置在这两个电极之间的发射层。发射层可以对通过这两个电极注入的电子和空穴作出反应，以产生预定波长范围内的光。
第二基板SUB2可包括与第一基板SUB1基本相同的材料。然而，第二基板SUB2可包括不同的材料，并且在各种示例性实施例中，第二基板SUB2可以是金属基板以确保柔性。例如，金属基板可包括但不限于：铁钢、碳钢、不锈钢、铸铁、铸钢和镍钢(殷钢)中的至少一种。像素电路PC可被布置在第二基板SUB2上，并且包括在其中提供用于显示图像的显示器件(未示出)的多个像素区域。多个像素区域中的每一个可包括至少一个像素以提供图像。像素的本质不作特别限制，只要其能显示图像即可。结合本文描述的主题可使用各种显示设备，诸如有机发光设备、液晶显示器、电润湿显示设备和电泳显示设备。
导电粘合剂CA可被布置在第一基板SUB1和第二基板SUB2之间。更具体地，导电粘合剂CA的一侧可连接到有机发光层OLED，而导电粘合剂CA的另一侧可连接到像素电路PC。结果是，有机发光层OLED和像素电路PC可通过导电粘合剂CA彼此电连接。
导电粘合剂CA可包括有机聚合物和在有机聚合物中提供的纳米尺寸的导电粒子。在一些实施例中，导电粘合剂CA中的导电粒子可使导电粘合剂不透明。
在根据各种示例性实施例的显示设备中，由于像素电路PC和有机发光层OLED通过导电粘合剂CA电连接，因此第一基板SUB1和第二基板SUB2可彼此结合而不使用光学透明胶。
因此，通过不在第一基板SUB1和第二基板SUB2之间使用增加设备厚度的光学透明胶的情况下将第一基板SUB1和第二基板SUB2彼此牢固地连接，根据各种示例性实施例的显示设备可以更薄。
在下文中，使用示例详细描述根据本发明的各种示例性实施例的显示设备。
参考图2，根据第一示例性实施例的显示设备可包括彼此相对的第一基板SUB1和第二基板SUB2。另外，根据第一示例性实施例的显示设备可包括布置在两个基板SUB1和SUB2之间的偏振层POL、有机发光层OLED和像素电路PC。
第一基板SUB1可支撑形成在第一基板SUB1上的各种部件。第一基板SUB1可包括绝缘材料。例如，第一基板SUB1可包括但不限于刚性基板或柔性基板。第一基板SUB1可包括各种材料。
第二基板SUB2可包括或可不包括与第一基板SUB1基本相同的材料。另外，第二基板SUB2可包括金属基板以确保柔性。例如，具有金属基板的实施例的材料可包括但不限于镍钢(殷钢)。
偏振层POL可被设置在第一基板SUB1上，并使从有机发光层OLED产生的光沿预定方向偏振。
有机发光层OLED可被设置在偏振层POL上，并且包括两个电极EL1和EL2以及设置在这两个电极EL1和EL2之间的发射层EML。
像素电路PC可被设置在第二基板SUB2上，并且包括多个像素区域，每个像素区域包括至少一个薄膜晶体管。另外，像素电路PC可进一步包括电连接到薄膜晶体管中的一个或多个的导电粘合剂CA。
在下文中，根据示例性堆叠顺序描述根据第一示例性实施例的显示设备。为便于解释，首先描述第一基板SUB1，然后描述第二基板SUB2。
第一基板SUB1可被提供。
尽管未示出，但第一缓冲层可被设置在第一基板SUB1上。第一缓冲层可防止杂质扩散到有机发光层OLED中。根据第一基板SUB1的材料和工艺条件，第一缓冲层可被省略。
偏振层POL可被设置在第一基板SUB1上。偏振层POL可最小化从有机发光层OLED产生的光的损耗，并吸收外部入射光，以进一步增强图像的可视化。另外，偏振层POL可使从有机发光层OLED产生的光沿预定方向偏振。
根据各种示例性实施例，偏振层POL可包括线性偏振层和相位延迟层，线性偏振层和相位延迟层通过吸收二向色性染料对基于聚乙烯醇(PVA)的树脂膜进行染色并对染色的树脂膜进行单向拉伸以对二向色性染料进行定向而形成。另外，偏振层POL可包括堆叠在其一个或两个表面上的基于乙酸纤维素的偏振保护膜。作为二向色性染料，蒽醌、偶氮着色剂或碘可被使用。然而，偏振层POL并不限于此，并且可包括各种配置，诸如线栅偏振器。
第一电极EL1可被设置在偏振层POL上。第一电极EL1可用作阳极并具有板形状。第一电极EL1可被提供用来注入空穴，并且包括具有高功函数的材料。例如，如图2所示，当向第一基板SUB1的下部提供图像时，第一电极EL1可包括透明导电材料，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟锡锌(ITZO)。
划分多个像素区域中的每一个的像素限定层PDL可被提供在第一电极EL1上。像素限定层PDL可沿第一电极EL1的圆周(如果第一电极EL1被提供为圆形)被设置，并且包括开口，通过开口第一电极EL1暴露于外部。像素限定层PDL可包括向第二基板SUB2突出的突起。
发射层EML可被设置在第一电极EL1和像素限定层PDL上。发射层EML可包括显示诸如红色、绿色或蓝色的光或白光的有机发光材料。在各种示例性实施例中，发射层EML是单层。然而，在各种示例性实施例中，发射层EML可包括多层膜。
第二电极EL2可被设置在发射层EML上。第二电极EL2可用作阴极，并且包括具有比第一电极EL1低的功函数的导电材料。例如，第二电极EL2可包括诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li或Ca的导电材料。导电材料可包括不透明层或具有预定厚度或低于预定厚度的透明层。第二电极EL2可被图案化，并且被提供给多个像素区域中的每一个。另外，第二电极EL2可被提供给第一基板SUB1的最外面边缘并且被电连接至像素电路PC。
当向第一基板SUB1的下部提供图像时，第二电极EL2可包括不透明导电材料，以朝第一基板SUB1的方向反射从发射层EML产生的光。在该示例中，第二电极EL2可包括具有预定厚度或高于预定厚度的金属层，以促进电子向发射层EML的移动。根据各种示例性实施例，金属层可包括铝(Al)。
接下来，根据示例性堆叠顺序描述第二基板SUB2。
第二基板SUB2可被提供。第二基板SUB2可包括与第一基板SUB1基本相同的材料，或其可包括其他材料。第二基板SUB2可以是金属基板以确保柔性。
尽管未示出，但第二缓冲层可被设置在第二基板SUB2上。第二缓冲层可阻止杂质扩散到提供在第二基板SUB2上的像素电路PC中。
有源图案ACT可被设置在第二基板SUB2上。有源图案ACT可包括半导体材料。有源图案ACT可包括源极部分SP、漏极部分DP以及设置在源极部分SP和漏极部分DP之间的沟道部分CP。有源图案ACT可以是半导体图案，包括掺杂或未掺杂的硅(例如掺杂或未掺杂的多晶硅、掺杂或未掺杂的非晶硅)或氧化物半导体。
根据各种示例性实施例，有源图案ACT可以是氧化物半导体。氧化物半导体可包括金属氧化物。金属氧化物的示例可包括镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)和锌(Zn)。金属氧化物可进一步包括锂(Li)、铍(Be)、钠(Na)、镁(Mg)、钙(Ca)、钪(Sc)、钛(Ti)、钒(V)、锰(Mn)、铁(Fe)、镍(Ni)、铜(Cu)、钇(Y)、锆(Zr)、铌(Nb)、钌(Ru)、钯(Pd)、镉(Cd)、钽(Ta)、钨(W)、硼(B)、碳(C)、氮(N)、氟(F)、铝(Al)、硅(Si)、磷(P)和锗(Ge)。更具体地，有源图案ACT可包括单一氧化物(诸如，氧化镓、氧化铟、氧化锡和氧化锌)或复合金属氧化物(诸如，镓铟锌氧化物(Ga2O3-In2O3-ZnO：GIZO)、铟镓锡氧化物(In2O3-Ga2O3-SnO)、铟锌氧化物(In2O3-Zn2O3)和锌铝氧化物(Zn2O3-Al2O3))。
当有源图案ACT是包括上述氧化物半导体中的一种的半导体图案时，包括有源图案ACT的薄膜晶体管的电特性可被改善。因此，可更易于制造具有高分辨率和大尺寸的显示设备。
栅绝缘层GI可被设置在有源图案ACT上。
栅电极GE可被设置在栅绝缘层GI上。栅电极GE可覆盖与有源图案ACT的沟道部分CP对应的区域。
层间绝缘层IL可被设置在栅电极GE上以覆盖栅电极GE。
源电极SE和漏电极DE可被设置在层间绝缘层IL上。源电极SE和漏电极DE可通过形成在栅绝缘层GI和层间绝缘层IL中的开口分别与源极部分SP和漏极部分DP接触。因此，在图2的剖视图中，源电极SE和漏电极DE完全穿过栅绝缘层GI和层间绝缘层IL分别到达源极部分SP和漏极部分DP。
有源图案ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE可形成薄膜晶体管。然而，薄膜晶体管的配置并不必限于此，并且薄膜晶体管可具有各种配置。例如，薄膜晶体管可具有顶栅结构。然而，薄膜晶体管也可具有底栅结构，使得栅电极GE可被布置在有源图案ACT之下。不过，为了便于描述，将结合包括有源图案ACT的薄膜晶体管来描述本文中的各种示例性实施例。但是，应当理解的是，在各种示例性实施例中，薄膜晶体管可具有对本领域技术人员来说显而易见的各种其他结构。
钝化膜PSV可被设置在源电极SE和漏电极DE上。钝化膜PSV可覆盖包括有源图案ACT的薄膜晶体管，并包括至少一层。另外，钝化膜PSV可通过减轻其不平整来平坦化下面的结构的表面。钝化膜PSV可包括接触孔H，漏电极DE的一部分通过接触孔H暴露于外部。接触孔H可形成在钝化膜PSV中与像素限定层PDL对应的位置处。
如图2所示，由于像素限定层PDL突出，所以像素限定层PDL可被插入到钝化膜PSV的接触孔H中。如图2所示，接触孔H可具有梯形形状。然而，在其他的示例性实施例中，接触孔H可具有使得像素限定层PDL可被插入到接触孔H中的各种其他形状。
导电粘合剂CA可被提供在钝化膜PSV的接触孔H中。导电粘合剂CA可以是各向异性导电膜(ACF)。另外，导电粘合剂CA可包括有机聚合物和在有机聚合物中提供的纳米尺寸的导电粒子。导电粘合剂CA可以以任意种方式(包括通过印刷或通过使用喷嘴)被放置在接触孔H中。
因此，导电粘合剂CA可被放置在接触孔H中。其一侧可连接到包括有源图案ACT的薄膜晶体管的漏电极DE，而其另一侧可连接到第二电极EL2。结果，第一基板SUB1的有机发光层OLED和第二基板SUB2的像素电路PC可通过导电粘合剂CA彼此电连接。换句话说，有机发光层OLED的第二电极EL2可通过导电粘合剂CA从像素电路PC的包括有源图案ACT的薄膜晶体管接收驱动信号。
如上所述，有机发光层OLED形成在其上的第一基板SUB1和像素电路PC形成在其上的第二基板SUB2可通过导电粘合剂CA彼此电连接，并且还通过导电粘合剂CA彼此牢固地物理结合。
结果，通过将两个基板SUB1和SUB2彼此结合而不使用光学透明胶(OCA)将两个基板SUB1和SUB2彼此结合，根据第一示例性实施例的显示设备可以更薄。
另外，由于根据第一示例性实施例的显示设备通过使用导电粘合剂CA改善了包括有源图案ACT的薄膜晶体管的电特性，所以可以更容易地实现显示设备的高分辨率和大尺寸。
参考图2和图3，可准备第一基板SUB1(S10)。然后偏振层POL可形成在第一基板SUB1上(S12)。之后有机发光层OLED可形成在偏振层POL上(S14)。
随后，或者如所图示在并行工艺中，可准备第二基板SUB2(S20)。然后像素电路PC可形成在第二基板SUB2上(S22)。之后导电粘合剂CA可形成在像素电路PC上(S24)。
随后，第一基板SUB1可被定位在第二基板SUB2上方，并且第一基板SUB1和第二基板SUB2可彼此结合(S30)。
通过上述步骤S10至S30，可制备根据第一示例性实施例的显示设备。这将参考图4至图8更详细地描述。
参考图4，偏振层POL可被形成在第一基板SUB1上。随后，有机发光层OLED可被形成在偏振层POL上。有机发光层OLED的像素限定层PDL可被图案化以便划分多个像素区域，并且包括向上突出的突起。另外，有机发光层OLED的第二电极EL2可被图案化以与多个像素区域中的每一个相对应。
参考图5，薄膜晶体管和覆盖包括有源图案ACT的薄膜晶体管的钝化膜PSV可形成在第二基板SUB2上。钝化膜PSV可包括接触孔H，包括有源图案ACT的薄膜晶体管的漏电极DE的一部分通过接触孔H暴露于外部。接触孔H可位于与像素限定层PDL对应的位置处，并具有使像素限定层PDL可被插入到接触孔H中的尺寸。
在形成接触孔H时，为了去除可能残留在接触孔H中的钝化膜PSV的残留层，可执行使用等离子体的灰化工艺。在使用等离子体的灰化工艺期间，漏电极DE的暴露于外部的部分可被等离子体刻蚀以对其进行表面处理。在该示例中，漏电极DE的电特性可得到改善。
参考图6，导电粘合剂CA可形成在接触孔H中。导电粘合剂CA可以是各向异性导电膜(ACF)，包括有机聚合物和在有机聚合物中提供的纳米尺寸的导电粒子。导电粘合剂CA可以是液体，并且通过印刷或通过使用喷嘴被提供在接触孔H中。
导电粘合剂CA可形成在接触孔H中，并且其一侧(例如，图7中的底部)可与漏电极DE接触。
参考图7，第一基板SUB1可被载入并被布置在第二基板SUB2上方。第一基板SUB1可被布置为使得第一基板SUB1的像素限定层PDL可与第二基板SUB2的接触孔H相对应。
随后，通过将第一基板SUB1和第二基板SUB2按压在一起，第一基板SUB1和第二基板SUB2可通过导电粘合剂CA的粘合属性彼此结合，如图8所示。当第一基板SUB1和第二基板SUB2彼此结合时，第一基板SUB1的像素限定层PDL可被插入到第二基板SUB2的接触孔H中，使得导电粘合剂CA的另一侧可与第一基板SUB1的第二电极EL2接触。当像素限定层PDL被插入到接触孔H中时，导电粘合剂CA可被像素限定层PDL挤压，并且沿包括接触孔H的钝化膜PSV的侧壁移动，使得导电粘合剂CA与第一基板SUB1的第二电极EL2的侧壁接触。
结果，在不需要光学透明胶(OCA)时，第一基板SUB1和第二基板SUB2可通过导电粘合剂CA彼此既电连接又物理地结合。
参考图2和图9，导电粘合剂CA可被提供在第一基板SUB1的多个像素区域中的每一个处。图9描绘了具有11个像素区域的示例性实施例，但是，当然可使用像素区域的其他数量。例如，导电粘合剂CA可被提供到像素区域的预定子集，诸如发射预定颜色的光的像素区域，或者显示器的预定区域或部分中的像素区域。换句话说，导电粘合剂CA可规则地通过各种不同的度量、或者随机地被布置在显示设备的显示区域上。
另外，导电粘合剂CA可不规则地或随机地被布置在围绕显示区域的非显示区域中。
当将导电粘合剂CA施加到设计成弯曲的柔性显示设备时，导电粘合剂CA可有区别地布置在弯曲部分和非弯曲部分(即，刚性部分)之间。结果，导电粘合剂CA的密度在弯曲部分可与在刚性部分不同。例如，在弯曲部分中，导电粘合剂CA的特定部分可被压缩以具有较高的密度和/或被拉伸以具有较低的密度，以便于弯曲。
为便于解释，在描述根据第一示例性实施例的上述显示设备时省略了触摸感测部分。然而，根据第一示例性实施例的显示设备可包括触摸感测部分。下面将描述根据其他示例性实施例的其它显示设备，假设它们包括触摸感测部分作为部件之一。
参考图10，为了避免重复的描述，将不描述在根据第二示例性实施例的显示设备和根据上述第一示例性实施例的显示设备之间的一些相似之处。下面没有被具体描述的第二示例性实施例的部分与根据上述示例性实施例的显示设备的对应部分相一致。相同的附图标记指代相同的部件，并且相似的附图标记指代相似的部件。
根据第二示例性实施例的显示设备可包括彼此相对的第一基板SUB1和第二基板SUB2。另外，根据第二示例性实施例的显示设备可包括设置在第一基板SUB1和第二基板SUB2之间的偏振层POL、触摸感测部分TSP、有机发光层OLED和像素电路PC。
第一基板SUB1可包括在其上顺序形成的偏振层POL、触摸感测部分TSP和有机发光层OLED。
触摸感测部分TSP可被布置在偏振层POL上，并且感测用户的手在显示设备上的触摸事件或接收分离的输入。触摸感测部分TSP可包括感测电极，从而感测触摸和/或压力。触摸感测部分TSP可根据各种类型(诸如电容式、电阻式、电磁式、压阻式和光学式)进行分类。也可使用其他类型的触摸传感器。具有电容式触摸感测部分的实施例可包括例如互电容式或自电容式，在互电容式中感测两个感测电极之间的相互作用所引起的电容变化，在自电容式中感测感测电极本身的电容变化。触摸感测部分TSP可包括第一阻挡层BR1、滤色器CF、黑矩阵BM、连接线CL和第二阻挡层BR2。
有机发光层OLED可包括第一电极EL1、第二电极EL2以及布置在这两个电极EL1和EL2之间的发射层EML。
第二基板SUB2可包括像素电路PC。像素电路PC可包括多个像素区域，每个像素区域包括至少一个薄膜晶体管。
在下文中，根据示例性堆叠顺序描述根据第二示例性实施例的显示设备。为便于解释，首先描述第一基板SUB1，然后描述第二基板SUB2。
第一基板SUB1可被提供。第一基板SUB1可以是刚性基板或柔性基板。
偏振层POL可被设置在第一基板SUB1上。
第一阻挡层BR1可被设置在偏振层POL上。第一阻挡层BR1可阻止氧和水分侵入到偏振层POL和第一基板SUB1中。第一阻挡层BR1可以是膜的形式，其中有机材料被涂覆有一层或多层无机材料。然而，也可使用其它材料和层结构。
滤色器CF和黑矩阵BM可被设置在第一阻挡层BR1上。滤色器CF可将颜色赋予透过多个像素区域的光。
连接线CL可被设置在黑矩阵BM上。连接线CL可将用于感测用户触摸和/或触摸输入的感测电极(未示出)电连接到驱动电路(未示出)。连接线CL可将感测输入信号从驱动电路传递到感测电极，或者将感测输出信号从感测电极传递到驱动电路。连接线CL可被直接布置在黑矩阵BM上，并且与黑矩阵BM重叠，以便可防止连接线CL在被显示器反射的外部入射光下可见。下面描述包括连接线CL和感测电极的触摸感测部分的各种示例性实施例。
第二阻挡层BR2可被设置在连接线CL上。第二阻挡层BR2可平坦化下面的结构(CF、BM和CL)的部分。另外，第二阻挡层BR2可阻止氧和水分侵入诸如CF、BM和CL的结构中。第二阻挡层BR2可包括与第一阻挡层BR1基本相同的材料，但不限于此。
第一电极EL1可被设置在第二阻挡层BR2上。第一电极EL1可用作阳极并具有板形状。第一电极EL1可被提供用来将空穴注入到导电结构中，并且包括具有高功函数的材料。
像素限定层PDL可被设置在第一电极EL1上，并且将多个像素区域中的每一个彼此分开。像素限定层PDL可沿第一电极EL1的圆周(如果第一电极EL1被提供为圆形)被提供，并且包括向第二基板SUB2突出的突起。
发射层EML可被设置在第一电极EL1和像素限定层PDL上。
第二电极EL2可被设置在发射层EML上。第二电极EL2可用作阴极，并且被图案化并被提供给多个像素区域中的每一个。第二电极EL2可包括具有比第一电极EL1低的功函数的导电材料。第二电极EL2可被提供在第一基板SUB1的最外面边缘上，并且电连接至像素电路PC。
下面根据示例性堆叠顺序描述第二基板SUB2。
第二基板SUB2可被提供。
包括有源图案ACT、栅电极GE以及源电极SE和漏电极DE的薄膜晶体管可被设置在第二基板SUB2上。
钝化膜PSV可被设置在包括有源图案ACT的薄膜晶体管上。钝化膜PSV可包括接触孔H，漏电极DE的一部分通过接触孔H暴露于外部。接触孔H可被布置在钝化膜PSV中与像素限定层PDL对应的位置处。
接触电极CNE可被设置在钝化膜PSV上。接触电极CNE可被布置在钝化膜PSV的接触孔H中，并且可电连接到包括有源图案ACT的薄膜晶体管的漏电极DE。
导电粘合剂CA可被设置在接触电极CNE上。导电粘合剂CA可以是各向异性导电膜(ACF)。导电粘合剂CA可以是液体，并且可通过印刷或通过使用喷嘴被提供在接触孔H中。
导电粘合剂CA可被提供在接触孔H中。导电粘合剂CA的一侧可通过接触电极CNE连接到包括有源图案ACT的薄膜晶体管，而其另一侧可连接到第二电极EL2。因此，第一基板SUB1的有机发光层OLED和第二基板SUB2的像素电路PC可通过导电粘合剂CA彼此电连接。
参考图11，为了避免重复的描述，将不描述根据第三示例性实施例的显示设备和根据早先描述的示例性实施例的显示设备之间的一些相似之处。下面没有被具体描述的第三示例性实施例的部分与根据上述示例性实施例的显示设备的对应部分相一致。相同的附图标记指代相同的部件，并且相似的附图标记指代相似的部件。根据第三示例性实施例的显示设备可包括彼此相对的第一基板SUB1和第二基板SUB2。另外，根据第三示例性实施例的显示设备可包括布置在第一基板SUB1和第二基板SUB2之间的偏振层POL、触摸感测部分TSP、有机发光层OLED和像素电路PC。
第一基板SUB1可包括可顺序形成的偏振层POL、触摸感测部分TSP和有机发光层OLED，如在本文中其他地方更详细描述的。触摸感测部分TSP可包括黑矩阵BM、滤色器CF、感测电极(未示出)和连接线CL。有机发光层OLED可包括第一电极EL1、第二电极EL2以及布置在这两个电极EL1和EL2之间的发射层EML。
第二基板SUB2可包括像素电路PC。像素电路PC可包括多个像素区域，在多个像素区域中的每一个中包括至少一个薄膜晶体管(参见附图中的有源图案ACT)。
在下文中，根据示例性堆叠顺序描述根据第三示例性实施例的显示设备。为便于解释，首先描述第一基板SUB1，然后描述第二基板SUB2。
第一基板SUB1可被提供。第一基板SUB1可以是刚性基板或柔性基板。
偏振层POL可被设置在第一基板SUB1上。
触摸感测部分TSP可被设置在偏振层POL上。
第一电极EL1可被设置在触摸感测部分TSP上。第一电极EL1可用作阳极，可被提供用来将空穴注入到电导体中，并且可包括具有高功函数的材料。
划分多个像素区域的像素限定层PDL可被设置在第一电极EL1上。像素限定层PDL可沿第一电极EL1的圆周(如果第一电极EL1被提供为圆形)被提供，并且可包括向第二基板SUB2突出的突起。
突起可被提供在多个像素区域中的每一个中。例如，如图12所示，突起可被提供在预定像素区域(发射预定颜色的光的像素区域，例如发射红光的像素区域)或者预定区域中。换句话说，突起可规则地或者随机地被布置在显示设备的显示区域中。
在另一示例中，突起可被设置为在显示区域中比在围绕显示区域的周边区域中要多，用于触摸感测部分TSP的触摸识别。
发射层EML可被设置在第一电极EL1和像素限定层PDL上。
第二电极EL2可被设置在发射层EML上。第二电极EL2可用作阴极，并且可被图案化并被提供给多个像素区域中的每一个。当向显示设备中的第一基板SUB1的下部提供图像时，第二电极EL2可包括不透明导电材料。
下面根据示例性堆叠顺序描述第二基板SUB2。
第二基板SUB2可被提供。第二基板SUB2可包括透明绝缘材料。然而，可采用其它材料。例如，第二基板SUB2还可或可替代地包括金属材料以确保柔性。
有源图案ACT可被设置在第二基板SUB2上。根据各种示例性实施例，有源图案ACT可以是包括氧化物半导体的半导体图案。由于有源图案ACT包括氧化物半导体，所以显示设备可实现较高的分辨率。
栅绝缘层GI可被设置在有源图案ACT上。
栅电极GE可被设置在栅绝缘层GI上。栅电极GE可在与沟道部分CP对应的位置处覆盖有源图案ACT的一部分。
层间绝缘层IL可被设置在栅电极GE上。
源电极SE和漏电极DE可被设置在层间绝缘层IL上。
钝化膜PSV可被提供在源电极SE和漏电极DE上。钝化膜PSV可包括接触孔H，漏电极DE的一部分通过接触孔H暴露于外部。接触孔H可形成在钝化膜PSV中与像素限定层PDL对应的位置处。
接触电极CNE可被设置在钝化膜PSV上。
导电粘合剂CA可被设置在接触电极CNE和钝化膜PSV上。导电粘合剂CA可被提供在第二基板SUB2的整个表面上。导电粘合剂CA可以是各向异性导电膜(ACF)，其包括有机聚合物和在有机聚合物中提供的纳米尺寸的导电粒子。纳米尺寸的导电粒子可具有各向异性，并且在第一基板SUB1和第二基板SUB2以小距离彼此隔开的区域处，即在接触电极CNE和第二电极EL2之间，将接触电极CNE和第二电极EL2彼此电连接。有机聚合物可用作将第一基板SUB1结合到第二基板SUB2的粘合剂。
由于导电粘合剂CA被设置在第二基板SUB2的整个表面上，因此导电粘合剂CA也可被设置在接触孔H中。因此，导电粘合剂CA的一侧可连接到接触电极CNE，而其另一侧可连接到第二电极EL2。
如上所述，第一基板SUB1和第二基板SUB2可通过导电粘合剂CA彼此电连接，并且因此还彼此牢固地物理地结合。
参考图13，为了避免重复的描述，将不描述根据第四示例性实施例的显示设备和根据早先描述的示例性实施例的显示设备之间的一些相似之处。下面没有被具体描述的第四示例性实施例的部分与根据上述示例性实施例的显示设备的对应部分相一致。相同的附图标记指代相同的部件，并且相似的附图标记指代相似的部件。根据第四示例性实施例的显示设备可包括彼此相对的第一基板SUB1和第二基板SUB2。另外，根据第四示例性实施例的显示设备可包括布置在第一基板SUB1和第二基板SUB2之间的偏振层POL'、触摸感测部分TSP、有机发光层OLED和像素电路PC。
第一基板SUB1可包括偏振层POL'、触摸感测部分TSP和有机发光层OLED，并且在各种示例性实施例中，这些层顺序形成。触摸感测部分TSP可包括黑矩阵BM、滤色器CF、感测电极(未示出)和连接线CL。有机发光层OLED可包括第一电极EL1、像素限定层PDL、发射层EML和第二电极EL2。
偏振层POL'可包括依次层叠在第一基板SUB1上的第一金属层ML1、电介质层DL和第二金属层ML2。第一金属层ML1可被设置成具有比第二金属层ML2低的吸光度，使得第一金属层ML1和第二金属层ML2可用作黑色膜。以这种方式，第二金属层ML2可有效地吸收从有机发光层OLED内部反射的外部光，并防止其被显示器的用户看见，而第一金属层ML1可同时有效地透射从有机发光层OLED的发射层EML产生的光，使透射光可被显示器的用户看见。
通过考虑这些特性，第一金属层ML1可包括具有高反射率和低吸光度的金属材料，诸如铝(Al)或银(Ag)。另外，第二金属层ML2可包括具有低反射率和高吸光度的金属材料，诸如铬(Cr)、钼(Mo)或钛(Ti)。电介质层DL可改变进入到有机发光层OLED中的外部光的相位，以在设备的各层所反射的外部光的各部分之间引起相消干涉。
具有上述配置的偏振层POL'可被提供在有机发光层OLED的前表面上，以防止外部光从有机发光层OLED反射而降低亮室对比度(环境对比度)。
换句话说，偏振层POL'可用作黑色微腔，其连同有机发光层OLED一起充当增加亮度的微腔，并且同时用作增加环境对比度的黑色膜。
从有机发光层OLED的发射层EML产生的光可通过第二电极EL2和第一金属层ML1谐振。在从发射层EML产生的光向第一基板SUB1的下部(前表面)发射之前，光可从第二电极EL2和第一金属层ML1反射。因此，光可以在预定波长的强度被增强的情况下被发射到前表面。对于透过其中的光而言，第一金属层ML1可足够薄，使得从发射层EML发射的光可被发射到有机发光层OLED的前表面。第二电极EL2可厚到使光可无法透过第二电极EL2。
另外，进入到有机发光层OLED中的大部分外部光可被第一金属层ML1和第二金属层ML2反射，并通过前述的各反射之间的相消干涉抵消。此外，供应到第二电极EL2的一些外部光可被第一金属层ML1再次吸收并消失。因此，由于很少的外部光被偏振层POL'反射，所以环境对比度可被改善。
第二基板SUB2可包括像素电路PC。像素电路PC可包括多个像素区域，每个像素区域包括至少一个薄膜晶体管。另外，像素电路PC可包括覆盖包括有源图案ACT的薄膜晶体管的钝化膜PSV。
钝化膜PSV可包括接触孔H，包括有源图案ACT的薄膜晶体管的漏电极DE的一部分通过接触孔H暴露于外部。接触孔H可被布置在钝化膜PSV中与像素限定层PDL对应的位置处。
接触电极CNE可被设置在钝化膜PSV上。
导电粘合剂CA可被提供在接触电极CNE上。导电粘合剂CA可以是各向异性导电膜(ACF)。另外，导电粘合剂CA可包括有机聚合物和在有机聚合物中提供的纳米尺寸的导电粒子。导电粘合剂CA可以是液体，并且可通过印刷或通过使用喷嘴被提供在接触孔H中。
因此，导电粘合剂CA可被提供在接触孔H中。导电粘合剂CA的一侧可连接到接触电极CNE，而其另一侧可连接到第二电极EL2。因此，第一基板SUB1的有机发光层OLED和第二基板SUB2的像素电路PC可通过导电粘合剂CA彼此电连接。
参考图14，为了避免重复的描述，将不描述根据第五示例性实施例的显示设备和根据早先描述的示例性实施例的显示设备之间的一些相似之处。下面没有被具体描述的第五示例性实施例的部分与根据上述示例性实施例的显示设备的对应部分相一致。相同的附图标记指代相同的部件，并且相似的附图标记指代相似的部件。根据第五示例性实施例的显示设备可包括彼此相对的第一基板SUB1和第二基板SUB2。另外，根据第五示例性实施例的显示设备可包括布置在第一基板SUB1和第二基板SUB2之间的偏振层POL、触摸感测部分TSP、有机发光层OLED、像素电路PC和压力感测电极FSE。
第一基板SUB1可包括偏振层POL、触摸感测部分TSP和有机发光层OLED，并且在各种示例性实施例中，这些层顺序形成。触摸感测部分TSP可包括黑矩阵BM、滤色器CF、感测电极(未示出)和连接线CL。有机发光层OLED可包括第一电极EL1、第二电极EL2以及布置在这两个电极EL1和EL2之间的发射层EML。
第二基板SUB2可包括在各种示例性实施例中顺序形成的压力感测电极FSE、缓冲层BFL和像素电路PC。
压力感测电极FSE可以以预定距离与触摸感测部分TSP隔开，并在用户触摸显示设备时检测所施加的压力强度。例如，根据各种示例性实施例，如果在用户触摸显示设备的表面时施加压力，则压力感测电极FSE和触摸感测部分TSP之间的距离可改变。因此，通过测量电容根据压力感测电极FSE和触摸感测部分TSP之间的距离改变而发生的改变，可检测触摸压力的强度。
压力感测电极FSE可以是像素电路PC的接地层。压力感测电极FSE可具有与触摸感测部分TSP的平面平行的平面。另外，压力感测电极FSE可在与触摸感测部分TSP的平面平行的平面上形成预定图案。
压力感测电极FSE可被布置在围绕显示设备的显示区域的周边区域中。然而，其他布置也是可能的。
第二基板SUB2可进一步包括布置在压力感测电极FSE和触摸感测部分TSP之间的垫层(未示出)。垫层可具有弹性，使得垫层可被外部压力压缩，并在外部压力被释放之后恢复到原始状态。例如，垫层可包括基于硅的弹性粘合层或弹性胶带。压力感测电极FSE、垫层和触摸感测部分TSP的感测电极可构成压力感测传感器。
缓冲层BFL可被设置在压力感测电极FSE上。缓冲层BFL可阻止杂质扩散到像素电路PC中。
像素电路PC可被设置在缓冲层BFL上。像素电路PC可包括多个像素区域，每个像素区域包括至少一个薄膜晶体管。另外，像素电路PC可包括覆盖包括有源图案ACT的薄膜晶体管的钝化膜PSV。
钝化膜PSV可包括接触孔H，包括有源图案ACT的薄膜晶体管的漏电极DE的一部分通过接触孔H暴露于外部。接触孔H可形成在钝化膜PSV中与像素限定层PDL对应的位置处。
接触电极CNE可被设置在钝化膜PSV上。
导电粘合剂CA可被提供在接触电极CNE上。导电粘合剂CA可以是各向异性导电膜(ACF)。另外，导电粘合剂CA可包括有机聚合物和在有机聚合物中提供的纳米尺寸的导电粒子。导电粘合剂CA可以是液体，并且可通过印刷或通过使用喷嘴被提供在接触孔H中。
因此，导电粘合剂CA可被提供在接触孔H中。其一侧或多侧可耦接到接触电极CNE，而其另一侧可耦接到第二电极EL2。因此，第一基板SUB1的有机发光层OLED和第二基板SUB2的像素电路PC可通过导电粘合剂CA彼此电连接。
参考图15，为了避免重复的描述，将不描述根据第六示例性实施例的显示设备和根据早先示例性实施例的显示设备之间的一些相似之处。下面没有被具体描述的第六示例性实施例的部分与根据上述示例性实施例的显示设备的对应部分相一致。相同的附图标记指代相同的部件，并且相似的附图标记指代相似的部件。根据第六示例性实施例的显示设备可包括彼此相对的第一基板SUB1和第二基板SUB2。另外，根据第六示例性实施例的显示设备可包括布置在第一基板SUB1和第二基板SUB2之间的偏振层POL、触摸感测部分TSP、有机发光层OLED和像素电路PC。
第一基板SUB1可包括在各种示例性实施例中顺序形成的偏振层POL、触摸感测部分TSP、以及有机发光层OLED的元件中的一些。触摸感测部分TSP可包括黑矩阵BM、滤色器CF、感测电极(未示出)和连接线CL。有机发光层OLED的元件中的一些可包括第一电极EL1和划分多个像素区域中的每一个的像素限定层PDL。
第二基板SUB2可包括在各种示例性实施例中顺序形成的像素电路PC、以及有机发光层OLED的其他元件。像素电路PC可包括包含在多个像素区域中的每一个中的至少一个薄膜晶体管(包括有源图案ACT)。有机发光层OLED的其他元件可包括发射层EML和设置在发射层EML上的第二电极EL2。
第一电极EL1可被设置在形成在第一基板SUB1上的触摸感测部分TSP上。第一电极EL1可用作阳极，可被提供用来将空穴注入到电导体中，并且包括具有高功函数的材料。此外，第一电极EL1可包括透明导电材料，用于朝向第一基板SUB1的下部显示图像。
划分多个像素区域中的每一个的像素限定层PDL可被设置在第一电极EL1上。像素限定层PDL可沿第一电极EL1的圆周(如果第一电极EL1被提供为圆形)被提供，并且包括朝向第二基板SUB2延伸的突起。像素限定层PDL可包括有机绝缘材料。例如，像素限定层PDL可包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰胺(PA)、聚酰亚胺(PI)、聚芳醚(PAE)、杂环聚合物、聚对二甲苯、环氧树脂、苯并环丁烯(BCB)、硅氧烷基树脂和硅烷基树脂中的至少一种。像素限定层PDL可通过热处理工艺被固化。
钝化膜PSV可被设置在其上形成至少一个薄膜晶体管(包括有源图案ACT)的第二基板SUB2上。钝化膜PSV可包括接触孔H，包括有源图案ACT的薄膜晶体管的漏电极DE的一部分通过接触孔H暴露于外部。接触孔H可被提供在钝化膜PSV中与像素限定层PDL对应的位置处。
第二电极EL2可被设置在钝化膜PSV上。第二电极EL2可被图案化，并且被提供给多个像素区域中的每一个。第二电极EL2可包括具有比第一电极EL1低的功函数的不透明导电材料。
发射层EML可被设置在第一电极EL1和第二电极EL2之间。发射层EML可包括显示白光的有机发光材料。图15示出了发射层EML可包括单层。然而，发射层EML可包括多层膜。
具有上述配置的第一基板SUB1和第二基板SUB2可通过按压将像素限定层PDL插入到接触孔H中而彼此结合。更具体地，第一基板SUB1可被提供在第二基板SUB2上，使得第一基板SUB1的像素限定层PDL可与第二基板SUB2中的接触孔H对应。然后第一基板SUB1和第二基板SUB2可被按压并彼此结合。随后，像素限定层PDL可通过热处理工艺被固化，以固定第一基板SUB1和第二基板SUB2。
因此，第一基板SUB1和第二基板SUB2可彼此物理地结合，而不使用光学透明胶(OCA)。
参考图16，为了避免重复的描述，将不描述根据第七示例性实施例的显示设备和根据早先描述的示例性实施例的显示设备之间的一些相似之处。下面没有被具体描述的第七示例性实施例的部分与根据上述示例性实施例的显示设备的对应部分相一致。相同的附图标记指代相同的部件，并且相似的附图标记指代相似的部件。根据第七示例性实施例的显示设备可包括通过卷对卷方法顺序形成在基板SUB上的偏振层POL、触摸感测部分TSP、有机发光层OLED和像素电路PC。
触摸感测部分TSP可以采用薄膜的形式，并且被设置在偏振层POL上。触摸感测部分TSP可包括滤色器CF、黑矩阵BM、感测电极(未示出)和连接线CL。
有机发光层OLED可以以薄膜的形式被配置，并且被设置在触摸感测部分TSP上。有机发光层OLED可包括第一电极EL1、第二电极EL2以及布置在这两个电极EL1和EL2之间的发射层EML。
像素电路PC可包括多个像素区域，每个像素区域包括至少一个薄膜晶体管。
根据示例性堆叠顺序描述根据第七示例性实施例的显示设备。
基板SUB可被提供。基板SUB可包括透光材料，诸如透明绝缘材料。根据各种示例性实施例，基板SUB可包括透明聚酰亚胺(PI)膜。然而，其他布置也是可能的。例如，基板SUB可包括蓝宝石玻璃。
尽管未示出，但遮光图案可被设置在基板SUB上。当图像在朝向基板SUB的下部的反射中可见时，遮光图案可防止提供在基板SUB上的结构在外部光的反射下被看到。遮光图案可通过印刷形成在基板SUB上。
偏振层POL可被提供在基板SUB上。偏振层POL可通过用液体偏振材料涂覆基板SUB而形成。
第一阻挡层BR1可被设置在偏振层POL上。
滤色器CF和黑矩阵BM可被设置在第一阻挡层BR1上。
连接线CL可被设置在黑矩阵BM上。连接线CL可被直接布置在黑矩阵BM上，并且与黑矩阵BM重叠，使得可防止连接线CL在来自设备内部的外部入射光的反射下可见。
第二阻挡层BR2可被设置在连接线CL上。
第一电极EL1可被设置在第二阻挡层BR2上。第一电极EL1可用作阳极，可将空穴注入到发射层EML中，并且可包括具有高功函数的材料。根据各种示例性实施例，由于朝向基板SUB的下部显示图像，所以第一电极EL1可包括透明导电材料。
划分多个像素区域中的每一个的像素限定层PDL可被设置在第一电极EL1上。像素限定层PDL可包括向像素电路PC突出的突起。
发射层EML可被设置在第一电极EL1和像素限定层PDL上。
第二电极EL2可被设置在发射层EML上。第二电极EL2可用作阴极，并被图案化，以便被提供给多个像素区域中的每一个。由于朝向显示设备的基板SUB的下部提供图像，所以第二电极EL2可包括不透明导电材料。
钝化膜PSV可被设置在第二电极EL2上。钝化膜PSV可包括接触孔H，像素限定层PDL被插入并被粘合接触孔H。
至少一个薄膜晶体管可被提供在钝化膜PSV上。包括有源图案ACT的薄膜晶体管可包括位于与接触孔H对应的位置处的漏电极DE、以预定距离与漏电极DE隔开的源电极SE以及布置在源电极SE和漏电极DE下的栅电极GE。另外，薄膜晶体管可包括位于栅电极GE下并且与栅电极GE部分重叠的有源图案ACT。有源图案ACT可包括但不限于包括氧化物半导体的半导体图案。例如，有源图案ACT可以是包括石墨烯材料的半导体图案。
缓冲层BFL可被设置在钝化膜PSV上。缓冲层BFL可覆盖包括有源图案ACT的薄膜晶体管，并可防止杂质扩散到包括有源图案ACT的薄膜晶体管中。
密封层SL可被设置在缓冲层BFL上。
如上所述，由于偏振层POL、触摸感测部分TSP、有机发光层OLED和像素电路PC通过卷对卷方法顺序形成在基板SUB上，所以显示设备可在没有光学透明胶(OCA)的情况下制造。另外，通过以薄膜的形式形成每一层，上述显示设备可变薄。
参考图16和图17，可通过卷对卷方法准备基板SUB(S40)。偏振层POL可通过用液体偏振材料涂覆基板SUB而形成(S42)。薄膜触摸感测部分TSP可通过将包括连接线CL和感测电极的感测图案印刷到偏振层POL上而形成(S44)。随后，有机发光层OLED可形成在触摸感测部分TSP上(S46)。
接下来，像素电路PC可形成在有机发光层OLED上(S48)。密封层SL可被形成，用于封装有机发光层OLED(S50)。
通过上述步骤(S40至S50)，可制备根据第七示例性实施例的显示设备。
参考图18，为了避免重复的描述，将不描述根据第八示例性实施例的显示设备和根据早先描述的示例性实施例的显示设备之间的一些相似之处。下面没有被具体描述的第八示例性实施例的部分与根据上述示例性实施例的显示设备的对应部分相一致。相同的附图标记指代相同的部件，并且相似的附图标记指代相似的部件。根据第八示例性实施例的显示设备可包括在各种示例性实施例中通过卷对卷方法顺序形成在基板SUB上的偏振层POL、触摸感测部分TSP、有机发光层OLED和像素电路PC。
金属层ML可被设置在像素电路PC上。金属层ML可被提供为使得根据各种示例性实施例的显示设备在被折叠之后可恢复到它们原来的形状。金属层ML可包括具有高弹性的碳纳米管，或铝金属薄膜。
密封层SL可被设置在金属层ML上。
根据上述示例性实施例，像素可被提供如下。
参考图2和图19至图22，显示设备可包括第二基板SUB2、布线单元(在下面其部件部分中讨论)和像素PXL。像素PXL可显示图像。如上所述，多个像素PXL可被提供并布置为矩阵格式。然而，为便于解释，图19和图20图示了一个像素PXL。图20图示了像素PXL可具有矩形形状。然而，像素PXL可被修改成各种其他的形状。
像素PXL可被提供在第二基板SUB2上。
布线单元可向像素PXL供应信号，并包括扫描线SL、数据线DL和驱动电压线ELVDD。
扫描线SL可在一个方向上延伸。数据线DL可在与扫描线SL交叉的另一方向上延伸。驱动电压线ELVDD可在与扫描线SL和数据线DL中之一(例如数据线DL，如图19所描绘的)基本相同的方向上延伸。扫描线SL可将扫描信号传递到薄膜晶体管，数据线DL可将数据信号传递到薄膜晶体管，并且驱动电压线ELVDD可将驱动电压提供到薄膜晶体管。
像素PXL可包括连接到布线单元的薄膜晶体管、耦接到薄膜晶体管的有机发光层OLED、以及电容器Cst。
薄膜晶体管可包括用于控制有机发光层OLED的驱动薄膜晶体管TFT2和用于开关驱动薄膜晶体管TFT2的开关薄膜晶体管TFT1。因此，根据各种示例性实施例，像素PXL可包括两个薄膜晶体管TFT1和TFT2以及一个电容器Cst。然而，可以使用各种其它的布置。例如，根据其他示例性实施例，一个像素PXL可包括一个薄膜晶体管，或者三个或更多个薄膜晶体管，例如七个薄膜晶体管。也可改变电容器的数量。
参考图20，开关薄膜晶体管TFT1可包括第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。第一栅电极GE1可连接到扫描线SL。第一源电极SE1可连接到数据线DL。第一漏电极DE1可耦接到驱动薄膜晶体管TFT2的栅电极(即，第二栅电极GE2)。开关薄膜晶体管TFT1可响应于施加到扫描线SL的扫描信号而将施加到数据线DL的数据信号传递至驱动薄膜晶体管TFT2。
驱动薄膜晶体管TFT2可包括第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。第二栅电极GE2可连接到开关薄膜晶体管TFT1。第二源电极SE2可连接到驱动电压线ELVDD。第二漏电极DE2可连接到有机发光层OLED。
开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2可分别包括包含半导体材料的第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2。第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2中的每一个可包括源极部分SP、漏极部分DP和沟道部分CP。第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2可包括掺杂或未掺杂的硅，例如多晶硅或非晶硅，并且可以是包括氧化物半导体的半导体图案。
有机发光层OLED可包括发射层EML以及彼此相对的第一电极EL1和第二电极EL2，发射层EML置于第一电极EL1和第二电极EL2之间。第一电极EL1可连接到驱动薄膜晶体管TFT2的第二漏电极DE2。第一电极EL1可用作阳极，被提供用来将空穴注入到导体中，并且可包括具有高功函数的材料。例如，第一电极EL1可包括透明导电材料，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)。
发射层EML可响应于来自驱动薄膜晶体管TFT2的输出信号而发光，并且可通过发光来显示或不显示图像。从发射层EML发射的光可依赖于发射层EML的材料而具有不同的特性，并且可以是例如彩色光或白光。根据各种示例性实施例，发射层EML可以是显示白光的有机发光材料。
公共电压可被施加到第二电极EL2，并且被布置在与像素PXL对应的位置处。第二电极EL2可用作阴极，并且可包括具有比第一电极EL1低的功函数的不透明导电材料。例如，第二电极EL2可包括诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li或Ca的不透明导电材料。
参考图22和图23，有机发光层OLED可包括布置在第一电极EL1和发射层EML之间的空穴注入层HIL以及布置在空穴注入层HIL和发射层EML之间的空穴传输层HTL。
空穴注入层HIL可有助于将空穴注入到发射层EML中。空穴注入层HIL可包括p型掺杂，用于提高空穴被注入的速率。在各种示例性实施例中，p型掺杂可包括MoO3、MoO2、WO2、V2O5、ReO3、NiO、Mo(tfd)3、HAT-CN和F4-TCNQ中的至少一种。空穴传输层HTL可被布置在空穴注入层HIL上，从空穴注入层HIL接收空穴，并将空穴传输到发射层EML。
根据形成发射层EML的材料的种类，可选择性地省略空穴注入层HIL和空穴传输层HTL。
另外，有机发光层OLED可进一步包括布置在第二电极EL2和发射层EML之间的电子注入层EIL以及布置在电子注入层EIL和发射层EML之间的电子传输层ETL。
电子注入层EIL可有助于将电子注入到发射层EML中。电子传输层ETL可被布置在电子注入层EIL上，从电子注入层EIL接收电子，并将电子传输到发射层EML。根据形成发射层EML的材料的种类，可选择性地省略电子注入层EIL和电子传输层ETL。
电容器Cst可连接在驱动薄膜晶体管TFT2的第二栅电极GE2和第二源电极SE2之间，并且可充入并维持输入到驱动薄膜晶体管TFT2的第二栅电极GE2的数据信号。
钝化膜PSV可形成在开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2上。钝化膜PSV可覆盖开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2，并可包括至少一层。钝化膜PSV可包括接触孔H，第二漏电极DE2的一部分通过接触孔H暴露于外部。
接触电极CNE可被设置在钝化膜PSV上。接触电极CNE可被布置在钝化膜PSV的接触孔H中，并且电连接到驱动薄膜晶体管TFT2的第二漏电极DE2。
根据上述示例性实施例，触摸感测部分的滤色器和黑矩阵可被配置如下。
参考图10、图24和图25，第一阻挡层BR1、滤色器CF和黑矩阵BM可被提供在偏振层POL上。
滤色器CF可将颜色赋予透过多个像素区域的光。在各种示例性实施例中，滤色器CF可以是红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的一种。另外，滤色器CF可以是青色滤色器、品红色滤色器和黄色滤色器。黑矩阵BM可被提供在第一阻挡层BR1上每个滤色器CF的一侧处，以划分滤色器CF。另外，黑矩阵BM可在显示设备显示图像时阻挡不必要的光。
根据上述示例性实施例，触摸感测部分可被配置如下。
参考图10、图26和图27，触摸感测部分TSP可包括以矩阵格式布置的感测电极SEL。预定电压可被施加到感测电极SEL。连接线CL可连接到每个感测电极SEL，并且可通过连接线CL施加预定电压。当用户在触摸感测部分TSP上进行触摸时，感测电极SEL的被触摸部分的电容可被改变。通过根据电容改变获得预定电压的改变，可确定是否在预定部分进行触摸。
根据各种示例性实施例的触摸感测部分TSP的感测电极SEL和连接线CL中的每一个可被提供在第一阻挡层BR1上。连接线CL可被设置在黑矩阵BM上。换句话说，连接线CL可被直接布置在黑矩阵BM上，并且与黑矩阵BM重叠，以便可防止连接线CL通过外部入射光被看到。
参考图10和图28至图30，触摸感测部分TSP可包括感测单元SC和连接线CL。连接线CL可连接到感测单元SC，并将感测单元SC电连接到外部驱动电路(未示出)。
感测单元SC可包括第一感测单元SC1和第二感测单元SC2。第一感测单元SC1可包括在第一方向上延伸的第一感测电极SEL1和将第一感测电极SEL1彼此连接的第一桥接图案BP1。第二感测单元SC2可包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二感测电极SEL2和将第二感测电极SEL2彼此连接的第二桥接图案BP2。将第一感测电极SEL1彼此连接的第一桥接图案BP1和连接第二感测电极SEL2的第二桥接图案BP2可包括在连接线CL中。
第一感测电极SEL1和第二感测电极SEL2可形成为彼此不连接的独立图案。当第一感测电极SEL1通过与第一感测电极SEL1一体形成的第一桥接图案BP1彼此连接时，第二感测电极SEL2可通过由层间绝缘层IL隔开的第二桥接图案BP2彼此连接。
第一感测电极SEL1和第二感测电极SEL2中之一可以是驱动电极，并且其它感测电极可用作感测电极。
根据示例性实施例的触摸感测部分TSP的第一感测电极SEL1、第二感测电极SEL2和连接线CL全部可被提供在第一阻挡层BR1上。连接线CL可被提供在黑矩阵BM上。
参考图10、图31和图32，触摸感测部分TSP可包括感测电极SEL，感测电极SEL包括电阻根据施加到其上的压力而变化的材料。感测电极SEL可被布置成矩阵格式。连接线可耦接到感测电极SEL，并且包括连接到感测电极SEL的一侧的第一连接线CL1和连接到感测电极SEL的另一侧的第二连接线CL2。根据各种示例性实施例，当用户在触摸感测部分TSP上进行触摸时，与被触摸部分相对应的感测电极SEL的电阻可改变。因此，可基于感测电极的电阻变化来确定用户是否在预定位置处触摸了触摸感测部分TSP。
感测电极SEL可被提供在第一阻挡层BR1上。连接线，即第一连接线CL1和第二连接线CL2，可被提供在第二绝缘层IL2上，并且通过形成在第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2中的接触孔连接到与其对应的各个感测电极SEL。
根据本发明的原理及其各种示例性实施例，可以提供更薄的显示设备和/或更容易折叠的显示设备。
根据本发明的原理及其各种示例性实施例，可以提供制备更薄和/或更容易折叠的显示设备的方法。
尽管本文已经描述了特定示例性实施例和实施方式，但是其它实施例和修改将从该描述中显而易见。因此，本发明构思不限于这样的实施例，而是受限于所附权利要求的更广范围以及各种明显的改变和等同布置。

Claims (36)

1.一种显示设备，包括：
第一基板；
设置在所述第一基板上并且包括突起的有机发光层；
设置在所述有机发光层上的导电粘合剂；
设置在所述导电粘合剂上并且包括钝化膜的像素电路，所述钝化膜具有与所述突起啮合的接触孔；以及
设置在所述像素电路上的第二基板，
其中所述突起位于与所述接触孔对应的位置处，并且通过所述导电粘合剂粘合到所述像素电路。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述突起被插入到所述接触孔中。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述有机发光层包括：
设置在所述第一基板上的第一电极；
设置在所述第一基板上并且划分像素区域的像素限定层；
设置在所述第一电极上的发射层；
设置在所述发射层上的第二电极，
其中，所述突起为所述像素限定层。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述像素区域被提供为多个像素区域，并且所述第二电极被设置到所述多个像素区域中的每一个。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第一电极为阳极，并且所述第二电极为阴极。
6.根据权利要求2所述的显示设备，其中所述像素电路包括：
设置在所述第二基板上的薄膜晶体管；
设置在所述薄膜晶体管上并且包括所述接触孔的所述钝化膜，所述薄膜晶体管的漏电极的一部分通过所述接触孔被暴露；以及
在所述钝化膜上提供的接触电极，所述接触电极通过所述接触孔连接到所述漏电极。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中所述薄膜晶体管包括：
设置在所述第二基板上的有源图案；
设置在所述有源图案上的栅电极；以及
连接到所述有源图案的源电极和漏电极，
其中所述有源图案包括氧化物半导体。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述接触电极连接到所述有机发光层，所述导电粘合剂置于所述接触电极和所述有机发光层之间。
9.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述导电粘合剂被设置在所述接触孔中。
10.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述导电粘合剂被设置在所述第二基板的整个表面上。
11.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：设置在所述第一基板上用来感测触摸的触摸感测部分。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述触摸感测部分包括感测电极和连接到所述感测电极的连接线。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述触摸感测部分进一步包括压力感测电极，所述压力感测电极与所述感测电极隔开并与所述感测电极形成电容。
14.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述触摸感测部分包括自电容式触摸传感器。
15.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述触摸感测部分为互电容式触摸传感器。
16.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述触摸感测部分包括黑矩阵，所述黑矩阵与所述感测电极和所述连接线中的至少一种重叠。
17.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述触摸感测部分包括滤色器，所述滤色器显示不同的颜色。
18.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述导电粘合剂为各向异性导电膜。
19.根据权利要求18所述的显示设备，其中，所述导电粘合剂是不透明的，并且包括有机聚合物和在所述有机聚合物中提供的纳米尺寸的导电粒子。
20.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：偏振层，所述偏振层被设置在所述第一基板和所述有机发光层之间。
21.根据权利要求20所述的显示设备，其中，所述偏振层通过堆叠至少一个黑色金属层和至少一个绝缘层而形成。
22.根据权利要求20所述的显示设备，其中，所述偏振层通过在第一金属层和第二金属层之间堆叠电介质层而形成。
23.根据权利要求22所述的显示设备，其中，所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一个为黑色金属层。
24.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一基板和所述第二基板中的至少一个具有柔性。
25.根据权利要求24所述的显示设备，其中，所述第二基板包括金属层。
26.一种制备显示设备的方法，所述方法包括：
在第一基板上形成包括突起的有机发光层；
在第二基板上形成包括钝化膜的像素电路，所述钝化膜具有与所述突起啮合并且位于与所述突起对应的位置处的接触孔；
在所述像素电路上形成导电粘合剂；以及
通过使用所述导电粘合剂依靠粘合将所述有机发光层和所述像素电路彼此耦接。
27.根据权利要求26所述的方法，其中，将所述有机发光层和所述像素电路彼此耦接的步骤包括：在所述有机发光层和所述像素电路之间设置所述导电粘合剂。
28.根据权利要求27所述的方法，其中，所述突起向所述像素电路的方向突出，并且当所述有机发光层和所述像素电路彼此耦接时所述突起被插入到所述接触孔中。
29.根据权利要求28所述的方法，其中，形成所述有机发光层的步骤包括：
在所述第一基板上形成第一电极；
在所述第一基板上形成划分像素区域的像素限定层；
在所述第一电极上形成有机发射层；以及
在所述有机发射层上形成第二电极，
其中，所述突起为所述像素限定层。
30.根据权利要求26所述的方法，其中，耦接的步骤是将所述有机发光层和所述像素电路彼此电耦接。
31.根据权利要求26所述的方法，进一步包括：在形成所述像素电路之前，在所述第二基板上形成压力感测电极。
32.一种显示设备，包括：
第一基板；
设置在所述第一基板上并且包括突起的有机发光层；以及
包括钝化膜的像素电路，所述钝化膜具有与所述突起啮合的接触孔，
其中所述突起位于与所述接触孔对应的位置处，并且通过导电粘合剂粘合到所述接触孔中的所述像素电路。
33.根据权利要求32所述的显示设备，其中，所述导电粘合剂被设置在所述有机发光层上。
34.根据权利要求32所述的显示设备，其中所述导电粘合剂仅在所述突起处被设置在所述有机发光层上，
其中所述像素电路被设置在所述导电粘合剂上，并且
其中所述突起仅在所述突起和所述接触孔的对应位置处通过所述导电粘合剂粘合到所述像素电路。
35.根据权利要求32所述的显示设备，其中，所述突起具有底部、顶部以及将所述底部连接到所述顶部的侧壁，并且
所述导电粘合剂在所述突起的所述底部的较低水平处、以及所述侧壁上和所述突起的较高水平处的所述顶部上被设置在所述有机发光层上，
其中所述像素电路被设置在所述导电粘合剂上，并且
其中所述突起在所述较低水平处、在所述较高水平处和在所述侧壁处通过所述导电粘合剂粘合到所述像素电路。
36.一种柔性显示设备，包括：
包括突起的有机发光层；
包括钝化膜的像素电路，所述钝化膜具有与所述突起啮合并且位于与所述突起对应的位置处的接触孔；和
具有第一密度的导电粘合剂，所述导电粘合剂与所述有机发光层和所述像素电路电通信，
其中在弯曲期间，所述导电粘合剂的特定部分被压缩成高于所述第一密度的第二密度，并且所述导电粘合剂的特定其他部分被拉伸成低于所述第一密度的第三密度。
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10088930B2 (en) * 2011-11-25 2018-10-02 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Active matrix organic light emitting diode in-cell touch panel and drive method thereof
KR102703408B1 (ko) * 2016-06-10 2024-09-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2018080512A1 (en) * 2016-10-28 2018-05-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Display
US10496218B2 (en) * 2017-02-08 2019-12-03 Apple Inc. Display stack with integrated force input sensor
EP3441860A4 (en) * 2017-03-09 2019-05-15 Shenzhen Goodix Technology Co., Ltd. CAPACITY DETECTION CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE
TWI621900B (zh) * 2017-04-28 2018-04-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置與其製作方法
CN108933173A (zh) * 2017-05-19 2018-12-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体装置及其制造方法
CN107275512A (zh) * 2017-05-25 2017-10-20 厦门天马微电子有限公司 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
KR102315040B1 (ko) * 2017-07-11 2021-10-19 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
KR102398554B1 (ko) * 2017-08-31 2022-05-17 엘지디스플레이 주식회사 봉지층을 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102409593B1 (ko) * 2017-11-10 2022-06-15 엘지디스플레이 주식회사 폴더블 표시 장치 및 폴더블 표시 장치의 제조 방법
KR102413525B1 (ko) * 2017-12-21 2022-06-24 엘지디스플레이 주식회사 터치센서를 포함하는 유기발광표시장치
CN108196439A (zh) * 2017-12-28 2018-06-22 业成科技（成都）有限公司 具特殊表盘刻度设计的智慧型手表
TWI646453B (zh) * 2018-01-08 2019-01-01 友達光電股份有限公司 觸控顯示面板
TWI643114B (zh) * 2018-01-08 2018-12-01 友達光電股份有限公司 觸控顯示面板及其修補方法
GB2572462B (en) * 2018-03-22 2021-04-14 Peratech Holdco Ltd Integrating pressure sensitive sensors with light emitting picture elements
US10983652B2 (en) * 2018-04-13 2021-04-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Display having opaque member disposed in area surrounded by pixels and electronic apparatus having the same
CN108987426B (zh) * 2018-07-23 2020-09-29 上海天马微电子有限公司 一种柔性led显示面板及电子设备
WO2020024181A1 (zh) * 2018-08-01 2020-02-06 深圳市柔宇科技有限公司 显示器件及其制备方法
CN109213370B (zh) * 2018-08-09 2021-03-12 京东方科技集团股份有限公司 一种触控面板及其驱动方法、触控装置
KR102531312B1 (ko) * 2018-08-24 2023-05-11 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102741704B1 (ko) * 2018-12-27 2024-12-12 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110085769B (zh) * 2019-05-13 2021-08-27 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法
CN110444125B (zh) * 2019-06-25 2022-03-08 荣耀终端有限公司 显示屏、终端
CN110610664B (zh) * 2019-09-25 2021-11-30 云谷（固安）科技有限公司 具有偏光功能的盖板、柔性显示面板和可卷绕的显示装置
KR102724620B1 (ko) * 2019-11-19 2024-11-01 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치
US11349053B1 (en) * 2020-01-14 2022-05-31 Facebook Technologies, Llc Flexible interconnect using conductive adhesive
CN111142714B (zh) 2020-01-21 2021-12-28 昆山国显光电有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111415975A (zh) * 2020-04-30 2020-07-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
US11296163B2 (en) * 2020-05-27 2022-04-05 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED display panel and OLED display device
US11930565B1 (en) * 2021-02-05 2024-03-12 Mainstream Engineering Corporation Carbon nanotube heater composite tooling apparatus and method of use
KR20230001031A (ko) * 2021-06-25 2023-01-04 삼성디스플레이 주식회사 타일형 표시 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005203128A (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
JP2010282916A (ja) * 2009-06-08 2010-12-16 Fuji Electric Holdings Co Ltd 色変換フィルタ基板および有機ｅｌディスプレイの製造方法
CN103681737A (zh) * 2012-08-31 2014-03-26 乐金显示有限公司 有机发光显示器及其制造方法
CN103972261A (zh) * 2013-02-06 2014-08-06 三星显示有限公司 有机发光显示器及其制造方法
CN105552083A (zh) * 2014-10-27 2016-05-04 三星显示有限公司 薄膜晶体管阵列基板和有机发光显示装置

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5459596A (en) * 1992-09-14 1995-10-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Active matrix liquid crystal display with supplemental capacitor line which overlaps signal line
TW587239B (en) * 1999-11-30 2004-05-11 Semiconductor Energy Lab Electric device
JP2001175198A (ja) * 1999-12-14 2001-06-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
TW494447B (en) * 2000-02-01 2002-07-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7579203B2 (en) * 2000-04-25 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
TWI313059B (zh) * 2000-12-08 2009-08-01 Sony Corporatio
JP2002246310A (ja) * 2001-02-14 2002-08-30 Sony Corp 半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法、これらの方法の実施に使用する装置、並びに電気光学装置
SG130013A1 (en) * 2002-07-25 2007-03-20 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating light emitting device
KR101079757B1 (ko) * 2002-10-30 2011-11-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 반도체장치의 제작방법
KR100616706B1 (ko) * 2004-05-10 2006-08-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
US20070290196A1 (en) * 2005-07-08 2007-12-20 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic light emitting display device and method for manufacturing the organic light emitting display device
KR20080002338A (ko) 2006-06-30 2008-01-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계발광 표시장치와 그의 제조 방법
KR101556990B1 (ko) 2008-07-24 2015-10-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
US8822995B2 (en) 2008-07-24 2014-09-02 Samsung Display Co., Ltd. Display substrate and method of manufacturing the same
KR101579977B1 (ko) 2008-12-08 2015-12-24 엘지디스플레이 주식회사 듀얼 플레이트 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법
KR20100067761A (ko) * 2008-12-12 2010-06-22 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR101609376B1 (ko) 2008-12-19 2016-04-21 엘지디스플레이 주식회사 듀얼플레이트 방식의 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
KR101048965B1 (ko) 2009-01-22 2011-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계발광 표시장치
KR101147988B1 (ko) * 2010-07-13 2012-05-24 포항공과대학교 산학협력단 물리적 박리 방법을 이용한 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판
KR101394540B1 (ko) * 2010-07-29 2014-05-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
KR101804554B1 (ko) * 2010-11-01 2017-12-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
KR101858182B1 (ko) * 2011-04-11 2018-05-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101421168B1 (ko) * 2011-09-20 2014-07-21 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법
JP5558446B2 (ja) * 2011-09-26 2014-07-23 株式会社東芝 光電変換装置及びその製造方法
US9131039B2 (en) * 2011-12-22 2015-09-08 Nokia Technologies Oy Piezoelectric actuator interface and method
KR101902006B1 (ko) * 2012-01-26 2018-10-01 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 일체형 표시장치
JP2014029814A (ja) * 2012-07-31 2014-02-13 Sony Corp 表示装置および電子機器
US9928762B2 (en) * 2012-09-28 2018-03-27 Apple Inc. Electronic devices with flexible circuit light shields
KR20140109261A (ko) * 2013-03-05 2014-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
JP6344888B2 (ja) * 2013-03-27 2018-06-20 デクセリアルズ株式会社 接続体の製造方法、電子部品の接続方法、接続構造体
KR102220424B1 (ko) 2014-01-21 2021-02-26 삼성디스플레이 주식회사 가요성 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102271659B1 (ko) * 2014-08-29 2021-06-30 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널 내장형 유기 발광 표시 장치
KR102703408B1 (ko) * 2016-06-10 2024-09-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005203128A (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
JP2010282916A (ja) * 2009-06-08 2010-12-16 Fuji Electric Holdings Co Ltd 色変換フィルタ基板および有機ｅｌディスプレイの製造方法
CN103681737A (zh) * 2012-08-31 2014-03-26 乐金显示有限公司 有机发光显示器及其制造方法
CN103972261A (zh) * 2013-02-06 2014-08-06 三星显示有限公司 有机发光显示器及其制造方法
CN105552083A (zh) * 2014-10-27 2016-05-04 三星显示有限公司 薄膜晶体管阵列基板和有机发光显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170140495A (ko) 2017-12-21
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US10622425B2 (en) 2020-04-14

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