CN107331793A - 一种硅基有机发光器件底电极结构及其制造方法 - Google Patents
一种硅基有机发光器件底电极结构及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107331793A CN107331793A CN201710614191.4A CN201710614191A CN107331793A CN 107331793 A CN107331793 A CN 107331793A CN 201710614191 A CN201710614191 A CN 201710614191A CN 107331793 A CN107331793 A CN 107331793A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- layer
- metal layer
- hearth electrode
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 48
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 48
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 70
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 29
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 26
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000026267 regulation of growth Effects 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004156 TaNx Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910010421 TiNx Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910008486 TiSix Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910007667 ZnOx Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910003134 ZrOx Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ONBQEOIKXPHGMB-VBSBHUPXSA-N 1-[2-[(2s,3r,4s,5r)-3,4-dihydroxy-5-(hydroxymethyl)oxolan-2-yl]oxy-4,6-dihydroxyphenyl]-3-(4-hydroxyphenyl)propan-1-one Chemical compound O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1OC1=CC(O)=CC(O)=C1C(=O)CCC1=CC=C(O)C=C1 ONBQEOIKXPHGMB-VBSBHUPXSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 2
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 2
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229940126142 compound 16 Drugs 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013475 authorization Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种硅基有机发光器件底电极结构及其制造方法，涉及硅基有机发光领域，其中硅基有机发光器件底电极包括第一金属层、连接孔、透明绝缘膜、有机接触层，硅基底中含有金属氧化物半导体场效应晶体管，连接孔设置于透明绝缘膜中，有机接触层通过连接孔连接至第一金属层，第一金属层连接至金属氧化物半导体场效应晶体管的输出端。连接第一金属层和有机接触层的连接孔设置在底电极的边缘位置或四角位置且突出于发光区。绝缘钝化物包覆有机接触层的外围边缘。本发明的硅基有机发光器件底电极结构将反光层下移，通孔偏置并且对电极进行覆盖绝缘钝化物处理，极大提高了有机发光层铺设时的平整度并减小了电极厚度，提高了发光效率和良品率。
Description
技术领域
本发明涉及硅基有机发光器件领域，尤其涉及一种硅基有机发光器件底电极结构及其制造方法。
背景技术
在现有的硅基有机发光的器件结构中，阳极一般为三层或五层结构，通常为钛、氮化钛、铝、钛、氮化钛的垂直五层结构，如授权公告号为“CN102629667B”发明名称为“硅基顶发射有机发光微显示器件及其制备方法”中公开了这种结构，其公开的技术方案中，连接阳极的通孔设置在阳极中间，容易造成底电极表面或侧面不平整，如图1所示。另外，五层垂直的阳极结构总体高度较高，在阳极上铺设有机发光层时，也容易形成不平和褶皱，影响发光效率。
因此，本领域的技术人员致力于开发一种硅基有机发光器件及其制造方法，将反光层下移，通孔偏置并且对电极进行覆盖绝缘钝化物处理，极大提高了有机发光层铺设时的平整度并减小了电极厚度，提高了发光效率和良品率。
发明内容
有鉴于现有技术的上述缺陷，本发明所要解决的技术问题是如何提高有机发光层铺设时的平整度和减小厚度，如何提高了发光效率。
为实现上述目的，可将通孔偏置并且对底电极进行钝化物覆盖处理，进一步地，将反光层下移。本发明提供了一种硅基有机发光器件底电极结构，包括硅基底，其特征在于：所述底电极包括第一金属层、连接孔、透明绝缘膜、有机接触层，所述硅基底中含有金属氧化物半导体场效应晶体管，所述连接孔设置于透明绝缘膜中，所述有机接触层通过连接孔连接至第一金属层，所述第一金属层连接至所述金属氧化物半导体场效应晶体管的输出端，所述有机接触层的材料为ITO、Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Cu、Ti、W、Zr、Ta、ZrOx、VOx、MoOx、AlOx、ZnOx、MoN、TiNx、TiSixNy、WSix、WNx、WSixTy、TaNx、TaSixNy、SiOx、SiNx、SiC、C60单质或其任意比例的混合物。
进一步地，所述底电极还包括第二金属层，所述第二金属层设置于有机接触层和第一金属层之间，所述连接孔与所述第二金属层在同一水平高度错开设置且不相连接，所述第二金属层被透明绝缘膜所包含。
进一步地，所述有机接触层非常薄且呈透明或半透明状态，其厚度不超过50nm。
进一步地，所述透明绝缘膜的材料为氧化硅或氮化硅，且厚度不超过2μm。
进一步地，所述第一金属层和第二金属层的材料为Al或Ag，且厚度不小于50nm；所述第一金属层和第二金属层的上边缘和/或下边缘可选择性地包覆有硅基接触层，所述硅基接触层的材料为Cr、Ti、Ta、Ni、W或其氧化物或氮化物或其任意比例的混合物，且厚度不大于100nm。
进一步地，所述有机接触层的外围边缘由绝缘钝化物包覆，使所述有机接触层中未被包覆的区域形成发光区，所述绝缘钝化物为氧化硅、氮化硅、光致抗蚀剂中的一种或其混合物。
进一步地，连接所述第一金属层和所述有机接触层的连接孔设置在所述底电极的边缘位置或四角位置且突出于所述发光区。
进一步地，所述底电极具有凹陷部，所述凹陷部与相邻底电极的突出部相嵌。
进一步地，所述连接孔上的底电极部分被所述绝缘钝化物包覆。
进一步地，设置在底电极边缘位置的通孔的数量为1-4个，且通孔大小不超过1um。
进一步地，所有通孔突出不必全部朝向一个方向。
此外，本发明还提供了一种硅基有机发光器件底电极的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、在所述硅基底上生长所述金属氧化物半导体场效应晶体管；
步骤2、在所述金属氧化物半导体场效应晶体管上方生长所述第一金属层；
步骤3、在所述第一金属层上方生长第一氧化硅或氮化硅层；
步骤4、在所述第一氧化硅或氮化硅层中制作所述连接孔；
步骤5、在所述第一氧化硅或氮化硅层上方制作所述有机接触层；
进一步地，若所述底电极中含有所述第二金属层，则在步骤3和步骤4之间还包含：
步骤3.1、在所述第一氧化硅或氮化硅层中生长所述第二金属层；
步骤3.2、在所述第二金属层上生长第二氧化硅或氮化硅层；
进一步地，所述第一氧化硅或氮化硅层和所述第二氧化硅或氮化硅层形成所述透明绝缘膜；
若所述底电极中含有所述绝缘钝化物，则在步骤5之后还包含：
步骤5.1、在所述有机接触层边缘制作所述绝缘钝化物。
本发明所述的硅基有机发光器件及其制造方法，将反光层下移，通孔偏置并且对电极进行覆盖绝缘钝化物处理，极大提高了有机发光层铺设时的平整度并减小了电极厚度，提高了发光效率和良品率。
以下将结合附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明，以充分地了解本发明的目的、特征和效果。
附图说明
图1是现有技术中有机发光器件的单个底电极的剖面示意图；
图2(a)是本发明的一个较佳实施例的单个底电极的纵剖面结构示意图；
图2(b)是本发明的另一个较佳实施例的单个底电极的纵剖面结构示意图；
图3(a)是本发明的一个较佳实施例的具有绝缘钝化物包覆的单个底电极的纵剖面结构示意图；
图3(b)是本发明的一个较佳实施例的具有绝缘钝化物包覆的单个底电极的纵剖面结构示意图；
图4(a)是本发明的一个较佳实施例的具有绝缘钝化物包覆且连接孔偏置的单个底电极的纵剖面结构示意图；
图4(b)是本发明的一个较佳实施例的具有绝缘钝化物包覆且连接孔偏置的单个底电极的纵剖面结构示意图；
图5(a)是本发明的一个较佳实施例的单个底电极俯视图；
图5(b)是本发明另一个较佳实施例的单个底电极俯视图；
图5(c)是本发明又一个较佳实施例的单个底电极俯视图；
图6是本发明的一个较佳实施例的像素阵列俯视图；
图7(a)是本发明又一个较佳实施例的单个底电极俯视图；
图7(b)是本发明又一个较佳实施例的单个底电极俯视图；
图8(a)是本发明另一个较佳实施例的像素阵列俯视图；
图8(b)是本发明又一个较佳实施例的像素阵列俯视图。
具体实施方式
以下参考说明书附图介绍本发明的多个优选实施例，使其技术内容更加清楚和便于理解。本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。
在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的，本发明并没有限定每个组件的尺寸和厚度。为了使图示更清晰，附图中有些地方适当夸大了部件的厚度。
实施例一：
如图2(a)所示，本实施例提供了一种硅基有机发光器件的底电极01，包括硅基底10，所述底电极01包括第一金属层11、连接孔12、透明绝缘膜13、有机接触层14，所述硅基底10中含有金属氧化物半导体场效应晶体管21，所述连接孔12设置于透明绝缘膜13中，所述有机接触层14通过连接孔12连接至第一金属层11，所述第一金属层11通过金属导线和内部通孔连接至所述金属氧化物半导体场效应晶体管21的输出端31，所述有机接触层14的材料为ITO、Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Cu、Ti、W、Zr、Ta、ZrOx、VOx、MoOx、AlOx、ZnOx、MoN、TiNx、TiSixNy、WSix、WNx、WSixTy、TaNx、TaSixNy、SiOx、SiNx、SiC、C60单质或其任意比例的混合物。所述第一金属层11用于提供反射面，入射光线41透过有机接触层14在第一金属层11形成反射后再次透过有机接触层14向电极外出射。
进一步地，有机接触层14非常薄且呈透明或半透明状态，其厚度为不超过50nm，优选值为5～10nm。
进一步地，透明绝缘膜13的材料为氧化硅或氮化硅，且厚度不超过2μm，优选值为1μm。
进一步地，第一金属层11的材料为Al或Ag，且厚度不小于50nm，优选值为500nm～800nm；进一步地，第一金属层11的上边缘和/或下边缘可包覆有硅基接触层，所述硅基接触层的材料为Cr、Ti、Ta、Ni、W或其氧化物或氮化物或其任意比例的混合物，且厚度不大于100nm，优选为20～50nm。
实施例二：
如图2(b)所示，本实施例提供了一种硅基有机发光器件的底电极01，包括硅基底10，所述底电极01包括第一金属层11、连接孔12、透明绝缘膜13、有机接触层14、第二金属层15，所述硅基底10中含有金属氧化物半导体场效应晶体管21，所述连接孔12设置于透明绝缘膜13中，所述有机接触层14通过连接孔12连接至第一金属层11，所述第二金属层15设置于有机接触层14和第一金属层11之间，所述连接孔12与所述第二金属层15在同一水平高度错开设置且不相连接，所述第二金属层12被透明绝缘膜13所包含。所述第一金属层11通过金属导线和内部通孔连接至所述金属氧化物半导体场效应晶体管21的输出端31，所述有机接触层14为ITO、Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Cu、Ti、W、Zr、Ta、ZrOx、VOx、MoOx、AlOx、ZnOx、MoN、TiNx、TiSixNy、WSix、WNx、WSixTy、TaNx、TaSixNy、SiOx、SiNx、SiC、C60单质或其任意比例的混合物。所述第二金属层15用于提供反射面，入射光线41透过有机接触层14在第二金属层15形成反射后再次透过有机接触层14向电极外出射。所述第一金属作为导电层。
进一步地，有机接触层14非常薄且呈透明或半透明状态，其厚度为不超过50nm，优选值为5～10nm。
进一步地，透明绝缘膜13的材料为氧化硅或氮化硅，且厚度不超过2μm，优选值为1μm。
进一步地，第一金属层11和第二金属层15的材料为Al或Ag，且厚度不小于50nm，优选值为500nm～800nm。进一步地，第一金属层11和第二金属层15的上边缘和/或下边缘可包覆有硅基接触层，所述硅基接触层的材料为Cr、Ti、Ta、Ni、W或其氧化物或氮化物或其任意比例的混合物，且厚度不大于100nm，优选为20～50nm。进一步地，第二金属层可仅包含了上边缘和/或下边缘的硅基接触层而不具有中间层。
实施例三：
如图3(a)所示，在该实施例中，底电极01与实施例一基本相同，特别之处在于，有机接触层14的外围边缘由绝缘钝化物16包覆，使有机接触层14中未被包覆的区域形成发光区，所述绝缘钝化物16为氧化硅、氮化硅、光致抗蚀剂中的一种或其混合物。
实施例四：
如图3(b)所示，在该实施例中，底电极01与实施例二基本相同，特别之处在于，有机接触层14的外围边缘由绝缘钝化物16包覆，使有机接触层14中未被包覆的区域形成发光区，所述绝缘钝化物16为氧化硅、氮化硅、光致抗蚀剂中的一种或其混合物。
实施例五：
如图4(a)所示，在该实施例中，底电极01与实施例三基本相同，特别之处在于，连接第一金属层11和有机接触层14的连接孔12设置在底电极01的边缘位置或四角位置且突出于发光区。
进一步地，底电极01的顶视图如图5(a)-(c)所示，底电极01的周围包覆有绝缘钝化物16，突出部分为91，连接孔12上的底电极部分被绝缘钝化物16包覆。图5(a)为连接孔12设置在底电极01边缘位置的顶视图，图5(b)为连接孔12设置在底电极01边角位置的顶视图，图5(c)为另一种连接孔12设置在底电极01边角位置的顶视图。
进一步地，图6示意了由若干底电极01构成的像素阵列，在该阵列中，连接孔12突出于底电极01的位置位于底电极01的左侧和上侧。在其他示例中，连接孔12突出于底电极01的位置可位于底电极01的右侧或下侧。
进一步地，所述底电极01具有凹陷部，图7(a)-(b)给出了两种示例。图7(a)为连接孔12设置在底电极01边缘位置且具有凹陷部92的顶视图，图7(b)为连接孔12设置在底电极01边角位置且具有凹陷部92的顶视图。
进一步地，所述底电极01的凹陷部92与相邻底电极的突出部91相嵌，图8示意了两种凹陷部与相邻底电极的突出部相嵌的实施例。在图8(a)中，连接孔12设置在底电极01边缘位置且其凹陷部与相邻底电极的突出部相嵌。在图8(b)中，连接孔12设置在底电极的边角位置且其凹陷部与相邻底电极的突出部相嵌。在其他示例中，底电极的凹陷部可设置于底电极的任意边缘位置且与相邻底电极的突出部相嵌。
进一步地，设置在底电极边缘位置的通孔的数量为1-4个，且通孔大小不超过1um。
进一步地，所有通孔突出不必全部朝向一个方向。
进一步地，绝缘钝化物16包覆底电极01边缘处形成斜面，所述斜面与平面的夹角小于75度。
进一步地，绝缘钝化物16包覆底电极01的边缘范围小于1微米且高度小于0.5微米，且绝缘钝化物16包覆底电极01之上的表面粗糙程度小于1纳米。
实施例六：
如图4(a)所示，在该实施例中，底电极01与实施例四基本相同，特别之处在于，连接第一金属层11和有机接触层14的连接孔12设置在底电极01的边缘位置或四角位置且突出于发光区。
进一步地，底电极01的顶视图如图5(a)-(c)所示，底电极01的周围包覆有绝缘钝化物16，突出部分为91，连接孔12上的底电极部分被绝缘钝化物16包覆。图5(a)为连接孔12设置在底电极01边缘位置的顶视图，图5(b)为连接孔12设置在底电极01边角位置的顶视图，图5(c)为另一种连接孔12设置在底电极01边角位置的顶视图。
进一步地，图6示意了由若干底电极01构成的像素阵列，在该阵列中，连接孔12突出于底电极01的位置位于底电极01的左侧和上侧。在其他示例中，连接孔12突出于底电极01的位置可位于底电极01的右侧或下侧。
进一步地，所述底电极01具有凹陷部，图7(a)-(b)给出了两种示例。图7(a)为连接孔12设置在底电极01边缘位置且具有凹陷部92的顶视图，图7(b)为连接孔12设置在底电极01边角位置且具有凹陷部92的顶视图。
进一步地，所述底电极01的凹陷部92与相邻底电极的突出部91相嵌，图8示意了两种凹陷部与相邻底电极的突出部相嵌的实施例。在图8(a)中，连接孔12设置在底电极01边缘位置且其凹陷部与相邻底电极的突出部相嵌。在图8(b)中，连接孔12设置在底电极的边角位置且其凹陷部与相邻底电极的突出部相嵌。在其他示例中，底电极的凹陷部可设置于底电极的任意边缘位置且与相邻底电极的突出部相嵌。
进一步地，设置在底电极边缘位置的通孔的数量为1-4个，且通孔大小不超过1um。
进一步地，所有通孔突出不必全部朝向一个方向。
进一步地，绝缘钝化物16包覆底电极01边缘处形成斜面，所述斜面与平面的夹角小于75度。
进一步地，绝缘钝化物16包覆底电极01的边缘范围小于1微米且高度小于0.5微米，且绝缘钝化物16包覆底电极01之上的表面粗糙程度小于1纳米。
实施例七：
在该实施例中，与实施例一至六基本相同，特别之处在于，在底电极01上制作有机材料，所述有机材料包含空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层。
进一步地，在有机材料上制作顶电极。
进一步地，在顶电极上制作薄膜封装层。
进一步地，在顶电极和薄膜封装层之间还可以制作滤色层。
实施例八：
本发明还提供了所述硅基有机发光器件底电极10的制造方法，包括以下步骤：
步骤1、在硅基底10上生长金属氧化物半导体场效应晶体管21；
步骤2、在金属氧化物半导体场效应晶体管21上方生长所述第一金属层11；
步骤3、在第一金属层上11方生长第一氧化硅或氮化硅层13；
步骤4、在所述第一氧化硅或氮化硅层13中制作所述连接孔12；
步骤5、在所述第一氧化硅或氮化硅层13上方制作所述有机接触层14；
进一步地，若所述底电极10中含有所述第二金属层，则在步骤3和步骤4之间还包含：
步骤3.1、在所述第一氧化硅或氮化硅层中生长所述第二金属层15；
步骤3.2、在所述第二金属层15上生长第二氧化硅或氮化硅层；
所述第一氧化硅或氮化硅层和所述第二氧化硅或氮化硅层形成所述透明绝缘膜13；
进一步地，若所述底电极10中含有所述绝缘钝化物16，则在步骤5之后还包含：
步骤5.1、在所述有机接触层14边缘制作所述绝缘钝化物16。
以上详细描述了本发明的较佳具体实施例。应当理解，本领域的普通技术无需创造性劳动就可以根据本发明的构思作出诸多修改和变化。因此，凡本技术领域中技术人员依本发明的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。
Claims (10)
1.一种硅基有机发光器件底电极结构，包括硅基底，其特征在于，所述底电极包括第一金属层、连接孔、透明绝缘膜、有机接触层，所述硅基底中含有金属氧化物半导体场效应晶体管，所述连接孔设置于透明绝缘膜中，所述有机接触层通过所述连接孔连接至第一金属层，所述第一金属层连接至所述金属氧化物半导体场效应晶体管的输出端，所述有机接触层的材料为ITO、Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Cu、Ti、W、Zr、Ta、ZrOx、VOx、MoOx、AlOx、ZnOx、MoN、TiNx、TiSixNy、WSix、WNx、WSixTy、TaNx、TaSixNy、SiOx、SiNx、SiC、C60单质或其任意比例的混合物。
2.如权利要求1所述的硅基有机发光器件底电极结构，其特征在于，所述底电极还包括第二金属层，所述第二金属层设置于所述有机接触层和所述第一金属层之间，所述连接孔与所述第二金属层在同一水平高度错开设置且不相连接，所述第二金属层被透明绝缘膜所包含。
3.如权利要求1或2所述的硅基有机发光器件底电极结构，其特征在于，所述有机接触层呈透明或半透明状态，且其厚度不超过50nm。
4.如权利要求1或2所述的硅基有机发光器件底电极结构，其特征在于，所述透明绝缘膜的材料为氧化硅或氮化硅，且厚度不超过2μm。
5.如权利要求1或2所述的硅基有机发光器件底电极结构，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的材料为Al或Ag，且厚度不小于50nm；所述第一金属层和第二金属层的上边缘和/或下边缘可选择性地包覆有硅基接触层，所述硅基接触层的材料为Cr、Ti、Ta、Ni、W或其氧化物或氮化物或上述材料的任意比例的混合物，且厚度不大于100nm。
6.如权利要求1或2所述的硅基有机发光器件底电极结构，其特征在于，所述有机接触层的外围边缘由绝缘钝化物包覆，使所述有机接触层中未被包覆的区域形成发光区，所述绝缘钝化物为氧化硅、氮化硅、光致抗蚀剂中的一种或其混合物。
7.如权利要求1或2所述的硅基有机发光器件底电极结构，其特征在于，连接所述第一金属层和所述有机接触层的连接孔设置在所述底电极的边缘位置或四角位置且突出于所述发光区。
8.如权利要求1或2所述的硅基有机发光器件底电极结构，其特征在于，所述底电极具有凹陷部，所述凹陷部与相邻底电极的突出部相嵌。
9.如权利要求1或2所述的硅基有机发光器件底电极结构，其特征在于，所述连接孔上的底电极部分被所述绝缘钝化物包覆。
10.如权利要求1-9任意一种硅基有机发光器件底电极结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、在所述硅基底上生长所述金属氧化物半导体场效应晶体管；
步骤2、在所述金属氧化物半导体场效应晶体管上方生长所述第一金属层；
步骤3、在所述第一金属层上方生长第一氧化硅或氮化硅层；
步骤4、在所述第一氧化硅或氮化硅层中制作所述连接孔；
步骤5、在所述第一氧化硅或氮化硅层上方制作所述有机接触层；
若所述底电极中含有所述第二金属层，则在步骤3和步骤4之间还包含：
步骤3.1、在所述第一氧化硅或氮化硅层中生长所述第二金属层；
步骤3.2、在所述第二金属层上生长第二氧化硅或氮化硅层；
所述第一氧化硅或氮化硅层和所述第二氧化硅或氮化硅层形成所述透明绝缘膜；
若所述底电极中含有所述绝缘钝化物，则在步骤5之后还包含：
步骤5.1、在所述有机接触层边缘制作所述绝缘钝化物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710614191.4A CN107331793B (zh) | 2017-07-25 | 2017-07-25 | 一种硅基有机发光器件底电极结构及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710614191.4A CN107331793B (zh) | 2017-07-25 | 2017-07-25 | 一种硅基有机发光器件底电极结构及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107331793A true CN107331793A (zh) | 2017-11-07 |
| CN107331793B CN107331793B (zh) | 2019-06-14 |
Family
ID=60227352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710614191.4A Active CN107331793B (zh) | 2017-07-25 | 2017-07-25 | 一种硅基有机发光器件底电极结构及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107331793B (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1934605A (zh) * | 2004-03-17 | 2007-03-21 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 电致发光显示器件 |
| KR20090003590A (ko) * | 2007-07-03 | 2009-01-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| US20100025664A1 (en) * | 2008-07-29 | 2010-02-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| TW201248966A (en) * | 2011-05-31 | 2012-12-01 | Seiko Epson Corp | Organic EL device |
| US20160225828A1 (en) * | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| CN106654071A (zh) * | 2017-03-09 | 2017-05-10 | 南京迈智芯微光电科技有限公司 | 一种有机电致发光器件的制作与封装方法 |
-
2017
- 2017-07-25 CN CN201710614191.4A patent/CN107331793B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1934605A (zh) * | 2004-03-17 | 2007-03-21 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 电致发光显示器件 |
| KR20090003590A (ko) * | 2007-07-03 | 2009-01-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| US20100025664A1 (en) * | 2008-07-29 | 2010-02-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| TW201248966A (en) * | 2011-05-31 | 2012-12-01 | Seiko Epson Corp | Organic EL device |
| US20160225828A1 (en) * | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| CN106654071A (zh) * | 2017-03-09 | 2017-05-10 | 南京迈智芯微光电科技有限公司 | 一种有机电致发光器件的制作与封装方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107331793B (zh) | 2019-06-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11222943B2 (en) | Display apparatus | |
| CN100495719C (zh) | 带有黑矩阵的平板显示装置及其制造方法 | |
| CN107026190A (zh) | 显示装置 | |
| CN109725764A (zh) | 具有触摸传感器的显示装置 | |
| CN103779501B (zh) | 一种改善视角特性的顶发射oled器件 | |
| CN106206620B (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法和显示器件 | |
| DE102012109143B4 (de) | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes | |
| WO2020244110A1 (zh) | 有机发光二极管显示面板及电子设备 | |
| US11374196B2 (en) | Organic light emitting diode display panel with organic material structure on upper and lower portions of an inorganic layer and lower portion of second substrate | |
| CN109638078A (zh) | Tft的制备方法、tft、oled背板和显示装置 | |
| CN109216407A (zh) | Oled显示面板及其制备方法 | |
| WO2014114524A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip mit einer ald-schicht verkapselt und entsprechendes verfahren zur herstellung | |
| CN110047892A (zh) | 白光有机发光二极管显示器 | |
| CN102655118A (zh) | 一种amoled器件及制作方法 | |
| WO2015040104A1 (de) | Bauelement und verfahren zum herstellen eines bauelementes | |
| US20200119301A1 (en) | Display device with encapsulation layer with varying ratios of carbon to silicon and oxygen to silicon and method of fabricating the same | |
| TW200414814A (en) | Method of fabricating organic light emitting display with passivation structure | |
| CN107331793A (zh) | 一种硅基有机发光器件底电极结构及其制造方法 | |
| CN216488147U (zh) | 封装结构和显示装置 | |
| CN109713153A (zh) | 有机发光二极管单元、显示面板及其制备方法 | |
| CN108511619A (zh) | Oled对位标记、柔性oled显示面板及其形成方法 | |
| DE102014110054A1 (de) | Optoelektronische Baugruppe und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe | |
| EP1655746A3 (en) | Integrated spiral inductor including a shielding layer | |
| CN107221610A (zh) | 一种提高性能的硅基有机发光器件及其制造方法 | |
| DE112019007980B4 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20201120 Address after: No.18 Meilin street, Jiangning District, Nanjing City, Jiangsu Province (Jiangning Development Zone) Patentee after: Nanjing Yunguang Technology Co., Ltd Address before: 210006, 16, morning glory road, Qinhuai District, Jiangsu, Nanjing Patentee before: NANJING MAIZHI XINWEI PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |