[go: up one dir, main page]

CN107409471A - 摄像用部件以及具备该摄像用部件的摄像模块 - Google Patents

摄像用部件以及具备该摄像用部件的摄像模块 Download PDF

Info

Publication number
CN107409471A
CN107409471A CN201680014936.7A CN201680014936A CN107409471A CN 107409471 A CN107409471 A CN 107409471A CN 201680014936 A CN201680014936 A CN 201680014936A CN 107409471 A CN107409471 A CN 107409471A
Authority
CN
China
Prior art keywords
imaging
component
electrode pad
electrode pads
laminated substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201680014936.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107409471B (zh
Inventor
渡边慎司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of CN107409471A publication Critical patent/CN107409471A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107409471B publication Critical patent/CN107409471B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/811—Interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body (electrodes)
    • H01L23/4824—Pads with extended contours, e.g. grid structure, branch structure, finger structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/4985—Flexible insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5386—Geometry or layout of the interconnection structure
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393—Flexible materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5383—Multilayer substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

摄像用部件(10)具备：由树脂材料构成的层叠基板(1)、被设置于层叠基板(1)的上表面的安装有摄像元件(4)的多个电极焊盘(2)、和被设置于层叠基板(1)的层间并与多个电极焊盘(2)的任意分别连接的带状的多个导体图案(3)，至少一个导体图案(3)的一部分具有位于未被连接的任意电极焊盘(2)的正下方的部位被设为宽幅的宽幅部(31)。

Description

摄像用部件以及具备该摄像用部件的摄像模块
技术领域
本公开涉及摄像用部件以及具备该摄像用部件的摄像模块。
背景技术
作为摄像用部件，例如，已知JP特开2004-104078号公报(以下，也称为专利文献1)中所述的照相机模块。专利文献1中所述的照相机模块具备柔性片和被安装于柔性片的表面的摄像元件。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2004-104078号公报
发明内容
本公开的摄像用部件具备：由树脂材料构成的层叠基板、被设置于该层叠基板的上表面的安装有摄像元件的多个电极焊盘、和被设置于所述层叠基板的层间并与多个所述电极焊盘的任意电极焊盘分别连接的带状的多个导体图案，至少一个该导体图案的一部分具备位于未被连接的任意所述电极焊盘的正下方的部位被设为宽幅的宽幅部。
附图说明
图1是表示摄像用部件以及摄像模块的剖视图。
图2是表示图1所示的摄像用部件之中层叠基板的表面的样子的示意图。
图3是表示图1所示的摄像用部件之中导体图案的布线形状的示意图。
图4是表示电极焊盘以及导体图案的局部平面透视图。
图5是表示电极焊盘、导体图案的第1部分以及层叠基板的局部平面透视图。
图6是表示电极焊盘以及导体图案的局部平面透视图。
图7是表示电极焊盘以及导体图案的局部平面透视图。
图8是表示电极焊盘以及导体图案的局部平面透视图。
具体实施方式
以下，参照附图，对摄像用部件10进行说明。如图1所示，摄像用部件10具备：层叠基板1、被设置于层叠基板1的上表面的电极焊盘2、和被设置于层叠基板1的层间并与电极焊盘2电连接的导体图案3。此外，摄像模块100具备：摄像用部件10和被安装于摄像用部件10的电极焊盘2的摄像元件4。
层叠基板1由树脂材料构成。作为树脂材料，例如使用环氧树脂。另外，这里所谓的“由树脂材料构成”，不一定意味着层叠基板仅由树脂材料构成，也可以包含其他材料。具体而言，也可以由向玻璃纤维渗入环氧树脂这样的所谓的玻璃环氧等构成。层叠基板1例如能够通过层叠玻璃环氧基板来制作。如图2所示，层叠基板1例如是主面的形状为四角形状的板状。层叠基板1的尺寸在层叠基板1为四角形状的情况下，例如能够将纵向设定为15～20mm，将横向设定为15～20mm，将厚度设定为0.5～2mm。更具体而言，层叠基板1具有多个层11。多个层11各自的层的厚度例如为0.05～0.2mm。
电极焊盘2是用于将摄像元件4安装于层叠基板1的部件。电极焊盘2在层叠基板1的上表面被设置多个。如图1以及图2所示，电极焊盘2例如剖视时的形状为矩形形状，俯视时的形状为圆形形状。另外，在图2中，透过摄像元件4、电极焊盘2以及焊料球6来描绘了层叠基板1的表面的样子。
电极焊盘2例如由铜或者金等金属材料构成。电极焊盘2的尺寸在俯视电极焊盘2时的形状为圆形形状的情况下，例如能够将直径设定为0.1～1mm，将厚度设定为0.01～0.05mm。作为用于安装摄像元件4的方法，例如，能够使用球栅阵列等。如图1所示，在本公开的摄像用部件10中，使用球栅阵列来安装摄像元件4，多个焊料球6被设置于摄像元件4的下表面与电极焊盘2的上表面之间。
导体图案3是用于将从被安装于电极焊盘2的摄像元件4发出的信号传递至监视器等其他电子部件5的部件。导体图案3是带状的部件。导体图案3被设置于层叠基板1的层间。导体图案3例如由铜或者金等金属材料构成。
这里，在本公开的摄像用部件10中，如图2、3所示，至少一个导体图案3的一部分具备：位于未被连接的任意电极焊盘2的正下方的部位被设为宽幅的宽幅部31。这里所谓的“宽幅部”，是指在以一定宽度延伸的导体图案3中宽度局部变宽的部分。具体而言，如图3所示，在导体图案3延伸为带状的情况下，在导体图案3的延伸方向观察时导体图案3的宽度发生变化的部分和宽度结束变化的部分，引出相对于导体图案3的延伸方向垂直的假想线。导体图案3之中，能够将被这2根假想线夹着的区域视为宽幅部31。
换言之，摄像用部件10具备：由树脂材料构成的多个层11层叠而成的层叠基板1、被设置于层叠基板1的表面上的多个电极焊盘2、和被设置于多个层11之间的多个导体图案3。多个导体图案3是带状。多个导体图案3的至少一个具有第1部分31以及第2部分32。第1部分31在多个层11的层叠方向与多个电极焊盘2的一个重叠。第2部分32在层叠方向不与多个电极焊盘2重叠。第1部分31的宽度比第2部分32的宽度大。导体图案3能够在将多个层11层叠时通过印刷来形成于多个层11的表面。
另外，在图3所示的导体图案3中，为了有助于理解，将导体图案3有意地简化而记载为直线状。导体图案3也可以形成为复杂的形状。因此，虽然图2与图3为对应关系，但在精确的意思中，图1的导体图案3的配置与图3的导体图案3的配置不对应。此外，这里所谓的“未被连接的任意电极焊盘2”，不是指电极焊盘2与导体图案3完全电独立。具体而言，除了导体图案3的宽幅部31与位于其正上方的电极焊盘2通过贯通孔等而直接连接的情况以外，也可以设为通过电源或者接地等共用来间接连接。
这样，通过在导体图案3之中位于电极焊盘2的正下方的部分具有宽幅部31，能够减少层叠基板1之中电极焊盘2的正下方的部分下沉。此外，通过使导体图案3之中位于电极焊盘2的正下方的部分以外的区域的宽度比位于电极焊盘2的正下方的部分的宽度窄，能够实现导体图案3的高密度的走线。其结果，能够形成使导体图案3高密度地走线并且减少了摄像元件4的位置精度的降低的摄像用部件10。
这里，在平面透视下，宽幅部31的外形也可以与电极焊盘2的外形为相同形状。换言之，在从相对于层叠基板1的表面垂直的方向观察时，第1部分31的外形与重叠于第1部分31的电极焊盘2的外形也可以是相同的形状。通过设为这样的构成，能够减少导体图案3的表面中从电极焊盘2传来的应力的偏离。因此，能够减少摄像用部件10中产生的变形。
另外，这里所谓的“相同形状”，是指宽幅部31的外形之中导体图案3的延伸方向以外的部分的形状与电极焊盘的外形为相同的形状。例如，在图3中，能够视为宽幅部31的外形之中导体图案3的延伸方向以外的部分的形状为圆形形状。并且，如图2所示，电极焊盘2是圆形形状。电就是说，在本公开中，宽幅部31与电极焊盘2为相同形状。
此外，也可以如图4所示那样，导体图案3之中的宽幅部31比电极焊盘2更宽幅。换言之，在从相对于层叠基板1的表面垂直的方向观察时，也可以第1部分31的宽度比重叠于第1部分31的电极焊盘2的宽度大。由此，在热循环下，即使电极焊盘2与导体图案3的位置关系产生偏离，也能够使导体图案3位于电极焊盘2的正下方。更具体而言，例如在电极焊盘2的俯视时的形状为圆形形状的情况下，将导体图案3的宽幅的部分的形状设为比电极焊盘2大的圆形形状即可。
此外，如图5、6所示，在从相对于层叠基板1的表面垂直的方向观察时，也可以第1部分31的宽度比重叠于第1部分31的电极焊盘2的宽度大，并且第1部分31各自的重心相比于重叠于第1部分31的电极焊盘2各自的重心，位于更远离层叠基板1的重心的位置。在图5中，为了有助于理解，仅表示了导体图案3之中的第1部分31。更具体而言，也可以第1部分31的重心位于将层叠基板1的重心与电极焊盘2的重心连结的直线的延长线上。
在热循环下，层叠基板1的表面的热膨胀以及热收缩比内部大。通过使第1部分31的宽度比电极焊盘2的宽度大，并且使重心向层叠基板1的外侧偏离，从而即使在热循环下电极焊盘2的位置偏离，也能够容易与第1部分31重叠。
此外，如图7所示，第1部分31也可以位于导体图案3之中折弯的部分。换言之，也可以在导体图案3之中折弯的部分，宽度变大。一般地，导体图案3之中折弯的部分容易受到来自其他部分的热应力的影响。具体而言，导体图案3之中直线状的部分主要在长度方向产生热膨胀。与此相对地，由于导体图案3之中折弯的部分从与折弯的部分邻接的2个直线状的部分受到热应力，因此难以控制热膨胀产生的方向。这里，如图7所示，通过使第1部分31位于导体图案3之中折弯的部分，能够增大折弯的部分本身的热膨胀。由此，能够减少由于通过其他部分热膨胀而产生的热应力导致第1部分31在预料外的方向热膨胀的可能性。由此，能够提高摄像用部件10的热循环下的可靠性。
此外，如图8所示，也可以排列为相邻的第1部分31彼此的间隔相等。通过第1部分31等间隔地排列，能够减少热循环下的层叠基板1中的热膨胀量产生偏离的可能性。因此，能够减少层叠基板1产生形变的可能性。
-符号说明-
1：层叠基板
11：层
2：电极焊盘
3：导体图案
31：宽幅部
4：摄像元件
5：电子部件
10：摄像用部件
100：摄像模块

Claims (8)

1.一种摄像用部件，具备：
由树脂材料构成的层叠基板；
被设置于该层叠基板的上表面的安装有摄像元件的多个电极焊盘；和
被设置于所述层叠基板的层间并与多个所述电极焊盘的任意电极焊盘分别连接的带状的多个导体图案，
至少一个该导体图案的一部分具备：位于未被连接的任意所述电极焊盘的正下方的部位被设为宽幅的宽幅部。
2.根据权利要求1所述的摄像用部件，其中，
在平面透视下，所述宽幅部的外形是与所述电极焊盘的外形相同的形状。
3.一种摄像模块，具备：
权利要求1或者权利要求2中所述的摄像用部件、和被安装于该摄像用部件的所述电极焊盘的摄像元件。
4.一种摄像用部件，具备：
由树脂材料构成的多个层被层叠而成的层叠基板；
被设置于该层叠基板的表面上的多个电极焊盘；和
被设置于所述多个层之间的多个导体图案，
该多个导体图案是带状，该多个导体图案的至少一个具有第1部分以及第2部分，所述第1部分在所述多个层的层叠方向上与所述多个电极焊盘的一个电极焊盘重叠，所述第2部分在所述层叠方向上不与所述多个电极焊盘重叠，所述第1部分的宽度比所述第2部分的宽度大。
5.根据权利要求4所述的摄像用部件，其中，
在从垂直于所述表面的方向观察时，所述第1部分的外形与重叠于所述第1部分的所述电极焊盘的外形为相同形状。
6.根据权利要求4所述的摄像用部件，其中，
在从垂直于所述表面的方向观察时，所述第1部分的宽度比重叠于所述第1部分的所述电极焊盘的宽度大。
7.根据权利要求6所述的摄像用部件，其中，
在从垂直于所述表面的方向观察时，所述第1部分的重心相比于重叠于所述第1部分的所述电极焊盘的重心，位于更远离所述层叠基板的重心的位置。
8.一种摄像模块，具备：
权利要求4至权利要求7的任意一项所述的摄像用部件、和被安装于该摄像用部件的所述多个电极焊盘的摄像元件。
CN201680014936.7A 2015-03-27 2016-02-25 摄像用部件以及具备该摄像用部件的摄像模块 Active CN107409471B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-067248 2015-03-27
JP2015067248 2015-03-27
PCT/JP2016/055575 WO2016158109A1 (ja) 2015-03-27 2016-02-25 撮像用部品およびこれを備える撮像モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107409471A true CN107409471A (zh) 2017-11-28
CN107409471B CN107409471B (zh) 2020-07-21

Family

ID=57005690

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680014936.7A Active CN107409471B (zh) 2015-03-27 2016-02-25 摄像用部件以及具备该摄像用部件的摄像模块

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20180130841A1 (zh)
EP (1) EP3277065B1 (zh)
JP (1) JP6454001B2 (zh)
CN (1) CN107409471B (zh)
WO (1) WO2016158109A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017128568A1 (de) * 2017-12-01 2019-06-06 Infineon Technologies Ag Halbleiterchip mit einer vielzahl von externen kontakten, chip-anordnung und verfahren zum überprüfen einer ausrichtung einer position eines halbleiterchips

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06326214A (ja) * 1993-05-17 1994-11-25 Nkk Corp 多層配線構造及びその形成方法
JP2000208665A (ja) * 1999-01-13 2000-07-28 Pfu Ltd 小型半導体装置および小型半導体装置の実装構造
JP2004104078A (ja) * 2002-06-28 2004-04-02 Sanyo Electric Co Ltd カメラモジュールおよびその製造方法
WO2006129762A1 (ja) * 2005-06-02 2006-12-07 Sony Corporation 半導体イメージセンサ・モジュール及びその製造方法
US20100109052A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Renesas Technology Corp. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW201322837A (zh) * 2011-10-04 2013-06-01 Ngk Spark Plug Co 配線基板及其製造方法
WO2014054353A1 (ja) * 2012-10-05 2014-04-10 株式会社村田製作所 電子部品内蔵モジュール及び通信端末装置
US20140159203A1 (en) * 2012-12-06 2014-06-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate Pad Structure

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5535820Y2 (zh) * 1974-09-11 1980-08-23
JPS60175494A (ja) * 1984-02-20 1985-09-09 松下電器産業株式会社 金属ベ−ス回路基板の製造方法
JPH04286392A (ja) * 1991-03-15 1992-10-12 Fujitsu Ltd 印刷回路基板
JPH05152382A (ja) * 1991-12-02 1993-06-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路装置
AU3429493A (en) * 1991-12-31 1993-07-28 Tessera, Inc. Multi-layer circuit construction methods and structures with customization features and components for use therein
JPH05235547A (ja) * 1992-02-26 1993-09-10 Fujitsu Ltd 薄膜基板の配線構造
JPH07106764A (ja) * 1993-10-08 1995-04-21 Fujitsu Ltd セラミック多層回路基板
JPH09223715A (ja) * 1996-02-15 1997-08-26 Pfu Ltd フリップチップまたはフリップチップキャリアの接続構造
JPH11307886A (ja) * 1998-04-21 1999-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd フリップチップ接合ランドうねり防止パターン
US6879492B2 (en) * 2001-03-28 2005-04-12 International Business Machines Corporation Hyperbga buildup laminate
JP2004214586A (ja) * 2002-11-14 2004-07-29 Kyocera Corp 多層配線基板
JP2005268259A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Kyocera Corp 多層配線基板
JP4304163B2 (ja) * 2005-03-09 2009-07-29 パナソニック株式会社 撮像モジュールおよびその製造方法
JP2008227429A (ja) * 2007-03-16 2008-09-25 Alps Electric Co Ltd 電子回路モジュールおよび多層配線板
JP5344036B2 (ja) * 2009-05-12 2013-11-20 株式会社村田製作所 回路基板及びその製造方法
JP5547594B2 (ja) * 2010-09-28 2014-07-16 新光電気工業株式会社 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法
US9560771B2 (en) * 2012-11-27 2017-01-31 Omnivision Technologies, Inc. Ball grid array and land grid array having modified footprint
KR102214512B1 (ko) * 2014-07-04 2021-02-09 삼성전자 주식회사 인쇄회로기판 및 이를 이용한 반도체 패키지

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06326214A (ja) * 1993-05-17 1994-11-25 Nkk Corp 多層配線構造及びその形成方法
JP2000208665A (ja) * 1999-01-13 2000-07-28 Pfu Ltd 小型半導体装置および小型半導体装置の実装構造
JP2004104078A (ja) * 2002-06-28 2004-04-02 Sanyo Electric Co Ltd カメラモジュールおよびその製造方法
WO2006129762A1 (ja) * 2005-06-02 2006-12-07 Sony Corporation 半導体イメージセンサ・モジュール及びその製造方法
US20100109052A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Renesas Technology Corp. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2010267944A (ja) * 2008-11-05 2010-11-25 Renesas Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
TW201322837A (zh) * 2011-10-04 2013-06-01 Ngk Spark Plug Co 配線基板及其製造方法
WO2014054353A1 (ja) * 2012-10-05 2014-04-10 株式会社村田製作所 電子部品内蔵モジュール及び通信端末装置
US20140159203A1 (en) * 2012-12-06 2014-06-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate Pad Structure

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2016158109A1 (ja) 2017-12-28
EP3277065A1 (en) 2018-01-31
US20180130841A1 (en) 2018-05-10
EP3277065B1 (en) 2021-08-11
WO2016158109A1 (ja) 2016-10-06
EP3277065A4 (en) 2018-12-12
JP6454001B2 (ja) 2019-01-16
CN107409471B (zh) 2020-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8847356B2 (en) Component-built-in wiring board
JP5692056B2 (ja) 多層プリント基板
JP5950488B1 (ja) 半導体モジュール
US9950512B2 (en) Liquid discharge head
US9699887B2 (en) Circuit board and electronic device
US7660132B2 (en) Covered multilayer module
US20170208677A1 (en) Multilayer substrate
US9949368B2 (en) Resin substrate and electronic device
US10020441B2 (en) Piezoelectric transformer device
JP6585031B2 (ja) 携帯機器
US20160254429A1 (en) Light emitting device
US9609741B1 (en) Printed circuit board and electronic apparatus
CN107409471A (zh) 摄像用部件以及具备该摄像用部件的摄像模块
KR20190099709A (ko) 인쇄회로기판
TWI802590B (zh) 電感器及其製造方法
US20200051887A1 (en) Semiconductor device, printed circuit board, electronic device, and image pickup apparatus
JP2009081180A (ja) 回路装置
CN110784996A (zh) 布线基板
JP7358525B2 (ja) 電子素子搭載用基板、電子装置および電子モジュール
JP7025845B2 (ja) 配線基板、電子装置および電子モジュール
US20160205782A1 (en) Printed circuit board and method for fabricating the same
JP2007150201A (ja) チップ抵抗器
JP6119307B2 (ja) チップ部品の実装構造およびチップ部品
JP2020150000A (ja) セラミックス基板
US20150114688A1 (en) Printed circuit board

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant