CN107369612A - 一种芯片的制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种芯片的制造方法，所述芯片包括基板，其特征在于：在所述基板下端设置有散热层，所述散热层与所述基板一体成型，所述散热层与所述基板通过数个连接块相连，在所述基板上设置有数个金属层，在最上层所述金属层上设置有钝化层，所述芯片的加工步骤包括处理晶圆，基板上表面进行氧化、金属溅镀、涂布光阻、蚀刻和光阻去除，涂钝化层、检测、封装。本发明设计合理，步骤简单，生产出的芯片散热效果好，使用寿命长。
Description
技术领域
本发明涉及芯片制造技术，具体的说是一种芯片的制造方法。
背景技术
现有技术中的芯片散热效果比较差，温度过高会对电子元件造成损坏，往往因为电子元件损坏而使电子器件经常需要维修，现有的芯片生产工艺很难使生产出的芯片具有很好的散热效果。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供了一种能够生产出散热效果好的芯片的制造方法。
为了达到上述目的，本发明是通过以下技术方案来实现的：
本发明是一种芯片的制造方法，芯片包括基板，在基板下端设置有散热层，散热层与基板一体成型，散热层与基板通过数个连接块相连，在基板上设置有数个金属层，在最上层金属层上设置有钝化层，芯片的加工步骤如下；
1选择晶圆板，对晶圆板进行清洗和干燥；
2对干燥后的晶圆板进行固定，通过激光切割装置进行切割，使晶圆板分为散热层和基板，散热层与基板之间形成数个连接块；
3将步骤2所得的晶圆板浸入纳米散热涂料中静置10-30s，取出烘干；
4将步骤3中所得的晶圆板的基板上表面喷洒丙酮1-2min放入水中清洗，进行干燥；
5对基板上表面进行氧化，并进行数次金属溅镀、涂布光阻、蚀刻和光阻去除，使基板上表面形成至少3层金属层，最上层金属层不做涂布光阻、蚀刻和光阻去除工艺；
6在最上层金属层上涂钝化层；
7进行检测，检测合格后封装。
1、本发明的进一步改进在于：步骤4中干燥的温度为180℃，干燥时间为4-5min。
本发明的进一步改进在于：最上层金属层与最下层金属层比其他金属层厚。
本发明的有益效果是：本发明在芯片上涂有纳米散热涂料使芯片产生的热量快速散去，散热层于基板之间通过连接块连接使芯片整体与空气接触面积增大，增强散热效果。
本发明设计合理，步骤简单，生产出的芯片散热效果好，使用寿命长。
附图说明
图1是本发明结构示意图。
其中：1-散热板，2-基板，3-连接块，4-层金属层，5-钝化层。
具体实施方式
为了加强对本发明的理解，下面将结合附图和实施例对本发明作进一步的详细描述，该实施例仅用于解释本发明，并不对本发明的保护范围构成限定。
如图1所示，本发明是一种芯片的制造方法，芯片包括基板1，在基板1下端设置有散热层2，散热层2与基板1一体成型，散热层2与基板1通过数个连接块3相连，在基板1上设置有数个金属层4，在最上层金属层4上设置有钝化层5，芯片的加工步骤如下；
1选择晶圆板，对晶圆板进行清洗和干燥；
2对干燥后的晶圆板进行固定，通过激光切割装置进行切割，使晶圆板分为散热层和基板，散热层与基板之间形成数个连接块；
3将步骤2所得的晶圆板浸入纳米散热涂料中静置10-30s，取出烘干；
4将步骤3中所得的晶圆板的基板上表面喷洒丙酮1-2min放入水中清洗，进行干燥；
5对基板上表面进行氧化，并进行数次金属溅镀、涂布光阻、蚀刻和光阻去除，使基板上表面形成至少3层金属层，最上层金属层不做涂布光阻、蚀刻和光阻去除工艺；
6在最上层金属层上涂钝化层；
7进行检测，检测合格后封装；步骤4中干燥的温度为180℃，干燥时间为4-5min，最上层金属层4与最下层金属层4比其他金属层4厚。
本发明设计合理，步骤简单，生产出的芯片散热效果好，使用寿命长。
Claims (3)
1.一种芯片的制造方法，所述芯片包括基板（1），其特征在于：在所述基板（1）下端设置有散热层（2），所述散热层（2）与所述基板（1）一体成型，所述散热层（2）与所述基板（1）通过数个连接块（3）相连，在所述基板（1）上设置有数个金属层（4），在最上层所述金属层（4）上设置有钝化层（5），所述芯片的加工步骤如下；
（1）选择晶圆板，对晶圆板进行清洗和干燥；
（2）对干燥后的晶圆板进行固定，通过激光切割装置进行切割，使晶圆板分为散热层和基板，散热层与基板之间形成数个连接块；
（3）将步骤2所得的晶圆板浸入纳米散热涂料中静置10-30s，取出烘干；
（4）将步骤3中所得的晶圆板的基板上表面喷洒丙酮1-2min放入水中清洗，进行干燥；
（5）对基板上表面进行氧化，并进行数次金属溅镀、涂布光阻、蚀刻和光阻去除，使基板上表面形成至少3层金属层，最上层金属层不做涂布光阻、蚀刻和光阻去除工艺；
（6）在最上层金属层上涂钝化层；
（7）进行检测，检测合格后封装。
2.根据权利要求1所述一种芯片的制造方法，其特征在于：所述步骤4中干燥的温度为180℃，干燥时间为4-5min。
3.根据权利要求1所述一种芯片的制造方法，其特征在于：最上层所述金属层（4）与最下层金属层（4）比其他所述金属层（4）厚。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201710575010.1A CN107369612A (zh) | 2017-07-14 | 2017-07-14 | 一种芯片的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201710575010.1A CN107369612A (zh) | 2017-07-14 | 2017-07-14 | 一种芯片的制造方法 |
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