CN107399166B - 一种mems剪切式压电喷墨打印头及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种MEMS剪切式压电喷墨打印头的制备方法，首先在硅衬底上刻蚀形成环形槽，然后在硅衬底的刻蚀面沉积结构层，并使该结构层将环形槽填充满；再分别在硅衬底和结构层上形成连通的喷头的墨水通道和喷孔，在压电陶瓷衬底上制备出喷墨打印头压力腔的结构，然后将压电陶瓷衬底具有压力腔的一面与硅衬底的墨水通道一面键合、极化压电陶瓷衬底并在压电陶瓷衬底上制备金属驱动电极，最后在压电陶瓷衬底上形成连通墨水通道的进墨通口。该制备方法大大降低了制备喷墨打印头的成本，且硅刻蚀槽中填充有专门的结构层，减小了深硅刻蚀工艺对墨水通道底部的过刻蚀作用，从而降低了灌墨过程中墨水通道中残留气泡对墨滴发射的影响。
Description
技术领域
本发明涉及微加工技术领域，尤其涉及一种MEMS剪切式压电喷墨打印头及其制备方法。
背景技术
喷墨打印为个人文档打印提供了灵活、经济的解决方案，目前仍在家庭和小型办公环境中大量应用。喷墨打印头是喷墨印刷、喷墨数字制造及3D打印技术中的核心器件。喷墨技术可分为连续式及按需式两大类。连续式的工作原理为在持续不间断供墨过程中，利用偏压板控制墨滴的飞行方向，让带电的液滴移动到目标位置，而不带电的墨滴不受电场的影响，飞行到墨水回收装置中进行墨水回收。由于墨滴是连续不断喷射的，因此会损耗大量的墨水，并且连续式喷墨的墨滴偏移量大，定位较不精准。按需式喷墨的工作原理为打印机按照需求将墨滴喷射出去，这样一来不但可以避免墨滴的浪费，并且不需要回收装置。根据驱动方式的不同，按需式喷墨又可以分为下列四种：热泡驱动式、压电驱动式、静电力驱动式、音波驱动式。
其中，压电喷墨头由于其使用寿命长，能够适用于各种不同类型的墨水，包括黏度较高的UV(Ultraviolet Rays，紫外线)喷墨墨水及陶瓷釉料等，因此被喷墨数字制造和3D打印等技术所广泛应用。然而，普通的压电喷墨打印头采用SOI(Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅)衬底材料，成本较高，且采用深硅刻蚀工艺通常会对压电喷墨打印头的墨水通道造成过刻蚀(notching)，在灌墨过程中，该处易残留气泡，会影响墨滴发射精度，无法精确控制墨点的大小和形状，从而影响画面效果的清晰度。
发明内容
鉴于现有技术存在的不足，本发明提供了一种节约成本、墨滴发射精度高、不影响画面效果的MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems，微机电系统)剪切式压电喷墨打印头的制备方法。
为了实现上述的目的，本发明采用了如下的技术方案：
一种MEMS剪切式压电喷墨打印头的制备方法，包括如下步骤：
S01、提供一硅衬底，并在所述硅衬底的下表面刻蚀形成环形槽；
S02、在所述硅衬底的下表面沉积结构层，并使所述结构层将所述环形槽填充满；
S03、自所述硅衬底的上表面向下形成贯穿所述硅衬底的墨水通道、以及在所述结构层上形成与所述墨水通道连通的喷孔，其中，所述墨水通道尺寸匹配地穿过所述环形槽限定的内环空间；
S04、将具有槽状的压力腔的PZT衬底与所述硅衬底键合，并使所述压力腔与所述墨水通道对应配合设置；
S05、极化所述PZT衬底并在所述PZT衬底上表面制备金属驱动电极，并在所述PZT衬底上形成连通所述墨水通道的进墨通口。
进一步地，所述压力腔的制作步骤包括：在所述PZT衬底上沉积材料层并在所述材料层中部光刻形成所述压力腔。
进一步地，所述压力腔的宽度和高度分别为100～1000μm和20～100μm。
进一步地，所述步骤S03中，所述墨水通道和所述喷孔均通过光刻形成。
进一步地，所述材料层为SU-8光刻胶或聚酰亚胺。
进一步地，所述环形槽的深宽比为1:1～1:5。
进一步地，所述步骤S04中，键合材料为BCB胶，其厚度为3～10μm。
进一步地，所述步骤S05中，所述金属驱动电极的材质选自铂、金、银、铜、铜合金、钛、钛合金、镍中任意一种，其厚度为50～200nm。
进一步地，所述结构层为氧化硅或氮化硅，或氧化硅与氮化硅的交替沉积结构。
进一步地，所述墨水通道的深度为200～500μm、所述喷孔的深度为10～30μm，和/或所述墨水通道的宽度为50～200μm、所述喷孔的宽度为10～30μm。
进一步地，所述进墨通口的宽度和长度分别为100～1000μm和200～1000μm。
本发明的另一目的在于提供一种上述任意一种方法制备而成的MEMS剪切式压电喷墨打印头。
本发明提出一种MEMS剪切式压电喷墨打印头的制备方法，该制备方法使用普通硅衬底代替价格较高的SOI衬底，大大降低了制备喷墨打印头的成本；由于独特的结构设计，在硅刻蚀槽中填充有专门的结构层，减小了深硅刻蚀工艺对墨水通道底部的过刻蚀作用，从而降低了灌墨过程中墨水通道内残留气泡对墨滴发射的影响。
附图说明
图1为本发明的MEMS剪切式压电喷墨打印头的前半部分制备工艺原理图。
图2为本发明的MEMS剪切式压电喷墨打印头的后半部分制备工艺原理图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
参阅图1和图2，本发明的MEMS剪切式压电喷墨打印头的制备方法包括如下步骤：
S01、提供一硅衬底10，双面抛光，并在硅衬底10的下表面刻蚀形成环形槽11；
S02、在硅衬底10的下表面沉积结构层20，并使结构层20将环形槽11填充满；
S03、自硅衬底10的上表面向下形成贯穿硅衬底10的墨水通道12、以及在结构层20上形成与墨水通道12连通的喷孔13，其中，墨水通道12尺寸匹配地穿过环形槽11限定的内环空间，即去除环形槽11内环内的硅衬底材料，墨水通道12的孔径与环形槽11的内径相同，“环形槽11限定的内环空间”即环形槽11内环所围成的空间；
S04、将具有槽状的压力腔31的PZT(压电陶瓷)衬底30与硅衬底10键合，并使压力腔31与墨水通道12对应配合设置，即压力腔31倒扣在墨水通道12上；
S05、极化PZT衬底30并在PZT衬底30上表面制备金属驱动电极S，并在PZT衬底30上形成连通墨水通道12的进墨通口。
其中，压力腔31的制作步骤包括：在PZT衬底30上沉积材料层2并在材料层2中部光刻形成压力腔31，压力腔31的宽度和高度分别为100～1000μm和20～100μm。
优选步骤S03中，墨水通道12和喷孔13均通过光刻形成，材料层2为SU-8光刻胶或聚酰亚胺等。优选地，环形槽11的深宽比为1:1～1:5，结构层20为氧化硅或氮化硅，或氧化硅与氮化硅的交替沉积结构。硅衬底的厚度为200～500μm，步骤S02中，结构层20的厚度为10～30μm。
具体地，墨水通道12的深度为200～500μm，宽度为50～200μm，喷孔13的深度为10～30μm，宽度为10～30μm。进墨通口的宽度和长度分别为100～1000μm和200～1000μm。步骤S04中，键合材料优选是BCB(苯并环丁烯)胶，其厚度为3～10μm。金属驱动电极S通过光刻、溅射和腐蚀工艺在PZT衬底30上制作而成，金属驱动电极S的材料可以采用铂、金、银、铜、铜合金、钛、钛合金或镍，其厚度为50～200nm，金属驱动电极S的粘附层为铂或铬，厚度优选为10～20nm。
制备而成的MEMS剪切式压电喷墨打印头包括硅衬底10、结构层20、PZT衬底30、材料层2以及金属驱动电极S，PZT衬底30、材料层2、硅衬底10、结构层20自上而下堆叠，压力腔31形成于材料层2中部，墨水通道12形成于硅衬底10与结构层20内，喷孔13形成于结构层20上。
为便于更好地解释和理解本发明，以下为几种优选的制备工艺。
实施例1
首先通过光刻和深硅刻蚀工艺在200μm厚的硅衬底上刻蚀出深宽比为1:2(5μm：10μm)的环形槽；然后在硅衬底的刻蚀面沉积厚度为15μm的结构层，并保证沉积的结构层将刻蚀的环形槽填充满；再通过光刻工艺在硅衬底上刻蚀出喷头的墨水通道和喷孔。其中，墨水通道的深度为200μm，宽度为50μm；喷孔的深度为10μm，喷孔的宽度为10μm。同时，通过沉积和光刻工艺在PZT衬底上制备出压力腔的结构，压力腔的宽度和高度分别为200μm和30μm。将PZT衬底有压力腔的一面和硅衬底具有墨水通道的一面做键合。然后做PZT极化并通过光刻和溅射工艺在PZT衬底表面制备铂驱动电极。最后在PZT上开设喷头的进墨通口。进墨通口的宽度和长度分别为200μm和1000μm。
实施例2
首先通过光刻和深硅刻蚀工艺在300μm厚的硅衬底上刻蚀出深宽比为1:3(5μm：15μm)的环形槽；然后在硅衬底的刻蚀面沉积20μm厚度的结构层，并保证沉积的结构层将刻蚀的环形槽填充满；再通过光刻工艺在硅衬底上刻蚀出喷头的墨水通道和喷孔。其中，墨水通道的深度为300μm，宽度为100μm；喷孔的深度为20μm，喷孔的宽度为20μm。同时，通过沉积和光刻工艺在PZT衬底上制备出压力腔的结构。压力腔的宽度和高度分别为400μm和50μm。将PZT衬底有压力腔的一面和硅衬底具有墨水通道的一面做键合。然后做PZT极化并通过光刻和溅射工艺在PZT衬底表面制备金驱动电极。最后在PZT上开设喷头的进墨通口，进墨通口的宽度和长度分别为400μm和300μm。
实施例3
首先通过光刻和深硅刻蚀工艺在400μm厚的硅衬底上刻蚀出深宽比为1:4(5μm：20μm)的环形槽；然后在硅衬底的刻蚀面沉积30μm厚度的结构层，并保证沉积的结构层将刻蚀的环形槽填充满；再通过光刻工艺在硅衬底上刻蚀出喷头的墨水通道和喷孔。其中，墨水通道的深度为400μm，宽度为150μm；喷孔的深度为30μm，喷孔的宽度为30μm。同时，通过沉积和光刻工艺在PZT衬底上制备出压力腔的结构。压力腔的宽度和高度分别为200μm和50μm。将PZT衬底有压力腔的一面和硅衬底具有墨水通道的一面做键合。然后做PZT极化并通过光刻和溅射工艺在PZT衬底表面制备铂驱动电极。最后在PZT上开设喷头的进墨通口，进墨通口的宽度和长度分别为200μm和300μm。
实施例4
首先通过光刻和深硅刻蚀工艺在500μm厚的硅衬底上刻蚀出深宽比为1:5的环形槽；然后在硅衬底的刻蚀面沉积30μm厚度的结构层，并保证沉积的结构层将刻蚀的环形槽填充满；再通过光刻工艺在硅衬底上刻蚀出喷头的墨水通道和喷孔。其中，墨水通道的深度为500μm，宽度为100μm；喷孔的深度为30μm，喷孔的宽度为10μm。同时，通过沉积和光刻工艺在PZT衬底上制备出压力腔的结构。压力腔的宽度和高度分别为500μm和100μm。将PZT有压力腔的一面和硅衬底具有墨水通道的一面做键合。然后做PZT极化并通过光刻和溅射工艺在PZT衬底表面制备金驱动电极。最后在PZT上开设喷头的进墨通口，进墨通口的宽度和长度分别为500μm和1000μm。
与现有技术相比，本发明的优点至少在于：
(1)使用普通硅衬底代替价格较高的SOI衬底，大大降低了制备喷头的成本；
(2)采用独特的结构设计，在硅刻蚀槽中填充刻蚀阻挡层，减小了深硅刻蚀工艺对墨水通道底部的过刻蚀作用，从而降低了在灌墨过程中墨水通道残留气泡对墨滴发射的影响。
以上所述仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (12)
1.一种MEMS剪切式压电喷墨打印头的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S01、提供一硅衬底(10)，并在所述硅衬底(10)的下表面刻蚀形成环形槽(11)；
S02、在所述硅衬底(10)的下表面沉积结构层(20)，并使所述结构层(20)将所述环形槽(11)填充满；
S03、自所述硅衬底(10)的上表面向下形成贯穿所述硅衬底(10)的墨水通道(12)、以及在所述结构层(20)上形成与所述墨水通道(12)连通的喷孔(13)，其中，所述墨水通道(12)尺寸匹配地穿过所述环形槽(11)限定的内环空间；
S04、将具有槽状的压力腔(31)的PZT衬底(30)与所述硅衬底(10)键合，并使所述压力腔(31)与所述墨水通道(12)对应配合设置；
S05、极化所述PZT衬底(30)并在所述PZT衬底(30)上表面制备金属驱动电极(S)，并在所述PZT衬底(30)上形成连通所述墨水通道(12)的进墨通口。
2.根据权利要求1所述的MEMS剪切式压电喷墨打印头的制备方法，其特征在于，所述压力腔(31)的制作步骤包括：在所述PZT衬底(30)上沉积材料层(2)并在所述材料层(2)中部光刻形成所述压力腔(31)。
3.根据权利要求1所述的MEMS剪切式压电喷墨打印头的制备方法，其特征在于，所述压力腔(31)的宽度和高度分别为100～1000μm和20～100μm。
4.根据权利要求1所述的MEMS剪切式压电喷墨打印头的制备方法，其特征在于，所述步骤S03中，所述墨水通道(12)和所述喷孔(13)均通过光刻形成。
5.根据权利要求2所述的MEMS剪切式压电喷墨打印头的制备方法，其特征在于，所述材料层(2)为SU-8光刻胶或聚酰亚胺。
6.根据权利要求1所述的MEMS剪切式压电喷墨打印头的制备方法，其特征在于，所述环形槽(11)的深宽比为1:1～1:5。
7.根据权利要求1所述的MEMS剪切式压电喷墨打印头的制备方法，其特征在于，所述步骤S04中，键合材料为BCB胶，其厚度为3～10μm。
8.根据权利要求1所述的MEMS剪切式压电喷墨打印头的制备方法，其特征在于，所述步骤S05中，所述金属驱动电极(S)的材质选自铂、金、银、铜、铜合金、钛、钛合金、镍中任意一种，其厚度为50～200nm。
9.根据权利要求1-8任一所述的MEMS剪切式压电喷墨打印头的制备方法，其特征在于，所述结构层(20)为氧化硅或氮化硅，或氧化硅与氮化硅的交替沉积结构。
10.根据权利要求9所述的MEMS剪切式压电喷墨打印头的制备方法，其特征在于，所述墨水通道(12)的深度为200～500μm、所述喷孔(13)的深度为10～30μm，和/或所述墨水通道(12)的宽度为50～200μm、所述喷孔(13)的宽度为10～30μm。
11.根据权利要求10所述的MEMS剪切式压电喷墨打印头的制备方法，其特征在于，所述进墨通口的宽度和长度分别为100～1000μm和200～1000μm。
12.一种MEMS剪切式压电喷墨打印头，其特征在于，使用权利要求1-11任一所述的制备方法制备而成。
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Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7139710B2 (ja) * | 2018-06-21 | 2022-09-21 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、及び、液体噴射装置 |
| CN111572203B (zh) * | 2020-04-03 | 2021-06-08 | 北京泰微华赢技术有限公司 | 一种透明喷墨头的基于mems及印刷工艺的制备方法 |
| CN111923600B (zh) * | 2020-05-13 | 2021-10-22 | 苏州锐发打印技术有限公司 | 带有内表面电极层的压电喷墨打印器件 |
| CN114684777B (zh) * | 2020-12-30 | 2024-06-11 | 上海新微技术研发中心有限公司 | Mems热泡打印头加热结构的制作方法 |
| CN114771102B (zh) * | 2022-04-21 | 2023-01-03 | 杭州电子科技大学 | 一种压电式喷墨打印机喷头及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0854038A1 (en) * | 1995-06-12 | 1998-07-22 | Citizen Watch Co., Ltd. | Ink jet head method of production thereof, and jig for producing ink jet head |
| CA2179869C (en) * | 1995-06-30 | 2001-02-13 | Norio Ohkuma | Manufacturing method of ink jet head |
| CN1408550A (zh) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | 飞赫科技股份有限公司 | 压电式喷墨打印头及其制造方法 |
| CN101746132A (zh) * | 2008-11-27 | 2010-06-23 | 三星电子株式会社 | 喷嘴板和制造该喷嘴板的方法 |
| US20150062253A1 (en) * | 2013-09-02 | 2015-03-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid ejection head and production process thereof |
| CN104943380A (zh) * | 2014-03-26 | 2015-09-30 | 兄弟工业株式会社 | 液体喷射装置和用于生产液体喷射装置的方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03124450A (ja) * | 1989-10-11 | 1991-05-28 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッドの製造方法 |
-
2016
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0854038A1 (en) * | 1995-06-12 | 1998-07-22 | Citizen Watch Co., Ltd. | Ink jet head method of production thereof, and jig for producing ink jet head |
| CA2179869C (en) * | 1995-06-30 | 2001-02-13 | Norio Ohkuma | Manufacturing method of ink jet head |
| CN1408550A (zh) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | 飞赫科技股份有限公司 | 压电式喷墨打印头及其制造方法 |
| CN101746132A (zh) * | 2008-11-27 | 2010-06-23 | 三星电子株式会社 | 喷嘴板和制造该喷嘴板的方法 |
| US20150062253A1 (en) * | 2013-09-02 | 2015-03-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid ejection head and production process thereof |
| CN104943380A (zh) * | 2014-03-26 | 2015-09-30 | 兄弟工业株式会社 | 液体喷射装置和用于生产液体喷射装置的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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